V S= IDR S= 0.RS =
5.2.4. Cỏc tham số đặc trưng của MOSFET
5.2.4.1. Đặc tuyến truyền đạt của D - MOSFET
Như trờn đó trỡnh bày, D- MOSFET cú thể hoạt động trong cả hai trường hợp VGS õm và VGS dương. Đặc điểm này được chỉ rừ trờn đường đặc tuyến truyền đạt của cả hai loại D- MOSFET kờnh N và kờnh P (hỡnh 5.17). VGS = 0 khi ID = IDSS và ID = 0 khi VGS = VGS(off). Tương tự như JFET giỏ trị VGS(off) = - VP. Mối quan hệ giữa dũng ID và VGS cũng được biểu diễn bởi phương trỡnh Sockley (5.1).
5.2.4.2. Đặc tuyến truyền đạt của E - MOSFET
E- MOSFET chỉ hoạt động khi cực G và cực S được phõn cực ngược. Đặc tuyến truyền đạt của E- MOSFET được biểu diễn trờn hỡnh 5.18. Khi VGS = 0 khụng cú dũng ID vỡ vậy E- MOSFET khụng tồn tại tham số dũng cực mỏng bóo hũa (IDSS). Với E- MOSFET lý tưởng sẽ khụng tồn tại dũng ID cho đến khi VGS nhận một giỏ trị nhất định nào đú gọi là điện ỏp ngưỡng VGS(th).
Hỡnh Đặc tuyến vụn amper của MOSFET
Phương trỡnh đường cong đặc tuyến của E- MOSFET:
ID = K(VGS – VGS(th))2 (5.13)
Giỏo trỡnh Linh kiện Điện Tử Đại học Cụng Nghiệp Hà Nội Hằng số K phụ thuộc vào bản thõn mỗi E- MOSFET và cú thể tra cứu hoặc xỏc định được từ cỏc thụng số trong bảng tra cứu linh kiện. Trong sổ tay tra cứu linh kiện sẽ cho biết một giỏ trị ID tại một giỏ trị VGS được gọi là ID(on).
Chỳ ý:
Tất cả cỏc MOSFET đều bị ảnh hưởng bởi cỏc vật phúng điện. Vỡ cực cửa G cỏch li với kờnh dẫn nờn kờnh dẫn cú điện trở rất lớn do vậy dũng IG rất nhỏ cỡ vài pA (lý tưởng dũng IG = 0). Nhưng về cấu tạo cực G và kờnh dẫn hỡnh thành một tụ điện do vậy; dung khỏng vào lớn kết hợp với điện trở vào lớn gõy nguy hiểm đối với cỏc thiết bị phúng điện. Để trỏnh những điều này khi sử dụng MOSFET cần lưu ý:
-MOS phải được lưu trữ hoặc bọc trong vỏ
-Cỏc thiết bị đo hay bàn bằng kim loại dựng cho việc kiểm tra MOS cần phải được nối đất.
-Khi lắp rỏp MOS bằng tay thỡ tay cần được nối đất bằng một dõy dẫn dài hoặc một điện trở cú giỏ trị lớn.
-Khụng gỡ bỏ MOSFET trờn mạch khi đang cú nguồn điện -Khụng cấp tớn hiệu khi chưa cú nguồn một chiều cung cấp.