KẾT LUẬN
Nghiên cứu được thực hiện trong luận văn giúp chúng tôi rút ra một số kết luận như sau:
1. Cấu trúc mở với momen từ cao của cluster cation SinCr+ (n = 6-10) đã được
xác định với độ tin cậy cao nhờ vào sự kết hợp giữa phương pháp thực
nghiệm phổ IR-MPD trong khoảng tần số dao động từ 200-600 cm-1 và
phương pháp DFT tắnh toán tại mức lý thuyết B3P86/6-311+G(d). Trong
một số trường hợp, đồng phân bền nhất của cluster mô tả tốt phổ thực nghiệm (n = 9, 10). Trong một số trường hợp, một số đồng phân có năng lượng thấp nhất (rất gần nhau) cùng kết hợp để mô tả phổ thực nghiệm (n = 6, 7, 8).
2. Xác định được xu hướng phát triển cấu trúc rõ rệt ở ba dãy cluster SinCr+/0/-
(n = 3-10), cho thấy điện tắch cluster ảnh hưởng mạnh đến cấu trúc của cluster. Trong khi dãy cation tuân theo quy luật cộng Cr lên khung silicon, dãy cluster trung hoà và anion lại tuân theo quy luật thế Cr vào khung silicon. Tại n = 10 cluster anion có sự hình thành cấu trúc lồng. Hai quy luật thế và cộng Cr cho thấy khung hình học bát diện, lưỡng tháp ngũ giác và TTP rất
bền; hình dạng của chúng có xu hướng được giữ lại ở các cluster SinCr+/0/-
có kắch thước nhỏ và trung bình.
3. Liên kết Si-Cr là liên kết cộng hoá trị phân cực. Trong khi độ bền kết Si-Cr
chịu sự chi phối của các yếu tố độ bội và bậc liên kết, độ bền khung silicon chịu ảnh hưởng bởi cấu trúc và điện tắch của cluster. Trừ cấu trúc lồng của
hai đồng phân anion A9-iso2 và A10-iso1 có điện tắch âm nằm trên nguyên
spin phân bố chủ yếu trên nguyên tử Cr. Điện tắch toàn bộ của các cấu trúc mở này phân tán trên toàn bề mặt cluster mặc dù điện tắch dương trên Cr vẫn tương đối lớn.
4. Phát hiện được đồng phân bền nhất của một số cluster có tắnh đối quang,
gồm C9-iso1-L/R, N7-iso2-L/R và A7-iso2-L/R, lần lượt ứng với cluster Si9Cr+, Si7Cr và Si7Cr-.Hai đồng phân trong một cặp đối quang được phân
biệt nhờ vào phổ ECD tắnh bằng phương pháp TD-B3P86/6-311+G(d). Các
cluster bất đối này thể hiện đồng thời tắnh đối quang và từ tắnh, chúng có thể có vai trò quan trọng trong tương lai.
KIẾN NGHỊ
1. Tiếp tục khảo sát cấu trúc của các cluster silicon pha tạp kim loại, đặc biệt
là kim loại chuyển tiếp ở cả ba trạng thái điện tắch để có cái nhìn tổng quan hơn về cấu trúc và tắnh chất của chúng.
2. Nghiên cứu sâu hơn các yếu tố ảnh hưởng đến cấu trúc gây ra tắnh đối quang