Chế tạo gC3N4 và khảo sát sự ảnh hưởng của gC3N4 đến tính chất của TiO2 dạng ống (TNTs)

Nội dung đồ án tốt nghiệp tập trung nghiên cứu chế tạo gC3N4 và khảo sát sự ảnh hưởng của gC3N4 đến tính chất của TiO2 dạng ống. Sử dụng phương pháp nung để chế tạo gC3N4 từ tiền chất Thioure và Urea. Ngoài ra còn khảo sát ảnh hưởng của tiền chất đến sự hình thành gC3N4. Mẫu composite (gC3N4TNTs) tổng hợp từ gC3N4 (trên) và TiO2 thương phẩm bằng phương pháp nhiệt thủy phân trong môi trường kiềm đặc. Trong đồ án này, các phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD), tán xạ Raman, phổ UVVis, hiển vi điện tử quét (SEM) và phổ hồng ngoại biến đổi Fourier đã được dùng để phân tích các mẫu vật liệu chế tạo được. Kết quả phân tích cho thấy mẫu được chế tạo thành công từ tiền chất Thioure và Urea và khảo sát được sự ảnh hưởng của gC3N4 đến các tính chất của TNTs.

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Chế tạo g-C3N4 khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TiO2 dạng ống (TNTs) Ngành Vật lý kĩ thuật Chuyên ngành Vật liệu điện tử công nghệ nano Bộ môn: Viện: Quang học quang điện tử Vật lý kĩ thuật HÀ NỘI - 7/2020 TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Chế tạo g-C3N4 khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TiO2 dạng ống (TNTs) Ngành Vật lý kĩ thuật Chuyên ngành Vật liệu công nghệ nano Giảng viên hướng dẫn (Ký ghi rõ họ tên) HÀ NỘI - 7/2020 Lời cảm ơn Để hoàn thành đồ án tốt nghiệp này, em nhận nhiều giúp đỡ, động viên bảo thầy cô viện Vật lý kỹ thuật- Đại học Bách Khoa Hà Nội, gia đình bạn bè Em xin gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc đến giáo viên hướng dẫn người hướng dẫn tận tình, giúp đỡ em hoàn thành đồ án tốt nghiệp Em xin chân thành cảm ơn thầy cô Viện vật lý kỹ thuật, thầy cô cho em nhiều nhận xét quan trọng, giải đáp thắc mắc kịp thời thời gian làm đồ án hướng dẫn tạo điều kiện cho em tiến hành thí nghiệm, đo đạc Cuối quan trọng cho em gửi lời cảm đến cha mẹ, người nguồn động viên quý báu giúp em vượt qua khó khăn Vì kiến thức kinh nghiệm cịn hạn chế, nên đồ án tốt nghiệp em tránh khỏi sai sót Em mong nhận ý kiến góp ý, bổ sung thầy cơ, bạn bè để em hồn thành đồ án cách trọn vẹn Em xin chân thành cảm ơn! Tóm tắt nội dung đồ án Nội dung đồ án tốt nghiệp tập trung nghiên cứu chế tạo g-C 3N4 khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TiO2 dạng ống Sử dụng phương pháp nung để chế tạo g-C3N4 từ tiền chất Thioure Urea Ngồi cịn khảo sát ảnh hưởng tiền chất đến hình thành g-C 3N4 Mẫu composite (g-C3N4/TNTs) tổng hợp từ g-C3N4 (trên) TiO2 thương phẩm phương pháp nhiệt thủy phân môi trường kiềm đặc Trong đồ án này, phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD), tán xạ Raman, phổ UV-Vis, hiển vi điện tử quét (SEM) phổ hồng ngoại biến đổi Fourier dùng để phân tích mẫu vật liệu chế tạo Kết phân tích cho thấy mẫu chế tạo thành công từ tiền chất Thioure Urea khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TNTs Sinh viên thực Ký ghi rõ họ tên MỤC LỤC CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Vật liệu TiO2 Cấu trúc Tính xúc tác quang Tính ưa nước, kị nước Ứng dụng 1.2 Vật liệu C3N4 dạng biến tính Vật liệu C3N4 Vật liệu C3N4 biến tính .8 1.3 Vật liệu xúc tác quang 10 Khái niệm 10 Vùng hóa trị - vùng dẫn, lượng vùng cấm 10 Cặp electron – lỗ trống quang sinh 10 Cơ chế xúc tác quang 11 1.4 Các phương pháp đo đặc trưng 13 Tán xạ Raman 13 Phổ UV-Vis 14 Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD) 14 Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) 15 Phổ hấp thụ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR) 15 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 17 2.1 Chuẩn bị 17 Hóa chất 17 Dụng cụ 17 2.2 Tổng hợp vật liệu 17 Tổng hợp g-C3N4 17 Tổng hợp TNTs TNTs pha tạp g-C3N4 18 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 22 3.1 Kết phân tích g-C3N4 22 Kết phân tích giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) 22 Kết SEM 23 Kết FTIR 23 Kết UV-Vis 24s 3.2 Kết phân tích TNTs g-C3N4/TNTs 26 Kết SEM 27 Kết XRD 27 Kết Raman 28 Kết FTIR 29 Kết UV-Vis 29 CHƯƠNG KẾT LUẬN 31 TÀI LIỆU THAM KHẢO 32 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1: Cấu trúc Anatase Hình 1.2: Cấu trúc Rutil Hình 1.3: Hình dạng giọt nước bề mặt vật liệu khác [5] Hình 1.4: Một số ứng dụng TiO2 sống Hình 1.5: Mặt phẳng graphitic hexagonal orthorhombic C3N4 Hình 1.6: Sơ đồ điều chế C3N4 cách ngưng tụ NH(NH2)2 Hình 1.7: Triazin (trái) mơ hình kết nối tảng tri-s-triazin (phải) dạng hình C3N4 Hình 1.8: Quá trình phản ứng hình thành C3N4 từ chất ban đầu dicyandiamit (c), (a) mạng lưới C3N4, (b) bột C3N4 Hình 1.9: Cơ chế xúc tác vật liệu biến tính SnO2/C3N4 [17] Hình 1.10: Vùng lượng chất cách điện, bán dẫn, chất dẫn điện 10 Hình 1.11: Electron lỗ trống quang sinh chất bán dẫn bị kích thích .11 Hình 1.12: Cơ chế xúc tác quang chất bán dẫn 11 Hình 1.13: Sự tán xạ ánh sáng tương tác với phân tử 13 Hình 1.14: Hệ đo quang phổ U-Vis 14 Hình 1.15: Hệ đo nhiễu xạ tia X 15 Hình 1.16: Sơ đồ nguyên lý hoạt động hệ hấp thụ hồng ngoại [8] 16 Hình 2.1: Tổng hợp g-C3N4 phương pháp nung .17 Hình 2.2: Bình thép bình Teflon sử dụng trình thủy nhiệt phân 18 Hình 2.3: Quy trình tổng hợp TNTs phương pháp thủy nhiệt 19 Hình 2.4: Quy trình tổng hợp g-C3N4/TNTs phương pháp thủy nhiệt .20 Hình 2.5 Vật liệu TNTs g-C3N4/TNTs chế tạo phương pháp thủy nhiệt 21 Hình 3.1 Giản đồ nhiễu xạ tia X C3N4 22 Hình 3.2: Ảnh SEM mẫu C3N4 chế tạo từ tiền chất Thioure .23 Hình 3.3: Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier g-C3N4 chế tạo từ tiền chất Thioure 24 Hình 3.4: Phổ phản xạ mẫu g-C3N4 25 Hình 3.5: Xác định bề rộng vùng cấm quang mẫu g-C3N4 phương pháp đạo hàm 26 Hình 3.6 Kết SEM mẫu TNTs TNTs-15 27 Hình 3.7: Giản đồ nhiễu xạ tia X TNTs TNTs-15 27 Hình 3.8: Kết phổ Raman mẫu 28 Hình 3.9: Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier TNTs TNTs-15 29 Hình 3.10: Phổ phản xạ mẫu vật liệu TNTs C3N4/TNTs chế tạo 29 Hình 3.11: Xác định bề rộng vùng cấm TNTs g-C3N4/TNTs phương pháp đạo hàm 30 DANH MỤC BẢNG Bảng 1.1: Một số tính chất vật lý TiO2 Bảng 2.1 Danh mục hóa chất sử dụng q trình tổng hợp vật liệu 17 Bảng 2.2 Bảng tỉ lệ phần trăm nguên tử Thioure Urea 18 Bảng 2.3 Bảng tổng hợp mẫu nghiên cứu 21 Bảng 3.1: Kích thước hạt tinh thể g-C3N4 23 Bảng 3.2 Bảng bề rộng vùng cấm quang Eg mẫu vật liệu g-C3N4 .26 Bảng 3.3: Bảng tổng hợp bề rộng vùng cấm quang Eg vật liệu 30 CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Vật liệu TiO2 Cấu trúc Titan nguyên tố phổ biến thứ chín lớp vỏ trái đất, tự nhiên kết hợp với nguyên tố khác oxi để tạo thành Titan đioxit (TiO2) Dạng thường thấy TiO2 tự nhiên FeTiO3 hay FeO-TiO2 [1,2] Và vật liệu TiO2 thường dùng sản xuất từ nguồn Titan đioxit chất bán dẫn, cấu trúc tinh thể gồm ba dạng sau: rutil, anatase brookit, hai dạng thù hình thường gặp rutil anatase Cấu trúc tinh thể anatase rutil mơ tả hình [2] Hình 1.1: Cấu trúc Anatase Hình 1.2: Cấu trúc Rutil Cấu trúc hai dạng tinh thể anatase rutil thuộc hệ tinh thể tứ giác Cả hai dạng tạo nên từ đa diện phối trí TiO có cấu trúc theo kiểu bát diện, đa diện phối trí xếp khác không gian Trong tinh thể anatase, đa diện phối trí mặt bị biến dạng mạnh so với rutil, khoảng cách Ti-Ti ngắn hơn, khoảng cách Ti-O dài Điều ảnh hưởng đến cấu trúc điện tử hai dạng tinh thể, kéo theo khác tính chất vật lí hóa học Dưới số thơng số vật lí hai dạng thù hình này: Bảng 1.1: Một số tính chất vật lý TiO2 Tính chất Anata se 3,895 Ru til Tỷ trọng, g/cm 4,2 Độ khúc xạ 2,52 2,7 3,78 4,2 Thông số mạng a, Å 4,2 3,78 Thông số mạng b, Å 2,9 9,37 Thông số mạng c, Å Độ rộng vùng cấm, eV 3,2 3,0 Tại nhiệt độ 915 ºC, anatase bắt đầu chuyển sang rutil Dạng thù hình anatase gặp rutil tự nhiên Trong hai dạng thù hình này, anatase thể tính hoạt động mạnh có mặt ánh sáng mặt trời dẫn đến khả quang xúc tác antat tốt rutile Tính xúc tác quang Khi TiO2 kích thích ánh sáng có bước sóng thích hợp (  385 nm) xảy chuyển điện tử từ vùng hóa trị lên vùng dẫn làm đồng thời xuất cặp điện tử (e-) lỗ trống (h+) vùng dẫn vùng hóa trị ���2 + ℎ� → ���2 (� − + ℎ+ ) Các cặp điện tử (e-) (h+) quang sinh chất khử chất oxy hóa mạnh, chúng phản ứng với hầu hết chất hữu hấp phụ bề mặt xúc tác hay có lớp điện tích kép theo phản ứng oxy hóa – khử (��1)ℎ� + (��2)ℎ� → (��1) + (��2) Các lỗ trống tham gia trực tiếp vào phản ứng oxi hóa chất độc hại, qua giai đoạn trung gian tạo gốc tự hoạt động mạnh OH , O2- Các điện tử tham gia vào trình khử tạo gốc tự Các gốc tự sinh tiếp tục oxi hóa chất hữu bị hấp phụ bề mặt xúc tác thành sản phẩm cuối không độc hại CO2 H2O Nếu điện tích bị giữ lại bề mặt vật liệu, có đủ thời gian để nhận hay cho electron kết tạo nên gốc oxy hóa Đối với TiO2, electron bị bắt bề mặt khoảng thời gian khoảng 30 ps lỗ trống bị bắt khoảng thời gian 250 ns sau kích thích, q trình diễn khoảng thời gian cỡ từ nanô giây đến mili giây Các phân tử oxi (O2) có mặt bề mặt vật liệu nhận điện tử để tạo thành gốc siêu oxi O2•- hay cấu trúc phân tử oxi có thêm ngun tử hydro, bắt electron để tạo nên gốc hydroperoxyl HO2• Trong nước, hai gốc HO2• kết hợp với để tạo H2O2 O2 Sau H2O2 nhận điện tử từ vùng dẫn 3(NH2)2CS g-C3N4 + 2NH3 + 3H2S 3(NH2)CO g-C3N4 + 2NH3 + 3H2O Kích thước tinh thể cacbon nitride tính theo cơng thức Scherrer: � = 0,9λ PT 3.1 ∆(2θ)cosθ Trong D: kích thước tinh thể trung bình, λ = 1,54065 Å bước sóng tia X, ∆(2) = FWHM độ bán rộng vạch nhiễu xạ Kích thước hạt tinh thể mẫu thể hện bảng 3.1 Bảng 3.1: Kích thước hạt tinh thể g-C3N4 M ẫu Kích thướ c (Å) M1 M2 M3 M4 M5 46,7 39, 81 45, 35 47, 58 41, 16 Kết SEM Hình 3.2: Ảnh SEM mẫu C3N4 chế tạo từ tiền chất Thioure Để khảo sát hình thái mẫu chế tạo, em sử dụng kính hiển vi điện tử quét SEM để khảo sát Hình thái bề mặt mẫu quan sát kính hiển vi điện tử quét (SEM) Viện Vật lý kĩ thuật, trường ĐHBK Hà Nội Hình 3.2 hình ảnh g-C3N4, vật liệu xốp Kết FTIR Độ truyền qua (đ.v.t.đ) 100 g-C3N4 80 60 40 20 4000 3000 2000 Số sóng (cm-1) 1000 Hình 3.3: Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier g-C3N4 chế tạo từ tiền chất Thioure Từ phổ hồng ngoại biến đổi Fourie (FTIR) hình 3.3, ta thấy g-C3N4 thể đỉnh khoảng 3200 cm-1, 1200-1640 cm-1 811 cm-1 Các dải hấp thụ khoảng 3200 cm-1 quy cho liên kết N-H Các dao động đỉnh khoảng 1200-1650 cm-1 liên kết vòng C-N Đỉnh vị trị 811 cm-1 co dãn s-triazine [22] Kết UV-Vis Phổ phản xạ vật liệu C3N4 trình bày hình 3.3 Có thể thấy rằng, khoảng bước sóng  = 450 nm - 900 nm độ phản xạ vật liệu C3N4 giảm dần giảm mạnh bước sóng   370 nm - 450 nm Ðộ phản xạ (%) 100 80 60 M1 M2 M3 M4 M5 40 20 300 400 500 600 700 Buớc sóng (nm) 800 900 Hình 3.4: Phổ phản xạ mẫu g-C3N4 Năng lượng vùng cấm quang vật liệu C3N4 xác định theo phương pháp đạo hàm  Phương pháp đạo hàm Trong phương pháp này, phổ hấp thụ UV-Vis sử dụng cách lấy vi phân hệ số hấp thụ vi phân lượng: �� �[�+1] − �[�] �= = �� �[�+1] − �[�] PT 3.2 F: đạo hàm phổ hấp thụ theo lượng photon Với E[i]= 1239,5 /λ[i] Trong λ[i] bước sóng sử dụng để đo phổ hấp thụ Đồ thị mối liên hệ F (hν) thể giá trị lượng vùng cấm quang Eg Mục đích phương pháp đạo hàm làm tăng tính tin cậy với kết bề rộng vùng cấm quang thu Với đỉnh hấp thụ cho điểm có giá trị đạo hàm Kết hình 3.4 cho thấy lượng vùng cấm quang mẫu C3N4 Eg khoảng 2,87 eV d(ln(F(R)hv))/dE 2.5 3.0 3.5 Năng lượng (eV) 4.0 Hình 3.5: Xác định bề rộng vùng cấm quang mẫu g-C3N4 phương pháp đạo hàm Như vậy, từ kết phân tích trên, kết luận vật liệu g-C3N4 tổng hợp thành công từ nhiệt phân thioure 550 oC khoảng thời gian 2h có cấu trúc cacbon nitride dạng lớp graphit, hình thái bề mặt dạng xốp, lượng vùng cấm quang E g  2,87 eV phù hợp với số kết nghiên cứu công bố [25, 26] Riêng có mẫu M5 với tỉ lệ tiền chất 25% Thioure 75% Urea có Eg cao với mẫu lại với giá trị 3,1 eV Bảng 3.2: Bảng bề rộng vùng cấm quang Eg mẫu vật liệu g-C3N4 3.2 Mẫu M1 M2 M3 Eg (eV) 2,8 2,86 2,87 Kết phân tích TNTs g-C3N4/TNTs M 2, 87 M5 3,1 Kết SEM a) TNTs b) TNTs-15 Hình 3.6: Kết SEM mẫu TNTs TNTs-15 Hình ảnh 3.6 thể kết chụp SEM hai mẫu TNTs TNTs-15, hai mẫu có dạng dài có kích thước khoảng 5-10 µm đồng Do độ phóng đại chưa đủ lớn lên chưa thể kết luận ảnh hưởng C3N4 đến TNTs Kết XRD 300 TNTs-15 TNTs Cường độ (đ.v.t.đ) 250 200 150 100 50 10 20 30 40 50 Thetal (o) 60 70 Hình 3.7: Giản đồ nhiễu xạ tia X TNTs TNTs-15 Từ giản đồ nhiễu xạ tia X ta thấy từ tiền chất TiO2 chuyển đổi hoàn toàn thành TNTs TNT, đỉnh TiO2 xuất vị trí 2θ 25o; 38,2o 48,2o đặc trưng cho mặt mạng (011), (004) (020) pha anatate Ngồi cịn có xuất đỉnh khác pha titanate vị trí 2θ o 10 , 29,6o, 35,7o đặc trưng cho mặt mạng (100), (005) (006) Không có xuất pha Rutile mẫu chế tạo thành[28] Với mẫu TNTs-15 vị trí đỉnh nhiễu xạ khơng có thay đổi mà có cường độ giảm Do đo ta phải sử dụng thêm phương pháp khác để khảo sát ảnh hưởng C3N4 đến TNTs Kết Raman Anatase có cấu trúc tetragonal thuộc nhóm khơng gian D4h14 (P4 2/mnm) Trong sở có hai phân tử TiO2, tương ứng với nguyên tử ô sở Như vậy, có tổng cộng 15 (3N-3) mode dao động Theo Narayanan [23], 15 mode dao động biểu diễn tối giản: A1g+A2g+A2u+B1g+B2g+2B1u+Eg+3Eu Hơn nữa, từ lý thuyết nhóm cho thấy, mode dao động, A1g+B1g+B2g+Eg, mode dao động tích cực Raman mode, A2u+3Eu mode dao động tích cực hồng ngoại Bốn mode dao động khác, A2g+2B1u không thuộc mode dao động tích cực Raman hồng ngoại Dựa vào hình ta thấy, pha Anatase có dao động E g yếu tương ứng (150 -1 cm , 197 cm-1) dao động B1g 338 cm-1 Pha titanate có dao động vị trí khoảng 188, 280, 389, 447, 705, and 905 cm-1[27] Sau pha tạp thêm g-C3N4 ta không thấy khác biệt nhiều so với mẫu TNTs Cường độ (đ.v.t.đ) TNTs-20 TNTs-15 TNTs-10 TNTs-5 TNTs 200 400 600 800 1000 1200 Số sóng (cm-1) Hình 3.8: Kết phổ Raman mẫu Kết FTIR Độ hấp thụ (đ.v.t.đ) 1.0 TNTs TNTs-15 0.8 0.6 0.4 0.2 1000 0.0 2000 3000 -1 Số sóng (cm ) 4000 Hình 3.9: Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier TNTs TNTs-15 Với dao động TNTs, khoảng bước sóng rộng 3200 cm -1 dao động liên kết O-H diện hydroxyl, phân tử nước hấp phụ bề mặt không gian xen kẽ TNT Ngoài phân tử nước xác định bước sóng 1600 cm-1 thể cho liên kết nhóm H-OH Dao động bước sóng 905 cm-1 cho liên kết Ti-O, dải bước sóng 490 cm-1 dao động liên quan đến nhóm liên kết Ti-O-Ti khối mặt liên kết với Sau pha tạp thêm g-C3N4 (TNTs-15) dao động vị trí 3200 cm-1 bị dịch phía bước sóng lớn điều có tương tác mạnh mẽ TNTs C3N4 [22, 23] Kết UV-Vis 80 Độ phản xạ (%) 70 TNTs TNTs-5 TNTs-10 TNTs-15 TNTs-20 60 50 40 30 20 10 300 400 500 600 700 Bước sóng (nm) 800 900 Hình 3.10: Phổ phản xạ mẫu vật liệu TNTs C3N4/TNTs chế tạo Trước tiên, ta đo độ phản xạ thông qua phổ phản xạ mẫu d(ln(F(R)hv))/dE hình 3.10 Với mẫu TNTs với bước sóng khoảng từ 380 nm đến 900 nm giá trị R gần không đổi với độ phản xạ khoảng 75%, giảm mạnh từ bước sóng 380 – 250 nm độ phản xạ giảm 5% Sau khi tạp thêm g-C 3N4 vào TNTs giá trị R gần không thay đổi, dẫn đến bề rộng vùng cấm khơng có khác biệt Eg tính phương pháp đạo hàm với giá trị thể tạo bảng 3.4 2.0 TNTs-20 Eg=3,8 TNTs-15 Eg=3,78 TNTs-10 Eg=3,78 TNTs-5 Eg=3,76 TNT s Eg=3,77 2.5 3.0 4.0 Năng lượng (eV) 3.5 4.5 Hình 3.11: Xác định bề rộng vùng cấm TNTs g-C3N4/TNTs phương pháp đạo hàm Bảng 3.3: Bảng tổng hợp bề rộng vùng cấm quang Eg vật liệu Mẫu TNTs Eg (eV) 3,77 TNTs -5 3,76 TNTs10 3,78 TNTs15 3,78 TNTs20 3,8 CHƯƠNG KẾT LUẬN Sau hồn thành đồ án tốt nghiệp mơn Quang học – Quang điện tử – Trường ĐH Bách Khoa Hà Nội, em xin tổng kết lại kết thu sau:  Tổng hợp thành công g-C3N4 phương pháp đơn giản ngưng tụ nhiệt từ nguồn nguyên liệu Thioure  Chế tạo thành công vật liệu TNTs TNTs pha tạp C 3N4 phương pháp thủy nhiệt 150 oC 24h Kết thu chất có màu trắng xốp  Thực quy trình đo phổ phản xạ, sử dụng phương pháp đạo hàm để xác định bề rộng vùng cấm quang vật liệu  Đánh giá ảnh hưởng g-C 3N4 đến tính chất vật liệu TNTs: pha tạp g-C3N4 gần khơng có thay đổi đến tính chất TNTs với điều kiện chế tạo mẫu đồ án thực Do khuôn khổ đồ án kỹ sư có hạn, lần thực tổng hợp vật liệu TNTs TNTs pha tạp g-C3N4 phương pháp thủy nhiệt nên nghiên cứu đồ án mang tính chất nghiên cứu chưa giải thích kỹ chế tính chất Để hiểu rõ ảnh hưởng g-C 3N4 TNTs triển khai nghiên cứu tìm điều kiện thích hợp để pha tạp g-C3N4 vào TNTs TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Nguyễn Văn Tuyên, Luận văn thạc sỹ Vật lý chất rắn, 2012 [2] Wikipedia, Vật liệu nano TiO2 [3] Chen X., Mao S S (2007), “Titanium dioxide nanomatrials: synthesis, properties, modifications, and application”, Chem Rev., 107, pp 2891 – 1959 [4] Haoran Dong, Guangming Zeng, Lin Tang, Chang Fan, Chang Zhang, Ziaoxiao He, Yan He, 2015, “An overview on limitations of TiO2 – based particles for photocatalytic degradation of organic pollutants and the corresponding countermeasures”, Water Research, 123 - 146 [5] Ngô Thị Ngân Hà, Hiện tượng quang xúc tác ứng dụng [6] Lâm Quang Vinh, Huỳnh Chí Cường, Luận văn Hợp chất TiO2 ứng dụng [7] Nghiên cứu xử lý ô nhiễm khơng khí vật liệu nano TiO Viện KHCNVN [9] X Chen, Y S Jun, K Takanabe, Ordered mesoporous SBA-15 type graphitic carbon nitride: a semiconductor host structure for photocatalytic hydrogen evolution-with visible light, Chemistry of Materials, 2009, 21 (18), 4093–4095 [10] K Maeda, X Wang, Y Nishihara, D Lu, M Antonietti, and K Domen, Photocatalytic activities of graphitic carbon nitride powder for water reduction and oxidation under visible light, Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (12), 4940–4947 [11] I Alves, G Demazeau, B Tanguy and F Weill, I Alves, G Demazeau, B Tanguy, F Weill, On a new model of the graphitic form of C3N4, Solid State Communications, 1999, 109 (11), 697–701 [12]Jie Xu, Hai-Tao Wu, Xiang Wang, Bing Xue, Yong-Xin Li and Yong Cao, A new and environmentally benign precursor for the synthesis of mesoporous gC3N4 with tunable surface area, Phys Chem Chem Phys., 2013, 15, 4510– 4517 [13] Arne Thomas, Anna Fischer, Frederic Goettmann, Markus Antonietti, JensOliver Muller, Robert Schlogl and Johan M Carlsson, Graphitic carbon nitride materials: variation of structure and morphology and their use as metalfree catalysts, J Mater Chem., 2008, 18, 4893–4908 [14] Saumyaprava Acharya, Satyabadi Martha, Prakash Chandra Sahoo and Kulamani Parida, Glimpses of the modification of perovskite with grapheneanalogous materials in photocatalytic applications, Inorg Chem Front., 2015, 2, 807–823 [15] Ding Z.; Chen X.; Antonietti M.; Wang X., Synthesis of transition metalmodified carbon nitride polymers for selective hydrocarbon oxidation, ChemSusChem, 2011, 4, 274–281 [16] Yanfeng Chen, Weixin Huang, Donglin He, Yue Situ and Hong Huang, Construction of Heterostructured g-C3N4/Ag/TiO2 Microspheres with Enhanced Photocatalysis Performance under Visible-Light Irradiation, ACS Appl Mater Interfaces, 2014, (16), 14405–14414 [17] Rong Yin, Haitao Sun, Jing An, Qingzhi Luo, Desong Wang, Haitao Sun, Yuanyuan Li, Xueyan Li, Jing An, SnO2/g-C3N4 photocatalyst with enhanced visible-light photocatalytic activity, J Mater Sci., 2014, 49, 6067–6073 “What is Raman Spectroscopy? | Nanophoton.” [Online] Available: https://www.nanophoton.net/raman/raman-spectroscopy.html [Accessed: 10-Jan2019] [18] [19]Vũ Thị lan Anh, Trạng thái liên kết electron lỗ trống bán dẫn hai chiều [20] Rosendo Lo´pez, Ricardo Go´mez, Band-gap energy estimation from diffuse reflectance measurements on sol–gel and commercial TiO2: a comparative study - J Sol-Gel Sci Technol 61(1–7) (2012) [21] “N N (HUST) Trung, Bài giảng kỹ thuật phân tích phổ Đại học Bách Khoa Hà Nội, 2017.” [22] Surya Prasad Adhikari, Hem Raj Pant, Han Joo Kim, Chan Hee Park, Cheol Sang Kim - Deposition of ZnO flowers on the surface of g-C3N4 sheets via hydrothermal process, Ceramics International 41 (2015) 12923–12929 [23] SHENG GuoDong, YANG ShiTong, ZHAO DongLin, SHENG Jiang & WANG XiangKe, Adsorption of Eu(III) on titanate nanotubes studied by a combination of batch and EXAFS technique, January 2012 Vol.55 No.1: 182– 194 [25] X Chen, Y S Jun, K Takanabe, Ordered mesoporous SBA-15 type graphitic carbon nitride: a semiconductor host structure for photocatalytic hydrogen evolution-with visible light, Chemistry of Materials, 2009, 21 (18), 4093–4095 [26] K Maeda, X Wang, Y Nishihara, D Lu, M Antonietti, and K Domen, Photocatalytic activities of graphitic carbon nitride powder for water reduction and oxidation under visible light, Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (12), 4940–4947 [27] Y X Tang1 , Y K Lai1, 2, D G Gong1 , Zhili Dong1 and Z Chen1, Synthesis of Layered Titanate Micro/nano-materials for Efficient Pollutant Treatment in Aqueous Media Mater Res Soc Symp Proc Vol 1309 © 2011 Materials Research Society [28] SHENG GuoDong†, YANG ShiTong†, ZHAO DongLin, SHENG Jiang & WANG XiangKe, Adsorption of Eu(III) on titanate nanotubes studied by a combination of batch and EXAFS technique, January 2012 Vol.55 No.1: 182–194 ... nghiên cứu chế tạo g-C 3N4 khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TiO2 dạng ống Sử dụng phương pháp nung để chế tạo g-C3N4 từ tiền chất Thioure Urea Ngồi cịn khảo sát ảnh hưởng tiền chất đến hình...TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Chế tạo g-C3N4 khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TiO2 dạng ống (TNTs) Ngành Vật lý kĩ thuật Chuyên ngành Vật liệu công nghệ... Fourier dùng để phân tích mẫu vật liệu chế tạo Kết phân tích cho thấy mẫu chế tạo thành công từ tiền chất Thioure Urea khảo sát ảnh hưởng g-C3N4 đến tính chất TNTs Sinh viên thực Ký ghi rõ họ