... dùng BJT coi tuyến tính => sử dụng nguyên lý xếp chồng Phân tích dựa sơ đồ tương đương: Sơ đồ tươngđương tham số hỗn hợp H Sơ đồ tươngđương tham số dẫn nạp Y Sơ đồ tươngđươngmôhình ... Vùng làm việc coi tuyến tính Pin>Pout Môhình BJT: Môhình mạch điện tử miêu tả xấp xỉ hoạt động thiết bị vùng làm việc xét Khuếch đại BJTtínhiệunhỏ coi tuyến tính cho hầu hết ứng dụng ... UCE=VCC-IC(RC+RE) Độ ổn định tương đối tốt Mạch khuếch đại tínhiệunhỏ Tínhiệu nhỏ: Khuếch đại xoay chiều: Không có giới hạn xác, phụ thuộc tương quan tínhiệu vào tham số linh kiện...
... )2 ⎥ ⎣ N j =1 ⎦ Hình 3.5 Minh họa hiệu ứng a) ồn lên b) Vị trí điểmt ín hiệu thu 3.5 Tách tínhiệu đồng ồn Tập vecto tínhiệu phát (hay điểm không gian tínhiệu tin) gọi chòm tínhiệu Do có ồn ... M tínhiệu độc lập tuyến tính N=M - Khi si(t) tập M tínhiệu không độc lập tuyến tính NN Chú ý khai triển chuỗi Fourier theo tínhiệu tuần hoàn hay biểu diễn tínhiệu ... tạo tínhiệu tạo nên tínhiệu si(t) Sơ đồ hình 3.2 a coi điều chế bên phát Ngược lại cho tínhiệu si(t) (i=1,2, M) vào dãy nhân tích phân (còn gọi tương quan) tính hệ số sij theo sơ đồ (hình...
... dùng BJT coi tuyến tính => sử dụng nguyên lý xếp chồng Phân tích dựa sơ đồ tương đương: Sơ đồ tươngđương tham số hỗn hợp H Sơ đồ tươngđương tham số dẫn nạp Y Sơ đồ tươngđươngmôhình ... đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình CE Chung E vào Đầu vào: điốt tương đương, với re = điện trở xoay chiều điốt Đầu ra: nguồn dòng điều khiển Ic=βIb Sơ đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình ... Vùng làm việc coi tuyến tính Pin>Pout Môhình BJT: Môhình mạch điện tử miêu tả xấp xỉ hoạt động thiết bị vùng làm việc xét Khuếch đại BJTtínhiệunhỏ coi tuyến tính cho hầu hết ứng dụng...
... dùng BJT coi tuyến tính => sử dụng nguyên lý xếp chồng Phân tích dựa sơ đồ tương đương: Sơ đồ tươngđương tham số hỗn hợp H Sơ đồ tươngđương tham số dẫn nạp Y Sơ đồ tươngđươngmôhình ... đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình CE Chung E vào Đầu vào: điốt tương đương, với re = điện trở xoay chiều điốt Đầu ra: nguồn dòng điều khiển Ic=βIb Sơ đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình ... Vùng làm việc coi tuyến tính Pin>Pout Môhình BJT: Môhình mạch điện tử miêu tả xấp xỉ hoạt động thiết bị vùng làm việc xét Khuếch đại BJTtínhiệunhỏ coi tuyến tính cho hầu hết ứng dụng...
... dùng BJT coi tuyến tính => sử dụng nguyên lý xếp chồng Phân tích dựa sơ đồ tương đương: Sơ đồ tươngđương tham số hỗn hợp H Sơ đồ tươngđương tham số dẫn nạp Y Sơ đồ tươngđươngmôhình ... đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình CE Chung E vào Đầu vào: điốt tương đương, với re = điện trở xoay chiều điốt Đầu ra: nguồn dòng điều khiển Ic=βIb Sơ đồ tươngđươngmôhình re Cấu hình ... Vùng làm việc coi tuyến tính Pin>Pout Môhình BJT: Môhình mạch điện tử miêu tả xấp xỉ hoạt động thiết bị vùng làm việc xét Khuếch đại BJTtínhiệunhỏ coi tuyến tính cho hầu hết ứng dụng...
... SƠ ð TƯƠNG ðƯƠNG C A BJT - M c ñích c a vi c chuy n v sơ ñ tương ñương làm cho m ch tính toán ñơn gi n d dàng - Khi s bi n thiên tín hi u vào ñ nh ñ t o s thay ñ i v dòng áp ngõ n m ñ c tính ... tham sô h n h p (hybrid) - Tùy theo BJT m c theo ki u (BC, EC hay CC) mà tham sô có thêm ch sô tương ng Bài gi ng môn K thu t ði n t GV: Lê Th Kim Anh 36 M ch tương ñương c a BJT i1 • v1 = h11i1 ... Khi xét BJT ho t ñ ng dư i ñi u ki n tín hi u nho (sư thay ñ i c a tín hi u vào ñu nho) thi có thê xem BJT m t bô khu ch ñ i ac I,V I,V ∆in B KHU CH ð I ∆out Bài gi ng môn K thu t ði n...
... tài c a doanh nghi p Môhình xu t xây d ng 73 3.11 H s tài s n b o m H s quan h tín d ng c a doanh nghi p quy mô siêu nh Môhình xu t xây d ng 73 DANH M C CÁC HÌNH V , TH Hình Trang 2.1 Các ch ... 19 1.3.2 S t ng ng gi a Môhình i m s tín d ng doanh nghi p c a Edward I Altman v i H th ng nh m c tín nhi m c a Standard & Poor’s 22 1.3.3 ng d ng c a Môhình i m s tín d ng doanh nghi p c a ... H th ng x p h ng tín d ng doanh nghi p t i Ngân hàng th ng m i Vi t Nam hi n 17 1.3 Môhình i m s tín d ng doanh nghi p c a Edward I Altman 19 1.3.1 T ng quan v Môhình i m s tín d ng doanh nghi...
... CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR Cổng diode Cổng BJT VÍ DỤ 3.11 Cổng NAND họ TTL Hãy hoàn thành bảng để xác định hoạt động cổng logic cổng NAND họ TTL theo mạch hình 3.48 Trị số điện trở điện áp là: R1 ... hở AC khuyếch đại emitterchung Hãy xác định điểm-Q hệ số khuyếch đại vòng hở AC mạch khuyếch đại hình 3.4, mạch khuyếch đại sử dụng transistor npn 2N5088 nguồn điện áp base, VBB = V; VCC = 12 V;...
... mạnh Điện trở tối (khi không chiếu sáng - bóng tối) thường 1MΩ, trị số giảm nhỏ 100Ω chiếu sáng mạnh λ Ký hiệuHình dạng Hình Nguyên lý làm việc quang điện trở ánh sáng chiếu vào chất bán dẫn (có ... Kiện Điện Tử Chú ý mạch dùng PUT, ngõ xả tụ điện anod Tínhiệu sử dụng thường lấy catod (và dùng kích SCR UJT) VG VK = ηVBB t VK VK = VP-VV t Hình 34 Trang 147 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình ... Bóng đèn chuông tải R1 SCR λ Nguồn sáng hồng ngoại Hình Khi quang điện trở chiếu sáng (trạng thái thường trực) có điện trở nhỏ, điện cổng SCR giảm nhỏ không đủ dòng kích nên SCR ngưng Khi nguồn sáng...
... định nhiệt cho VP cách thêm điện trở nhỏ R2 (thường khoảng vài trăm ohm) B2 nguồn VBB Ngoài người ta mắc điện trở nhỏ R1 khoảng vài trăm ohm cực B1 để lấy tínhiệu Trang 143 Biên soạn: Trương Văn ... PUT giống UJT có đặc tính thay đổi Tuy cấu tạo, PUT khác hẳn UJT Anod A Anod A P N IA G Cổng G Cổng K Catod Cấu tạo R B2 R VAK P N A VAA K Catod Ký hiệu K VGK R B1 Phân cực Hình 31 Trang 145 Biên ... số tối đa tối thiểu RE +V BB VBB > VP VEB1 VEB1 REmax REmin VP R Q B2 + VEB1 - B1 IE VV IE IP IV Hình 27 Trang 142 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Ta có: R E max = − Và R...
... bán dẫn PNPN SCR cấu tạo ký hiệumô tả sau: Anod A Anod A P N G Cổng G Cổng P N K Catod Ký hiệu K Catod Hình 21 Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy có ký hiệu khác ... Tuy không thông dụng BJT, UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính UJT: Hình sau mô tả cấu tạo đơn giản hoá ký hiệu UJT B2 Nền B1 E ... gầm có lớp bán dẫn PNPN (diod lớp) có hai cực Cấu tạo ký hiệu với đặc tuyến Volt-Ampere phân cực thuận mô tả hình vẽ sau đây: Anod A + A IA P N P N K Catod + Vf - IBO Vf - K VBO Hình 19 Trang 137...
... T1 T2 T1 Đầu + ≈ G n G p G p n n ≈ T1 G - T1 Hình + T1 Thường coi SCR lưỡng hướng dẫn điện theo hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, môhìnhtươngđương cấu tạo Triac Trang 133 Biên soạn: Trương ... GK Cổng Catod P N K Catod Cấu tạo A GA P N A A GA GA Cổng Anod GA GK GK K GK K Ký hiệu K MôhìnhtươngđươngHình 13 Như vậy, ta áp xung dương vào cổng catod thi SCS dẫn điện Khi SCS hoạt động, ... IH V21 -VBO V21 G IG 0,7V +VBO T1 Hình 10 - Như đặc tuyến V-I Triac có dạng sau: - Thật ra, tương tác vùng bán dẫn, Triac nảy theo cách khác nhau, trình bày hình vẽ sau đây: + + T2 T2 G - Cách...
... A IG RG G Cổng (Gate) P N VAK P N RA K VGG VAA Hình Ta thấy SCR coi tươngđương với hai transistor PNP NPN liên kết qua ngõ thu Khi có dòng điện nhỏ IG kích vào cực Transistor NPN T1 tức cổng ... lớn mà SCR chưa dẫn, vượt vị trí SCR dẫn điện Lý có điện dung nội Cb hai cực transistor môhìnhtươngđương SCR dòng điện qua tụ là: i cb = C b dV Dòng điện chạy vào cực T1 Khi dV/dt đủ dt lớn ... điện catod), có dòng điện rỉ nhỏ chạy qua SCR - Khi SCR phân cực thuận (điện anod dương điện catod), ta nối tắt (hoặc để hở) nguồn VGG (IG=0), VAK nhỏ, có dòng điện nhỏ chạy qua SCR (trong thực...
... ta thấy tínhiệu ngõ vào ngõ ngược pha (lệnh pha 180o) XIII MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS Các transistor trường ứng (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích hợp cho mạch có biên độ tínhiệunhỏ tiền ... Thông lộ hình thành n+ p n- p- thân n+ Thoát D Thông lộ hình thành E-MOSFET kênh N V-MOS kênh N Hình 50 Khi VGS dương lớn VGS(th), thông lộ hình thành dọc theo rãnh V dòng electron chạy thẳng từ ... cấu trúc sau: Nguồn S Cổng G Nguồn S n+ n+ p+ p+ nThân n+ DMOS kênh N Thông lộ hình thành Thoát D Hình 51 Các đặc tính hoạt động V-MOS D-MOS giống E-MOSFET Ngoài ra, đặc điểm riêng V-MOS D-MOS...
... vgs gmvgs r0 D vds S Hỡnh 41 IX IN DN TRUYN (TRANSCONDUCTANCE) CA JFET V DEMOSFET Cng tng t nh BJT, mt cỏch tng quỏt ngi ta nh ngha in dn truyn ca FET l t s: g m = i d (t) v gs ( t ) in dn truyn ... D2 I D1 ] dc ti Q l gm1 VGS(th) VGS (volt) Hỡnh 43 XI TNG TR VO V TNG TR RA CA FET - Ging nh BJT, ngi ta cng dựng hiu ng Early nh ngha tng tr ca FET ( vựng bo hũa, VDS tng, dũng in ID cng...
... Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VIII FET VỚI TÍNHIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNGĐƯƠNG VỚI TÍNHIỆUNHỎ Giả sử ta áp tínhiệu xoay chiều hình sin vs(t) có biên độ điện đỉnh 10mV vào ngõ vào ... vDS(t) + vGS(t) - v0(t) 100KΩ -10mV -VGG = -1V Hình 36 C1 C2 tụ liên lạc, chọn cho có dung kháng nhỏ tần số tínhiệu xem nối tắt tần số tínhiệu Nguồn tínhiệu vs(t) chồng lên điện phân cực VGS nên ... với thay đổi hiệu ngõ vào vGS(t), người ta bảo điện ngõ ngược pha - lệch pha 180o so với điện tínhiệu ngõ vào Người ta định nghĩa độ lợi mạch khuếch đại tỉ số đỉnh đối đỉnh hiệutínhiệu ngõ trị...
... nguồn S Môhình cấu tạo ký hiệu diễn tả hình vẽ sau đây: Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 n+ S Ký hiệu n+ ... chuyển nên dòng thoát ID (ID # 0V) Lúc này, có dòng điện rỉ nhỏ chạy qua - VDD + S SiO2 VGS = 0V G D n+ n+ Thân pMạch tươngđươngHình 31 Khi VGS>0, điện trường tạo vùng cổng Do cổng mang điện ... G E-MOSFET kênh N S Thân U Hình 29 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối với nguồn G E-MOSFET kênh P S Thân U Hình 30 Trang 108 Biên soạn:...
... -2V VGS = -3V VGS -4V 0,2V VDS Hình 21 ID Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng (Tối đa 0,2V) + + VGG - D G + VGS - VGG S VDS + VDD Hình 22 Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để ... Thân U G SiO2 n+ Kênh n- S Ký hiệu n+ D Thân p- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET kênh N S Hình 23 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ Kênh p- S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối ... dẫn SiO2 nên transistor gọi MOSFET Ta phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại MOSFET loại tăng Hình sau mô tả cấu tạo MOSFET loại (DE - MOSFET) kênh N kênh P Trang 103 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo...
... dấu - để biểu diễn độ lệch pha 180o • Mạch tươngđương FET với tínhiệu nhỏ: 3/5 Fet với tínhiệu xoay chiều mạch tươngđương với tínhiệunhỏ Do dòng ig nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: Các ... với tínhiệu xoay chiều mạch tươngđương với tínhiệunhỏ Nguồn tínhiệu có điện đỉnh nhỏ nên điện cổng nguồn luôn âm Nhờ đặc tuyến truyền, thấy điểm điều hành di chuyển VGS thay đổI theo tínhiệu ... đồ sau gọi mạch tươngđương xoay chiều FET Riêng E-MOSFET, tổng trở vào rπ lớn, nên mạch tươngđương người ta bỏ rπ 4/5 Fet với tínhiệu xoay chiều mạch tươngđương với tínhiệunhỏ 5/5 ...