1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

57 14 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 57
Dung lượng 4,17 MB

Nội dung

Ngày đăng: 03/07/2021, 09:33

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Phổ bức xạ mặt trời [1] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.1. Phổ bức xạ mặt trời [1] (Trang 12)
Hình 1.4. Giá thành($/Wp) và hiệu suất của các thế hệ pin mặt trời [3]. - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.4. Giá thành($/Wp) và hiệu suất của các thế hệ pin mặt trời [3] (Trang 16)
Hình 1.5. Hiệu suất cao nhất thu được của pin mặt trời dựa trên cấu trúc, vật - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.5. Hiệu suất cao nhất thu được của pin mặt trời dựa trên cấu trúc, vật (Trang 16)
Hình 1.6. Pin mặt trời sử dụng SiNW với cấu trúc pn dạng lõi-vỏ [19] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.6. Pin mặt trời sử dụng SiNW với cấu trúc pn dạng lõi-vỏ [19] (Trang 18)
Hình 1.7. Pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS có hiệu suất - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.7. Pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS có hiệu suất (Trang 19)
Hình 1.8. Các tính chất của pin mặt trời sử dung cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS/GO [30] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.8. Các tính chất của pin mặt trời sử dung cấu trúc hybrid SiNW/PEDOT:PSS/GO [30] (Trang 20)
Hình 1.9. (a) Pin mặt trời sử dụng cấu trúc PEDOT:PSS/Si và GQDs, (b) Đặc trưng J- - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.9. (a) Pin mặt trời sử dụng cấu trúc PEDOT:PSS/Si và GQDs, (b) Đặc trưng J- (Trang 21)
Hình 1.10. Đặc trưng I/V của pin mặt trời sử dụng cấu trúc Au@TiO2 [38] - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.10. Đặc trưng I/V của pin mặt trời sử dụng cấu trúc Au@TiO2 [38] (Trang 22)
1.2. Tình hình nghiên cứu về pin mặt trời trong nước - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
1.2. Tình hình nghiên cứu về pin mặt trời trong nước (Trang 22)
Hình 1.13. Mô hình cấu trúc của pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 1.13. Mô hình cấu trúc của pin mặt trời sử dụng cấu trúc hybrid (Trang 24)
Hình 2.3. (a) Ảnh SEM và (b) ảnh HRTEM của graphen chế tạo bằng phương pháp - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.3. (a) Ảnh SEM và (b) ảnh HRTEM của graphen chế tạo bằng phương pháp (Trang 27)
Hình 2.2. Quy trình chế tạo hỗn hợp dung dịch PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.2. Quy trình chế tạo hỗn hợp dung dịch PEDOT:PSS/Gr (Trang 27)
Hình 2.4. Qui trình biến tính gắn nhóm chức COOH lên ống graphen - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.4. Qui trình biến tính gắn nhóm chức COOH lên ống graphen (Trang 28)
Hình 2.5. Quy trình chế tạo SiNW bằng phương pháp ăn mòn hóa học - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.5. Quy trình chế tạo SiNW bằng phương pháp ăn mòn hóa học (Trang 29)
Hình 2.7. Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.7. Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét (Trang 32)
Hình 2.8. (a) Sơ đồ hệ FTIR và (b) mô hình mẫu đo - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.8. (a) Sơ đồ hệ FTIR và (b) mô hình mẫu đo (Trang 33)
Hình 2.10. Sơ đồ đo điện trở bằng phương pháp 4 mũi dò (a) và thiết bị - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.10. Sơ đồ đo điện trở bằng phương pháp 4 mũi dò (a) và thiết bị (Trang 34)
Hình 2.1 1- Hệ đo đặc trưng J-V của pin mặt trời - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 2.1 1- Hệ đo đặc trưng J-V của pin mặt trời (Trang 35)
Hình 3.1. Phổ Raman của Graphen và Gr-COOH - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.1. Phổ Raman của Graphen và Gr-COOH (Trang 36)
Hình 3.3. Ảnh SEM của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.3. Ảnh SEM của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 38)
Hình 3.5. UV-VIS của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.5. UV-VIS của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 39)
Hình 3.6. Điện trở và độ dẫn điện của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.6. Điện trở và độ dẫn điện của màng PEDOT:PSS/Gr trên đế thủy tinh (Trang 40)
Hình 3.9. Quy trình chế tạo pin mặt trời cấu trúc lai n-Si/PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.9. Quy trình chế tạo pin mặt trời cấu trúc lai n-Si/PEDOT:PSS/Gr (Trang 42)
Bảng3.1. Các đặc trưng của pin mặt trời Si/PEOT:PSS/Gr với nồng độ Gr khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi () - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Bảng 3.1. Các đặc trưng của pin mặt trời Si/PEOT:PSS/Gr với nồng độ Gr khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi () (Trang 43)
Hình 3.12. Ảnh hưởng của chiều dài SiNW đến sự hình thành cấu trúc lai - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.12. Ảnh hưởng của chiều dài SiNW đến sự hình thành cấu trúc lai (Trang 44)
Hình 3.11. Hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời theo nồng độ Gr khác nhau - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.11. Hiệu suất chuyển đổi của pin mặt trời theo nồng độ Gr khác nhau (Trang 44)
Hình 3.13. Hệ số phản xạ của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr với chiều - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.13. Hệ số phản xạ của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr với chiều (Trang 45)
Hình 3.14. Hiệu suất lượng tử ngoại của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.14. Hiệu suất lượng tử ngoại của pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr (Trang 46)
Bảng 3.2. Các đặc trưng của pin mặt trời SiNW/PEOT:PSS/Gr với SiNW có chiều dài khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi (). - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Bảng 3.2. Các đặc trưng của pin mặt trời SiNW/PEOT:PSS/Gr với SiNW có chiều dài khác nhau: mật dòng ngắn mạch (Jsc), thế hở mạch (Voc), điện trở Rs, hệ số lấp đầy (FF) và hiệu suất chuyển đổi () (Trang 47)
Hình 3.15. Đặc trưng J-V của pin mặt trời theo chiều dài SiNW khác nhau - Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen
Hình 3.15. Đặc trưng J-V của pin mặt trời theo chiều dài SiNW khác nhau (Trang 47)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w