5. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài
3.1. Khảo sát thế áp phù hợp để tạo được các hạt platin lên trên GC
Để biến tính các hạt platin lên trên bề mặt điện cực nền GC bằng phương pháp lắng đọng điện hóa thì việc lựa chọn giá trị thế áp phù hợp là rất quan trọng. Chính vì vậy, chúng tôi tiến hành thí nghiệm quét CV của điện cực nền GC trong dung dịch H2SO4 0,1 M và trong dung dịch H2PtCl6 10 mM + H2SO4 0,1 M và kết quả thu được ở Hình 3.1a.
Hình 3.1: Đường CV của điện cực GC trong dung dịch H2SO4 và trong dung dịch H2PtCl6 + H2SO4 (a); Điện cực GC và Pt/GC trong dung dịchH2SO4 (b).
Từ kết quả đường CV thu được của điện cực GC trong dung dịch H2SO4 0,1 M và điện cực GC trong dung dịch H2PtCl6 10 mM + H2SO4 0,1 M (Hình 3.1a). Phổ đồ thu được 3 vùng đặc trưng: vùng 1 (-0,2 V đến + 0,15 V) là vùng đặc trưng cho sự hấp phụ và giải hấp hydro,vùng 2 là vùng hình thành platin oxit (0,8 V đến + 1,2 V), vùng 3 ứng với pic khử ở +0,5 V là vùng khử Pt (IV) → Pt (0) [19]. Như vậy, từ kết quả thu được cho thấy rằng để kết tủa được các hạt nano platin lên trên bề mặt điện cực GC bằng phương pháp lắng đọng điện hóa thì chọn thế áp nhỏ hơn 0,3 V. Ảnh hưởng của thế lắng đọng (EPt) và thời gian lắng đọng (tPt) đến thành phần, đặc tính của lớp Pt đã được
nghiên cứu. Hình 3.1b chỉ ra đường CV của điện cực GC và điện cực Pt/GC trong dung dịch axit H2SO4 0,5 M. Từ Hình 3.1b cho thấy đường quét thế vòng của điện cực cacbon thủy tinh (GC) trong dung dịch axit H2SO4 0,5 M, ngoài sự tăng dòng ở sau thế 1,60 V do bắt đầu sự điện phân dung môi nước thì không có píc xuất hiện do không có phản ứng oxi hóa khử nào khác xảy ra trên điện cực, điều này cũng chứng tỏ, điện cực không bị nhiễm bẩn các chất oxi hóa khử khác và hoạt động tốt. Khi lớp platin dạng hạt được kết tủa lên GC, đường quét thế vòng có dạng đường đặc trưng của vật liệu platin với píc khử ở vị trí khoảng 0,5 V (so với Ag/AgCl), điều này hoàn toàn phù hợp với các công bố tương tự trước đây [10, 29]. Kết quả này chứng tỏ rằng Pt đã biến tính thành công trên GC.