Kỹ thuật Von-Ampe xung vi phõn được sử dụng phổ biến nhất để ghi đường Von-Ampe hũa tan. Theo kỹ thuật này xung cú biờn độ như nhau khoảng (10 ữ 100mV) và bề rộng xung khụng đổi khoảng (30 ữ 100ms) được đặt chồng lờn mỗi bước thế. Dũng được đo hai lần: trước khi nạp xung (I1) và trước khi ngắt xung (I2), khoảng thời gian đo dũng thụng thường là 10 ữ 30 (ms). Dũng thu được là hiệu của hai giỏ trị dũng đú (I = I1 - I2) và I được ghi là hàm của thế đặt lờn điện cực làm việc. Khi xung thế được ỏp vào, dũng tổng cộng trong hệ sẽ tăng lờn do sự tăng dũng Faraday (If) và dũng tụ điện (Ic). Dũng tụ điện giảm nhanh hơn nhiều so với dũng Faraday vỡ Ic ~ e-t/RC* và If ~ t1/2: ở đay t là thời gan, R là điện trở, C* là điện dung vi phõn kộp. Theo cỏch ghi dũng như trờn, dũng tụ điện ghi trước lỳc nạp xung và rước lỳc gắt xung là gần như nhau và do đo, hiệu số dũng ghi được chủ yếu là dũng Faraday. Như
vậy, kỹ thuật Von-Ampe xung vi phõn cho phộp loại trừ tối đa ảnh hưởng của dũng tụ điện [10].
So sỏnh với kỹ thuật quột thế tuyến tớnh, kỹ thuật Von-Ampe xung vi phõn đạt được giới hạn phỏt hiện thấp hơn khoảng 10 lần khi dựng điện cực HMDE. Bằng kỹ thuật Von-Ampe xung vi phõn, với điện cực MFE giới hạn phỏt hiện chất đạt được thấp hơn khoảng (3 ữ 5) lần so với điện cực HMDE. Lund và Onshus [24] đó đưa ra phương trỡnh dũng đỉnh hũa tan xung vi phõn khi phõn tớch theo phương phỏp AdSV trờn điện cực HMDE là:
Ip = k.n2.r. E.U1/2.thp.C Trong đú: thp: thời gian hấp phụ (giõy)
C: nồng độ chất khử cực, r: bỏn kớnh giọt (mm)
n: số e trao đổi trờn điện cực, E(mV): biờn độ xung, U (vũng/phỳt): tốc độ khuấy dung dịch, k: hằng số,