V C= ICRC EC = E C
5.1. Transistor trường đơn nối (JFET)
5.1.1. Cấu tạo
JFET là một lọai transistor trường mà dũng điện trong kờnh dẫn được điều khiển bởi điện ỏp phõn cực thuận đặt vào lớp tiếp giỏp p-n. Tựy thuộc vào cấu trỳc JFET chia thành hai loại: JFET kờnh N và JFET kờnh P.
Hỡnh 5.1 biểu diễn cấu trỳc của JFET. Xột cấu tạo của JFET kờnh N: đầu thứ nhất của kờnh dẫn N được nối với cực nguồn (source – ký hiệu là S) đầu cũn lại nối với cực mỏng (drain – ký hiệu là D). Hai miền bỏn dẫn P được nối với nhau và đưa ra cực cửa (gate – ký hiệu là G). Hai miền bỏn dẫn P này được tạo ra bằng cụng nghệ pha tạp (hoặc cụng nghệ khuếch tỏn ngay trong miền bỏn dẫn N của kờnh dẫn).
5.1.2. Nguyờn tắc hoạt động
Trước hết để JFET hoạt động phải cấp nguồn sao cho dũng điện trong kờnh dẫn cú hướng từ D sang S và tiếp giỏp P-N giữa cực nguồn và cực cửa phải được phõn cực ngược. Hỡnh 5.2 biểu diễn cỏch cấp nguồn cho JFET.
Xột hoạt động của JFET kờnh N, tiếp giỏp P-N giữa cực cửa và cực nguồn phõn cực ngược khi đú VGS < 0, tại đõy xuất hiện một vựng nghốo điện tớch. Khi VGS càng õm diện tớch của vựng nghốo càng lớn làm độ rộng của kờnh dẫn giảm; điều này cũng đồng nghĩa với việc điện trở kờnh dẫn tăng lờn
Giỏo trỡnh Linh kiện Điện Tử Đại học Cụng Nghiệp Hà Nội dẫn đến dũng ID (dũng hạt tải đi từ D sang S qua kờnh dẫn) giảm. Như vậy dũng ID này cú thể được điều khiển bởi điện ỏp VGS dựa trờn việc điều khiển độ rộng của kờnh dẫn.
5.1.3. Ký hiệu
Ký hiệu của JFET trờn sơ đồ được biểu diễn trong hỡnh 5.3. Chiều của mũi tờn luụn cú hướng từ miền bỏn dẫn P sang miền bỏn dẫn N.