ĐỀ CƯƠNG ÔN TẬP CẢM BIẾN

1: Chọn loại cảm biến tích cực loại cảm biến sau: A Chiết áp potentiometer B Cảm biến điện dung C Cặp nhiệt ngẫu x D Cảm biến từ tính 2: Chọn loại phần tử cảm biến tích cực loại cảm biến sau: A Cảm biến điện dung tụ phẳng B Cảm biến điện cảm C Chiết áp potentiometers D Phần tử quang-điện 3: Chọn loại phần tử cảm biến thụ động loại cảm biến sau: A Cặp nhiệt ngẫu B Tinh thể áp-điện C Chiết áp potentiometer x D Phần tử quang-điện 4: Một phần tử cảm biến tuyến tính dải biến thiên trạng thái đầu vào A Trong dải độ nhạy cảm biến phụ thuộc vào giá trị biến đầu vào B Trong dải độ nhạy cảm biến phụ thuộc không phụ thuộc vào giá trị biến đầu vào cách linh hoạt C Trong dải độ nhạy cảm biến không phụ thuộc vào giá trị biến đầu vào x D Khi độ nhạy biến số biến đổi linh hoạt 5: Nguyên nhân gây sai số hệ thống cảm biến: A Do đặc tính kỹ thuật của cảm biến thay đổi mà không chuẩn lại; B Do tác động nhiễu ngẫu nhiên; C Do giá trị đại lượng chuẩn-so khơng xác D Do ảnh hưởng thay đổi môi trường (thường điều kiện đo) 6: Nguyên nhân gây sai số ngẫu nhiên cảm biến: A Do đặc tính kỹ thuật của cảm biến thay đổi mà không chuẩn lại x B Do đặc tính kỹ thuật cảm biến khơng tương thích; C Do điều kiện chế độ sử dụng không phù hợp; D Do xử lý kết đo không tốt 7: Đại lượng tác động đầu vào cảm biến: A Đại lượng cần đo nhiễu B Đại lượng điện C Dòng điện điện áp D Tổng trở 8: Đại lượng đầu cảm biến đo khối lượng là: A Điện áp dòng điện B Khối lượng C Nhiễu D Độ nhạy 9: Định nghĩa độ nhạy cảm biến A Là tỉ số đầu đầu vào cảm biến B Là tỉ số đầu vào đầu cảm biến C Là tỉ số biến thiên đầu biến thiên đầu vào cảm biến D Là tỉ số biến thiên đầu vào biến thiên đầu cảm biến 10: Lựa chọn cảm biến, giới hạn đo phù hợp A Càng lớn tốt B Càng nhỏ tốt C Lớn khoảng muốn đo gần khoảng muốn đo tốt D Nằm 2/3 khoảng muốn đo 11: Cảm biến loại tích cực biến đổi trực tiếp đại lượng không điện cần đo thành A Tổng trở B Đại lượng R/L/C C Trở kháng D Đại lượng điện 12: Cảm biến loại thụ động biến đổi đại lượng không điện cần đo thành A Đại lượng R/L/C B Đại lượng không điện C Đại lượng điện D Đại lượng tuyến tính 13: Các đại lượng đầu vào cảm biến A Dòng điện B Điện áp C Các đại lượng vật lý D Tổng trở 14: Sơ đồ khối đơn giản hệ thống đo lường không điện bao gồm A Cảm biến, mạch đo, thị B Chuyển đổi sơ cấp, mạch lọc nhiễu, mạch khuếch đại C Chuyển đổi sơ cấp, mạch đo, mạch khuếch đại D Cảm biến, thị, volt kế tuyến tính 15: Một cảm biến khơng thụ động có đầu A Điện áp (V) x B Điện cảm (L) C Điện dung (C) D Điện trở ( R) 16: Độ phân giải cảm biến A Là thay đổi nhỏ đại lượng vật lý cần đo mà không gây thay đổi tín hiệu đầu cảm biến B Là thay đổi lớn đại lượng đầu tác động đầu vào C Là thay đổi lớn đại lượng vật lý cần đo mà không gây thay đổi tín hiệu đầu cảm biến D Là thay đổi nhỏ đại lượng đầu tác động đầu vào 17: Hiệu ứng cảm ứng điện từ nguyên lý để chế tạo cảm biến A Lực, áp suất B xạ quang C Tốc độ (vận tốc) x D Nhiệt độ 18: Hiệu ứng Hall nguyên lý để chế tạo cảm biến A Tốc độ (vận tốc) B Vị trí x C Biến dạng D Mức 19: Hiệu ứng quang điện từ nguyên lý để chế tạo cảm biến A Từ thông, xạ ánh sáng B Nhiệt độ C Độ ẩm D Mức 20: Tín hiệu đầu cảm biến đo áp suất sử dụng hiệu ứng áp điện A Điện tích B Điện áp C Dịng điện D Biến dạng 21: Tín hiệu đầu cảm biến đo nhiệt độ sử dụng hiệu ứng nhiệt điện A Dòng điện B Nhiệt độ C Xung điện D Điện áp 22: Tín hiệu đầu cảm biến đo vị trí sử dụng hiệu ứng hall A Dòng điện B Xung điện C Điện áp D Điện trở 23: Khả theo kịp thời gian đại lượng đầu đầu vào biến thiên đặc trưng cảm biến A Độ nhạy B Độ xác C Độ tuyến tính D Độ nhanh 24: Biết ∆S biến thiên đầu cảm biến; ∆m biến thiên đầu vào cảm biến, tỷ số ∆S/∆m A Độ nhanh B Độ xác C Độ nhạy D Độ tuyến tính 25: Một cảm biến coi tuyến tính giải đo xác định giải A Độ nhạy khơng phụ thuộc vào đại lượng đo B Độ tuyến tính khơng phụ thuộc vào đại lượng đo C Độ xác khơng phụ thuộc vào đại lượng đo D Độ nhanh không phụ thuộc vào đại lượng đo 26: Biểu thức độ nhạy cảm biến với ∆s biến thiên đầu ra, ∆m biến thiên đầu vào A B C D 27: Cảm biến gọi tuyến tính dải đo xác định nếu: A Độ nhạy không phụ thuộc vào thời gian sử dụng B Độ nhạy không phụ thuộc vào môi trường xung quanh C Độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo x D Độ nhạy không phụ thuộc vào nhiệt độ 28: Đâu nguyên nhân gây sai số hệ thống cảm biến A Do giá trị đại lượng chuẩn không B Do đặc tính cảm biến C Do dải đo hiệu chỉnh cảm biến D Do điều kiện chế độ sử dụng 29: Cảm biến tích cực loại cảm biến A Đầu tín hiệu xung số B Đầu đáp ứng điện tích , điện áp hay dòng C Đầu đặc trưng thông số R,L,C,M D Đầu áp suất , lực , vị trí 30: Cảm biến thụ động loại cảm biến A Hoạt động trở kháng đáp ứng (s) điện trở, độ tự cảm điện dung B Hoạt động máy phát, đáp ứng (s) điện tích, điện áp hay dòng C Đầu điện trường D Đầu nguồn áp nguồn dòng 31: Hiệu ứng nhiệt điện dùng để xác định A Nhiệt độ mối hàn T B Cường độ tác dụng lực F C Thông lượng ánh sáng ễ D Độ biến thiên nhiệt độ t 32: Hiệu ứng Hall dùng để xác định A Tốc độ vật di chuyển B Cường độ lực tác dụng F C Độ biến thiên nhiệt độ t D Vị trí vật chuyển động 33: Hiệu ứng cảm ứng điện từ dùng để xác định A Cường độ lực tác dụng F B Thông lượng ánh sáng C Tốc độ vật di chuyển D Vị trí vật chuyển động 34: Tỉ số biến thiên đầu biến thiên đầu vào cảm biến gọi là: A Độ tuyến tính B Dải đo C Tần số đo D Độ nhạy 35: Theo tiêu chuẩn cơng nghiệp tín hiệu cảm biến có giá trị dòng khoảng: A 10-100 mA x B 30- 100 mA C 4-20 mA D 2-5 mA 36: Quang trở Photoresistor A Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể khơng có tiếp giáp bán dẫn p-n B Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể khơng có tiếp giáp bán dẫn p-n C Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n x D Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n 37: Ánh sáng rọi lên photoresistor A Tăng độ dẫn điện, tăng điện trở B Giảm độ dẫn điện, giảm điện trở C Tăng độ dẫn điện, giảm điện trở D Giảm độ dẫn điện, tăng điện trở 38: Điện trở tối R0 photoresistor A Trị số điện trở sau 10 phút chiếu ánh sáng lên B Trị số điện trở sau 10 phút sau chắn tồn ánh sáng rọi lên C Trị số điện trở sau phút sau chắn toàn ánh sáng rọi lên D Trị số điện trở sau phút chiếu ánh sáng lên 39: Photoresistor biến đổi điện trở theo lượng ánh sáng chiếu xạ cách quán tính A Quán tính phụ thuộc vào bước sóng cường độ chói B Qn tính khơng phụ thuộc vào bước sóng mà phụ thuộc vào cường độ chói C Quán tính khơng phụ thuộc vào điểm làm việc mà phụ thuộc vào cường độ chói D Qn tính phụ thuộc vào điểm làm việc cường độ chói 40: Cấu tạo diode quang tế bào quang-thế A Là phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể B Là phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n mỏng x C Là phần tử cảm quang có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n mỏng D Là phần tử cảm quang khơng có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n 41: Lý hạn chế độ nhạy photodiode A Lớp tiếp giáp suy biến giữ mức nhỏ để có dịng điện tối nhỏ điện áp chặn cao x B Lớp tiếp giáp suy biến giữ mức nhỏ để có dịng điện tối nhỏ C Lớp tiếp giáp suy biến giữ mức nhỏ để có dịng điện tối lớn D Lớp tiếp giáp suy biến giữ mức nhỏ để có dịng điện tối nhỏ điện áp chặn thấp 42: Đối với tế bào quang-điện A Thời gian đáp ứng chế độ ngắn mạch tốt chế độ hở mạch B Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch tốt chế độ ngắn mạch C Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch chế độ ngắn mạch D Tùy thuộc điều kiện làm việc cụ thể để đánh giá 43: Nguyên lý phototransistor A Có thể coi phototransistor thực chức photodiode có mắc transistor để khuyếch đại dòng điện trạng thái khoá photodiode điều khiển xạ ánh sáng B Có thể coi phototransistor thực chức photoresistor có mắc transistor để khuyếch đại dịng điện trạng thái khố photodiode điều khiển xạ ánh sáng C Có thể coi phototransistor thực chức photodiode có mắc photoresistor để khuyếch đại dòng điện trạng thái khoá photodiode điều khiển xạ ánh sang D Tất sai 44: Độ nhạy phototransistor so với photodiode A Độ nhạy phototransistor lớn photodiode từ 1000 đến 5000 lần B Độ nhạy phototransistor nhỏ photodiode từ 100 đến 500 lần C Độ nhạy phototransistor lớn photodiode từ 100 đến 500 lần x D Độ nhạy phototransistor nhỏ photodiode từ 1000 đến 5000 lần 45: Thời gian đáp ứng photodiode so với phototransistor A Thời gian đáp ứng photodiode chậm so với phototransistor B Thời gian đáp ứng photodiode so với phototransistor C Thời gian đáp ứng photodiode nhanh so với phototransistor D Tùy thuộc vào điều kiện làm việc 46: Công thức tính độ rọi E = τ dΦ hệ số τ dA A Hệ số triết suất môi trường B Hệ số xuyên thấu hệ quang C Hệ số khúc xạ D Hệ số truyền lượng 47: Cơng thức tính độ rọi E = τ A Độ chói B Cường độ C Quang D Quang thong x dΦ đại lượng Φ dA 48: Công thức tính độ chói L = dI đại lượng I dAn A Cường độ quang B Cường độ quang thong C Cường độ ánh sáng D Cường độ rọi sáng 49: Nguồn sáng dùng chủ yếu cho cảm biến quang A Nguồn phát xạ sợi đốt B Nguồn phát xạ bán dẫn C Tất nguồn sáng D Nguồn xạ quang học 50: Cường độ ánh sáng là: A Là công suất phát xạ, lan truyền hấp thụ B Là luồng lượng phát theo hướng cho trước ứng với đơn vị góc khối C Là lượng lan truyền hấp thụ dạng xạ D Là tỉ số luồng lượng thu phần tử bề mặt diện tích phần tử 51: Hiệu ứng quang dẫn có tác dụng A Làm tăng tính dẫn nhiệt vật liệu B Làm tăng tính đàn hồi vật liệu C Làm tăng tính dẫn điện vật liệu D Làm tăng tính dẫn điện dẫn nhiệt vật liệu 52: Tế bào quang điện hoạt động theo nguyên lý sau A Khi có ánh sáng nội trở tế bào quang điện giảm B có ánh sáng nội trở tế bào quang điện tăng C Khi có ánh sáng bên tế bào có dịng điện chạy qua D Khi có ánh sáng hai cực tế bào quang điện xuất sức điện động 53: Độ nhạy tế bào quang dẫn không phụ thuộc vào: A Nhiệt độ B Thông lượng ánh sáng C Bức xạ D Bước sóng 54: Photodiot cấu tạo gồm: A Tấm bán dẫn N,P ghép tiếp xúc B Tấm bán dẫn N,P,N ghép tiếp xúc C Tấm bán dẫn P,N,P ghép tiếp xúc D Tất sai 55: Phototranzito tranzito A Chuyển tiếp B-C phân cực ngược B Có điện áp đặt lên bazơ C Khơng có điện áp C D Chuyển tiếp B-C phân cực thuận 56: Hiệu ứng quang điện phát xạ hay cịn gọi hiệu ứng quang điện ngồi tượng điện tử giải phóng khỏi bề mặt vật liệu tạo thành dòng chiếu vào chúng một: A Chùm photon B Tia hồng ngoại C Bức xạ ánh sáng D Bức xạ nhiệt 57: Hiệu ứng quang dẫn xảy chiếu vào xạ ánh sáng có bước sóng thỏa mãn: A Bằng giá trị xác định B Lớn ngưỡng định C Nhỏ ngưỡng định D không phụ thuộc vào bước sóng 59: Thang nhiệt-động tuyệt đối, nhiệt độ cân ba trạng thái nước  A K  B 100 K C 273,15  K  D 212 K 60: Điểm không tuyệt đối nhiệt độ giá trị sau  A K  B -273,15 C  C -459,67 F D Cả đáp án 227 Để có dạng sóng ngõ hai kênh A B người ta sử dụng? A Hai đĩa encoder B Hai thu phát đặt lệch C Mạch điện từ tạo lệch pha kênh B từ kênh A D Mạch điện từ tạo lệch pha kênh A từ kênh B 228 Xung idex ( hay xung kênh Z ) encoder tương đối dùng để? A Đo độ phân giải encoder B Đo độ sai lệch hai kênh A B C Đo số nguyên vòng quay D Đo tốc độ vận tốc thấp 229 Kênh tín hiệu A B dùng nhằm? A Đo sai lệch động so với vị trí gốc B Xác định chiều quay động C Tăng độ phân giải lên lần so với sử dụng kênh D Giảm sai số chuỗi xung sinh 230 Tần số làm việc lớn encoder? A Tần số lớn kênh A B Tần số lớn kênh Idex C Tần số lớn kênh A + B D Tần số lớn kênh B 231 Encoder tương đối có thơng số độ phân giải 1000 vịng/ phút tần số f(max)=10kHZ có tốc độ làm việc lớn là: A 600 vòng/phút B 100 vòng/ phút C 120 vòng/ phút D 240 vịng/phút 232 Trong cơng thức tính sức điện động cảm ứng máy phát tốc đại lượng (131)W A Từ thơng cuộn dây B Số cuộn dây Stato C Từ thông vòng dây D Số cuộn dây Roto 233 Trong máy phát tốc chiều để đo tốc độ chuyển động người ta dựa vào yếu tố nào? A Sự sụt áp cuộn dây Roto B Sức điện động đầu C Sự chênh lệch áp hai cực Stato D Điện áp chổi than vành góp cực 234 Trong cơng thức tính tần số dịng điện máy phát tốc xoay chiều 13-4 với n tốc độ quay roto n là: A Độ lớn từ thơng vịng dây B Sức điện động vịng quay C Điện áp đơi cực D Số đôi cực 235 Khi sử dụng máy phát tốc xoay chiều để đo tốc độ chuyển động người ta thường đo giá trị máy? A Tần số dòng điện B Điện áp C Điện áp pha D Điện áp hai cực stato 236 Một encoder tuyệt đối có vành đồng tâm mã hóa được: A 12 vị trí B vị trí C 16 vị trí D 32 vị trí 237 Kênh (kênh z hay kênh thị) Encoder tương đối có tác dụng gì: A Tăng độ phân giải B Xác định chiều quay trục động C Giảm sai số hệ thống D Đếm số ngun vịng quay 238 Encoder động servo có khả phản hồi: A Vị trí mơ men xoắn B Lực dọc trục động vận tốc C Vị trí vận tốc D Mơ mem vận tốc 239 Trong cảm biến đo vị trí dịch chuyển dạng điện trở vị trí dịch chuyển phụ thuộc vào: A Độ dài điện trở B Tiết diện điện trở C Khe hở tiếp xúc D Điện trở suất điện trở Encoder tuyệt đối có ngõ dạng A Mã nhị phân B Mã Hexa C Mã Gray D Mã bát phân 240 Nút INTENSITY dao động kí có tác dụng gì? A Chỉnh vệt sang vị trí nằm ngang B Chỉnh độ nét tia sáng C Chỉnh độ cao tuyệt đối tia sáng D Chỉnh độ sáng tia quét 241 Nút FOCUS dao động kí có tác dụng gì? A Chỉnh vệt sáng vị trí nằm ngang B Chỉnh độ nét tia sáng C Chỉnh độ sáng tia quét D Chỉnh độ cao tuyệt đối tia sáng 242 Nút TRACE ROTATION dao động kí có tác dụng gì? A Chỉnh vệt sáng vị trí nằm ngang B Chỉnh độ sáng tia quéC C Chỉnh độ nét tia sáng D Chỉnh độ cao tuyệt đối tia sáng 243 Nút TIME/DIV dao động kí có tác dụng gì? A Định thời gian cho hiển thị cho lần đo B Định thời gian cho tần số tín hiệu C Định thời gian quét ô chia D Định thời gian đo cho chu kỳ 244 Núm VAR dao động kí có tác dụng gì? A Chỉnh vệt sang vị trí nằm ngang B Chỉnh độ nét tia sang C Chỉnh độ cao tuyệt đối tia sáng D Chỉnh bề rộng tín hiệu hiển thị 245 Núm COMP TEST JACK dao động kí có tác dụng gì? A Chỉnh vệt sang vị trí nằm ngang B Chỉnh độ nét tia sang C Dùng để nối mass thử D Chỉnh độ cao tuyệt đối tia sáng 246 Thành phần mạch cầu wheatstone là: A Các cuộn cảm B Các tụ điện C Các điện trở D Các ốt 247 Sử dụng nguồn dịng có ưu điểm so với nguồn áp việc truyền tín hiệu cảm biến là: A Bù sụt trình truyền B Khuyếch đại tín hiệu cảm biến C Điện trở đường dây không ảnh hưởng tới dòng điện mạch D Bù nhiễu tụ kí sinh gây 248 Điện áp Vpp tín hiệu có dạng hình vẽ Volt/div=50mV là: A 75mV biết B 100mV C 150 mV D 300mv 249 Biết Time/div 5ms tần số tín hiệu A 50Hz B 20Hz C 15Hz D 30Hz 250 Mạch khuyếch đại đo lường có đặc điểm: A Tăng độ nhạy cho thiết bị đo B Bù điện áp đặt C Tăng khoảng đo làm giảm độ nhạy D Tăng giới hạn đo cho thiết bị đo 251 Khuyếch đại thuật tốn điện trở đầu vào có đặc điểm? A Tỷ lệ với điện áp đặt đầu vào B Tỷ lệ với điện áp nguồn cấp C Rất nhỏ D Rất lớn 252 Khuyếch đại thuật toán điện trở đầu có đặc điểm? A Tỷ lệ với điện áp đặt đầu vào có giá trị là: B Tỷ lệ với điện áp nguồn cấp C Rất lớn D Rất nhỏ 253 Điện áp đầu đầu vào khuyếch đại đảo có đặc điểm? A Điện áp đầu tỷ lệ nghịch với đầu vào B Ngược pha C Cùng pha với D Điện áp đầu ln có giá trị âm 254 Điện áp đầu đầu vào khuyếch đại khơng đảo có đặc điểm? A Điện áp đầu tỷ lệ nghịch với đầu vào B Ngược pha với C Cùng pha nha D Điện áp đầu ln có giá trị dương 255 Trong mạch khuyếch đại lí tưởng A Ura =(-Rht/R1)Uv B Ura =(R1/ Rht)Uv C Ura =(-R1/ Rht)Uv D Ura =(Rht/R1)Uv 256 Trong mạch khuyếch đại thuật tốn lí tưởng A U0=∞ B U0=I.R1 C U0=0 D U0=I.Rht 257 Trong mạch khuyếch đại thuật tốn lí tưởng A Bị giới hạn độ lớn nguồn ni Ura có đặc điểm? B Là bội Uv mà không phụ thuộc điện áp nuôi C Tỉ lệ thuận với độ lớn R1 D Tỉ lệ nghịch với Rht 258 Trong mạch khuếch đại thuật tốn lí tưởng Uv=1V U0 có giá trị bằng? A -30 V với R1=10Ω, Rht=300Ω, B V C 30 V D Giới hạn điện áp nuôi 259 Trong mạch khuếch đại thuật tốn lí tưởng Uv=1V Ur có giá trị bằng? A 30 V B C 24 V D -30 V với R1=10Ω, Rht=300Ω, 260 Trong mạch khuếch đại lí tưởng A Ura =(-R1/ Rht)Uv B Ura =(-R1/ Rht)Uv C Ura =(Rht/R1)Uv D Ura =(Rht/R1)Uv 261 Trong mạch khuyếch đại thuật tốn lí tưởng Rht=300Ω, Uv=1V Ur có giá trị bằng? A 30 V với R1=10Ω, B -30 V C D 24 V 262 Mạch lọc thụ động loại mạch chứa phần tử A R,L C B R,L, BJT C R, L, C khuyếch đại thuật toán D L, C khuyếch đại thuật toán 263 Mạch lọc tích cực xử lý tín hiệu có tần số nhỏ vài trăm KHz cấu tạo thường gồm: A R,L,C kết hợp với Op-Amp B Chỉ gồm R, L, C C L, C kết hợp với BJT D R, C kết hợp với BJT Op-Amp 264 Mạch lọc tích cực có đặc điểm A Khuyếch đại tín hiệu bị suy giảm tần số B Sử dụng tần số thấp phải có cuộn cảm C Khó điều chỉnh dải lọc thụ động D Trở kháng vào lớn trở kháng nhỏ nên có khả làm đệm 265 Đặc tuyến tần số lọc tích cực định nghĩa là: A Đồ thị biểu diễn mối quan hệ độ khuyếch đại suy hao theo tần số B Đồ thị biểu diễn suy hao tần số theo thời gian C Đồ thị biểu diến khuyếch đại tần số theo thời gian D Biểu diễn biên độ tín hiệu theo tần số 266 Với fc tần số cắt mạch lọc thông thấp loại mạch A Chặn tất tần số từ tới fc cho qua tất tần số từ tần số cắt fc trở lên B Cho qua tín hiệu có tần số từ đến fc/2 C Cho tín hiệu có tần số từ tới fc qua chặn tất tần số từ fc trở lên D Chặn tất tín hiệu có tần số từ đến fc/2 267 Với fc tần số cắt mạch lọc thông cao loại mạch A Cho qua tất tần số từ tới fc chặn qua tất tần số từ tần số cắt fc trở lên B Cho qua tín hiệu có tần số từ đến fc/2 C Chặn tín hiệu có tần số từ tới fc qua cho qua tất tần số từ fc trở lên D Chặn tất tín hiệu có tần số từ đến fc/2 268 Mạch lọc thông giải cho tín hiệu có tần số qua? A Khoảng từ đến f1 từ đến f2 qua B Khoảng từ -∞ đến –f1 từ +f2 đến +∞ C Khoảng từ f1 đến f2 đặt trước qua D Khoảng từ –f1 đến +f2 269 Độ rộng B dải thông qua mạch lọc thông dải hiểu là? A B = f1 - f2 B B=( f1 - f2)/2 C B = f1 D B=( f1 + f2)/2 270 Hình vẽ hình vẽ loại mạch lọc nào? A Mạch lọc thông thấp B Mạch lọc thông dải C Mạch lọc pha D Mạch lọc thơng cao 271 Hình vẽ hình vẽ loại mạch lọc nào? A Mạch lọc thông cao B Mạch lọc thông dải C Mạch lọc thông thấp D Mạch lọc pha 272 Tần số cắt dải thông tần số mà biên độ tín hiệu A Giảm 4dB hay ½ lần B Giảm 2dB lần C Giảm 3dB hay 1/ lần D Giảm 20dB 10 lần 273 Tần số cắt mạch lọc tính theo cơng thức A fc=1/RC B fc=w/RC C fc=w2/RC D fc=1/2πRC 274 Muốn kết nối cảm biến tín hiệu dạng tương tự với vi xử lý 89C51 ta cần kết nối trung gian bắt buộc nào: A DAC B ADC C Bộ khuyếch đại tín hiệu D Bộ lọc cao tần 275 DAC thiết bị có khả năng: A Biến đổi tín hiệu số sang dạng tương tự B Biến đổi tín hiệu tương tự sang dạng điều hịa C Biến đổi tín hiệu tương tự sang dạng số D Biến đổi tín hiệu điều hòa sang số 276 Tần số lấy mẫu chuyển đổi tín hiệu tương tự sang số phải thỏa mãn A Lớn lần tần số cực đại tín hiệu B Nhỏ tần số cực đại tín hiệu C Lớn tần số cực đại tín hiệu D Nằm khoảng tần số cực tiểu cực đại tín hiệu 277 Trong cơng thức tính bước lượng tử , =,. ,- -,�-−� đại lượng VAM là: A Giá trị điện áp trung bình điện áp tương tự B Hiệu điện mức lượng tử C Giá tri cực tiểu cho phép điện áp tương tự D Giá trị cực đại cho phép điện áp tương tự 278 Sai số lượng tử hóa có giá trị bằng: A lần giá trị mức lượng tử B 1/2N-1 lần giá trị điện áp so sánh C ½ giá trị bước lượng tử D Hiệu điện giá trị cực tiểu cực đại sau lượng tử hóa 279 Lấy mẫu tín hiệu q trình A Rời rạc hóa tín hiệu mặt tần số B Lấy trung bình tín hiệu C Rời rạc hóa tín hiệu mặt thời gian D Lấy điểm cực trị tín hiệu 280 Trong q trình lượng tử hóa mã hóa biên độ điện áp thời điểm lấy mẫu cần A Đưa lên mức cao B Giữ không đổi C Thay đổi liên tục từ cực tiểu tới cực đại D Cộng thêm lượng định tùy theo tần số 281 Tín hiệu lấy mẫu đưa tới mạch lượng tử hóa để làm trịn số với độ xác A Bằng mức lượng tử hóa B Bằng giá trị cực tiểu thu trình lấy mẫu C Bằng ½ giá trị cực tiểu thu q trình lấy mẫu D Bằng ½ mức lượng tử hóa 282 Một ADC bít mã hóa được: A 512 giá trị B 64 giá trị C 80 giá trị D 256 giá trị 283 Một ADC 10 bít mã hóa được: A 1024 giá trị B 1000 giá trị C 512 giá trị D 1010 giá trị 284 Q trình chuyển đổi tín hiệu tương tự sang số theo phương pháp song song có đặc điểm: A Tín hiệu so sánh với tín hiệu chuẩn thời điểm B Tín hiệu so sánh với tín hiệu chuẩn đưa giá trị so sánh tương ứng C Tín hiệu so sánh với ½ số tín hiệu chuẩn thời điểm D Tín hiệu so sánh lúc với tất tín hiệu chuẩn 285 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 15v tín hiệu điện áp V có biểu diễn dạng số là: A 1001 B 1000 C 0111 D 1010 286 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 15v tín hiệu điện áp V có biểu diễn dạng số là: A 0110 B 1001 C 0111 D 1010 287 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 2.55v tín hiệu điện áp0.08 V có biểu diễn dạng số là: A 00001001 B 00000111 C 0001000 D 00001010 288 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 2.55v tín hiệu điện áp0.1 V có biểu diễn dạng số là: A 00001001 B 00000111 C 00001010 D 0001010 289 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 15v tín hiệu có biểu diễn 1001 có giá trị điện áp là: A V B 10 V C V D 12 V 290 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 15v tín hiệu có biểu diễn 1011 có giá trị điện áp là: A 10 V B V C 11 V D 12 V 291 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 2.55v tín hiệu có biểu diễn 0001011 có giá trị điện áp là: A 0.10 V B 0.8 V C 0.11 V D 0.12 V 292 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 2.55v tín hiệu có biểu diễn 0001001 có giá trị điện áp là: A 0.09 V B 0.10 V C 0.8 V D 0.12 V 293 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 2.55v sai số lượng tử hóa có giá trị là: A 0.001 V B 0.005 V C 0.02 V D 0.2 V 294 Sử dụng ADC bit có điện áp đặt 3.0v sai số lượng tử hóa có giá trị là: A 0.1V B 0.2 V C 0.02 V D 0.01 V 295 Theo tiêu chuẩn cơng nghiệp tín hiệu cảm biến có giá trị dịng khoảng: A 10-100 mA B 30- 100 mA C 4-20 mA D 2-5 mA ... so với photodiode A Độ nhạy phototransistor lớn photodiode từ 1000 đến 5000 lần B Độ nhạy phototransistor nhỏ photodiode từ 100 đến 500 lần C Độ nhạy phototransistor lớn photodiode từ 100 đến... nhỏ photodiode từ 1000 đến 5000 lần 45: Thời gian đáp ứng photodiode so với phototransistor A Thời gian đáp ứng photodiode chậm so với phototransistor B Thời gian đáp ứng photodiode so với phototransistor... trạng thái khoá photodiode điều khiển xạ ánh sáng C Có thể coi phototransistor thực chức photodiode có mắc photoresistor để khuyếch đại dịng điện trạng thái khố photodiode điều khiển xạ ánh sang