Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic

132 6 0
Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 03/07/2021, 10:25

Mục lục

  • DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

  • DANH MỤC CÁC BẢNG SỐ LIỆU

  • DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ

  • 1.1. Vật liệu bán dẫn silic

  • 1.1.1. Một vài tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn silic

  • 1.1.2. Sai hỏng điểm trong vật liệu bán dẫn Si

  • 1.1.3. Tự khuếch tán trong vật liệu bán dẫn Si

  • 1.2. Khuếch tán tạp chất trong vật liệu bán dẫn Si

  • 1.2.1. Cơ chế khuếch tán tạp chất trong Si

  • 1.2.3. Sai hỏng điểm sinh ra do khuếch tán tạp chất trong Si

  • 1.3. Hệ số khuếch tán phụ thuộc vào nồng độ và căng mạng

  • 1.5. Định luật Fick và định luật Onsager

  • 1.5.1. Mật độ dòng khuếch tán

  • 1.5.3. Định luật lực tổng quát và định luật Onsager

  • 1.5.4. Những mâu thuẫn của định luật Fick và định luật Onsager

  • 1.6. Khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si

  • 1.6.1. Mật độ dòng khuếch tán theo lý thuyết Onsager

  • 1.6.2. Mật độ dòng khuếch tán đồng thời của B, I và V

  • KẾT LUẬN CHƢƠNG I

  • 2.1. Dòng tuyệt đối và dòng thực

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan