Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 33 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
33
Dung lượng
3,35 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC VINH TRẦN THỊ MẬU PHỔTỔNHAONĂNGLƯỢNGEELSVÀỨNGDỤNGTRONGNGHIÊNCỨUVICẤUTRÚCCỦAVẬTLIỆUNANOLUẬNVĂNTHẠC SĨ VẬT LÍ VINH , 2011 LỜI CẢM ƠN !"#$%&'()*' +,"-./010/2,+345 6%,"7* !8%9",5:;< "'$=04#/5'$>,0/2 456%8%,$'45?8@' A&+%B0,C/2,/, %D#1%E,,; F8 %9",5:;<$$,'045- GHG-&IIC/2% ,8 J$,#>KL>M!;NKL> M ,? !&%>% ,;()8 J$,#>O;06!;NM8PI, I>5,GI&;%7,+3% (*I*FO,,*I8 Vinh, tha ́ ng 11 năm 2011 Ta ́ c gia ̉ 4BQ R MỤC LỤC Q S $ T 8888888888888888888888888888888888888888888888888U888V Chương 1. 6WXX@? 886*L>-XX@?UUUUUUUUUU8UUU888Y 8R8Z>[;[0>2UU8UU\ 8R889,]UUUUUUUUUUUUUUU8888\ 8R8R89*%,]UUUUUUUUUUU8U888 8R8V86L;N*UUUUUUUUUUU888R 8V8^-XX@? 8V8!Z_[H;`*%-F;(aUUUUb 8V8R8!Z-F;()UUUUUUUUU88\ 8V8V8!Z-F;(UUUUUUUUU88R M';6Rb Chương 28Mc-XX@?XQ,/d R886W*.OLeUUUUUUUUUUU8888888RP R8R86),5;N7XQ888888888888888888888888888888888Rf R8V86*g$.1LXQ88888888888888888888888888888888VV R8h866i>[--XX@?8888888888888888888888888888888888888888888VY R8Y8 7$#XX@?88888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888Vb R8b86%(j-XX@?XQ8888888888888888888888888VP R8P8!)+(*>[;[6 R Q?888888888888888888888888888888888VP M' ; R hb M k ;$ l 888888888888888888888888888888888888888888888888hP T ; l >* S 8888888888888888UUUUUUUUUUU8888888888h\ V MỞ ĐẦU m,55%L%;,I.1)"W +&,noI/d1pq Le%L%5%5*>% 888!5++1$>#>r;N 5'1L>'/d1p,* '0,W08 %L%',*#.) ;L%I<)8 OI(;L 54,%L';*L/d ,*#]#.),)+ ;LO>5';LZ(8 M)+,*IOe/d*g *O(%>745)8 E0 ;L%)+IO;,q*gO Le`OLe5HXQOLesH?XQ OLe$#HAtXQp9LeZ;1H ?uXi-Jr$#[F;(HXiJ-- F;(HXX@?888a*gp9J*gp9 $.L888 ^--F;(XX@?;,>7*g/1W O;L8Mg,5IO>0 *g*);,E0;L%8Kv*g,5I O%)+;Lq,4I )+Ler7/,5>2;L/>,>:,IO /p/,(j>7/L.5O.>2):8 j;N/+% l ,;F>;, h “Phổ tổnhaonănglượngEELSvàứngdụngtrongnghiêncứuvicấutrúccủavậtliệu nano”8 Qd.,>;F;,q HmW;N5',)+--F;( XX@?8 Hm*g--F;(XX@?1L *.OLe5`XQa8 H^$.)+>7E;L"v*gXX@? *'(0*g$.OLe*8 6)+;F T $ T > S $ T T * k ;$ l 7/ ;$ l F l ",5q Chương 1. Cơ sở của kỹ thuật phổEELS ,5+%",5W;N5'*g -XX@?,)+-XX@?8Q7ErO>Z- -XX@?($.,",5',58 Chương 2. Nghiêncứu kỹ thuật phổEELS trên TEM vàứngdụng T 5+%w T " T 5W*g-XX@?1 LXQ,>7E*'#)+>7, ;Le/d*gXX@?*'(0*g$.O Le*86 S > T l k x * S F k / l *g XX@?,5D(",5,586% k T ; T $ T * k ;$ l k k k * k S x l l S k ; k l l x S ;$ l F x x % T l $ T S *F k l 8 Y Chương 1 CƠ SỞ CỦA PHƯƠNG PHÁP EELS 1.1. Các khái niệm về phổEELS m+"'v;L,* IOe/d*g*O) +,)++8%/d,L#),* /Z*g$.OLeqMg-J rHXiJ*g#p9LeZ>7dH6KXi*g --F;(HXX@?-yEH6@- Leu[8*%*-;F,5+%C ,>O*g$.--F;(XX@? +IO>0*g*8 ^--F;(LeXX@?`!'=j'uq Electron Energy Loss Spectroscopya;,>7*g$.I( 1L*.OLe5/1L,$. 4F;("B>)>Z>Le/9*%,]* 5>2z{8 MgXX@?IO%)+,,4 I=07$#35e(d O8 7$#F;(%3[!DIO '|[!'Z>Le,,=8*%*-;F ,5+%0L>7-'"B*gXX@? ,';N9#5*LeIF;(3M[! 0>2=8 6r--F;(LeXX@?n( 0L"]>q-;>-I>L e5e,)+;0>7Le8Q7 b E%(j-XX@?L$..)7 >2"]>q6)+Le,4I,/,5 >2;L/>,>:8m}$E5'B7$# s$.D(",#"]>#}:/1 "=Le;>28 }--F;(W$5(O;,-4 F;("B>)>/9*%,]Le0* 0Le)81'*+DI #Le*%"B>)>F;(8!5+4# >O>745%jZ-IO(8 )Z*%-F;(`~[H;a8 $5;,Z -Le*0>2*%"B>)>F ;(8 Z-F;()8 $5;,Z-* Le00LeIB5e>2n ;,>)>74F;(3≈Y|[!8 "Z-F;(;08 $5;,Z-*L e0>2n;,>)F;(;0≈Y|[!/ Le00Le"5e8 jZ--F;(*+IO )%*>28iI* 4=>("#);NOZ-I86WO( Z-*;,19,],9*%,] Z>Le00E(486+"'v9 ,];,9*Le005e>,,, *%>)>F;(>r/ZI15-08M Le00LeW;0*5e 7>2),0Le5e 5EI*+n"B>)>4F;( P *8^4F;("B>)>c;L0F;(;*' Le*5e8iI'(4 F;("B>)>Le0+IO( %*E(q,4I) +Le/,5>2/>,>:8 I.;,5 =$.)+"v*gXX@?8 i-%/d--F;(XX@?;,- (jLe5`%0Z>Lej||*[!H V||*[!a8m,<Is$.-XX@?*./dq -XX@?#9`Reflection EELS - REELSae/d0Z>Le F;(j|M[!•V|M[!s$.-XX@?7$# `HREELS - High resolution EELSa0Z>LeF;(j[! H|[!I7=D($>z{8 Mg-XX@?I>7EO>,'q a. Ưu điểm củaEELS H 7$#*gXX@?XQ0 *g$.*,d7*.0Z>Le8 H^I7.9./d|;40 XiJ8 H^$.0>2")*yIL._€8 H^$.B;(>7.98 H6%>2q)+Le, 4I/,5>2/>,>:8 b. Hạn chế củaEELS H64>2)>:q 7/,5•V|>*I*F%>28 H67--5'E0>-IX€ V||[!/p"B;2,-8 \ HQ7E5E-@Q*%$ "L‚,*I$#8KW#--];2 ;8 1.2. Tương tác của chùm electron với mẫu nghiêncứu M'Z>Le0>7>2>:Le0 0Le5e>28` >a,5;';1ƒL`6;>"a8!5E0 }Le0>24$>0;.I ;,9,],9*%,]Z57,1>Le ;ƒ1$8 1.2.1. Tán xạ đàn hồi 9,];,L(9>,Le* 05e>2*%"B>)F;(>,C;,>;L 05O7+8%*E;($);0 *E;(<;LeF;(-;,):, *%(*gXX@?1LXQ8 E0 9,]'/L9$(.[%`@[~ fYhazf{8 [ ] R R | RR | R a`a„`h„ θθσ +=Ω TkZdd e `8a Iq_;,5eE | k ;,sILe0`R…„ λ a θ q"O/pI9Le8 | θ † a„` || V qKZ ;,77I$"E98 q@,F;(*%E("W%8 [ ] [ ] a„`„aR„`R„ R || R ||| R || cmEcmEEvmT ++== `8Ra ‡$5> R | v †Y*[!;,F;(CLe86>E I4:0F;(C1' | E "W*E;( f Ee*5O7;0*E;(C > | 8 ?1d7>E,F;("4 | E Z>L e0"#88 Bảng 1.1: Các tham số T, T γ , γ , χ , | k phụ thuộc vào nănglượng ban đầu | E của chùm điện tử tới [9]. | E `M[!a `M[!a T γ `M[!a γ χ `>a | k ` a − nm V| RP8b Rf8R 8|Yf b8f\ f|| || Pb8\ f8\ 8fb V8P| bfP R|| RV8b P8f 8Vf R8Y RY|Y V|| Yh8 Rhh8Y 8Y\P 8fP Vf ||| RRb8V bbf R8fYP |8\P PR|Y Hình 1.1. Đường cong biếu diễn sự phân bố góc tán xạ đàn hồi và tán xạ không đàn hồi được tính toán đối với các điện tử có nănglượng 200 keV trongvậtliệu cácbon vô định hình. Thanh dọc biểu diễn cho cường độ tương đối của các chùm phản xạ Bragg trong tinh thể kim cương khi các trục tinh thể song song với chùm tia tới [9]. K1d7>E,F;("4 | E 1$"EI9,]E0>7Le)579 | 9,]`%Ba 9,]`Oa 9*%,]`V|[!a 9*%,]`V||[!a ˆI9`>/a 67`5a . DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC VINH TRẦN THỊ MẬU PHỔ TỔN HAO NĂNG LƯỢNG EELS VÀ ỨNG DỤNG TRONG NGHIÊN CỨU VI CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU NANO LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT. ,;F>;, h Phổ tổn hao năng lượng EELS và ứng dụng trong nghiên cứu vi cấu trúc của vật liệu nano”8 Qd.,>;F;,q