b. Bán dẫn có tạp chất
1.2.4.Các vùng hoạt động và điểm hoạt động của transistor
Từ đặc tuyến ra của transistor ta xác định được ba vùng làm việc của transistor.
a. Vùng ngưng dẫn
Với transistor npn khi cực B hở mạch hay VBE < 0 thì lớp tiếp giáp BE bị phân cực nghịch, không có dòng khuếch tán của điện tử từ cực phát sang cực nền nên IB = 0 và IC ≈0 (thật ra có một dòng điện rỉ rất nhỏ khoảng vài µA). Như vậy, khi hai lớp tiếp giáp đều phân cực nghịch
UBE R1 R1 IB IC IE R2 Hình 5.11: Mô hình phân cực transitor npn
thì transistor ở trạng thái ngưng dẫn. Trên đồ thị (hình 5.13) vùng bên dưới đường IB = 0 là vùng ngưng dẫn của transistor. a.Vùng khuếch đại Khi lớp tiếp giáp BE được phân cực thuận (tạo dòng IB) và BC phân cực nghịch, có một dòng electron khuếch tán từ cực E vượt qua vùng B vào cực C (tạo dòng IC). Khi đó IE
= IB + IC, do IB << IC nên IE ≈
IC. Ta nói rằng transistor đang làm việc trong vùng khuếch đại (vùng không bi gạch chéo trên hình 5.13). Ở một phạm vị hoạt động nhất định, giữa IB và IC có một tỷ lệ xác định chỉ phụ thuộc vào cấu tạo của mỗi loại transistor.
Khi dòng IB thay đổi một lượng ∆IB, dòng IC cũng thay đổi một lượng tương ứng
∆IC với cùng một tỷ lệ. Nói cách khác, một dòng IBnhỏ có thể điều khiển một dòng IC
lớn. Khi đó transistor làm việc ở chế độ khuếch đại tuyến tính ứng với đoạn OM của đường đặc trưng IC =f I( )B
vẽ trên hình 5.14. Người ta lợi dụng tính chất này của
transistor để sử dụng nó làm dụng cụ khuếch đại dòng điện.
IC UCE