THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM ĐỘC LẬP – TỰ DO – HẠNH PHÚC ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ  THỰC NGHIỆM TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET Họ tên: Nguyễn Mạnh Hà Ngày sinh: 15/02/2001 Mã sinh viên: 19021445 Lớp môn học: ELT-2035-21 Khoa: Điện tử viễn thông Trường Đại học Công Nghệ - Đại học Quốc Gia Hà Nội II.THỰC NGHIỆM Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS Mạch proteus 1.1 Khảo sát khuếch đại chiều (DC): Các bước làm: Câu hỏi: Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường (yếu tố điều khiển thế) transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển dòng) Transistor trường (FET) - Là transistor đơn cực - Độ ổn định nhiệt tốt - Đắt tiền Transistor lưỡng cực (BJT) - Là linh kiện lưỡng cực - Phụ thuộc vào nhiệt độ - Rẻ tiền - Kích thước nhỏ - Khơng offset - Trở kháng lối thấp (độ lợi ít) - Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt cao - Công suất tiêu thụ thấp - Có hệ số nhiệt độ dương - Phân cực khó - Có chân: drain, source gate - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số lỗ trống electron - Trở kháng lối vào lớn - Là thiết bị điều khiển điện áp - Ít nhiễu (Do khơng có lớp chuyển tiếp tiếp giáp) - Kích thước lớn - Có offset - Trở kháng lối cao (độ lợi cao) - Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt thấp - Công suất tiêu thụ cao - Có hệ số nhiệt độ âm - Phân cực đơn giản - Có chân: common, emitter base - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số thiểu số - Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ -3kΩ) - Là thiết bị điều khiển dòng điện - Nhiễu FET (Do có lớp tiếp giáp p-n) Câu hỏi: Ghi giá trị dòng transistor trường I D = 2.32mA V DS = 0.17V Chỉnh P2 để dòng ID qua T1 ~ 1mA => V DS = 0.07V UV -9.3V -3.56V -1.01V -0.7V 0.25V 0.24V ID 0mA 0mA 0.38mA 1.83mA 3.2mA 3.24mA V DS 11V 11V 9.6V 4.72V 0,66V 0.3V Câu hỏi: Biểu diễn đồ thị giữa dòng ID (trục y) và thế VDS (trục x) 1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC): Các bước làm: Chú thích: Đầu đường màu xanh, đầu vào đường màu vàng Bảng A4-B8 f 100Hz 1kHz 10kHz 100KHz 1MHz 10MHz Biên độ V out 3.55 3.55 3.6 3.6 3.6 4.5 A 6.7.10−3 6.6.10−3 6.5.10−3 6.7.10−3 6.7.10−3 6.7.10−3 Câu hỏi: Biểu diễn đồ thị kết phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số Câu hỏi: So sánh biên độ sóng để tính mát biên độ (%) ảnh hưởng điện A trở vào sơ đồ 4.2 Sơ đồ Drain chung CD Các bước làm: I=0.29mA V=0.59V Bảng A4-B9 V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV Biên độ V out 1.53mV 34.85mV 56.25mV A 0.165 18.15m V 0.1675 0.1835 0.1824 Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào (đã vẽ trên) 4.3 Sơ đồ Gate chung CG 400mV 500mV 76.75mV 92mV 0.1827 0.23 Các bước làm: I= 0.01mA V=12V Bảng A4-B10 V ¿ (IN) 0.1V 1V 2V 3V 4V 5V Biên độ V out 92.7mV 926mV 2.34V 2.28V 2.65V 4.73V A 0.925 0.895 0.96 0.875 0.926 0.84 Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào (đã vẽ trên) => Tín hiệu khơng có thay đổi đáng kể ... khóa nối tiếp dùng JFET 2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Các bước làm: Bảng A4-B5 V ¿ (IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V Biên độ V out 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V V ⟶12V Biên độ V... bảng A4-B3 Tính hệ số khuếch đại A = Vout/Vin cho bước Ghi kết vào bảng A4-3 V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 40 0mV 500mV Biên độ V out 150mV 1.55V 3.1V 4. 75V 5.75V 5.75V A 15 15.5 15.5 15.76 14. 125... sơ đồ khuếch đại MOSFET 4. 1 Sơ đồ source chung CS Các bước làm: Bảng A4-B7 V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 40 0mV 500mV Biên độ 75uV 720uV 1.55mV 2.1mV 2.6mV 3.65mV A 5x10? ?4 8.5 x 10−3 8.23 x