Nghiên cứu xây dựng qui trình chế tạo và kiểm tra mối hàn các vật liệu khác nhau bằng kỹ thuật kiểm tra không phá hủy

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN NHƯ QUỲNH NGHIÊN CỨU PHÂN BỐ DÒNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP TRÊN CÁC SPD KHI SÉT ĐÁNH VÀO TÒA NHÀ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2015 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN NHƢ QUỲNH NGHIÊN CỨU PHÂN BỐ DÕNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP TRÊN CÁC SPD KHI SÉT ĐÁNH VÀO TÕA NHÀ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 Hƣớng dẫn khoa học: PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH Tp Hồ Chí Minh, tháng 10 năm 2015 LUẬN VĂN THẠC SĨ LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: NGUYỄN NHƢ QUỲNH Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 20/04/1984 Nơi sinh: Long An Quê quán: Ấp 2, Long Thuận, Thủ Thừa, Long An Dân tộc: Kinh Địa liên lạc: 195/19 Xô viết Nghệ Tĩnh, P.17, Q Bình Thạnh, TP.HCM Điện thoại quan: 08.39307919 Điện thoại nhà riêng: 0978 636 412 Fax: E-mail: nhutquynh2013@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Trung học chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ : tháng 9/2002 đến tháng 9/2004 Nơi học (trƣờng, thành phố): Trƣờng Cao đẳng Công nghiệp Ngành học: Điện công nghiệp Cao Đẳng chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ : tháng 4/2005 đến tháng 10/2006 Nơi học (trƣờng, thành phố): Trƣờng Đại học Cơng nghiệp TP Hồ Chí Minh Ngành học: Điện cơng nghiệp Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ : tháng 4/2007 đến tháng 10/2008 Nơi học (trƣờng, thành phố): Trƣờng Đại học Cơng nghiệp TP Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện Tên đồ án tốt nghiệp: Ứng dụng Labview điều khiển máy điện không đồng pha Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: Ngƣời hƣớng dẫn: Ths Châu Văn Bảo III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Từ 03/2009 Chi cục Tiêu chuẩn Đo lƣờng Nhân viên tƣ vấn đến 10/2010 Chất lƣợng TP.HCM Từ 11/2010 Trƣờng Cao đẳng Nghề Cơ giới Giáo viên Điện-Điện tử đến 02/2012 Thủy lợi 03/2012 đến Trung tâm Kỹ thuật Tiêu chuẩn Thử nghiệm viên Đo lƣờng Chất lƣợng TP.HCM Trang i LUẬN VĂN THẠC SĨ LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc cơng bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2015 (Ký tên ghi rõ họ tên) Nguyễn Nhƣ Quỳnh Trang ii LUẬN VĂN THẠC SĨ CẢM TẠ Lời xin chân thành cám ơn Ban Giám Hiệu nhà trƣờng, Quý Thầy Cô Khoa Điện - Điện tử trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, gia đình, cơng ty bạn bè quan tâm, giúp đỡ để đề tài tơi đƣợc hồn thành yêu cầu Đặc biệt xin chân thành cảm ơn thầy PGS.TS Quyền Huy Ánh, ngƣời trực tiếp hƣớng dẫn, góp nhiều ý kiến quý báo dành nhiều thời gian để hƣớng dẫn, chỉnh sửa, tạo điều kiện thuận lợi để tơi hồn thành luận văn tốt nghiệp thời hạn Cùng hƣớng dẫn thầy Quyền Huy Ánh, Ban Giám đốc anh chị quan nơi công tác, nhận đƣợc nhiều quan tâm giúp đỡ từ bạn bè tạo thêm nghị lực giúp vƣợt qua nhiều khó khăn để hồn thành q trình thực tập Xin gửi đến ba mẹ lời cảm ơn sâu sắc cho có đƣợc ngày hơm Vì thời gian giới hạn nên chắn đề tài cịn điểm thiếu sót Tơi trân trọng cảm ơn ý kiến đóng góp quý thầy để đề tài tơi đƣợc hồn thiện Học viên Nguyễn Nhƣ Quỳnh Trang iii LUẬN VĂN THẠC SĨ TÓM TẮT Sét tƣợng tự nhiên thƣờng xuyên xảy năm, thiệt hại sét đánh lớn nguyên nhân hƣ hỏng thiết bị điện tử nguy hiểm đến tính mạng ngƣời… Để hạn chế thiệt hại sét gây nhà, cần thiết phải sử dụng thiết bị chống sét SPD (surge protective device) Tuy nhiên, để lựa chọn nhƣ phát huy cách có hiệu thiết bị chống sét nguồn điện, cần thiết phải xác định hình dạng giá trị biên độ dòng điện sét qua SPD mạch điện tồ nhà Đa phần tịa nhà có hệ thống đất chống sét trực tiếp đƣợc nối đẳng với hệ thống trung tính nguồn cung cấp Vì vậy, sét đánh trực tiếp vào hệ thống chống sét nhà, phần dòng điện sét theo dây dẫn chạy vào mạng điện nhà làm hƣ hỏng thiết bị Xuất phát từ yêu cầu thực tế, luận văn “Nghiên cứu phân bố dòng sét điện áp SPD sét đánh vào tịa nhà”,bằng Matlab mơ để xác định hình dáng giá trị biên độ xung dịng điện sét vào mạng điện tồ nhà vị trí khác với cấu hình khác tƣơng ứng thay đổi giá trị điện trở tiếp đất hệ thống nối đất sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tồ nhà Kết nghiên cứu giúp cho việc tính tốn tìm giải pháp thích hợp lựa chọn cấu hình bảo vệ tốt đƣờng cấp nguồn hạ cho tòa nhà sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt nhà Trang iv LUẬN VĂN THẠC SĨ ABSTRACT Lightning is one of those natural phenomenons with its obvious violence and the destructive power attributed to it A direct lightning strike to a building may cause damage or interference in the operation of electronic equipment inside the structure and may even be dangerous to the people in the more critical case In order to decide on an efficient surge protective device (SPD) However, for good selection and effective exploitation of surge protection devices, shape and amplitude of lightning surges that get through the SPD arranged on building circuits are required knowledge of the current distribution Currently, in order to have equipotential conditions for the buildings, grounding system of direct lightning protection devices is often connected to the grounding network of power supply system For this reason, when there is a lightning stroke that strikes directly on building’s lightning protection system, a portion of lightning current will spread out in the building electrical network through cables The current in this case will be a major cause which damages home appliances According to practical requirements, a thesis of “Research on lightning current distributions and voltage when direct strike in building”, using modeling and simulation with Matlab, determining some essential current parameters in the building power network when strike points are assumed in different places on the building's roof with different configurations and values of grounding resistors of lightning protection system and power supply one as well under direct stroke on the building The research results enable to calculate, compare and pick out the best protection configuration in low voltage network of the building that is under direct lightning stroke Trang v LUẬN VĂN THẠC SĨ MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN ii CẢM TẠ iii TÓM TẮT iv ABSTRACT .v MỤC LỤC vi DANH MỤC KÝ HIỆU x DANH SÁCH CÁC HÌNH xi DANH SÁCH CÁC BẢNG .xv CHƢƠNG MỞ ĐẦU 1 TÍNH CẤP THIẾT CỦA ĐỀ TÀI NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI GIỚI HẠN CỦA ĐỀ TÀI CÁC BƢỚC TIẾN HÀNH TÍNH MỚI CỦA ĐỀ TÀI .3 TÍNH THỰC TIỄN .3 NỘI DUNG CỦA ĐỀ TÀI Chƣơng TỔNG QUAN VỀ SÉT .5 1.1 Sự hình thành sét .5 1.2 Các thơng số dịng điện sét .8 1.2.1 Biên độ dòng điện sét .8 1.2.2 Thời gian đầu sóng tđ, thời gian sóng tz thời gian tồn sóng t dịng điện sét 1.2.3 Độ dốc đầu sóng dịng điện sét Chƣơng CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA CHỐNG SÉT VAN MOV .9 2.1 Cấu tạo Trang vi LUẬN VĂN THẠC SĨ 2.2 Tính hoạt động biến trở ZnO 12 2.3 Đặc tính V-I 15 2.4 Thời gian đáp ứng 16 2.5 Năng lƣợng cho phép công suất tiêu tán trung bình .17 2.5.1 Năng lƣợng cho phép 17 2.5.2 Cơng suất tiêu tán trung bình 18 Chƣơng 19 MƠ HÌNH MOV HẠ THẾ VÀ MƠ HÌNH NGUỒN PHÁT XUNG 19 3.1 Mơ hình MOV hạ 19 3.1.1 Cấu trúc mơ hình MOV hạ 19 3.1.2 Mơ hình MOV hạ MATLAB 21 3.2 Mô hình nguồn phát xung 24 3.3 Mô MOV 26 Chƣơng 28 CÁC CẤU HÌNH THỬ NGHIỆM 28 4.1 Tóm tắt 28 4.2 Các cấu hình tiêu biểu 29 4.2.1 Cấu hình .29 4.2.2 Cấu hình .32 4.2.3 Cấu hình .33 4.2.4 Cấu hình .36 4.2.5 Cấu hình .37 4.2.6 Cấu hình .40 Chƣơng 42 LẬP MƠ HÌNH MƠ PHỎNG 42 5.1 Trƣờng hợp .42 Hệ thống nối đất hai tòa nhà có giá trị điện trở 10Ω nguồn xung biên độ100kA, dạng sóng 10/350µs 42 5.1.1 Cấu hình (một tòa nhà), kiểu bảo vệ L-E; N-E 42 5.1.2 Cấu hình (một tịa nhà), kiểu bảo vệ L-N;N-E 45 5.1.3 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-E; N-E 48 Trang vii LUẬN VĂN THẠC SĨ 5.1.4 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-E; N-E 52 5.1.5 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-N; N-E 56 5.1.6 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-N; N-E 60 5.2 Trƣờng hợp .64 Hệ thống nối đất hai tịa nhà có giá trị điện trở 5Ω nguồn xung có biên độ 100kA, dạng sóng 10/350µs 64 5.2.1 Cấu hình (một tòa nhà), kiểu bảo vệ L-E; N-E 64 5.2.2 Cấu hình (một tịa nhà), kiểu bảo vệ L-N; N-E 67 5.2.3 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-E; N-E 70 5.2.4 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-E; N-E 74 5.2.5 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-N; N-E 78 5.2.6 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-N; N-E 82 5.3 Trƣờng hợp .86 Hệ thống nối đất hai tịa nhà có giá trị điện trở 10Ω Tuy nhiên, điểm khác so với (trƣờng hợp 1) nguồn xung có biên độ100kA, dạng sóng 8/20µs 86 5.3.1 Cấu hình (một tịa nhà), kiểu bảo vệ L-E; N-E 86 5.3.2 Cấu hình (một tịa nhà), kiểu bảo vệ L-N; N-E 87 5.3.3 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-E; N-E 88 5.3.4 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-E; N-E 89 5.3.5 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-N; N-E 90 5.3.6 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-N; N-E 92 5.4 Trƣờng hợp .93 Hệ thống nối đất hai tòa nhà có giá trị điện trở 5Ω Tuy nhiên, điểm khác so với (trƣờng hợp 2) nguồn xung có biên độ100kA, dạng sóng 8/20µs 93 5.4.1 Cấu hình (một tòa nhà), kiểu bảo vệ L-E; N-E 93 Trang viii LUẬN VĂN THẠC SĨ Bảng 5.20 Kết mơ cấu hình STT GIÁ TRỊ XUNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP ĐƠN VỊ KẾT QUẢ Xung sét qua hệ thống nối đất trung tính nguồn trạm biến áp kA 82,031 Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà kA 36,305 Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ kA 100 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà kA 80,642 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến dây trung tính tịa nhà kA 4,937 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà V 1747,5 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ đƣờng dây pha đến hệ thống nối đất tòa nhà V 2621,1 Nhận xét: từ kết mơ cấu hình 2, với kiểu bảo vệ L-N; N-E, nhận thấy dòng xung sét từ trung tính qua thiết bị chống sét (SPD) xuống hệ thống nối đất tòa nhà 80,642kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà 4,937kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà 36,305kA Điện áp dƣ SPD trung tính với đất 1747,5V Điện áp dƣ SPD pha với đất 2621,1V Nhƣ vậy, so với cấu hình (của trƣờng hợp 3) giá trị điện trở hệ thống nối đất tòa nhà giảm từ 10Ω xuống 5Ω, nhận thấy xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà tăng lên khoảng 50%; xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất giảm khoảng 10kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính điện áp dƣ SPD có giảm nhƣng khơng đáng kể 5.4.3 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-E; N-E Mơ hình mạch có dạng nhƣ (hình 5.45 trƣờng hợp 2), tiến hành mơ cấu hình Matlab, thu đƣợc bảng kết sau: - Kết mô phân bố dòng xung sét qua thành phần qua hệ thống nối đất cấu hình 3, trình bày bảng 5.21 Trang 95 LUẬN VĂN THẠC SĨ Bảng 5.21 Kết mơ cấu hình STT 10 11 12 13 GIÁ TRỊ XUNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP Xung sét qua hệ thống nối đất trung tính nguồn trạm biến áp Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ hai Xung sét qua trung tính nối đất lặp lại trụ điện thứ hai Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tịa nhà thứ hai Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tịa nhà thứ Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ dây trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai ĐƠN VỊ kA KẾT QUẢ 31,721 kA kA kA kA kA 13,000 100 49,667 26,958 33,053 kA 13,575 kA 40,097 kA 15,512 V 1306,2 V 1045,4 V 1394,0 V 1075,1 Nhận xét: từ kết mơ cấu hình 3, sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ hai, với kiểu bảo vệ L-E; N-E, nhận thấy dòng xung sét từ trung tính qua thiết bị chống sét (SPD) xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 33,053kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 13,575kA; xung sét từ trung tính qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 40,097kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 15,512kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 13,000kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 26,958kA Điện áp dƣ SPD trung tính với đất tòa nhà thứ 1306,2V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ 1045,4V; điện áp dƣ SPD trung tính với đất tịa nhà thứ hai 1394,0V; điện áp Trang 96 LUẬN VĂN THẠC SĨ dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ hai 1075,1V Nhƣ vậy, so với cấu hình (của trƣờng hợp 3) giá trị điện trở hệ thống nối đất tòa nhà giảm từ 10Ω xuống 5Ω, nhận thấy xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà tăng lên khoảng 50%; xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất giảm khoảng 5kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất điện áp dƣ SPD có thay đổi nhƣng khơng đáng kể 5.4.4 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-E; N-E Mơ hình mạch có dạng nhƣ (hình 5.52 trƣờng hợp 2), tiến hành mơ cấu hình Matlab, thu đƣợc bảng kết sau: - Kết mơ phân bố dịng xung sét qua thành phần qua hệ thống nối đất cấu hình 4, trình bày bảng 5.22 Bảng 5.22 Kết mơ cấu hình STT GIÁ TRỊ XUNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP ĐƠN VỊ KẾT QUẢ Xung sét qua hệ thống nối đất trung tính nguồn trạm biến áp kA 41,384 Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ kA 20,658 Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ kA 100 Xung sét qua trung tính nối đất lặp lại trụ điện thứ hai kA 40,994 Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai kA 13,095 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tịa nhà thứ kA 60,365 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ kA 9,758 Dòng xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai kA 12,832 Dòng xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai kA 7,324 10 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ V 1609,8 11 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ V 984,5 12 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ dây trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai V 1033,7 13 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai V 935,2 Trang 97 LUẬN VĂN THẠC SĨ Nhận xét: từ kết mơ cấu hình 4, sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ nhất, với kiểu bảo vệ L-E; N-E, nhận thấy dòng xung sét từ trung tính qua thiết bị chống sét (SPD) xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 60,365kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 9,758kA; xung sét từ trung tính qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 12,832kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 7,324kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 20,658kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 13,095kA Điện áp dƣ SPD trung tính với đất tòa nhà thứ 1609,8V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ 984,5V; điện áp dƣ SPD trung tính với đất tịa nhà thứ hai 1033,7V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ hai 935,2V Nhƣ vậy, so với cấu hình (của trƣờng hợp 3) giá trị điện trở hệ thống nối đất tòa nhà giảm từ 10Ω xuống 5Ω, nhận thấy xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà tăng lên khoảng 50%; xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất giảm khoảng 5kA; xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất điện áp dƣ SPD có thay đổi nhƣng khơng đáng kể 5.4.5 Cấu hình (gồm hai tịa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ hai), kiểu bảo vệ L-N; N-E Mơ hình mạch có dạng nhƣ (hình 5.59 trƣờng hợp 2), tiến hành mơ cấu hình Matlab, thu đƣợc bảng kết sau: - Kết mô phân bố dòng xung sét qua thành phần qua hệ thống nối đất cấu hình 5, trình bày bảng 5.23 Trang 98 LUẬN VĂN THẠC SĨ Bảng 5.23 Kết mơ cấu hình STT 10 11 12 13 GIÁ TRỊ XUNG SÉT VF ĐIỆN ÁP Xung sét qua hệ thống nối đất trung tính nguồn trạm biến áp Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ hai Xung sét qua trung tính nối đất lặp lại trụ điện thứ hai Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến dây trung tính tòa nhà thứ Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến dây trung tính tòa nhà thứ hai Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ dây trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai ĐƠN VỊ kA KẾT QUẢ 31,810 kA kA kA kA kA 12,649 100 49,918 27,125 12,649 kA 13,577 kA 87,576 kA 15,454 V 1052,7 V 2060,4 V 1827,7 V 2899,2 Nhận xét: từ kết mơ cấu hình 5, sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ hai, với kiểu bảo vệ L-N; N-E, nhận thấy dòng xung sét từ trung tính qua thiết bị chống sét (SPD) xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 12,649kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ 13,577kA; xung sét từ trung tính qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 87,576kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ hai 15,454kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 12,649kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 27,125kA Điện áp dƣ SPD trung tính với đất tòa nhà thứ 1052,7V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ 2060,4V; điện áp dƣ SPD trung tính với đất tịa nhà thứ hai 1827,7V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ hai 2899,2V Nhƣ vậy, so với cấu hình Trang 99 LUẬN VĂN THẠC SĨ (của trƣờng hợp 3) giá trị điện trở hệ thống nối đất tòa nhà giảm từ 10Ω xuống 5Ω, nhận thấy xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà tăng lên khoảng 50%; xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất giảm khoảng 5kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính điện áp dƣ SPD có thay đổi nhƣng khơng đáng kể 5.4.6 Cấu hình (gồm hai tòa nhà, xung sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tịa nhà thứ nhất), kiểu bảo vệ L-N; N-E Mơ hình mạch có dạng nhƣ (hình 5.66 trƣờng hợp 2), tiến hành mơ cấu hình Matlab, thu đƣợc bảng kết sau: - Kết mô phân bố dòng xung sét qua thành phần qua hệ thống nối đất cấu hình 6, trình bày bảng 5.24 Bảng 5.24 Kết mô cấu hình TT GIÁ TRỊ XUNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP ĐƠN VỊ KẾT QUẢ Xung sét qua hệ thống nối đất trung tính nguồn trạm biến áp kA 41,546 Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ kA 20,828 Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ kA 100 Xung sét qua trung tính nối đất lặp lại trụ điện thứ hai kA 41,225 Xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai kA 12,774 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ kA 90,015 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến dây trung tính tịa nhà thứ kA 9,596 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai kA 12,773 Xung sét qua thiết bị chống sét, từ pha đến dây trung tính tịa nhà thứ hai kA 7,235 10 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ trung tính đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ V 1872,6 11 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ V 2850,9 12 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ dây trung tính đến hệ thống nối đất tịa nhà thứ hai V 1056,5 13 Điện áp dƣ thiết bị chống sét, từ pha đến hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai V 1982,2 Trang 100 LUẬN VĂN THẠC SĨ Nhận xét: từ kết mô cấu hình 6, sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ nhất, với kiểu bảo vệ L-N; N-E, nhận thấy dòng xung sét từ trung tính qua thiết bị chống sét (SPD) xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 90,015kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ 9,596kA; xung sét từ trung tính qua SPD xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 12,773kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ hai 7,235kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ 20,828kA; xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ hai 12,774kA Điện áp dƣ SPD trung tính với đất tịa nhà thứ 1872,6V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ 2850,9V; điện áp dƣ SPD trung tính với đất tòa nhà thứ hai 1056,5V; điện áp dƣ SPD pha với đất tòa nhà thứ hai 1982,2V Nhƣ vậy, so với cấu hình (của trƣờng hợp 3) giá trị điện trở hệ thống nối đất tòa nhà giảm từ 10Ω xuống 5Ω, nhận thấy xung sét qua hệ thống nối đất tòa nhà tăng lên khoảng 50%; xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất giảm khoảng 5kA; xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính điện áp dƣ SPD có thay đổi nhƣng khơng đáng kể Trang 101 LUẬN VĂN THẠC SĨ BẢNG THỐNG KÊ TỪ CẤU HÌNH ĐẾN CẤU HÌNH Bảng 5.25 Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-E; N-E) T T Giá trị xung sét điện áp Xung sét 100kA, 10/350µs Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω Xung sét từ trung tính nguồn trạm biến áp xuống đất; (kA) 94,848 90,059 92,184 82,049 Xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) 21,171 33,185 23,472 36,288 Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ nhất; (kA) 100 100 100 100 Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) 75,155 70,776 74,012 65,665 Xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) 5,908 5,639 5,674 5,059 Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) 1644,6 1594,4 1700,2 1597,0 Điện áp SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) 902,5 896,7 899,3 885,8 Bảng 5.26 Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-N; N-E) T T Giá trị xung sét điện áp Xung sét 100kA, 10/350µs Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω Xung sét từ trung tính nguồn trạm biến áp xuống đất; (kA) 94,817 89,957 92,045 82,031 Xung sét xuống hệ thống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) 21,795 33,239 23,485 36,305 Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà thứ nhất; (kA) 100 100 100 100 Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tịa nhà thứ nhất; (kA) 92,570 87,155 90,600 80,642 Xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tínhtại tịa nhà thứ nhất; (kA) 5,702 5,389 5,548 4,937 Điện áp SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà thứ nhất; (V) 1807,1 1746,9 1872,2 1747,5 Điện áp SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) 2701,6 2637,5 2762,8 2621,1 Trang 102 LUẬN VĂN THẠC SĨ Bảng 5.27 Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-E; N-E) T T 10 11 12 13 Giá trị xung sét điện áp Xung sét từ trung tính nguồn xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà hai; (kA) Xung sét từ trung tính lặp lại (trụ điện thứ 2) xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà hai; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ hai; (V) Xung sét 100kA,10/350µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 42,635 40,680 8,307 11,991 100 100 56,271 52,450 Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 35,736 31,721 8,848 13,000 100 100 55,974 49,667 16,655 39,317 25,238 35,866 17,407 38,499 26,958 33,053 14,407 14,157 14,210 13,575 44,684 42,422 44,197 40,097 16,998 16,684 16,440 15,512 1366,7 1324,1 1381,0 1306,2 1052,3 1048,4 1056,3 1045,4 1424,3 1396,8 1448,0 1394,0 1091,4 1086,2 1090,2 1075,1 Bảng 5.28 Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-E; N-E) T T 10 11 12 13 Giá trị xung sét điện áp Xung sét từ trung tính nguồn xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét đánh vào kim thu sét tịa nhà 1; (kA) Xung sét từ trung tính lặp lại (trụ điện thứ 2) xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà hai; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tịa nhà thứ hai; (V) Xung sét 100kA,10/350µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 47,305 44,871 12,957 19,701 100 100 47,517 44,741 Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 45,741 41,384 13,195 20,658 100 100 46,112 40,994 8,698 67,565 12,241 64,171 9,042 61,394 13,095 60,365 9,377 9,568 9,516 9,758 15,725 13,692 15,558 12,832 6,508 7,008 6,769 7,324 1643,0 1601,3 1683,8 1609,8 973,0 977,1 979,3 984,5 1073,8 1042,3 1078,5 1033,7 915,0 925,6 923,3 935,2 Trang 103 LUẬN VĂN THẠC SĨ Bảng 5.29.Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-N; N-E) T T 10 11 12 13 Giá trị xung sét điện áp Xung sét từ trung tính nguồn xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà 2; (kA) Xung sét từ trung tính lặp lại (trụ điện thứ 2) xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ hai; (kA) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tòa nhà hai; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ hai; (V) Xung sét 100kA,10/350µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 42,470 40,570 8, 118 11,611 100 100 56,645 52,741 Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 35,760 31,810 8,665 12,649 100 100 56,230 49,918 16,679 8,096 25,358 11,611 17,510 8,656 27,125 12,649 14,466 14,191 14,269 13,577 96,980 94,048 94,754 87,576 16,945 16,597 16,453 15,454 978,5 1037,0 983,3 1052,7 1948,5 2020,0 1983,8 2060,4 1914,6 1808,2 1925,4 1827,7 3001,5 2891,9 3009,8 2899,2 Bảng 5.30 Bảng thống kê cấu hình (kiểu bảo vệ L-N; N-E) T T 10 11 12 13 Giá trị xung sét điện áp Xung sét từ trung tính nguồn xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét đánh vào kim thu sét tòa nhà 2; (kA) Xung sét từ trung tính lặp lại (trụ điện thứ 2) xuống đất; (kA) Xung sét xuống nối đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ nhất; (kA) Xung sét từ trung tính qua SPD xuống đất tòa nhà thứ hai; (kA) Xung sét từ dây pha qua SPD đến dây trung tính tịa nhà thứ hai; (kA) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tịa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ nhất; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ trung tính xuống đất tòa nhà hai; (V) Điện áp dƣ SPD nối từ dây pha xuống đất tòa nhà thứ hai; (V) Xung sét 100kA,10/350µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 47,288 45,044 13,002 19,900 100 100 47,604 45,028 Xung sét 100kA, 8/20µs Rđất = 10Ω Rđất = 5Ω 45,865 41,546 13,310 20,828 100 100 46,285 41,225 8,478 97,800 11,925 94,480 8,897 95,604 12,774 90,015 9,181 9,374 9,400 9,596 8,474 11,923 8,897 12,773 6,399 6,901 6,725 7,235 1880,0 1815,5 1952,3 1872,6 2833,1 2788,9 2925,8 2850,9 991,6 1045,2 991,8 1056,5 1865,2 1948,5 1885,5 1982,2 Trang 104 LUẬN VĂN THẠC SĨ 5.5 Nhận xét chung Kiểu bảo vệ L-N; N-E có phân bố dịng sét từ trung tính qua SPD xuống đất điện áp dƣ SPD lớn kiểu bảo vệ L-E; N-E - Cƣờng độ dòng qua SPD phụ thuộc yếu tố sau:  Dạng xung biên độ xung  Kiểu bảo vệ  Giá trị điện trở nối đất  Vị trí sét đánh - Chọn SPD có giá trị dịng điện lớn cho trƣờng hợp nhƣ sau:  Trƣờng hợp có tòa nhà (nằm khu vực ngoại thành)  SPD pha với đất; L-E ≥ 6kA,với xung 10/350µs  SPD trung tính với đất; N-E ≥ 95kA, với xung 10/350µs  SPD pha với trung tính; L-N ≥ 6kA, với xung 10/350µs  Trƣờng hợp có hai tịa nhà (nằm khu vực ngoại thành)  SPD pha với đất; L-E ≥ 20kA, với xung 10/350µs  SPD trung tính với đất; N-E ≥ 100kA, với xung 10/350µs  SPD pha với trung tính; L-N ≥ 20kA, với xung 10/350µs  Trƣờng hợp có tịa nhà (nằm khu vực nội thành)  SPD pha với đất; L-E ≥ 6kA, với xung 8/20µs  SPD trung tính với đất; N-E ≥ 90kA, với xung 8/20µs  SPD pha với trung tính; L-N ≥ 6kA, với xung 8/20µs  Trƣờng hợp có hai tòa nhà (nằm khu vực nội thành)  SPD pha với đất; L-E ≥ 20kA, với xung 8/20µs  SPD trung tính với đất; N-E ≥ 95kA, với xung 8/20µs  SPD pha với trung tính; L-N ≥ 20kA, với xung 8/20µs Trang 105 LUẬN VĂN THẠC SĨ Chƣơng KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN 6.1 Kết Luận Luận văn tiến hành nghiên cứu giải vấn đề sau: - Đánh giá biên độ cực đại qua thiết bị chống sét (từ 6kA đến 100kA, dạng xung 10/350µs từ 6kA đến 95kA, dạng xung 8/20µs) sét đánh thẳng vào hệ thống chống sét trực tiếp tịa nhà (100kA, 10/350µs 8/20µs) với cấu hình khác (6 cấu hình tƣơng ứng với thay đổi cấu hình bảo vệ, số lƣợng tòa nhà, giá trị điện trở nối đất, dạng xung sét, ) Từ có sở lựa chọn dòng định mức thiết bị chống sét cách hợp lý - Đánh giá biên độ điện áp dƣ ngang qua tải (từ 0,896kV đến 3,001kV) ứng với xung sét 100kA, 10/350µs (từ 0,885kV đến 3,009kV) ứng với xung sét 100kA, 8/20µs tƣơng ứng với loại cấu hình Nhận thấy, giá trị điện áp dƣ cịn cao Vì vậy, thiết bị chống sét kiểu cắt sét bảo vệ đƣợc thiết bị điện cơ, để bảo vệ thiết bị điện tử cần có giải pháp bảo vệ phù hợp - Trong tất cấu hình khảo sát, thay đổi giá trị điện trở nối đất (10Ω 5Ω) phân bố dòng qua thiết bị bảo vệ chống sét điện áp dƣ ngang qua tải không thay đổi nhiều (khoảng 5%) - Kết nghiên cứu sử dụng làm tài liệu tham khảo cho đơn vị tƣ vấn thiết kế đề giải pháp lựa chọn thiết bị chống sét hợp lý (đảm bảo tiêu kỹ thuật tiêu kinh tế) học viên cao học ngành kỹ thuật điện nghiên cứu bảo vệ áp sét đánh trực tiếp vào kim thu sét đặt tòa nhà 6.2 Hƣớng nghiên cứu phát triển Hƣớng nghiên cứu phát triển đề tài: - Nghiên cứu phân bố dòng qua thiết bị bảo vệ chống sét kiểu lọc sét điện áp dƣ ngang qua tải để lựa chọn giải pháp bảo vệ áp cách hiệu cho thiết bị tải điện tử - Nghiên cứu phối hợp SPD trung áp hạ áp bảo vệ chống sét lan truyền đƣờng cấp nguồn Trang 106 LUẬN VĂN THẠC SĨ TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quyền Huy Ánh Giáo trình an tồn điện NXB Đại học Quốc gia TP.HCM, 2011 [2] Trƣơng Tri Ngộ Cung cấp điện an toàn điện chống sét cho nhà cơng trình cơng cộng NXB Xây Dựng, 2011, tr 153-154 [3] Dƣơng Vũ Văn - Trần Hoàng Lĩnh - Lê Thanh Thỏa Hướng dẫn thiết kế tốt nghiệp thiết kế phần điện thiết kế chống sét cho nhà máy nhiệt điện NXB Đại học Quốc gia TP.HCM, 2013 [4] Trần Đình Long tác giả Hướng dẫn thiết kế lắp đặt điện theo tiêu chuẩn quốc tế IEC NXB Khoa học Kỹ thuật,2007 [5] Nguyễn Phùng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa học Kỹ thuật, 2008 [6] Richard L Cohen, Doug Dorr, James Funke, Chuck Jensen, S Frank Waterer How to Protect Your House and Its Contents from Lightning.IEEE, 2005 [7] K.Wincencik, A W Sowa The overvoltages protections systems in main voltage supply of large industrial halls International Conference on Lightning Protection, 2002, pp 512-515 [8] VladimirA Rakov, MartinA Uman, MarkI Fernandez, CarlosT Mata, KeithJ Rambo, MichaelV Stapleton, andRafaelR Sutil Direct Lightning Strikes to the Lightning Protective System of a Residential Building: Triggered Lightning Experiments, 2002, pp 575-586 [9] Jakub Furga, Saad Khalifa Omar Dau Modelling of metal oxide surge arresters as elements of overvoltage protection systems, 2008 [10] Mohammad Reza Meshkatoddini Metal Oxide ZnO-Based Varistor Ceramics, 2000, pp 330-356 [11] Tomasz KISIELEWICZ, Fabio FIAMINGO, Carlo MAZZETTI, Dominik KRASOWSKI Impact of overvoltage shape caused by lightning stroke on sensitive apparatus protection by means of SPD, 2012, pp 282-284 [12] T Kisielewicz, G.B Lo Piparo, C Mazzetti, A Rousseau Dimensioning of Trang 107 LUẬN VĂN THẠC SĨ SPD for the protection against surges due to lightning to LV overhead lines, International Conference on Lightning Protection, 2014, pp 1380-1384 [13] BSI - British Standards Institution Low voltage surge protective devices, 2006 [14] Andrzej W Sowa, Jarolaw Wiater Lightning dangerous caused by pentientytail differences inside the structures, 2000 [15] Datasheet MOV EPCOS, 2002, pp 221-226 [16] Littelfuse Varistors - Basic Properties, Terminology and Theory Internet: http://www.littelfuse.com/littelfuse_app-note_an9767_4.pdf, 08/4/2015 [17] ac-lightning-protection Internet: https://www.google.com.vn/#q=ac-lightning-protection.pp, 08/4/2015 [18] Arresting the surges in lightning strikes Internet: http://blog.schneider-electric.com/power-management-metering-monitoringpower-quality/2013/02/26/arresting-the-surges-in-lightning-strikes/, 19/7/2015 Trang 108 S K L 0 ... DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN NHƢ QUỲNH NGHIÊN CỨU PHÂN BỐ DÕNG SÉT VÀ ĐIỆN ÁP TRÊN CÁC SPD KHI SÉT ĐÁNH VÀO TÕA NHÀ NGÀNH: KỸ THUẬT... Bi2O3, CO, MnO, Cr2O3 Quá trình chế tạo biến trở ZnO theo tiêu chuẩn kỹ thuật ceramic Các thành phần đƣợc trộn thành hỗn hợp xay thành bột Hỗn hợp bột đƣợc làm khô nén thành hình dạng mong muốn... 106 KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN 106 6.1 Kết Luận 106 6.2 Hƣớng nghiên cứu phát triển .106 TÀI LIỆU THAM KHẢO .107 Trang ix LUẬN VĂN THẠC