1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

57 14 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nghiên Cứu Chế Tạo Và Khảo Sát Tính Chất Của Pin Mặt Trời Dựa Trên Cấu Trúc Lai Dây Nano Silic/Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene):Polystyrene Sulfonate/Graphen
Tác giả Nguyễn Thị Châm
Người hướng dẫn TS. Phạm Văn Trình, PGS.TS. Lê Tuấn Tú
Trường học Đại học Quốc gia Hà Nội
Chuyên ngành Vật lý chất rắn
Thể loại luận văn thạc sĩ khoa học
Năm xuất bản 2020
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 57
Dung lượng 4,17 MB

Nội dung

Ngày đăng: 03/07/2021, 09:33

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[5] Thiyagu S, Hsueh C C, Liu C T, Syu H J, Lin T C, Lin C F, Nanoscale, Hybrid organic–inorganic heterojunction solar cells with 12% efficiency by utilizing flexible film-silicon with a hierarchical surface, 6 (2014) 3361–3366 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Hybrid organic–inorganic heterojunction solar cells with 12% efficiency by utilizing flexible film-silicon with a hierarchical surface
[6] P. Campbell and M. A. Green, Light trapping properties of pyramidally textured surfaces, J. Appl. Phys, 62 (1987) 243– 249 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Light trapping properties of pyramidally textured surfaces
[7] Naoki Fukata Thiyagu Subramani Wipakorn Jevasuwan Mrinal Dutta Yoshio Bando, Functionalization of Silicon Nanostructures for Energy ‐ Related Applications, Small 13(45) (2017) 1701713 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Functionalization of Silicon Nanostructures for Energy"‐ "Related Applications
[8] Sievert. W, K.U. Zimmermann, B. Hartmann, C. Klimm, K. Jacob and H. Angermann, Surface Texturization and Interface Passivation of Mono-Crystalline Silicon Substrates by Wet Chemical Treatments, Solid State Phenomena, 145-146 (2009) 223-226 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Surface Texturization and Interface Passivation of Mono-Crystalline Silicon Substrates by Wet Chemical Treatments
[9] Srivastava S K, Kumar D, Singh P K, Kar M, Kumar V and Husain M, Excellent antireflection properties of vertical silicon nanowire arrays, Sol. Energy Mater.Sol. Cells, 94 (2010) 1506–11 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Excellent antireflection properties of vertical silicon nanowire arrays
[10] Garnett E and Yang P, Light trapping in silicon nanowire solar cells, Nano Lett. 10 (2010) 1082–7 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Light trapping in silicon nanowire solar cells
[11] Kumar D, Srivastava S K, Singh P K, Husain M and Kumar V, Fabrication of silicon nanowire arrays based solar cell with improved performance, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95 (2011) 215–8 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Fabrication of silicon nanowire arrays based solar cell with improved performance
[12] Wagner R S and Ellis W C, Study of the filamentary growth of silicon crystals from the vapor, Appl. Phys. Lett. 4 (1964) 89 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Study of the filamentary growth of silicon crystals from the vapor
[13] Westwater J, Gosain D P, Tomiya S, Usui S and Ruda H, Growth of silicon nanowires via gold/silane vapor–liquid–solid reaction, J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 554–7 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Growth of silicon nanowires via gold/silane vapor–liquid–solid reaction
[14] Latu R L, Mouchet C, Cayron C, Rouviere E, Simonato J P, Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method, J. Nanopart.Res. 10 (2008)1287–91 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method
[15] Fuhrmann B, Leipner H S and Hoche H-R, Ordered arrays of silicon nanowires produced by nanosphere lithography and molecular beam epitaxy, Nano Lett. 5 (2005) 2524–7 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ordered arrays of silicon nanowires produced by nanosphere lithography and molecular beam epitaxy
[16] A.S. Sarkın, N. Ekren, Ş. Sağlam, A review of anti-reflection and self-cleaning coatings on photovoltaic panels, Solar Energy 199 (2020) 63-73 Sách, tạp chí
Tiêu đề: A review of anti-reflection and self-cleaning coatings on photovoltaic panels
[17] N Goel, RA Taylor, T Otanicar, A review of nanofluid-based direct absorption solar collectors: Design considerations and experiments with hybrid PV/Thermal and direct steam generation collectors, Renewable Energy 145 (2020) 903-913 Sách, tạp chí
Tiêu đề: A review of nanofluid-based direct absorption solar collectors: Design considerations and experiments with hybrid PV/Thermal and direct steam generation collectors
[18] M. K. Sahoo, P. Kale, Integration of silicon nanowires in solar cell structure for efficiency enhancement: A review, J. Materiomics 5 (2019) 34-49 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Integration of silicon nanowires in solar cell structure for efficiency enhancement: A review
[19] E. C. Garnett and P. Yang, Silicon nanowire radial p− n junction solar cells, J. Am. Chem. Soc. 130 (2008) 9224 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Silicon nanowire radial p− n junction solar cells
[20] M.D. Ko, T. R., K. Kim, M. Meyyappan and C.K. Baek, Sci Rep. High efficiency silicon solar cell based on asymmetric nanowire, 5 (2015) 11646 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High efficiency silicon solar cell based on asymmetric nanowire
[21] Y. Rui, T. Zhang, D. Zhu, Y. Feng, A. N. Cartwright, M. T. Swihart, Y. Yang, T. Zhang, C. Huang, H. Wang, D. Gu, Improved Performance of Silicon Nanowire- Based Solar Cells with Diallyl Disulfide Passivation, J. Phys. Chem. C, 123(8) (2019) 4664 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Improved Performance of Silicon Nanowire-Based Solar Cells with Diallyl Disulfide Passivation
[22] K. Sato, M. Dutta and N.Fukata, Inorganic/organic hybrid solar cells: optimal carrier transport in vertically aligned silicon nanowire arrays, Nanoscale 6 (2014) 6092–6101 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Inorganic/organic hybrid solar cells: optimal carrier transport in vertically aligned silicon nanowire arrays
[23] T. Song, S.T. Lee, B. Sun, Silicon nanowires for photovoltaic applications: The progress and challenge, Nano Energy 1 (2012) 654–673 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Silicon nanowires for photovoltaic applications: The progress and challenge
[24] V. Sivakov, G. Andra, A. Gawlik, A. Berger, J. Plentz, F. Falk and S. H. Christiansen, Silicon nanowire-based solar cells on glass: synthesis, optical properties, and cell parameters, Nano Lett. 9 (2009) 1549–1554 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Silicon nanowire-based solar cells on glass: synthesis, optical properties, and cell parameters

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Phổ bức xạ mặt trời [1] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.1. Phổ bức xạ mặt trời [1] (Trang 12)
Hình 1.4. Giá thành($/Wp) và hiệu suất của các thế hệ pin mặt trời [3]. - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.4. Giá thành($/Wp) và hiệu suất của các thế hệ pin mặt trời [3] (Trang 16)
Hình 1.5. Hiệu suất cao nhất thu được của pin mặt trời dựa trên cấu trúc, vật - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.5. Hiệu suất cao nhất thu được của pin mặt trời dựa trên cấu trúc, vật (Trang 16)
Hình 1.6. Pin mặt trời sử dụng SiNW với cấu trúc pn dạng lõi-vỏ [19] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.6. Pin mặt trời sử dụng SiNW với cấu trúc pn dạng lõi-vỏ [19] (Trang 18)
Hình 1.7. Pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS có hiệu suất - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.7. Pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS có hiệu suất (Trang 19)
Hình 1.8. Các tính chất của pin mặt trời sử dung cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS/GO [30] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.8. Các tính chất của pin mặt trời sử dung cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS/GO [30] (Trang 20)
Hình 1.9. (a) Pin mặt trời sử dụng cấu trúc PEDOT:PSS/Si và GQDs, (b) Đặc trưng J- - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.9. (a) Pin mặt trời sử dụng cấu trúc PEDOT:PSS/Si và GQDs, (b) Đặc trưng J- (Trang 21)
Hình 1.10. Đặc trưng I/V của pin mặt trời sử dụng cấu trúc Au@TiO2 [38] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.10. Đặc trưng I/V của pin mặt trời sử dụng cấu trúc Au@TiO2 [38] (Trang 22)
1.2. Tình hình nghiên cứu về pin mặt trời trong nước - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
1.2. Tình hình nghiên cứu về pin mặt trời trong nước (Trang 22)
Hình 1.13. Mô hình cấu trúc của pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.13. Mô hình cấu trúc của pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid (Trang 24)
Hình 2.3. (a) Ảnh SEM và (b) ảnh HRTEM của graphen chế tạo bằng phương pháp - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.3. (a) Ảnh SEM và (b) ảnh HRTEM của graphen chế tạo bằng phương pháp (Trang 27)
Hình 2.2. Quy trình chế tạo hỗn hợp dung dịch PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.2. Quy trình chế tạo hỗn hợp dung dịch PEDOT:PSS/Gr (Trang 27)
Hình 2.4. Qui trình biến tính gắn nhóm chức COOH lên ống graphen - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.4. Qui trình biến tính gắn nhóm chức COOH lên ống graphen (Trang 28)
Hình 2.5. Quy trình chế tạo SiNW bằng phương pháp ăn mòn hóa học - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.5. Quy trình chế tạo SiNW bằng phương pháp ăn mòn hóa học (Trang 29)
Hình 2.7. Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.7. Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét (Trang 32)
Hình 2.8. (a) Sơ đồ hệ FTIR và (b) mô hình mẫu đo - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.8. (a) Sơ đồ hệ FTIR và (b) mô hình mẫu đo (Trang 33)
Hình 2.10. Sơ đồ đo điện trở bằng phương pháp 4 mũi dò (a) và thiết bị - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.10. Sơ đồ đo điện trở bằng phương pháp 4 mũi dò (a) và thiết bị (Trang 34)
Hình 2.1 1- Hệ đo đặc trưng J-V của pin mặt trời - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.1 1- Hệ đo đặc trưng J-V của pin mặt trời (Trang 35)
Hình 3.1. Phổ Raman của Graphen và Gr-COOH - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.1. Phổ Raman của Graphen và Gr-COOH (Trang 36)
Hình 3.3. Ảnh SEM của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.3. Ảnh SEM của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 38)
Hình 3.5. UV-VIS của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.5. UV-VIS của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 39)
Hình 3.6. Điện trở và độ dẫn điện của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.6. Điện trở và độ dẫn điện của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 40)
Hình 3.9. Quy trình chế tạo pin mặt trời cấu trúc lai n-Si/PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.9. Quy trình chế tạo pin mặt trời cấu trúc lai n-Si/PEDOT:PSS/Gr (Trang 42)
Bảng3.1. Các đặc trưng của pin mặt trời Si/PEOT:PSS/Gr với nồng độ Gr khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu  suất chuyển đổi ()  - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Bảng 3.1. Các đặc trưng của pin mặt trời Si/PEOT:PSS/Gr với nồng độ Gr khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi () (Trang 43)
Hình 3.12. Ảnh hưởng của chiều dài SiNW đến sự hình thành cấu trúc lai - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.12. Ảnh hưởng của chiều dài SiNW đến sự hình thành cấu trúc lai (Trang 44)
Hình 3.11. Hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời theo nồng độ Gr khác nhau - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.11. Hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời theo nồng độ Gr khác nhau (Trang 44)
Hình 3.13. Hệ số phản xạ của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr với chiều - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.13. Hệ số phản xạ của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr với chiều (Trang 45)
Hình 3.14. Hiệu suất lượng tử ngoại của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.14. Hiệu suất lượng tử ngoại của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr (Trang 46)
Bảng 3.2. Các đặc trưng của pin mặt trời SiNW/PEOT:PSS/Gr với SiNW có chiều dài khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy  (FF) và hiệu suất chuyển đổi (). - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Bảng 3.2. Các đặc trưng của pin mặt trời SiNW/PEOT:PSS/Gr với SiNW có chiều dài khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi () (Trang 47)
Hình 3.15. Đặc trưng J-V của pin mặt trời theo chiều dài SiNW khác nhau - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.15. Đặc trưng J-V của pin mặt trời theo chiều dài SiNW khác nhau (Trang 47)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w