Các nguyên tử sắt bề mặt cĩ các orbital trống nên cĩ thể hoạt động như
các axit Lewis và phản ứng với các bazơ Lewis.Các nguyên tử sắt này phối trí với các ion hydroxyl hoặc các phân tử nước.Khi hấp phụ, các phân tử nước thường phân ly làm cho bề mặt oxide/oxyhydroxide sắt được bao phủ bởi các nhĩm hydroxyl phối trí với các nguyên tử sắt ở lớp dưới.Quá trình hydroxyl hĩa này diễn ra rất nhanh. Tiếp theo đĩ, các phân tử nước hấp phụ thêm nữa nhờ hình thành liên kết hydrogen với các nhĩm OH bề mặt.
Các nhĩm hydroxyl bề mặt (được tạo ra từ sự hấp phụ nước hoặc từ các nhĩm OH cấu trúc) là các nhĩm chức của các oxide/oxyhydroxide sắt.Các nhĩm này cĩ một cặp điện tử cùng với một nguyên tử H cĩ khả năng phân li.
Điều này làm cho các nhĩm OH bề mặt phản ứng với cả axit và bazơ. Do đĩ, các oxide/oxyhydroxide sắt cĩ tính lưỡng tính. [45] đã dùng các kết quả XPS chứng minh akaganeite cĩ thể hoạt động như một axit Lewis hoặc bazơ Lewis khi tương tác với các chất cộng hợp khác nhau.
Quá trình hấp phụ bao gồm sự tương tác của các chất bị hấp phụ với các nhĩm hydroxyl bề mặt trên oxyhydroxide sắt. Trong nhĩm hydroxyl bề
mặt, nguyên tử oxygen cho điện tử cĩ thể tương tác với các proton, trong khi ion kim loại bên dưới hoạt động như một axit Lewis và trao đổi nhĩm OH với các ligand khác để hình thành các phức bề mặt.
Tương tác giữa bề mặt oxide với các chất tan như: H+, OH-, ion kim loại, ligand được xem là thuộc lĩnh vực của hĩa học về phối trí và sự tạo phức bề mặt. Sự hấp phụ của kim loại và của anion được xem như là sự hình thành
cạnh tranh giữa các phức và sự trao đổi cạnh tranh giữa các ligand mà điều này phụ thuộc rất lớn vào pH.
Ngồi ra, bề mặt của các oxyhydroxide kim loại khơng phải như các khối cầu hay các phiến hồn hảo. Chúng cĩ gĩc cạnh và thường gồm các chất dạng hạt, xốp.Đối với các chất cĩ lỗ xốp, các vết nứt và gãy rất nhiều.Một số
lớn các chất rắn cĩ lỗ xốp (gọi tắt là chất rắn xốp) cĩ diện tích bề mặt bên trong lớn hơn nhiều so với diện tích bề mặt bên ngồi.Các bề mặt bất thường như thế sẽ gây ra nhiều loại tương tác tại mặt phân cách của chất hấp phụ và chất bị hấp phụ.