Trong chương này, màng oxit Vonfram được chế tạo và khảo sát trên các thiết bị
hiện đại, cịn mới và cĩ độ chính xác cao. Đây là thuận lợi lớn gĩp phần vào thành cơng của luận án.
Với thiết bị tạo màng UNIVEX 450 và bia phún xạ WO3 các thơng số tạo màng cho tốc độ lắng đọng cao là: khoảng cách bia – đế là 5 cm; cơng suất nguồn phún xạ
RF là 100 W; tổng áp suất làm việc của hỗn hợp khí là 10-3 torr. Khi đĩ, để màng oxit Vonfram được trong suốt áp suất riêng phần của Oxy trong hỗn hợp khí làm việc cần thiết là PO2 ≥ 10-4 torr. Với áp suất riêng phần của Oxy PO2 ≤ 0,5.10-4 torr màng oxit Vonfram cho màu xanh.
Để màng oxit Vonfram cĩ hợp thức tốt WO3 và màng cĩ trạng thái kết tinh tốt, màng sau khi chế tạo được tiếp tục ủ nhiệt trong khơng khí ở nhiệt độ cao hơn nhiệt
độ tinh thể hĩa của WO3 trong nhiều giờ (ở đây chúng tơi chọn nhiệt độủ là 3500C, thời gian ủ là bốn giờ). Trong trường hợp màng oxit Vonfram được chế tạo bằng phương pháp phún xạ với điều kiện thiếu Oxy và sau đĩ ủ nhiệt trong khơng khí, trong thời gian đầu của quá trình ủ nhiệt màng, trạng thái kết tinh của màng chỉ cĩ các hạt tinh thể cĩ kích thước rất nhỏ.
Với màng oxit Vonfram được chế tạo cho mục đích làm màng điện sắc, màng
được chế tạo trên bề mặt ITO/thủy tinh. Đây là một thuận lợi cho việc phát triển tinh thể WO3 nhờ cĩ sự hỗ trợ đặc biệt từ bề mặt màng ITO. Trong các chương tiếp theo của luận án này, sựảnh hưởng của lớp điện cực trong suốt lên cấu trúc tinh thể
của màng sẽ đựợc khảo sát sâu hơn bằng phương pháp giản đồ XRD và phổ tán xạ
CHƯƠNG 3: KHẢO SÁT CÁC THƠNG SỐ QUANG HỌC CỦA MÀNG DỰA TRÊN PHÉP PHÂN TÍCH PHỔ TRUYỀN QUA
3.1 KHẢO SÁT CÁC THƠNG SỐ CHIẾT SUẤT n(λ), HỆ SỐ HẤP THỤ α(λ) VÀ HỆ SỐ TẮT k(λ) CỦA MÀNG.