Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử

164 8 0

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

1 / 164 trang

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang	164
Dung lượng	9,65 MB

Nội dung

Ngày đăng: 11/07/2021, 16:42

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.3. Cơ chế đảo điện trở đơn cực (a) và lưỡng cực (b). - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 1.3.** Cơ chế đảo điện trở đơn cực (a) và lưỡng cực (b). (Trang 26)

Hình 1.5. Cấu trúc tinh thể của các pha ô xít crôm (a) CrO2, (b) CrO3 và (c) Cr2O3 Pha CrO 2 có cấu trúc tinh thể bát diện và có màu đen - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 1.5.** Cấu trúc tinh thể của các pha ô xít crôm (a) CrO2, (b) CrO3 và (c) Cr2O3 Pha CrO 2 có cấu trúc tinh thể bát diện và có màu đen (Trang 29)

Hình 2.3. Giản đồ vùng năng lượng của cơ chế xuyên hầm Fowler – Nordheim trong cấu trúc MIM - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 2.3.** Giản đồ vùng năng lượng của cơ chế xuyên hầm Fowler – Nordheim trong cấu trúc MIM (Trang 34)

2.3.1. Cơ chế hình thành và đứt gãy đƣờng dẫn (filament) a) Cơ chế nhiệt hóa (Thermochemical Mechanism - TCM) - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **2.3.1.** Cơ chế hình thành và đứt gãy đƣờng dẫn (filament) a) Cơ chế nhiệt hóa (Thermochemical Mechanism - TCM) (Trang 42)

Hình 2.11. Sơ đồ minh họa cơ chế đảo điện trở của màng mỏng Ta2O5 với các loại điện cực đỉnh khác nhau: (a) điện cực trơ, (b) điện cực có hoạt tính hóa học - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 2.11.** Sơ đồ minh họa cơ chế đảo điện trở của màng mỏng Ta2O5 với các loại điện cực đỉnh khác nhau: (a) điện cực trơ, (b) điện cực có hoạt tính hóa học (Trang 47)

Hình 2.14. Hình ảnh dòng dẫn ở trạng thái LRS và kích thước của đường dẫn tương ứng - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 2.14.** Hình ảnh dòng dẫn ở trạng thái LRS và kích thước của đường dẫn tương ứng (Trang 52)

Hình 3.1. Phổ tán xạ Raman của màng mỏng CrOx đượclắng đọng theo các tỷ lệ áp suất khí riêng phần ôxi O 2/(O2 +Ar) khác nhau: (a) 6%, (b) 20% và (c) 40% - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 3.1.** Phổ tán xạ Raman của màng mỏng CrOx đượclắng đọng theo các tỷ lệ áp suất khí riêng phần ôxi O 2/(O2 +Ar) khác nhau: (a) 6%, (b) 20% và (c) 40% (Trang 58)

Bảng 3.5. Bảng các thông số chế tạo màng mỏng CrOxtheo độ dày. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Bảng 3.5.** Bảng các thông số chế tạo màng mỏng CrOxtheo độ dày (Trang 67)

Bảng 3.6. Thống kê các đỉnh dao động Raman của mẫu CrOxtheo các độ dày (a) 30 nm, (b) 100 nm, (c) 300 nm và (d) 500 nm - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Bảng 3.6.** Thống kê các đỉnh dao động Raman của mẫu CrOxtheo các độ dày (a) 30 nm, (b) 100 nm, (c) 300 nm và (d) 500 nm (Trang 69)

Hình 3.14. Các đỉnh dao động Raman của các màng mỏng CrOxtheo nhiệt độ ủ thu được từ hàm phân bố Gaussian: (a) chưa ủ nhiệt, (b) ủ nhiệt ở 300 oC và (c) ủ nhiệt ở 500 oC - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 3.14.** Các đỉnh dao động Raman của các màng mỏng CrOxtheo nhiệt độ ủ thu được từ hàm phân bố Gaussian: (a) chưa ủ nhiệt, (b) ủ nhiệt ở 300 oC và (c) ủ nhiệt ở 500 oC (Trang 78)

Hình 3.19. Cấu tạo của linh kiện theo các loại điện cực khác nhau. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 3.19.** Cấu tạo của linh kiện theo các loại điện cực khác nhau (Trang 90)

Hình 3.21. Đặc trưng I-V và đảo điện trở thuận nghịch của các màng mỏng CrOx (a) chưa ủ nhiệt và (b) ủ nhiệt ở 500 o - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 3.21.** Đặc trưng I-V và đảo điện trở thuận nghịch của các màng mỏng CrOx (a) chưa ủ nhiệt và (b) ủ nhiệt ở 500 o (Trang 91)

Bảng 3.13. Thống kê đặc trưng đảo điện trở của màng CrOxtheo nhiệt độ ủ với điện cực đỉnh Ag hoặc Ti và điện cực đáy Pt hoặc FTO - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Bảng 3.13.** Thống kê đặc trưng đảo điện trở của màng CrOxtheo nhiệt độ ủ với điện cực đỉnh Ag hoặc Ti và điện cực đáy Pt hoặc FTO (Trang 95)

Hình 4.1. Đặc trưng I-V và đảo điện trở của các màng mỏng chưa ủ nhiệt CrOx@ RT trong cấu trúc Ag/CrO x/FTO - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 4.1.** Đặc trưng I-V và đảo điện trở của các màng mỏng chưa ủ nhiệt CrOx@ RT trong cấu trúc Ag/CrO x/FTO (Trang 99)

Hình 4.4. Đặc trưng I-V của quá trìn h3 theo cơ chế dẫn Ôm (I ở hình d) và dòng điện tích dẫn xuyên hầm (hình e) trong cấu trúc Ag/CrO x/FTO - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 4.4.** Đặc trưng I-V của quá trìn h3 theo cơ chế dẫn Ôm (I ở hình d) và dòng điện tích dẫn xuyên hầm (hình e) trong cấu trúc Ag/CrO x/FTO (Trang 102)

Hình 4.9. Đặc trưng I-V và đảo điện trở của các màng mỏng CrOx chưa ủ trong cấu trúc Ti/CrO x/FTO - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 4.9.** Đặc trưng I-V và đảo điện trở của các màng mỏng CrOx chưa ủ trong cấu trúc Ti/CrO x/FTO (Trang 109)

c. Quá trìn h3 (0 -4 V, LRS  HRS), Hình 4.16: Đảo chiều phân cực (điện thế dương vào điện cực đáy (Pt, FTO) và điện cực đỉnh Ag được áp điện thế âm nhưng nối đất) và tăng dần điện áp - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — c. Quá trìn h3 (0 -4 V, LRS  HRS), Hình 4.16: Đảo chiều phân cực (điện thế dương vào điện cực đáy (Pt, FTO) và điện cực đỉnh Ag được áp điện thế âm nhưng nối đất) và tăng dần điện áp (Trang 113)

Hình 5.5. Đặc trưn gI –V của cấu trúc đầu dò Pt/CrOx/Ag thu được từ kỹ thuật phân tích C – AFM - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — **Hình 5.5.** Đặc trưn gI –V của cấu trúc đầu dò Pt/CrOx/Ag thu được từ kỹ thuật phân tích C – AFM (Trang 122)

Hình PL1. Hình thái học bề mặt của đế FTO. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL1. Hình thái học bề mặt của đế FTO. (Trang 155)

Hình PL2. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x lắng đọng trong hỗn hợp khí 6% O 2 - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL2. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x lắng đọng trong hỗn hợp khí 6% O 2 (Trang 156)

Hình PL5. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x lắng đọng trong hỗn hợp khí 40% O 2 - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL5. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x lắng đọng trong hỗn hợp khí 40% O 2 (Trang 159)

Hình PL7. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 30 nm. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL7. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 30 nm. (Trang 161)

Hình PL9. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 300 nm. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL9. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 300 nm. (Trang 163)

Hình PL10. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 500 nm. - Chế tạo và khảo sát cơ chế truyền dẫn điện tích và đảo điện trở thuận nghịch tương ứng của màng mỏng ô xít crôm hướng đến ứng dụng trong bộ nhớ điện tử — nh PL10. Hình thái học bề mặt của màng mỏng CrO x có độ dày 500 nm. (Trang 164)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

dung lượng bộ nhớ máy tính
xem dung lượng bộ nhớ máy tính

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

chế tạo và nghiên cứu tính chất của tổ hợp lai graphene với nano kim loại ứng dụng trong lĩnh vực sensor( bản đầy đủ)

295 718 5
Chế tạo và sử dụng cụ thí nghiệm đơn giản để đo một số đại lượng trong dạy học ngoại khóa chương động lực học chất điểm vật lí 10 THPT

115 678 1
chế tạo ecu phụ nhằm tương thích hóa các cảm biến đo gió trên ô tô

54 376 0
chế tạo mô hình điều hòa ô tô

32 275 0
chế tạo hệ thống đánh pan biên soạn tài liệu hướng dẫn thực tập trên động cơ 1g fe

56 461 2
chế tạo vật liệu nhiệt phát quang caso4 dy3+ và xác định các thông số động học của nó

81 379 2

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Chế tạo, nghiên cứu cơ chế hình thành và khảo sát tính chất của vật liệu nano WO3 chế tạo bằng phương pháp lắng đọng axit

67 35 0
Vai trò của các doanh nghiệp sản xuất, chế tạo đối với sự phát triển bền vững ngành công nghiệp chế biến, chế tạo ở Quảng Ninh

6 13 1
Chế tạo vật liệu hấp phụ từ tro than bay sử dụng trong phân tích môi trường phần 1 chế tạo chất hấp phụ từ tro than bay

6 14 0
Chế tạo và khảo sát một số tính chất của chất tạo màng trên cơ sở nhựa epoxy thu được từ quá trình tái chế polycarbona phế thải

68 7 0
Chế tạo khuôn anodic aluminium oxide (aao) sử dụng làm khuôn chế tạo carbon nanotube

89 10 0
Báo cáo thí nghiệm Kĩ thuật chế tạo 1 Công nghệ chế tạo phôi Công nghệ chế tạo máy 1 Báo cáo thí nghiệm kĩ thuật chế tạo 1 công Xác định độ đàn hồi ngược trong biến dạng uốn

13 128 1
vận dụng giáo dục stem vào hoạt động sáng tạo trong bài công nghệ chế tạo phôi môn công nghệ 11 (chủ đề stem chế tạo phôi bằng phƣơng pháp đúc trong khuôn thạch cao)

60 104 0
BÁO CÁO THÍ NGHIỆM Kĩ thuật chế tạo 1 Công nghệ chế tạo phôi Công nghệ chế tạo máy 1 XÁC ĐỊNH ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ RÓT ĐỐI VỚI ĐỘ CHẢY LOÃNG CỦA KIM LOẠI ĐÚC (KẼM – Zn)

13 455 5