Mẫu FTO cùng kích cỡ với anode đƣợc khoan hai lỗ trống vừa khớp với viền của lớp TiO2 trên anode bằng mũi khoan có đƣờng kính 0,5 mm. Cathode cũng đƣợc loại bỏ tạp chất hữu cơ, vô cơ và ion kim loại giống nhƣ quy trình xử lý FTO trong chế tạo anode. Sau khi sấy khô, tiến hành phủ Pt lên bề mặt dẫn FTO bằng cách nhỏ 20 µL dung dịch H2PtCl6 lên bề mặt dẫn của FTO, chờ dung dịch này loang tròn đều trên bề mặt FTO, rồi nung nóng điện cực ở 400o
C trong 15 phút.
Xử lý thủy FTO
- Đánh siêu âm 15 phút trong nƣớc cất.
- Rửa trong acetone 15 phút.
- Rửa bằng dung dịch
HCl/ethanol 0,1 M trong 15 phút.
- Ngâm trong TiCl4 40 mM 30
phút ở 70oC.
- Rửa lại bằng dung dịch HCl/ethanol 0,1 M và ethanol.
Tạo màng TiO2
- Cố định FTO trên bàn in.
- Phủ 4 bốn lớp hồ A và một lớp hồ B lên thủy tinh dẫn.
- Xử lý nhiệt điện cực ở: 325oC 5
phút, 375oC 5 phút, 450oC 15
phút, 500oC 15 phút.
- Ngâm trong TiCl4/H2O 30 phút
ở 70o
C, rửa lại bằng HCl/ethanol 0,1 M và ethanol.
- Nung điện cực ở 500oC trong
khoảng thời gian thích hợp.
Hấp phụ chất nhạy quang - Hạ nhiệt độ điện cực xuống
90oC, ngâm điện cực trong dung
dịch chất nhạy quang khoảng 20 đến 24 giờ.
- Vớt điện cực, rửa bằng dung môi acetonitrile.
Anode hoàn chỉnh
Luận văn thạc sĩ Hóa học Phạm Lê Nhân
Phức H2PtCl6 phân hủy dƣới tác dụng của nhiệt độ theo các phƣơng trình sau: (H3O)2PtCl6.nH2O PtCl4 + 2HCl + (n+2)H2O
PtCl4 PtCl2 + Cl2 PtCl2 Pt + Cl2
Pt tạo ra bám trên bề mặt FTO, hạ nhiệt độ, giữ cathode trong bình sạch để tránh bụi và các hóa chất khác bám lên bề mặt Pt làm ảnh hƣởng đến hiệu suất và các thông số hoạt động của DSC.