I ngu?n F =
4.2.Nguyờn tắc hoạt động
b. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dựng 4 điụt (chỉnh lưu cầu).
4.2.Nguyờn tắc hoạt động
Phạm Thị Thanh Huyền- Phạm Thị Quỳnh Trang- Nguyễn Thị Kim Ngõn 63
Hỡnh 4.3: Ký hiệu của transistor
Để BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại thỡ lớp tiếp tiếp giỏp B-E phải được phõn cực thuận, lớp tiếp giỏp B-C phõn cực ngược (hỡnh 4.4).
Xột BJT thuộc loại npn, khi đú sự chuyển động của electron trong BJT được mụ tả như hỡnh 4.5.
Phạm Thị Thanh Huyền- Phạm Thị Quỳnh Trang- Nguyễn Thị Kim Ngõn 64
-- - B-C phân cực ngược 0 + B-E phân cực thuận B-E phân cực thuận + - B-C phân cực ngược + - 0 + Hỡnh 4.4: Phõn cực cho transistor Loại NPN Loại PNP
Giỏo trỡnh Linh kiện Điện Tử Đại học Cụng Nghiệp Hà Nội Cỏc điện tử (electron) tự do trong miền E (miền pha tạp lớn nhất) dễ dàng khuếch tỏn về phớa lớp tiếp giỏp B-E và đi sang miền B (do miền này là bỏn dẫn loại p thiếu điện tử). Do miền B cú kớch thước nhỏ cũng như nồng độ pha tạp thấp (cú nghĩa là số lượng lỗ trống tự do trong miền này là giới hạn) nờn chỉ cú một lượng nhỏ điện tử tự do ở lại tỏi hợp với cỏc lỗ trống trong miền B tạo nờn dũng điện trờn cực bazơ (dũng điện này thường rất nhỏ). Cỏc điện tử cũn lại tiếp tục di chuyển qua miền bazơ đi đến tiếp giỏp B-C. Tại đõy, do tiếp giỏp B-C phõn cực ngược những điện tử tự do này sẽ bị kộo về miền C do tỏc dụng của điện trường ngoài và đi về phớa cực õm của nguồn điện nối với cực C tạo thành dũng điện trờn cực collectơ.
Cỏc dũng điện trong BJT
Chiều của cỏc dũng điện chạy trong transistor được biểu diễn trờn hỡnh 4.6
Ký hiệu dũng điện trờn cực E, B và C của BJT lần lượt là IE, IB, IC ;khi đú từ nguyờn tắc hoạt động dễ dàng nhận thấy mối liờn hệ giữa cỏc dũng điện trong transistor như sau:
IE = IB + IC (4.1)