b mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp 1

Ngày tải lên: 26/04/2013, 09:50

... cho tín hiệu s1(t) hình (3 .15 a) vẽ lối lọc b) Lặp lại cho tín hiệu s2(t) 3 .1 5b c) Vẽ tín hiệu lọc phù hợp với s2(t) s1(t) cấp lối vào Hình 3 .15 Tách tín hiệu pha ồn 10 B thu góc phần tư hình ... =1 1, , k i =1 ⎠ ⎝ Hình 3.9 Minh họa biên tòan thể a) Chòm điểm b o hiệu, b) Ba chòm với điểm b o hiệu chung điểm b o hiệu khác Vế phải gọi biên toàn thể xác suất trung b nh lỗi cho tập ký hiệu ... Schmidt 15 a) Dùng qui trình trực giao hóa để tìm tập hàm sở trực giao biểu diễn tín hiệu s1(t), s2(t), s3(t) hình 3 .12 Hình 3 .12 b) Biểu diễn hàm sở theo hàm sở tìm Ý nghĩa hình học tín hiệu Xét...

Ngày tải lên: 24/07/2014, 20:20

... tải 1K Chương http://www.khvt.com a) Tónh điểm Q: V BB I CQ 10 50 10 24 V; Rb = 8.3K 10 50 10 50 V BB V BE V BB V BE = 1. 5mA; VCEQ R e Rb / Re 2.2 VCC ( Rc Re ) I CQ = 15 V b) Mạch tương đương tín ... + 10 -4 vce = (830 – 3.67)ib Nhận xét 1: nh hưởng hre không đáng kể Sử dụng KCL ngõ vào: ii Suy ra: Ai iL ii i L ib i b ii vb 10 K 8.3K ib 830ib 830ib 1 10000 8300 ib 1. 183ib ( 36.7) (1 / 1. 183) ... mạch CE: ic = - ib; ihoe = (hfe +1) ib vcb = vce + veb = (-ib)(hfe + 1) (1/ hoe) + (-ib)(hie) vcb (-ib)(hfe + 1) (1/ hoe) = (ic)(hfe + 1) (1/ hoe) Theo đònh nghóa: hob ic v cb ie hob ic vcb ie hoe h fe...

Ngày tải lên: 20/01/2014, 06:20

... tích tín hiệu nhỏ tần số thấp 3 .1 Các thông số hybrid; 3.2 Mạch E chung - CE; 3.3 Mạch B chung - CB; 3.4 Mạch C chung - CC; 3.5 Phản ánh trở kháng 3 .1 Các thông số hybrid v1 h11i1 h12v2 v1 hi i1 ... hic, hfc hr 10 10  ho 10 10 ho 10 4 10 6  3.2 Cấu hình E chung - CE COMMON EMITTER Xác định hệ số hybrid cho cấu hình CE: h fe hie ic ib Q vbe ib Q iC iB Q v BE iB Q h FE h fe v BE iE Q mh fe ... ri ii 41. 5 10 0 10 0 16 16 hob Ai hie h fe hoe h fe 2 .10 0.83 Zi Zo 16 500K 10 3.4 Cấu hình C chung - CC  COMMON COLLECTOR 11 3.5 Phản ánh trở kháng • • Phản ánh từ Emitter  Base: (chuẩn ib) -...

Ngày tải lên: 07/08/2014, 15:22

... đại hình 3.4, mạch khuyếch đại sử dụng transistor npn 2N5088 nguồn điện áp base, VBB = V; VCC = 12 V; RB = 10 0 k; RC = 0,5 k; RE = 10 0 ; V = 0,6 V; fe = 350 B khuyếch đại nhiều tầng ... vBE r  iB () , b 1/ roe  I BQ iC vCE iC  fe  iB vBE e  vCE (S) VCEQ I BQ A ( ) A VCEQ V ( ) V VÍ DỤ 3 .1 Xác định hệ số khuyếch đại vòng hở AC ... MẠCH B NG TRANSISTOR Cổng diode Cổng BJT VÍ DỤ 3 .11 Cổng NAND họ TTL Hãy hoàn thành b ng để xác định hoạt động cổng logic cổng NAND họ TTL theo mạch hình 3.48 Trị số điện trở điện áp là: R1 =...

Ngày tải lên: 16/03/2014, 15:20

... phía tần số thấp gọi xạ hồng ngoại (infrared) phía tần số cao gọi xạ tử ngoại (ultraviolet) Ta thấy xạ có tần số khoảng 4 .10 -14 Hz (tức b ớc sóng 750nm) đến tần số khoảng 7,8 .10 14Hz (tức b ớc ... điện từ tần số hay b ớc sóng Giữa tần số b ớc sóng liên hệ hệ thức λ = c f Trong c vận tốc ánh sáng = 3 .10 8m/s f tần số tính Hz B ớc sóng λ tính m Ngoài người ta thường dùng ước số: µm = 10 -6m ... lên làm giảm điện trở chất b n dẫn Các đặc tính điện độ nhạy quang điện trở dĩ nhiên tùy thuộc vào vật liệu dùng chế tạo Điện trở Ω 10 5 10 000 10 00 0 ,1 10 10 0 10 00 fc Hình Về phương diện lượng,...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... sau đây, ta xác định trị số tối đa tối thiểu RE +V BB VBB > VP VEB1 VEB1 REmax REmin VP R Q B2 + VEB1 - B1 IE VV IE IP IV Hình 27 Trang 14 2 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện ... Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử R2 B2 E VBB B1 R1 Hình 28 Khi nhiệt độ tăng, điện trở liên RBB tăng nên điện liên VB 2B1 tăng Chọn R2 cho tăng VB 2B1 b trừ giảm điện ngưỡng nối PN Trị R2 chọn ... - Điện trở liên RBB: điện trở hai cực nên cực phát để hở RBB tăng nhiệt độ tăng theo hệ số 0,8%/1oC - Tỉ số nội tại: η = R B1 R = B1 Tỉ số định nghĩa cực phát E R B1 + R B R BB để hở - Điện đỉnh...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... cực UJT để khảo sát đặc tính Mạch tương đương UJT IE B2 E E RE V B1 RE VBB E EE V EE B2 D1 R B2 A VBB R B1 B1 Hình 25 Trang 14 0 Biên soạn: Trương Văn Tám ... BJT, UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính UJT: Hình sau mô tả cấu tạo đơn giản hoá ký hiệu UJT B2 Nền B1 E p E Phát B2 nE B2 B1 ... B ng Đèn -VBO VR 11 0V/50Hz 220V/50Hz V +VBO C Hình 18 Hình 17 Ở b n ký dương điện tăng, tụ nạp điện điện VBO DIAC dẫn, tạo dòng kích cho Triac dẫn điện Hết b n kỳ dương, Triac tạm ngưng Đến b n...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... (Gate) T1 Đầu T1 Đầu T2 + T2 IG - T2 IG G T1 T2 T1 Đầu + ≈ G n G p G p n n ≈ T1 G - T1 Hình + T1 Thường coi SCR lưỡng hướng dẫn điện theo hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, mô hình tương đương ... động (trang sau) D1 6,3V SCR1 R2 47Ω 2W SCR2 D3 6,3V RR3 1K 47Ω 2W + - VR 750Ω 2W VZ = 11 V R3 1K 6V ACCU 12 V D2 50uF ~220V ~ 11 0V R1 47Ω 2W Hình - Khi accu nạp chưa đầy, SCR1 dẫn, SCR2 ngưng ... tác vùng b n dẫn, Triac nảy theo cách khác nhau, trình b y hình vẽ sau đây: + + T2 T2 G - Cách T2 G IG < T1 - T2 G IG > T1 - - G IG < T1 + Cách Cách IG > T1 + Cách Hình 11 Trang 13 4 Biên soạn:...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... để tạo dòng kích IG, ta thấy điện quay nhỏ dòng kích IG lớn, điện quay VBO nhỏ IA Diode thường SCR IG2 > IG1 > IG = IH VBR VAK 0,7V VBO Hình Trang 12 8 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh ... SCR dẫn điện Lý có điện dung nội Cb hai cực transistor mô hình tương đương SCR dòng điện qua tụ là: i cb = C b dV Dòng điện chạy vào cực T1 Khi dV/dt đủ dt lớn icb lớn đủ sức kích SCR Người ta ... VAA Hình Ta thấy SCR coi tương đương với hai transistor PNP NPN liên kết qua ngõ thu Khi có dòng điện nhỏ IG kích vào cực Transistor NPN T1 tức cổng G SCR Dòng điện IG tạo dòng cực thu IC1 lớn...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... tuyến tính: VDD = +15 V Q1 P D1 Q2 N D2 v0(t) G2 vo(t) t S2 VGG = t G1 vi(t) vi(t) S1 VDD = 7,5V Hình 49 VGG = VDD = 7,5V - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh N dẫn điện mạnh E-MOSFET kênh P b t đầu ... Trang 12 4 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử B i tập cuối chương Tính VD, điện dẫn truyền gm mạch: +12 V RD 5K VD IDSS = 4mA VGS(off) = -4V RG 1M 1K RE Trong mạch điện sau, tính ... (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích hợp cho mạch có biên độ tín hiệu nhỏ tiền khuếch đại, trộn sóng, khuếch đại cao tần, trung tần, dao động… năm 19 76, người ta phát minh loại transistor trường có...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... cú: g m1 = KI D1 v g m = KI D nờn: g m = g m1 ID(mA) IDmax ID1 [ I D = K VGS VGS( th ) Q I D2 I D1 ] dc ti Q l gm1 VGS(th) VGS (volt) Hỡnh 43 XI TNG TR VO V TNG TR RA CA FET - Ging nh BJT, ngi ... v c gi l CMOS (Complementary MOSFET) Q1 G1 D1 Q2 vi(t) S1 Q1 E-MOSFET kờnh P Q2 E-MOSFET kờnh N D2 v0(t) G2 S2 Hỡnh 46 Tht nú c cu trỳc nh sau: Trang 12 0 Biờn son: Trng Vn Tỏm ... 11 9 Biờn son: Trng Vn Tỏm Giỏo trỡnh Linh Kin in T Trong cỏc mch s dng vi tớn hiu nh ngi ta cú th dựng mch tng ng cho FET nh hỡnh (a) hoc hỡnh (b) Nu ti khụng ln lm, mch tng ng ngi ta cú th b...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... Trang 11 4 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ID(mA) vS(t) 0,01V t -0,01V 12 ,285mA t Q ≈ 12 , 215 mA -1 -1, 01V -1V VGS -0,99V VGS(off) vGS(t) iD(t) (mA) -1, 01V 12 ,285 12 ,250 12 , 215 ... -VGG = -1V điểm tĩnh điều hành Q Trang 11 2 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VIII FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU NHỎ Giả sử ta áp tín hiệu xoay ... vDS(t) + vGS(t) - v0(t) 10 0KΩ -10 mV -VGG = -1V Hình 36 C1 C2 tụ liên lạc, chọn cho có dung kháng nhỏ tần số tín hiệu xem nối tắt tần số tín hiệu Nguồn tín hiệu vs(t) chồng lên điện phân cực VGS nên...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... Về mặt cấu tạo giống DE-MOSFET, khác b ng thường thông lộ nối liền hai vùng thoát D vùng nguồn S Mô hình cấu tạo ký hiệu diễn tả hình vẽ sau đây: Trang 10 7 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình ... chuyển nên dòng thoát ID (ID # 0V) Lúc này, có dòng điện rỉ nhỏ chạy qua - VDD + S SiO2 VGS = 0V G D n+ n+ Thân pMạch tương đương Hình 31 Khi VGS>0, điện trường tạo vùng cổng Do cổng mang điện tích ... ID = 10 mA VGS = 8V Tìm dòng điện thoát ID VGS = 6V Giải: trước tiên ta tìm số K từ thông số: Trang 10 9 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử K= ID [V GS − VGS( th ) = 10 .10 −3...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... điện Oxyt b n dẫn SiO2 nên transistor gọi MOSFET Ta phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại MOSFET loại tăng Hình sau mô tả cấu tạo MOSFET loại (DE - MOSFET) kênh N kênh P Trang 10 3 Biên soạn: ... kiểu VGS = -1V VGS = -2V VGS = -3V VGS -4V 0,2V VDS Hình 21 ID Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng (Tối đa 0,2V) + + VGG - D G + VGS - VGG S VDS + VDD Hình 22 Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với ... nguồn G DE-MOSFET kênh P S Hình 24 Trang 10 4 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý DE - MOSFET có cực: cực thoát D, cực nguồn S, cực cổng G thân U (subtrate) Trong ứng dụng...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... đối đỉnh hiệu tín hiệu ngõ vào: Trong trường hợp thí dụ trên: AV=2,87 ? -18 0o 2/5 Fet với tín hiệu xoay chiều mạch tương đương với tín hiệu nhỏ Người ta dùng dấu - để biểu diễn độ lệch pha 18 0o • ... dấu - để biểu diễn độ lệch pha 18 0o • Mạch tương đương FET với tín hiệu nhỏ: 3/5 Fet với tín hiệu xoay chiều mạch tương đương với tín hiệu nhỏ Do dòng ig nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: Các ... với tín hiệu xoay chiều mạch tương đương với tín hiệu nhỏ Nguồn tín hiệu có điện đỉnh nhỏ nên điện cổng nguồn luôn âm Nhờ đặc tuyến truyền, thấy điểm điều hành di chuyển VGS thay đổI theo tín hiệu...

Ngày tải lên: 31/12/2015, 17:03

Ngày tải lên: 19/10/2012, 12:15

... đầy đủ giải thích đưa phán tín dụng phán tín dụng đắn hạn chế rủi ro 3 .1. 3 Nâng cao trình độ CBCĐTD Nâng cao trình độ bao hàm trình độ nghiệp vụ trình độ đạo đức CBCĐTD cần phải nhận thức tầm ... hoàn thiện nội dung quy trình chấm điểm tín dụng xếp hạng doanh nghiệp sau: 3.2 .1. 1 Lựa chọn số tài độc lập với NHCTVN lựa chọn 11 tiêu tài để chấm điểm tín dụng cho doanh nghiệp, việc lựa chọn ... nhà nước cần ban hành thêm văn cụ thể hướng dẫn chi tiết công tác chấm điểm tín dụng xếp hạng doanh nghiệp b n cạnh định ban hành ( QĐ 57 – NHNN ngày 24/ 01/ 2002, QĐ 457 – NHNN ngày 19 /04/2005 )...

Ngày tải lên: 02/11/2013, 08:20

... đầy đủ giải thích đưa phán tín dụng phán tín dụng đắn hạn chế rủi ro 3 .1. 3 Nâng cao trình độ CBCĐTD Nâng cao trình độ bao hàm trình độ nghiệp vụ trình độ đạo đức CBCĐTD cần phải nhận thức tầm ... hoàn thiện nội dung quy trình chấm điểm tín dụng xếp hạng doanh nghiệp sau: 3.2 .1. 1 Lựa chọn số tài độc lập với NHCTVN lựa chọn 11 tiêu tài để chấm điểm tín dụng cho doanh nghiệp, việc lựa chọn ... nhà nước cần ban hành thêm văn cụ thể hướng dẫn chi tiết công tác chấm điểm tín dụng xếp hạng doanh nghiệp b n cạnh định ban hành ( QĐ 57 – NHNN ngày 24/ 01/ 2002, QĐ 457 – NHNN ngày 19 /04/2005 )...

Ngày tải lên: 02/11/2013, 09:20