Nghiên cứu cắt mạch chitosan bằng hiệu ứng đồng vận h2o2 bức xạ gamma coban – 60 để chế tạo oligochitosan

ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC ĐẶNG XUÂN DỰ NGHIÊN CỨU CẮT MẠCH CHITOSAN BẰNG HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN H2O2/BỨC XẠ GAMMA COBAN – 60 ĐỂ CHẾ TẠO OLIGOCHITOSAN LUẬN ÁN TIẾN SĨ HÓA HỌC HUẾ - NĂM 2015 ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGHIÊN CỨU CẮT MẠCH CHITOSAN BẰNG HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN H2O2/BỨC XẠ GAMMA COBAN – 60 ĐỂ CHẾ TẠO OLIGOCHITOSAN Chuyên ngành: Hóa lý thuyết Hóa lý Mã số: 62 44 01 19 LUẬN ÁN TIẾN SĨ HÓA HỌC HUẾ - NĂM 2015 LỜI CẢM ƠN Tôi xin chân thành gửi lời cảm ơn sâu sắc tới người Thầy PGS.TS Nguyễn Quốc Hiến, PGS.TS Võ Quang Mai dành nhiều thời gian công sức hướng dẫn tơi hồn thành cơng trình nghiên cứu Tơi xin gửi lời cảm ơn đến Phịng thí nghiệm Hóa lý – Khoa Hóa, Trường Đại học Khoa học Huế, nơi tạo điều kiện thuận lợi trang thiết bị hướng dẫn tận tình cho tơi suốt thời gian làm thực nghiệm Tôi xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, bạn bè đồng nghiệp Nhóm nghiên cứu Trung tâm Nghiên cứu Triển Khai Công nghệ Bức xạ – Viện Năng lượng Nguyên tử Việt Nam, Phịng Cơng nghệ Bức xạ –Viện Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt, Phịng phân tích Hóa lý – Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – ĐHQG Tp HCM tạo điều kiện giúp đỡ máy móc, thiết bị suốt q trình thực luận án Cuối xin gửi lời cảm ơn đến GS.TS Trần Thái Hịa trưởng Bộ mơn Hóa lý, Ban chủ nhiệm, cán giảng viên anh chị em NCS Khoa Hóa – Trường Đại học Khoa học Huế, Thầy Ngành Hóa – Khoa Sư phạm Khoa học Tự nhiên – Trường Đại học Sài Gịn động viên giúp đỡ tơi suốt thời gian nghiên cứu Tp Hồ Chí Minh, ngày 27 tháng năm 2015 Tác giả ĐẶNG XUÂN DỰ LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tôi, số liệu kết nghiên cứu nêu luận án trung thực, đồng tác giả cho phép sử dụng chưa công bố công trình khác Tác giả ĐẶNG XUÂN DỰ DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT ANOVA Phân tích phương sai (Analysis of Variance) ABTS 2,2’-azino-bis (3-ethylbenzothiazoline-6-sulphonic acid) CFU/ml Số đơn vị khuẩn lạc ml (Colony Forming Unit per milliter) CNBX Công nghệ xạ COS Oligochitosan COSM5 Oligochitosan, Mw ~ kDa COSM10 Oligochitosan, Mw ~ 10 kDa CTS Chitosan CTS-91 Chitosan có độ đề axetyl~91%, Mw ~49 kDa CTS-80 Chitosan có độ đề axetyl~80%, Mw ~50 kDa CTS-72 Chitosan có độ đề axetyl~72%, Mw ~48,2 kDa CTSM15 Chitosan Mw ~15 kDa CTSM23 Chitosan Mw ~23kDa CTSM30 Chitosan Mw ~30 kDa CTSM45 Chitosan Mw ~45 kDa CTSM60 Chitosan Mw ~60 kDa CTSM91 Chitosan Mw ~91 kDa C90 Chitosan có độ đề axetyl 91%, Mw ~166 kDa C80 Chitosan có độ đề axetyl 83%, Mw ~176 kDa C70 Chitosan có độ đề axetyl 72%, Mw ~183 kDa D Hiệu ứng đồng vận E coli Vi khuẩn Escherichia coli ĐA Độ axetyl ĐĐA Độ đề axetyl ĐSGKLPT Độ suy giảm khối lượng phân tử ĐTNBH Độ trương nước bão hòa EB Chùm electron (Electron beam) FAO Tổ chức Lương thực Nông nghiệp Liên hiệp quốc (Food and Agriculture Organization of the United Nations) FT-IR Phương pháp Phổ hồng ngoại(Fourier transform infrared) GPC Phương pháp Sắc kí gel thấm qua(Gel Permeation Chromatography) Gs Kí hiệu hiệu suất cắt mạch xạ Phương pháp phổ cộng hưởng từ proton (Proton Nuclear H-NMR Magnetic Resonance) HSCMBX Hiệu suất cắt mạch xạ HSTĐPƯ Hằng số tốc độ phản ứng IAEA Cơ quan Năng lượng Nguyên tử quốc tế (International Atomic Energy Agency) k Kí hiệu HSTĐPƯ KLPT Khối lượng phân tử trung bình khối lượng k91d HSTĐPƯ cắt mạch CTS-91 dung dịch k80d HSTĐPƯ cắt mạch CTS-80 dung dịch k72d HSTĐPƯ cắt mạch CTS-72 dung dịch k91t HSTĐPƯ cắt mạch CTS-91 dạng trương k80t HSTĐPƯ cắt mạch CTS-80 dạng trương k72t HSTĐPƯ cắt mạch CTS-72 dạng trương LSD Sai khác nhỏ có ý nghĩa (Least Significant Difference) m0 Kí hiệu khối lượng phân tử đơn vị monome mesh Số lỗ inch chiều dài Mn Kí hiệu khối lượng phân tử trung bình số lượng Mv Kí hiệu khối lượng phân tử trung bình độ nhớt Mw Kí hiệu khối lượng phân tử trung bình khối lượng N Cỡ mẫu OD Mật độ quang (Optical Density) PI Độ đa phân tán polyme (Polydispersity Index) S aureus Vi khuẩn Staphylococcos aureus SD Độ lệch chuẩn (Standard Deviation) t Kí hiệu thời gian UV Phương pháp phổ tử ngoại (Ultraviolet spectroscopy) v/v Thể tích /thể tích XRD Phương pháp nhiễu xạ tia X (X–ray diffraction) WHO Tổ chức Y tế giới (World Health Organization) w/v Khối lượng/thể tích α Mức ý nghĩa Co60 Bức xạ/tia gamma Co - 60 [] Độ nhớt đặc trưng DANH MỤC BẢNG Trang Bảng 1.1 Một số dao động đặc trưng phổ IR CTS 12 Bảng 1.2 Hằng số k α CTS số hệ dung môi 15 Bảng 1.3 Khối lượng phân tử trung bình Mv, Mn Mw 17 mẫu CTS có ĐĐA khác Bảng 1.4 Các loại cột Ultrahydrogel hãng Waters khoảng 19 đo KLPT hiệu dụng Bảng 1.5 Suy giảm KLPT cắt mạch β - CTS hydro 29 peroxit, tia Co60 hiệu ứng đồng vận hydro peroxit tia Co60 Bảng 2.1 Thông tin mẫu chuẩn Pullulan 41 Bảng 2.2 KLPT thời gian lưu mẫu chuẩn Pullulan đối 41 với cột Ultrahydrogel 250 Bảng 2.3 KLPT thời gian lưu mẫu chuẩn Pullulan đối 43 với cột Ultrahydrogel Linear Bảng 2.4 Kết Mw, Mn PI CTS đo GPC 45 Bảng 3.1 Sự thay đổi ĐĐA CTS theo thời gian phản ứng 55 Bảng 3.2 Sự thay đổi KLPT, ĐĐA PI CTS nguồn cắt mạch 58 hydro peroxit Bảng 3.3 Kết cắt mạch dung dịch 5% CTS-91 chế tạo COS 60 Bảng 3.4 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-91 dung dịch 62 5% tia γCo60 H2O2 0,5% Bảng 3.5 Hiệu suất cắt mạch xạ dung dịch CTS-91 5% trường hợp có khơng có H2O2 0,5% 63 Bảng 3.6 ĐĐA sản phẩm cắt mạch chiếu xạ dung dịch 68 CTS-91 5%, H2O2 0,5% theo liều xạ Bảng 3.7 Kết cắt mạch dung dịch CTS-80 nồng độ 5% chế tạo 69 COS Bảng 3.8 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-80 dung dịch 71 5% tia γCo60 H2O2 0,5% Bảng 3.9 Hiệu suất cắt mạch xạ dung dịch CTS-80 5% 72 trường hợp có khơng có H2O2 0,5% Bảng 3.10 ĐĐA sản phẩm cắt mạch chiếu xạ dung dịch 75 CTS-80 5%, H2O2 0,5% theo liều xạ Bảng 3.11 Kết cắt mạch CTS-72 dung dịch 5% chế tạo 76 COS Bảng 3.12 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-72 dung dịch 78 5% tia γCo60 H2O2 0,5% Bảng 3.13 Hiệu suất cắt mạch xạ dung dịch CTS-72 5% 80 trường hợp có khơng có H2O2 0,5% Bảng 3.14 ĐĐA sản phẩm cắt mạch chiếu xạ dung dịch 84 CTS-72 5%, H2O2 0,5% theo liều xạ Bảng 3.15 Độ ẩm ĐTNBH mẫu CTS 88 Bảng 3.16 KLPT CTS cắt mạch theo liều xạ với nồng độ H2O2 91 khác Bảng 3.17 HSCMBX Gs theo liều xạ nồng độ H2O2 khác 93 Bảng 3.18 ĐĐA CTS chiếu xạ 10 kGy với nồng độ H2O2 khác 95 Bảng 3.19 KLPT PI CTS cắt mạch dạng trương H2O2 5% liều xạ 10 kGy với suất liều khác 98 Bảng 3.20 Ảnh hưởng nồng độ H2O2 đến KLPT ĐĐA 99 CTS liều xạ 10,5 kGy Bảng 3.21 Kết cắt mạch CTS-91 dạng trương dung dịch 101 H2O2 5% Bảng 3.22 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-91 tia γCo60 105 H2O2 5% Bảng 3.23 Hiệu suất cắt mạch xạ CTS-91 dạng trương 106 nước dung dịch H2O2 5% Bảng 3.24 ĐĐA sản phẩm cắt mạch CTS-91 dạng trương 108 dung dịch H2O2 5% theo liều xạ Bảng 3.25 Kết cắt mạch CTS-80 dạng trương nước 111 dung dịch H2O2 5% Bảng 3.26 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-80 tia γCo60 113 H2O2 5% dạng trương Bảng 3.27 Hiệu suất cắt mạch xạ CTS-80 dạng trương 114 nước dung dịch H2O2 5% Bảng 3.28 ĐĐA sản phẩm cắt mạch CTS-80 dạng trương 117 dung dịch H2O2 5% theo liều xạ Bảng 3.29 Kết cắt mạch CTS-72 dạng trương nước 118 dung dịch H2O2 5% Bảng 3.30 Hiệu ứng đồng vận cắt mạch CTS-72 tia γCo60 119 H2O2 5% dạng trương nước dung dịch H2O2 5% Bảng 3.31 Hiệu suất cắt mạch xạ CTS-72 dạng trương 120 nước dung dịch H2O2 5% Bảng 3.32 Sự phụ thuộc HSCMBX HSTĐPƯ theo ĐĐA cắt mạch trạng thái rắn 121 Bảng PL 5.4 Các thông số xác định ĐTNBH C80 Lần đo m0 (g) 13,793 13,639 13,848 13,925 m01 (g) 18,748 18,697 18,643 18,973 mmois (g) 0,07 0,07 0,07 0,07 ĐTNBH (%) 1168,605 1192,558 1131,395 1190,233 ĐTNBHTB (%) 1170 ± 50(%); (p < 0,05) Bảng PL 5.5 Các thông số xác định độ ẩm C70 Lần đo W1(g) 29,909 29,903 29,870 29,660 30,015 W2(g) 30,409 30,405 30,380 30,150 30,512 W3(g) 30,313 30,308 30,282 30,054 30,419 Độ ẩm (%) 19,200 19,323 19,216 19,592 18,712 Độ ẩm trung bình (%) 19,2 ± 0,4(%); (p < 0,05) Bảng PL 5.6 Các thông số xác định ĐTNBH C70 Lần đo m0 (g) 13,534 14,018 13,771 14,252 m01 (g) 17,671 18,417 17,760 18,439 mmois (g) 0,096 0,096 0,096 0,096 ĐTNBH (%) 1047,772 1112,624 1011,139 1060,149 ĐTNBHTB (%) 1060 ± 60(%); (p < 0,05) Phụ lục CHẾ TẠO CTS KLPT THẤP BẰNG TÁC DỤNG ĐỒNG 594.03 1081.99 1153.35 1323.08 1421.44 Abs 1652.88 3446.56 1.5 2881.45 VẬN VÀ KHẢO SÁT ẢNH HƯỞNG CỦA NỒNG ĐỘ, SUẤT LIỀU 1.35 1.2 1.05 0.9 0.75 0.6 0.45 0.3 0.15 4000 3600 M-240s 3200 2800 2400 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 1/cm Hình PL 6.1 Phổ FT – IR mẫu CTS có Mw0 = 91,7 kDa; ĐĐA ~ 91,3%; PI = 2,26 chế tạo từ CTS có ĐĐA ~ 83% 6.666/854552 uRIU 15 Detector B Ch1 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 6.2 CTS ban đầu có Mw ~ 91,7 kDa, ĐĐA= 91,3%; PI=2,26 Hình PL 6.3 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 83 kDa, PI = 2,3) tia γ, liều xạ 20 kGy, dạng trương nước (1gCTS/5ml H2O), từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 7.843/818725 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.4 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 38 kDa, PI = 2,48) tia γ, liều xạ 20 kGy, dạng trương dung dịch H2O2 1%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 7.946/811767 uRIU Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.5 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 36 kDa, PI = 2,52) tia γ, liều xạ 20 kGy, dạng trương dung dịch H2O2 3%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 7.975/917757 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.6 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 35 kDa, PI = 2,51) tia γ, liều xạ 10 kGy, dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 8.062/810859 uRIU Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.7 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 32 kDa, PI = 2,51) tia γ, liều xạ 15 kGy, dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) uRIU 8.236/779340 Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.8 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 30 kDa, PI = 2,49) tia γ, liều xạ 20 kGy, dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 8.304/770358 uRIU Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.9 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 28,3 kDa, PI = 2,41) tia γ, liều xạ 10 kGy (1,8 kGy/h), dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) uRIU 8.468/762624 Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.10 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 26,9 kDa, PI = 2,40) tia γ, liều xạ 10 kGy (0,9 kGy/h), dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) 8.522/800704 uRIU Detector B Ch1 -1 -2 -3 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 6.11 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 26,3 kDa, PI = 2,41) tia γ, liều xạ 10 kGy (0,45 kGy/h), dạng trương dung dịch H2O2 5%, từ CTS ban đầu (Mw ~ 91,7 kDa, PI=2,26) Phụ lục HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN CẮT MẠCH CTS-91 Ở DẠNG TRƯƠNG 7.724/840943 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 25.0 Hình PL 7.1 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch γ-ray dạng trương, liều xạ 22,7 kGy (Mw0 = 44,9 kDa, PI = 2,86) 8.331/933122 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 7.2 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 3,7 kGy (Mw0 = 23,4 kDa, PI = 3,15) 8.515/796081 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 Hình PL 7.3 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 8,2 kGy (Mw0 = 16,8 kDa, PI = 2,93) 8.834/793400 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 7.4 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 12 kGy (Mw0 = 14,1 kDa, PI = 2,94) 8.954/594428 uRIU Detector B Ch1 5.0 2.5 0.0 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 7.5 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 15,9 kGy (Mw0 = 12,5 kDa, PI = 2,12) 9.087/658545 uRIU 7.5 Detector B Ch1 5.0 2.5 0.0 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 7.6 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 91 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 22,7 kGy (Mw0 = 11,2 kDa, PI = 1,96) Phụ lục HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN CẮT MẠCH CTS-80 Ở DẠNG TRƯƠNG 8.687/786381 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 8.1 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 80,3 % cắt mạch H2O2 5% thời gian 15,1 (Mw0 = 20,3 kDa, PI = 2,69) 8.281/798958 uRIU Detector B Ch1 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 8.2 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 80,3 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 3,5 kGy (Mw0 = 28,6 kDa, PI =3,25) 9.128/639962 uRIU Detector B Ch1 5.0 2.5 0.0 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 8.3 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 80,3 % cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 20,1 kGy (Mw0 = 9,6 kDa, PI = 2,81) Phụ lục HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN CẮT MẠCH CTS-72 Ở DẠNG TRƯƠNG 8.783/791193 uRIU Detector B -1 -2 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 9.1 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 72% cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 7,5 kGy (Mw0 = 21,1 kDa, PI =2,33) Hình PL 9.2 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 72% cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 14 kGy (Mw0 = 14,7 kDa, PI =2,6) uRIU Detector B Ch1 9.050/113426 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 m in Hình PL 9.3 Sắc kí đồ GPC CTS ĐĐA 72% cắt mạch H2O2 5% γ-ray dạng trương, liều xạ 20,1 kGy (Mw0 = 13,6 kDa, PI =1,98) Phụ lục 10 KHẢ NĂNG CHẾ TẠO COS BẰNG H2O2 TRONG DUNG DỊCH 12.008/596822 uRIU Detector B 7.5 5.0 2.5 0.0 -2.5 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 Hình PL 10.1 Sắc kí đồ GPC CTS ban đầu (Mw = 31,3 kDa, PI = 3,40) 12.258/603183 uRIU Detector B Ch1 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 Hình PL 10.2 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 15,6 kDa, PI = 2,40) H2O2 3% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp 12.408/584732 uRIU Detector B 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 10.3 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 10 kDa, PI = 2,07) H2O2 4% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp 12.433/589620 uRIU Detector B 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 10.4 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 5,7, kDa, PI = 1,90) H2O2 5% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp 12.467/548566 uRIU Detector B 10.0 7.5 5.0 2.5 0.0 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 10.5 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 5,1 kDa, PI = 2,12) H2O2 5% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp 12.405/590478 uRIU Detector B 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 Hình PL 10.6 Sắc kí đồ GPC CTS cắt mạch (Mw = 10,6; kDa, PI = 2,09) H2O2 5% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp Hình PL 10.7 Phổ FT-IR CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) Hình PL 10.8 Phổ FT-IR CTS cắt mạch (Mw = 15,6 kDa, PI = 2,40) H2O2 3% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp Hình PL 10.9 Phổ FT-IR CTS cắt mạch (Mw = 10 kDa, PI = 2,07) H2O2 4% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp Hình PL 10.10 Phổ FT-IR CTS cắt mạch (Mw = 5,7, kDa, PI = 1,90) H2O2 5% từ CTS ban đầu (Mw ~ 31,3 kDa, PI=3,40) sau phản ứng theo phương pháp Phụ lục 11 ỨNG DỤNG SẢN PHẨM CHITOSAN CẮT MẠCH Hình PL 11.1 Kết phân tích E.coli mẫu đối chứng Hình PL 11.2 Kết phân tích E.coli mẫu CTSM91 Hình PL 11.3 Kết phân tích E.coli mẫu CTSM60 Hình PL 11.4 Kết phân tích E.coli mẫu CTSM30 ... H2O2 xạ gamma Co -60 việc cắt mạch chitosan chế tạo oligochitosan, chọn thực đề tài: ? ?Nghiên cứu cắt mạch chitosan hiệu ứng đồng vận H2O2/ bức xạ gamma Coban? ?? 60 để chế tạo oligochitosan? ?? Đề tài... ĐỒNG VẬN CHẾ TẠO OLIGOCHITOSAN BẰNG CHIẾU XẠ DUNG DỊCH 59 3.3.1 Hiệu ứng đồng vận chế tạo oligochitosan chitosan có độ đề axetyl ~ 91% 59 3.3.2 Hiệu ứng đồng vận chế tạo oligochitosan. ..ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGHIÊN CỨU CẮT MẠCH CHITOSAN BẰNG HIỆU ỨNG ĐỒNG VẬN H2O2/ BỨC XẠ GAMMA COBAN – 60 ĐỂ CHẾ TẠO OLIGOCHITOSAN Chuyên ngành: Hóa lý thuyết Hóa lý Mã