tạo trong điều kiện đủ Oxy và sau khi được ủ nhiệt tiếp trong khơng khí ở
3500C trong thời gian bốn giờ. 4 0 0 6 0 0 8 0 0 1 0 0 0 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 S a u u û n h ie ät M ơ ùi ta ïo m a øn g PO 2/C > 0 ,2 4 2 m to rr/(n m /s) Độ tr uyền qua T(%) B ư ơ ùc so ùn g λ(n m )
2.4.4.2 Ảnh hưởng của sự ủ nhiệt trong khơng khí lên trạng thái kết tinh của màng của màng
Ngồi ảnh hưởng lên hợp thức màng như đã được trình bày ở trên, quá trình ủ
nhiệt ở nhiệt độ cao hơn nhiệt độ tinh thể hĩa của màng cũng sẽ giúp cho màng WO3 trong suốt vơ định hình chuyển sang trạng thái tinh thể, kể cả những màng
Hình 2.13: Giản đồ XRD của các màng oxit vonfram sau khi được ủ nhiệt ở
3500C trong bốn giờ. Trước khi ủ nhiệt, các giản đồ XRD của chúng đều khơng cĩ đỉnh nào: a) phủ trên bề mặt thủy tinh; b) phủ trên bề mặt ITO/thủy tinh.
a) (001) (200) (020) b) (200) (001)
Trên hình 2.13 là giản đồ XRD của các màng oxit Vonfram trên đế thủy tinh thường và đế thủy tinh thường cĩ phủ lớp điện cực trong suốt ITO (Indium Tin Oxide) với các đỉnh (001); (020) và (200) của WO3 sau khi ủ nhiệt ở 3500C trong
bốn giờ. Trước khi ủ nhiệt các màng trong suốt này cĩ trạng thái vơ định hình hoặc chỉ chứa các hạt tinh thể rất nhỏ ở mức khơng thể hiện được đỉnh phổ nào trên giản
đồ XRD. Hiện tượng màng oxit Vonfram kết tinh sau khi ủ nhiệt từ trạng thái vơ
định hình cũng đã được sử dụng khi màng được chế tạo bằng một số phương pháp khác [52].
Đối với những màng được chế tạo trên đế thủy tinh trong điều kiện thiếu Oxy (màng cĩ màu xanh), việc thành lập pha tinh thể trong màng qua quá trình ủ nhiệt sẽ
khĩ khăn và tốn thời gian hơn rất nhiều so với màng trong suốt được chế tạo trên đế
thủy tinh trong điều kiện đủ Oxy. Điều này cũng cĩ thểđược giải thích là do cĩ sự
khuếch tán của Oxy từ bề mặt vào bên trong màng để Oxy hố tối đa các nút Vonfram đến W6+. Quá trình này xảy ra liên tục và tốc độ khuếch tán kém dần theo