1/ Nguyên tắc chung phân cực Tranzitor
4.4.2.Mạch khuếch đại công suất đơn
1/ Mạch điện
RC : Tải của bộ khuếch đại Tụ C ghép tầng đầu vào Q: khuếch đại công suất
Nguyên lý làm việc:
Khi có tín hiệu vào giả sử dòng Iblà hình sin + ở 1/2 chu kỳ đầu dòng Ib tăng →Ic tăng →UCE giảm .
+ ở 1/2 chu kỳ sau dòng Ib giảm →Ic giảm →UCE tăng Dòng IC biến đổi xung quanh giả trị ICo từ IC max ÷ ICmin
Điện áp UCE biến đổi xung quanh giả trị UCEO từ UCE min ÷UCEmax
2/ Các tham số của tầng KĐCS đơn
Công suất ra tải: PR=
2 2 m. . 2 2 2 CE Cm CEm Cm t t U I U I R R = =
Dòng IC biến thiên từ ICmax đến ICmin
Điện áp UCE biến thiên từ UCEmax đến UCEmin . Do đó:
PR = ( max min)( max min) 8
CE CE C C
U −U I −I
PR đạt giá trị cực đại ( PRmax) khi:
UCEmax – UCEmin ≈ VCC ICmax – ICmin = 2 Ico Pmax= .2 8 C co E I = 2 . 4 8 C Co E I C t E R =
Ta thấy muốn tăng công suất phải tăng điện áp nguồn cung cấp EC
+ Công suất nguồn một chiều cung cấp Po:
Công suất nguồn một chiều cung cấp được xác định: PO = Ec.Io
Trong đó Io là dòng điện trung bình qua tải, dòng qua tải bao gồm thành phần 1 chiều Ico và thành phần xoay chiều :
+ Hiệu suất của mạch khuếch đại
η= max . 1 1 . 25% 4 4 R c co o c co P E I P = E I = =
+ Công suất tiêu tán trên mặt ghép collector (PC) PC = Po – PR= EC.ICo- .
2
CEm Cm U I
Công suất tiêu tán trên mặt ghép collector phụ thuộc vào biên độ tín hiệu ra. Khi không có tín hiệu ra thì PC có giá trị cực đại : PCmax = Po
suất chịu đựng lớn nhất của Tranzitor phải lớn hơn Po: PCmax > Po
Tầng KĐCS đơn có hiệu suất thấp, công suất ra không lớn thường khoảng vài W. Tầng KĐCS đơn có thể ghép điện dung hoặc ghép biến áp với tải như hình vẽ sau:
Mạch khuếch đại công suất đơn sử dụng 1 tranzitor để khuếch đại công suất ra nhỏ, hiệu suất thấp, ít được sử dụng.