Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của vật liệu graphene oxide bằng phương pháp điện hóa

i BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - Bùi Thị Thanh Loan NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU GRAPHEN OXIT BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN HÓA LUẬN VĂN THẠC SĨ HÓA HỌC Hà Nội - 2019 ii BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - Bùi Thị Thanh Loan NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU GRAPHEN OXIT BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN HĨA Chun ngành Mã số : Hóa học vơ : 8440113 LUẬN VĂN THẠC SĨ HĨA HỌC Hướng dẫn 1: TS Phan Ngọc Hồng Hướng dẫn 2: PGS.TS Trần Đại Lâm Hà Nội - 2019 iii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan kết nghiên cứu riêng không trùng lặp với cơng trình khoa học khác Các kết số liệu trung thực, số kết luận văn kết chung nhóm nghiên cứu hướng dẫn PGS.TS Trần Đại Lâm TS Phan Ngọc Hồng – Viện Hàn Lâm Khoa Học Công Nghệ Việt Nam Hà Nội, ngày 01 tháng 04 năm 2019 Tác giả luận văn Bùi Thị Thanh Loan iv LỜI CẢM ƠN Tôi xin bày tỏ biết ơn sâu sắc, kính trọng tới PGS.TS Trần Đại Lâm TS Phan Ngọc Hồng – người thầy tận tâm hướng dẫn nghiên cứu để luận án hoàn thành, động viên khích lệ tạo điều kiện thuận lợi cho tơi suốt q trình hồn thực luận văn Tôi xin trân trọng cảm ơn Ban lãnh đạo Trung tâm phát triển công nghệ cao – Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam cán nhân viên Trung tâm quan tâm giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi tốt đóng góp chun mơn cho tơi trình học tập nghiên cứu thực bảo vệ luận văn Tơi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy, cô giáo Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam bảo giảng dạy năm học qua hồn thiện luận văn Cuối cùng, tơi xin bày tỏ tình cảm tới người thân gia đình, bạn bè, đồng nghiệp động viên, giúp đỡ, hỗ trợ mặt Tôi xin chân thành cảm ơn! Học viên Bùi Thị Thanh Loan v DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT, KÍ HIỆU CNTs Carbon nanotubes (Ống nano cacbon) CVD Chemical vapor deposition (Lắng đọng pha hóa học) DSM Dynamic structural model (Mơ hình cấu trúc động) DMF N,N’- đimetylformamide EGO Exfoliated graphen oxit (GO bóc tách) Fourier transform infrared spectroscopy FTIR GO GICP (Phổ hồng ngoại biến đổi Fourie) Graphene oxit (Graphen oxit) Graphite intercalation compounds paper High-resolution transmission electron microscopy HR-TEM LPE (Kính hiển vi điện tử qt phân giải cao) Bóc tách lớp pha lỏng MWCNT Multiwall carbon nanotube (Nano cacbon đa tường) N2H4.H2O Hydrazin monohydrat NaBH4 PC Natri bohidrua Propylen carbonate PVDF Polyvinylidene fluoride TBA Tetra-n-butylammonium rGO Reduced graphene oxide (Graphen oxit khử) vi SEM SWCNT SE XRD Scanning electron microscopy (Kính hiển vi điện tử quét) Single carbon nanotube (Nano cacbon đơn tường) Secondary electrons (Điện tử thứ cấp) X-Ray diffraction (Nhiễu xạ tia X) vii DANH MỤC BẢNG Bảng Độ dẫn điện số vật liệu Bảng Độ dẫn nhiệt số vật liệu Bảng So sánh phương pháp chế tạo graphit thành GO 31 Bảng So sánh tính chất GO tổng hợp cách sử dụng graphit bột graphit 43 Bảng Thành phần hóa học mẫu ttổng hợp với điều kiện phản ứng khác 44 viii DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Các liên kết nguyên tử cacbon mạng graphen Hình 1.2 Kỹ thuật đo đặc tính 10 Hình 1.3 Sơ đồ chuyển hóa từ graphit thành rGO 11 Hình 1.4 Sơ đồ chuyển hóa từ graphit thành Rgo 12 Hình 1.5 Sơ đồ mô tả chế khử nhiệt cho GO phân hủy dạng ôxy qua khơi mào phản gốc 14 Hình 1.6 Sơ đồ biểu diễn phương pháp LPE 15 Hình 1.7 Tổng hợp graphen từ graphit phương pháp LPE sử dụng dung môi khác 16 Hình 1.8 Sơ đồ hình ảnh giãn nở điện cực graphit sử dụng trình hai giai đoạn 17 (a) Giản đồ minh họa bóc lớp điện hóa graphit (b) hình ảnh mảnh graphit trước sau bóc lớp (c) graphen bóc lớp dung dịch điện phân Hình 1.9 (d) phân tán graphen (nồng độ mg/ml) DMF 19 (e) sơ đồ minh họa chế việc bóc lớp điện hóa graphit thành rGO Hình 1.10 Phương pháp tách học màng graphen thu Hình 1.11 Cơ chế tạo màng graphen phương pháp nung nhiệt đế SiC 20 21 ix Hình 1.12 Mơ hình mơ tả q trình lắng đọng pha hóa học Hình 1.13 Hình ảnh mơ tả hình thành lớp màng graphen bề mặt đế Ni với nguồn khí cacbon khí CH4 21 22 Hình 1.14 Mơ hình mơ tả quy trình mổ ống nano cacbon 23 Hình 1.15 Cấu trúc hóa học graphen oxit (GO) 24 Hình 1.16 Các phương pháp tổng hợp GO 28 Hình 1.17 Sơ đồ mơ tả q trình chế tạo GO phương pháp Hummers 30 Hình 1.18 Cơ chế hình thành GO từ graphit 32 Hình 1.19 Sơ đồ hệ điện ly plasma sử dụng cho chế tạo GO 33 Hình 2.1 Sơ đồ chùm tia tới chùm tia nhiễu xạ tinh thể 36 Hình 2.2 Độ tù pic phản xạ gây kích thước hạt 37 Hình 2.3 Quy trình chế tạo GO phương pháp điện hóa 40 Hình 3.1 Sơ đồ minh họa trình tổng hợp EGO q trình điện hóa 43 Hình 3.2 Ảnh ngun liệu thô sản phẩm thu bước 47 Kết đo BET vật liệu GO phương pháp 49 Hình 3.3 điện hóa Hình 3.4 Hình thái học graphit 50 Hình 3.5 Ảnh FE- SEM hình thái vật liệu EGO 51 x Hình 3.6 Phổ Raman vật liệu graphit 52 Hình 3.7 Phổ Raman GO 53 Hình 3.8 Giản đồ XRD graphit graphen oxit 55 Hình 3.9 Phổ hồng ngoại chuyển dịch Fourier graphen oxit 56 47 Khảo sát diện t ch ề mặt riêng c a vật liệu graphen o it Diện tích bề mặt riêng vật liệu xác định theo phương pháp BET máy ASAD 2010 Viện kỹ thuật nhiệt đới – Viện Hàn Lâm Khoa học Công nghệ Hà Nội Kết đo Brunauer–Emmett–Teller (BET) cho thấy vật liệu GO có độ rộng bề mặt 47.3 m2/g Chúng nhận thấy số liệu tương đối nhỏ so với vật liệu graphen, lại cao so với GO chế tạo từ phương pháp truyền thống [49] Do q trình chế tạo có sử dụng dòng diện mơi trường axit đặc, GO tạo thành có xu hướng co cụm, lại thành dạng vẩy độ rộng bề mặt thấp so với graphen thông thường, tương tự với GO khử tạo phương pháp thủy nhiệt [50] H nh 3: K t o BET vật i u GO ằng phương pháp i n hóa 48 3.3 KẾT QUẢ ẢNH CHỤP HIỂN VI ĐIỆN TỬ QUÉT PHÂN GIẢI CAO (FE – SEM) Hình 3.4: H nh thái họ t m graphit Hình 3.5: Ảnh FE- SEM h nh thái vật i u EGO 49 Kết chụp kính hiển vi điện tử quét phân giải cao graphen oxit trình bày hình 3.4 Ban đầu, graphit có cấu trúc dạng lớp dày dạng khối chưa thể thấy phân lớp Sau phản ứng bóc tách phản ứng điện hóa, đặc điểm hình thái học graphit thay đổi rõ rệt, chuyển từ dạng lớp khối dày sang hình dạng màng mỏng tạo thành lớp rõ rệt, có nhiều khoảng trống, tạo điều kiện thuận lợi cho trình hấp phụ Điều cho việc thêm nhóm chức bề mặt cấu trúc graphit dẫn đễn dãn nở tách thành lớp 3.4 KẾT QUẢ PHỔ TÁN XẠ RAMAN Phổ tán xạ Raman biết đến cơng cụ hữu ích để đánh giá độ dày đặc trưng cấu trúc tinh thể vật liệu GO Để kh ng định thêm hình thái cấu trúc GO, chúng tơi sử dụng phép đo Raman Kết thể hình 3.5 3.6 dễ dàng thấy phổ Raman vật liệu graphit thường có đỉnh đặc trưng đỉnh D, đỉnh G đỉnh 2D Trong đó, đỉnh D với cường độ xung quanh 1348 cm-1 (liên hệ với khuyết tật mạng tinh thể) Đỉnh G với cường độ mạnh (đỉnh đặc trưng của mạng tinh thể graphit) 1572 cm-1 đỉnh 2D với cường độ 2711 cm-1 có nguồn gốc từ q trình tán xạ Raman cộng hưởng kép, biểu thị cho phân tán electron photon mạng [51,52] Khi quan sát vật liệu graphit ban đầu, bất đối xứng đỉnh 2D chuyển thành đối xứng kèm dịch đỉnh graphit chuyển từ dạng khối sang dạng lớp ứng với graphen Kết phổ Raman cho thấy, sau phản ứng điện hóa, cường độ đỉnh G, D 2D thay đổi giảm cường độ rõ rệt, đặc biệt hình dạng đỉnh 2D vật liệu graphit ban đầu chuyển từ hình dạng bất đối xứng sang dạng đối xứng kèm với dịch đỉnh từ số sóng cao 2711cm-1 tới số sóng thấp 2700 cm-1 Kết kh ng định graphit bóc tách chuyển từ dạng khối sang dạng lớp Từ kết phân tich phổ Raman graphen oxit cho thấy đỉnh D xuất nhọn rõ ràng, đỉnh G xuất yếu h n so với đỉnh D đỉnh 2D xuât cường độ yếu điều cho việc oxi hóa gắn nhóm chức phân cực bề mặt GO từ 50 liên kết π ban đầu mạng lưới graphit làm tăng số lượng liên kết C-sp3 so với liên kết C- sp2 Từ số liệu thực nghiệm, tỉ lệ cường độ tương đối đỉnh D với đỉnh G ID/IG = 1,08 Kết kh ng định graphit bóc tách oxi hóa thành graphen oxit Kết phổ Raman cho thấy GO chế tạo thành công Chú đặc trưng hình thái học bề mặt cấu trúc vật liệu GO tạo ổn định thay đổi điều kiện phản ứng Hình 3.6: Phổ R m n vật i u gr phit 51 Hình 3.7: Phổ R m n GO 3.5 KẾT QUẢ NHIỄU XẠ TIA X (XRD) Hình 3.7 giản đồ nhiễu xạ tia Rơnghen graphit graphen oxit tương ứng sau trình điện hóa Kết cho thấy mẫu graphit ngun liệu có đỉnh nhiễu xạ với cường độ mạnh 2θ = 26,60 gán cho đỉnh đặc trưng mặt ph ng mạng (002) graphit, tương ứng với khoảng cách d002 = 0,34 nm nguyên tử mạng tinh thể graphit Cũng từ giản đồ XRD cho thấy đường nguyên liệu nhiễu sát gần trục tọa độ chứng tỏ độ tinh khiết lớn Vì vậy, luận văn chúng tơi tiến hành tổng hợp graphen oxit từ vật liệu graphit có độ tinh khiết (99%) Tấm graphit nguyên liệu thô l tưởng cho việc sản xuất GO liên tục theo phương pháp điện hóa với tính chất tuyệt vời graphit độ bền kéo cao ( 4-5 MPa), độ đãn nhiệt tốt, khả mở rộng tốt mở rộng thể tích Bột graphit sử dụng trực tiếp phương pháp điện hóa kích thước nhỏ phải chế tạo thành điện cực v mô để đảm bảo cung cấp 52 điện áp Các graphit không phù hợp chúng dễ dàng bị vỡ thành mảnh nhỏ sau xen kẽ thời gian ngắn sử dụng để tiếp tục trình oxi hóa Sau phản ứng điện hóa đỉnh đặc trưng 2θ = 26,60 khơng mà biến hồn tồn thay vào xuất đỉnh nhiễu xạ 2θ = 10,80 tương ứng với mặt ph ng mạng d001 = 0,81 nm đỉnh đặc trưng mặt ph ng mạng (001) đặc trưng cho vật liệu GO Điều chứng tỏ nhóm chức chứa oxi hình thành chèn vào khoảng không gian lớp graphit, làm cho khoảng cách lớp tăng lên Hơn nữa, bán độ rộng phổ graphen oxit (2,30 nm) lớn so với graphit (0,60 nm) Sự dịch chuyển đỉnh đặc trưng từ (2θ = 26,60, d002 = 0,34 nm) tới (2θ = 10.80, d001 = 0,81 nm) việc mở rộng bán độ rộng graphen oxit so với graphit xác nhận việc chế tạo thành công graphen oxit từ graphit nghiên cứu Như thấy graphen oxit tổng hợp thành công từ graphit Điều giải thích tổng hợp grapen oxit theo phương pháp điện hóa bước H2SO4 đan xen vào lớp graphit tạo thành hỗn hợp H2SO4 – Graphit hình thành nên hợp chất trung gian GICP có cơng thức C(21-28)+.3HSO4-.2,5H2SO4 Giai đoạn II sử dụng dung dịch điện hóa H2SO4 50% có tác dụng oxi hóa mép ngồi gắn nhóm chức chứa oxi bề mặt graphit tạo thành graphit oxit Cuối H2O tác dụng với graphit oxit tạo thành graphen oxit Sự đan xen nhóm chức chứa oxy cấu trúc graphit làm gia tăng khoảng cách lớp pic 26,60C thay vào hình thành pic 11 0C tương ứng với khoảng lớp d = 0,81 nm 53 Hình 3.8: Giản XRD gr phit gr ph n oxit 3.6 KẾT QUẢ PHỔ HỒNG NGOẠI CHUYỂN DỊCH FOURIER (FTIR) Kết phổ hồng ngoại chuyển dịch Fourier trình bày hình 3.8 54 Hình 3.9: Phổ hồng ngo i huyển dị h Fouri r gr ph n oxit Quan sát phổ FTIR EGO cho thấy có tồn liên kết C– O pictrong khoảng 1200-1250 cm-1 [53] Các pic nằm khoảng 1500 1600 cm-1 đặc trưng cho tồn liên kết C=C hợp chất aromatic [54,55], pic nằm khoảng từ 3400-3850 cm-1 đặc trưng cho có mặt nhóm –OH [50,51] nhiên sau q trình điện hóa pic có dịch cuyển nh 3150- 3500 cm-1 đặc trưng cho có mặt nhóm -OH Ngoài ra, biến đỉnh khoảng 1724,13 cm-1 đặc trưng cho nhóm cacbonyl C=O, cho nhóm andehit, axit xeton xuất bề mặt GO Một điều đặc biệt nhận thấy quan sát FTIR vật liệu GO -1 nhận thấy xuất pic lớn khoảng 2085,16 cm , pic đặc trưng cho liên kết GO CO2 Giải thích cho điều GO dễ dàng hình thành liên kết với CO2 liên kết bị phá vỡ trình sấy loại nước GO diễn chân khơng CO2 hình thành liên kết với GO Khi đo FTIR trình xử l mẫu khơng có q trình loại bỏ CO2 (degas) liên kết hình thành xuất phổ FTIR 55 CHƢƠNG KẾT LUẬN Sau trình thực đề tài: “Nghiên cứu chế tạo khảo sát tính chất vật liệu graphen oxit phương pháp điện hóa” Chúng tơi thu số kết chế tạo thành công vật liệu graphen oxit phương pháp điện hóa Đây phương pháp mở rộng, an tồn thân thiện với môi trường để tổng hợp GO Kết khảo sát cho thấy vật liệu GO có thành phần hóa học, cấu trúc tính chất giống kết chế tạo vật liệu GO phương pháp khác Mặt khác phương pháp cho phép sản xuất liên tục dễ dàng kiểm sốt mức độ oxi hóa, số lượng lớp kích thước bên GO H2SO4 chủ yếu hoạt động tác nhân điều khiển để điều chỉnh phản ứng điện hóa cho phép q trình oxi hóa cực nhanh khơng có nguy nổ nhiễm ion kim loại H2SO4 tái chế hồn tồn Hơn nữa, việc làm graphen oxit phương pháp điện hóa dề dàng nhiều, cần 10 lần nước so với phương pháp khác Để sản xuất GO với số lượng lớn, hệ thí nghiệm với graphit cốc thí nghiệm cần cải tiến nhiều graphit bể dung dịch phản ứng Nguồn điện chiều cần có cơng suất lớn để lúc nạp đủ dòng tải điện cho graphit chuyển hóa thành GO Vì phương pháp tái chế lượng axit tham gia phản ứng phí hao tổn chủ yếu nằm khâu điện sản xuất nguồn graphit dạng Ở quy mơ phòng thí nghiệm, phóng liên tục graphite tiếng, thu lượng tương ứng 30g GO Sắp tới, dự định nâng lên 10 graphit hệ thí nghiệm để dự kiến có số lượng GO chạm mốc kilogram phục vụ cho ứng dụng xử l môi trường, vật liệu xúc tác, vật liệu tích trữ lượng hay làm nguyên liệu chế tạo graphen vật liệu lai khác Do đó, phương pháp điện hóa kết hợp ưu điểm an tồn, tổng hợp cực nhanh, dễ kiểm sốt, thân thiện với môi trường, không bị ô nhiễm kim loại dễ dàng mở rộng quy mô, giúp mở rộng sản xuất công nghiệp ứng dụng GO với chi phí thấp 56 TÀI LIỆU THAM KHẢO Hussain, A.M.P and A Kumar, 2003, Electrochemical synthesis and characterization of chloride doped polyaniline, Bulletin of Materials Science, 26(3), pp 329-334 Hummers and Offeman, 1958, Preparation of Graphitic Oxide, Journal of the American Chemical Society, 80(6), pp 1339-1339 Li, Z., et al., 2015, Superstructured assembly of nanocarbons: fullerenes, nanotubes, and graphene, Chemical reviews, 115(15), pp 70467117 Zhao, G., et al., 2011, Few-layered graphene oxide nanosheets as superior sorbents for heavy metal ion pollution management, Environmental science & technology, 45(24), pp 10454-10462 Khan, M., et al., 2015 Graphene based metal and metal oxide nanocomposites: synthesis, properties and their applications, Journal of Materials Chemistry A, 3(37), pp 18753-18808 Boukhvalov, D., 2014, Oxidation of a graphite surface: The role of water The Journal of Physical Chemistry C, 118(47), pp 27594-27598 Dimiev, A.M., L.B Alemany, and J.M Tour, 2012, Graphene oxide Origin of acidity, its instability in water, and a new dynamic structural model ACS nano, 7(1), pp 576-588 Brodie, B.C., XIII, 1859, On the atomic weight of graphite Philosophical Transactions of the Royal Society of London, (149), pp 249259 Phan Ngọc Minh, ật i u on u trú n no ứng dụng tiềm năng, NXB Khoa học tự nhiên công nghệ, 2014, Hà Nội 10 Novoselov, K S.; Geim, A K.; Morozov, S V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S V.; Grigorieva, I V.; Firsov, A A, 2004, Electric field effect in atomically thin carbon films Science , 306, pp 666-669 11 http://chemistry.about.com/od/moleculescompounds/a/Table-Of Electrical-Resistivity-And-Conductivity.htm 57 12 Balandin, A.A., et al., 2008, Superior thermal conductivity of singlelayer graphene Nano letters, 8(3), pp 902-907 13 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/tables/thrcn.html 14 I.A Ovid’ko et al Rev Adv Mater Sci 34 1-11 15 Guixia Zhao, Jiaxing Li, Xuemei Ren, Changlun Chen, and Xiangke Wang, 2011, Few-Layered Graphene Oxide Nanosheets As Superior Sorbentsfor Heavy Metal Ion Pollution Management, Environ Sci Technol, 45, pp 10454– 10462 16 Suman Thakur, Niranjan Karak, 2015, Review article Alternative methods and nature-based reagents for the reduction of graphene oxide: A review, Carbon, 94, pp 224-242 17 Bernal J D 1924, “The structure of graphite”, Proc Roy Soc A, 106, pp 749 18 Hongbin Feng, Rui Cheng, Xin Zhao, Xiangfeng Duan & Jinghong Li, 2013, A Low-temperature method to produce highly reduced graphene oxide, Nature Communications, 4, pp 1539 19 Daniel R Dreyer, Sungjin Park, Christopher W Bielawski and Rodney S Ruoff, 2010, The chemistry of graphene oxide, Chem Soc Rev , 39, pp 228–240 20 Muge Acik, Geunsik Lee, Cecilia Mattevi, Adam Pirkle, Robert M Wallace, Manish Chhowalla, Kyeongjae Cho, and Yves Chabal, 2011, The Role of Oxygen during Thermal Reduction of Graphene Oxide Studied by Infrared Absorption Spectroscopy, J Phys Chem C., 115(40), pp 1976119781 21 Khaled Parvez, Sheng Yang, Xinliang Fen, Klaus Müllen, 2015, Exfoliation of graphene via wet chemical routes, Synthetic Metals 22 Junzhong Wang, Kiran Kumar Manga, Qiaoliang Bao, and Kian Ping Loh, 2011, High-Yield Synthesis of Few-Layer Graphene Flakes through Electrochemical Expansion of Graphite in Propylene Carbonate Electrolyte, J Am Chem Soc., 133, pp 8888–8891 58 23 Caterina Soldano, Ather Mahmood, Erik Dujardin, 2010, Production, properties and potential of graphene, Carbon, 48, pp 2127–2150 24 Le Ha Giang, Le Thi Mai Hoa, Ha Quang Anh, Nguyen Ke Quang, Dao Duc Canh, Nguyen Thi Phuong, Tran Thi Kim Hoa, Dang Tuyet Phuong and Vu Anh Tuan, 2015, Fe-Fe3O4/GO composite as novel and highly efficient photocatalýt in reactive dye degradation, Proceeding of IWNA 2015, 11-14 November , Vung Tau, Viet Nam pp.638-642 25 Phaedon Avouris and Christos Dimitrakopoulos, 2012, Graphene: synthesis and applications, Material today, 15(3), pp 86-97 26 http://graphenewiki.org/graphene/graphene-platform-supplies-theworlds-largest-single-layer-single-crystal-graphene-samples 27 Cecilia Mattevi, Hokwon Kim and Manish Chhowalla, 2011, A review of chemical vapour deposition of graphene on copper, J Mater Chem, 21, pp 3324– 3334 28 Jiao, L., Zhang, L., Wang, X., Diankov, G., and Dai, H., 2009, Narrow graphene nano-ribbons from carbon nanotubes, Nature, 458(7240), pp 877-880 29 Kosynkin, D V., Higginbotham, A L., Sinitskii, A., Lomeda, J R., Dimiev, A., Price, B K., and Tour, J M., 2009, Longitudinal unzipping of carbon nanotubes to from graphene nano-ribbons, Nature, 458(7240), pp 872-876 30 Ayrat M, Dimiev, Lawrence B Alemany and James M Tour, 2013, Graphene Oxide.Origin of Acidity, Its Instability in Water, and a New Dynamic Structural Model, ACS Nano, 7(1), pp 576–588 31 Kumar, Harish V.; Woltornist, Steven J.; Adamson, Douglas H, 2016 Fractionation and Characterization of Graphene Oxide by Oxidation Extent Through Emulsion Stabilization, Carbon, 98, pp 491–495 32 Feicht, Patrick; Siegel, Renée; Thurn, Herbert; Neubauer, Jens W.; Seuss, Maximilian; Szabó, Tamás; Talyzin, Alexandr V; Halbig, Christian E; Eigler, Siegfried, 2017, Systematic evaluation of different types of graphene 59 oxide in respect to variations in their in-plane modulus, Carbon 114, pp 700–705 33 B.C.Brodie, 1860, Sur le poids atomique du graphite , Ann Chim Phys, 59(466), pp 472 34 Perreault, De Faria, and Elimelech, 2015, Environmental applications of graphene-based nanomaterials, Chemical Society Reviews, 44(16), pp 5861-5896 35 Wu, et al., 2013, Highly efficient removal of Cu (II) from aqueous solution by using graphene oxide, Water, Air, & Soil Pollution, 224(1),pp 1372 36 Sitko, et al., 2013, Adsorption of divalent metal ions from aqueous solutions using graphene oxide, Dalton Transactions, 42(16), pp 5682-5689 37 Hossain, Anjum, and Tasnim, 2016, Removal of arsenic from contaminated water utilizing tea waste, International Journal of Environmental Science and Technology, 13(3), pp 843-848 38 L.Staidenmaier, 1898, Verfahere zur darstellung der graphitsaure, Berichte der deutschen chemischen Geselllschaft, 31(2), pp.1481-1487 39 William S.Hummers, Jr, Richard E.Offeman,1958, Preparation of graphitic oxide, Journal of American Chemical Society, 80(6), pp 1339-1339 40 Xing Gao, Joonkyung Jang and Shigeru Nagase, 2010, Hydrazine and Thermal Reduction of Graphene Oxide: Reaction Mechanisms, Product Structures, and Reaction Design, J Phys Chem C, 114(2), pp 832–842 41 B C Brodie, Philos Trans R Soc London, 1859, 149, pp 249–259 42 W Scholz, H P Boehm, Z Anorg Allg Chem, 1969, 369, pp 327– 340 43 M Hirata, T Gotou, S Horiuchi, M Fujiwara, M Ohba, 2004, Carbon, 42, pp 2929–2937 44 N I Kovtyukhova, P J Ollivier, B R Martin, T E Mallouk, S A Chizhik, E V Buzaneva, A D Gorchinskiy, 1999, Chem Mater, 11, pp 771–778 60 45 Hồ Văn Thành, 2009, Nghi n ứu tổng hợp ứng dụng vật i u rây phân t ể h p phụ h t hữu ộ h i, Luận án Tiến S Hóa học, Viện Hóa học-Viện Khoa học Cơng nghệ Việt Nam, Hà Nội 46 Phạm Ngọc Nguyên, 2004, Giáo tr nh Kỹ thuật Phân t h ật ý, NXB Khoa Học Kỹ Thuật, Hà Nội 47 Nguyễn Đình Triệu, 1999, phương pháp vật ý ứng dụng hoá học, Nhà xuất Đại học Quốc Gia, Hà Nội 48 Songfeng Pei, Qinwei Wei, Kun Huang, Hui - Ming Cheng, Wencai Ren, 2018, Green synthesis of graphene oxide by seconds timescale water electronlytic oxidation, Nature communi cations 49 Caliman et al 2018, “One-pot synthesis of amine-functionalized graphene oxide by microwave-assisted reactions: An outstanding alternative for supporting materials in supercapacitors,” RSC Adv., vol 8, no 11, pp 6136–6145 50.A Alazmi, O El Tall, S Rasul, M N Hedhili, S P Patole, and P M F J Costa, 2016, “A process to enhance the specific surface area and capacitance of hydrothermally reduced graphene oxide,” Nanoscale, vol 8, no 41, pp 17782–17787 51.Bae, et al., 2010, Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes, Nat Nano, 5(8), pp 574-578 52 Zhang, Zhang, and Zhou, 2013, Review of Chemical Vapor Deposition of Graphene and Related Applications, Accounts of Chemical Research, 46(10), pp 2329-2339 53 Mu Shi-Jia, Su Yu-Chang, Xiao Li-Hua, Liu Si-Dong, Hu Te, tang Hong-Bo, 2013, X-Ray Diffraction pattern of Graphite oxide, Chin Phys Lett., 30(9), pp 96-101 54 Karthikeyan Krishnamoorthy, Murugan Veerâpndian, Kyusik Yun, S.J Kim, 2013, The chemical anh structural analysis of graphene oxide with different degrees of oxidation, Cacbon, 53, pp 38-49 61 55 Viet Hung Pham, tran Viet Cuong, Seung Hyun Hur, Eunsuok Oh, Eui Jung Kim, Eun Woo Shin and Jin Suk Chung, 2011, Chemical functionalization of graphene sheets by solvothermal reduction of a graphene oxide suspension in N - methyl - pyrrolidone, J Mater Chem, 21, pp 3371 3377 ... 1.2.3.2 .Chế tạo graphen oxit phương pháp điện ly plasma 32 CH 35 NG NGUYÊN VẬT LIỆU VÀ PH NG PHÁP NGHIÊN CỨU 2.1 MỘT SỐ PH VẬT LIỆU NG PHÁP NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐẶC TR NG 35 2.1.1 Phương pháp hiển... có tính chất đạt tương tự graphen oxit chế tạo phương pháp Vì vậy, chọn đề tài: Trong luận văn tập trung nghiên cứu nội dụng sau: - Chế tạo vật liệu graphen oxit phương pháp điện hóa - Khảo sát. .. DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - Bùi Thị Thanh Loan NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU GRAPHEN OXIT BẰNG