- Vòng 1 gần đầu điện trở nhất Tiết diện vòng cuối cùng là lớn nhất.
Hình 1.9 Kí hiệu máy biến áp
3.1.1 Sự hỡnh thành vựng nghốo (miền điện tớch khụng gian).
Như ta đó biết, cỏc điện tử tự do trong miền N di chuyển ngẫu nhiờn theo mọi hướng. Ngay khi cho tiếp xỳc PN, cỏc điện tử tự do trong miền N ở gần lớp tiếp xỳc bắt đầu khuếch tỏn sang miền P, ở đõy chỳng kết hợp với cỏc lỗ trống ở gần lớp tiếp xỳc. Khi lớp tiếp xỳc được hỡnh thành, miền N mất cỏc điện tử tự do(do khuếch tỏn sang miền P), tạo ra một lớp tớch điện dương gần lớp tiếp xỳc. Khi cỏc electron di chuyển qua lớp tiếp xỳc , miền P mất cỏc lỗ trống do cỏc điện tử kết hợp với lỗ trống, tạo ra một lớp tớch điện õm gần lớp tiếp xỳc. Hai lớp tớch điện dương và õm này tạo nờn vựng nghốo như hỡnh 1-8. Khỏi niệm vựng nghốo là để chỉ vựng gần lớp tiếp xỳc PN bị mất hết cỏc hạt mang điện (điện tử và lỗ trống). Vựng nghốũ được mở rộng ra tới khi trạng thỏi cõn bằng được thiết lập và khụng cú
thờm sự khuếch tỏn điện tử qua lớp tiếp xỳc. Điều này cú thể được giải thớch như sau: Khi cỏc điện tử tiếp tục khuếch tỏn qua lớp tiếp xỳc làm cho vựng nghốo hỡnh thành hai lớp càng được tớch điện dương và õm mạnh hơn, đến khi lớp tớch điện õm đủ lớn chống lại bất kỳ sự khuếch tỏn nào của cỏc electron sang
miền P và sự khuếch tỏn dừng lại. Núi cỏch khỏc, vựng nghốo hoạt động như một hàng rào ngăn cản sự di chuyển của cỏc electron qua lớp tiếp xỳc.
Phạm Thị Thanh Huyền- Phạm Thị Quỳnh Trang- Nguyễn Thị Kim Ngõn 48
vựng nghốo điện tử lỗ trống ion õm ion dương Hỡnh 1.8. Sự hỡnh thành vựng nghốo ở tiếp xỳc PN.
Giỏo trỡnh Linh kiện Điện Tử Đại học Cụng Nghiệp Hà Nội Chỳ ý là vựng nghốo được hỡnh thành rất nhanh và rất mỏng so với miền N và miền P.
Trong vựng nghốo hỡnh thành một điện trường theo định luật Coulomb. Điện trường này ngăn cản cỏc electron trong miền N, và là năng lượng cần thiết để electron cú thể di chuyển qua vựng nghốo. Điện thế cần cung cấp để cho electron di chuyển qua vựng nghốo gọi là điện ỏp mở. Điện ỏp mở của tiếp xỳc PN phụ thuộc vào nhiều yếu tố, bao gồm loại chất bỏn dẫn , độ pha tạp. và nhiệt độ. Điện ỏp mở điển hỡnh xấp xỉ 0,7V đối với Si và 0,3V đối với Ge ở 25oC.