Nhiên cứu và mô phỏng transistor một điện tử set ( research and simulation of single electron transistor)

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐÁ HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA TRẦN THANH TRANG Đề tài: NGHIÊN CỨU VÀ MÔ PHỎNG TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ SET (RESEARCH AND SIMULATION OF SINGLE ELECTRON TRANSISTOR) CHUYÊN NGÀNH : KỸ THUẬT VÔ TUYẾN – ĐIỆN TỬ MÃ SỐ NGÀNH : 2.07.01 LUẬN VĂN THẠC SĨ TP HỒ CHÍ MINH, THÁNG NĂM 2004 LỜI CẢM ƠN Tôi xin gởi lời cảm ơn sâu sắc đến GS.TSKH Đặng Lương Mô ,người Thầy giúp đỡ ,hướng dẫn hoàn thành luận văn Tôi xin gởi lời cảm ơn chân thành đến Thầy Cô trường Đại Học Bách Khoa Thành Phố Hồ Chí Minh truyền đạt cho kiến thức để hoàn thành luận văn Cuối cùng, xin gởi lời cảm ơn chân thành đến gia đình, bạn bè động viên ,chia sẻ ,giúp đỡ hoàn thành luận văn Trần Thanh Trang TÓM TẮT Trong năm gần với phát triển vượt bậc khoa học công nghệ giới mang đến cho nhân loại kết đáng trân trọng Nổi bật số không kể đến phát triển không ngừng lónh vực công nghệ thông tin điện tử, phần nhỏ lại đời công nghệ nano Sự đời công nghệ nano quy luật tất yếu tiến triển không ngừng khoa học-kỹ thuật thời điểm toàn giới Mục đích tiến triển không ngừng không nằm dự định chế tạo linh kiện điện tử cho chúng truyền đạt, lưu trữ xử lý thông tin cực nhanh, tốc độ cực cao, kích thước cực nhỏ đồng thời tiêu thụ lượng cực Linh kiện điện tử linh kiện tiêu biểu nanoelectronics devices Trong họ linh kiện điện tử transistor điện tử SETs linh kiện quan trọng có đặc tính linh kiện chuyển mạch điều khiển cổng số điện tử điều khiển số Do đặc tính độc đáo transistor điện tử (SETs) mà linh kiện điện tử thông thường không có, để đáp ứng yêu cầu đặt ngày cao xã hội nên tác giả chọn đề tài “Nghiên cứu mô transistor điện tử công nghệ nano” Luận văn bao gồm toàn chương với nội dung sau đây: Chương 1: Giới thiệu đời công nghệ nano, giới thiệu nano-electronics, tương lai nano-electronics vị trí tác giả nghiên cứu Chương 2: Nghiên cứu linh kiện điện tử loại Silicon: từ linh kiện điện tử đơn giản hộp điện tử đến linh kiện chuyển mạch ba cực transistor điện tử, quy trình cấu trúc transistor điện tử loại Silicon Chương 3: Nghiên cứu việc phát triển linh kiện đơn điện tử Silicon, chủ yếu ứng dụng đặc tính đặc biệt SET mà linh kiện điện tử khác không có, khả đa cực cổng đặc trưng đa đỉnh Chương 4: Tìm hiểu phân tán truyền lượng tử transistor điện tử: lượng điện tích điện tử, tốc độ đường hầm điện tử, trình co-tunneling ảnh hưởng trường điện từ Chương 5: Tìm hiểu Coulomb blockade đường hầm điện tử dao động SET, đồng tồn dao động SET dao động Bloch Chương 6: Giải tích transistor điện tử loại đối xứng với điện trở đường hầm cực nguồn máng giống nhau, đưa mô hình transistor điện tử đối xứng, phép toáùn để phân tích SET, từ vẽ đặc trưng Volt-Ampere SET tương ứng với điều kiện nhiệt độ điện áp khác Chương 7: Giải tích transistor điện tử loại không đối xứng với điện trở đường hầm cực nguồn cực máng không nhau, tìm hiểu phép tóan giải tích dựa công thức thu để từ vẽ đặc trưng Volt-Ampere tùy thuộc vào điều kiện bất đối xứng, nhiệt độ hoạt động điện áp máng-nguồn Chương 8: Ứng dụng transistor điện tử SET việc thiết kế mạch logic, cấu trúc mảng logic SET, cộng nhị phân đặc biệt nhớ điện tử Chương 9: Ứng dụng Matlab để mô đặc trưng Volt-Ampere transistor điện tử loại đối xứng không đối xứng, đưa kết đối chiếu với kết mà tác giả khác thực mô số chuyên nghiệp CAMSET, MONTE CARLO SIMON Đối với nước có công nghiệp phát triển đề tài lạ, Việt Nam, nước có công nghiệp chậm phát triển, đề tài hoàn toàn mới, lần tác giả nghiên cứu Trường Đại học Bách khoa TP Hồ Chí Minh mà chưa có tác giả nghiên cứu trước ABSTRACT In recent years nanotechnology has become one of the most important and exciting forefront fields in Physics, Chemistry, Engineering and Biology It shows great promise for providing us in the near future with many breakthroughs that will change the direction of technological advances in a wide range of applications The tremendous impact of information technology (IT) has become possible because of the progressive downscaling of integrated circuits and storage devices IT and electronics are a key driver of today information society which are rapidly into on corners of our dayly life Integrated circuits are also known as micro-electronics and it will gradually evolve into nano-electronics Single electron transistor (SET) is one of the most typical devices in nano-electronics devices SETs have special featurea for future large-scale integration, such as small size, low power dissipation and high functionality Beside, it has two special features: multiple-gate capability and multiple-peak characteristic This book includes chapters with essensial contents as follows: Chapter 1: Introduction to Nanotechnology, nano-electronics and nano-electronics in the future Chapter 2: Research about silicon Single Electron Devivces (SEDs), from the simplist silicon single electron devices such as single electron box to the most fundamental threeterminal single electron devices, which is called the single electron transistor (SETs) I also research about fabrication of single electron transistors Chapter 3: Research about development of single electron devices, especially we exploited the two special features: multiple-gate capability and multiple-peak characteristics We can make complicated functions with a small number of transistors Chapter 4: The quantum transport and dissipation of single electron tunneling transistor, electron charging energy, tunneling rates, co-tunneling processes and influence of the electromagnetic environment Chapter 5: Coulomb blockade of single electron tunneling, coherent oscillations in small tunnel junctions, SET oscillations, coexistence of the SET and Bloch oscillations Chapter 6: Symetric analytical single electron transistor model for design and analysis of realistic SET circuits with the tunneling resistance of the source is assumed to be same as that of the drain Draw the SET I-V characteristic calculated using the SET model for various drain voltages and temperatures Chapter 7: A compact analytical model for asymmetric single electron tunneling transistor, in which resistance and capacitance parameters of source/drain junctions are not equal Draw the SET I-V characteristic calculated using the SET model for various drain voltages and temperatures Chapter 8: Single electron devices (SEDs) for logic applications such as single electron transistor logic circuits, logic gates, programmable single electron transistor logic for future low-power Intelligent LSI, SET array structure and single electron memory Chapter 9: Application of MATLAB to simulate the I-V charactersitics of Symetric and Asymetric single electron transistor The results of simulations are compared to results of professional digital simulators, such as CAMSET and MONTE CARLO Conclusions and discussions Nghiên cứu mô transistor điện tử SET MỤC LỤC TRANG CHƯƠNG : SỰ RA ĐỜI CÔNG NGHỆ NANO………………………………………………………………………….1 1.1 Giới thiệu công nghệ nano …………………………………………………………………………………………………2 1.2 Nanoelectronics gì? Tại lại trở nên quan trọng? .5 1.3 Tương lai nanoelectronics………………………………………………………………………………………… 1.4 Transistors điện tử…………………………………………………………………………………………………………7 CHƯƠNG : LINH KIỆN MỘT ĐIỆN TỬ LOẠI SILICON…………………………………………………9 2.1 Hộp điện tử…………………………………………………………………………………………………………………… 10 2.2 Transistor điện tử………………………………………………………………………………………………………….14 2.3 Quy trình cấu trúc transistor điện tử Silicon……………………………………………………….18 CHƯƠNG : VIỆC PHÁT TRIỂN CÁC LINH KIỆN ĐƠN ĐIỆN TỬ …….…………………27 3.1 Giới thiệu ………………………………………………………………………………………………………………………………….28 3.2 Nguyên lý hoạt động SET đa cực cổng………………………………………………………………….28 3.3 Cấu trúc SETs loại Silicon………………………………………………………………………………………….30 3.4 Ứng dụng SETs……………………………………………………………………………………………………………….32 3.5 Kết luận…………………………………………………………………………………………………………………………………… 37 CHƯƠNG : SỰ PHÂN TÁN VÀ TRUYỀN LƯNG TỬ TRONG TRANSISTOR ĐƯỜNG HẦM MỘT ĐIỆN TỬ ……………………………………………………………… ……………………38 4.1 Giới thiệu……………………………………………………………………………………………………………………………………39 4.2 Năng lượng điện tích linh kiện đơn điện tử…………………………………………………………….39 HVTH : Trần Thanh Trang Nghiên cứu mô transistor điện tử SET 4.3 Tốc độ đường hầm đặc trưng V-I……………………………………………………………………………… 43 4.4 nh hưởng trường điện từ…………………………………………………………………………………………….50 CHƯƠNG : COULOMB BLOCKADE CỦA ĐƯỜNG HẦM MỘT ĐIỆN TỬ……… 53 5.1 Giới thiệu……………………………………………………………………………………………………………………………………54 5.2 Thiết lập vấn đề quan hệ bản…………………………………………………………………………54 5.3 Phương trình ma trận mật độ………………………………………………………………………………………………55 5.4 Coulomb blockade đường hầm………………………………………………………………………………….57 5.5 Dao động SET sở……………………………………………………………………………………………………………….59 5.6 Dao động SET: Hiệu ứng dòng điện, chuyển hướng nhiệt độ……………………60 5.7 Đồng tồn dao động SET dao động Bloch………………………………………………….64 5.8 Tình thí nghiệm ứng dụng có thể………………………………………………………….67 CHƯƠNG : MÔ HÌNH TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ ĐỐI XỨNG TRONG PHÂN TÍCH VÀ THIẾT KẾ CÁC MẠCH SET THỰC TẾ ……………… 69 6.1 Mô hình giải tích transistor điện tử đối xứng……………………………………………………….70 6.2 Mô mạch với mô hình………………………………………………………………………………………………75 6.3 Nhận xét…………………………………………………………………………………………………………………………………….76 6.4 Kết luận………………………………………………………………………………………………………………………………………77 CHƯƠNG 7: MÔ HÌNH TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ KHÔNG ĐỐI XỨNG…… 78 7.1 Giới thiệu……………………………………………………………………………………………………………………………………79 7.2 Mô hình transistor bất đối xứng…………………………………………………………………………………………80 7.3 Nhận xét…………………………………………………………………………………………………………………………………….88 7.4 Kết luận………………………………………………………………………………………………………………………………………89 7.5 Phụ lục…………………………………………………………………………………………………………………………………………89 HVTH : Trần Thanh Trang Nghiên cứu mô transistor điện tử SET CHƯƠNG : LINH KIỆN MỘT ĐIỆN TỬ CHO CÁC ỨNG DỤNG LUẬN LÝ…….93 8.1 Các mạch logic với transistor điện tử…………………………………………………………………….94 8.2 Kế hoạch thiết kế cho mạch logic với SET………………………………………………….96 8.3 Logic SET lập trình cho ứng dụng vi mạch LSI công suất thấp……….100 8.4 Bộ cộng nhị phân transistor điện tử đa cực cổng…………………………………… 107 8.5 Bộ nhớ điện tử……………………………………………………………………………………………………………….110 CHƯƠNG : KẾT QUẢ MÔ PHỎNG TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ LOẠI ĐỐI XỨNG VÀ KHÔNG ĐỐI XỨNG ………………………………………………………………………………….115 9.1 Transistor điện tử loại đối xứng………………………………………………………………………………116 9.2 Transistor điện tử loại không đối xứng……………………………………………………………… 121 HVTH : Trần Thanh Trang Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô CHƯƠNG SỰ RA ĐỜI CÔNG NGHỆ NANO HVTH : Trần Thanh Trang Trang Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô 1.1 GIỚI THIỆU CÔNG NGHỆ NANO ( NANOTECHNOLOGY) Trong năm gần công nghệ nanotechnology trở thành vấn đề quan trọng thú vị hàng đầu vật lý, hoá học, kỹ thuật sinh học Nó hứa hẹn cung cấp cho tương lai không xa với nhiều bước đột phá mà thay đổi chiều hướng công nghệ tầm ứng dụng rộng Tiền tố nano từ nanotechnology có nghóa phần tỷ (10-9) Công nghệ nano liên quan đến cấu trúc khác có kích thước phần tỷ mét Trong công nghệ nano tương đối tồi cấu trúc linh kiện chức mới, thực tế cấu trúc tồn trái đất sống Thật không rõ ràng lần loài người nhận thấy ưu điểm vật liệu có kính thước nano, vào khoảng kỷ thứ người làm kính A.D Roman chế tạo thủy tinh chứa đựng vật liệu có kính thước nano, thủy tinh chế tạo thành tách đặt bảo tàng Anh Luân Đôn Chiếc tách mô tả chết vua Lycurgus, làm từ thuỷ tinh kết hợp với vôi hợp chất Natri, chứa đựng phần tử vàng bạc có kính thước nano Màu tách thay đổi từ xanh sang đỏ sẫm nguồn sáng đặt Sự đa dạng màu sắc tuyệt đẹp cửa sổ thánh đường thời trung cổ tuỳ thuộc vào có mặt phần tử kim loại kích thước nano thủy tinh Vấn đề yếu thời kỳ phát nhà hoá học Ailen Robert Boyle, ông phê phán thuyết Aristotle vật chất tổng hợp từ thành phần đất, nước, lửa không khí, ông cho phần tử nhỏ vật chất kết hợp theo nhiều cách khác để hình thành nên gọi hạt (corpuscles) Thuật nhiếp ảnh kỹ thuật nghiên cứu phát triển hoàn thiện vào kỷ 18, 19, tùy thuộc vào việc chế tạo phần tử bạc có kích thước nano Phim nhiếp ảnh nhũ tương, lớp mỏng chất lỏng suốt chứa đựng hợp chất halogen bạc, Bạc Brôm, suốt xenlulo axêtát nh sáng phân hủy hợp chất bạc halogen, tạo phần tử bạc kích thùc nano, pixels hình ảnh Vào cuối kỷ 19, nhà khoa học Anh Thomas Wedgewood Sir Humprey Davy tạo hình ảnh sử dụng Bạc nitrát bạc cloric hình ảnh không tồn vónh viễn Cũng vào thời điểm này, Clark Maxwell, người đưa lý thuyết trường điện từ, tạo ảnh màu vào năm 1861 Năm 1883, nhà phát minh người Mỹ George Eastman, sáng lập tập đoàn Kodak sau này, tạo phim chứa mảnh giấy dài phủ nhũ tương chứa hợp chất halogen bạc Sau ông ta phát triển thành phim mềm, cuộn để dễ dàng chụp ảnh cho nhiều người Vì vậy, công nghệ dựa vật liệu có kích thước nano thật Năm 1857, Michael Faraday xuất sách “Philosophical Transactions of the Royal Society”, sách giải thích phần tử kim loại ảnh hưởng đến màu cửa sổ thánh đường Richard Feynman đoạt giải Nobel vật lý vào năm 1965về việc phân phối thuyết động lực điện lượng tử Năm 1960, ông đại diện HVTH : Trần Thanh Trang Trang Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô Hình 8.28 : Một nhớ với bẫy điện tử MTJ linh kiện cảm biến điện tích MTJ-SET Một linh kiện cảm biến SET làm với MOSFET ghi/xoá Hình 8.29 trình bày hình ảnh SEM giản đồ dòng điện tương ứng Linh kiện đặc biệt cấu trúc quy trình PADOX Vùng dây SET bắt đầu dài 100nm, rộng 40nm nút nhớ có kích thước tương tự Độ dài cổng MOSFET 50nm Hình 8.30 trình bày đặc tính trễ dòng SET tượng trưng cho hoạt động ghi tích trữ 40K Ban đầu, điện áp cổng thấp Vlg =-2.7V MOSFET ngưng nút tích trữ không tích điện Khi Vlg tăng, dòng SET đồng thời tăng điện dung kết hợp cực cổng thấp island SET Khi Vlg tiến đến -2.4V kênh MOSFET trở nên dẫn điện tử chảy vào nút nhớ Sau Vlg trở lại -2.7V điện tử giữ nút nhớ trạng thái nạp phân biệt rõ ràng từ trạng thái xả dòng SET giảm Hình 8.29 : Một nhớ với MOSFET ghi/xóa linh kiện cảm biến SET Hình 8.30 : Đặc tính trễ dòng SET tượng trưng cho hoạt động ghi tích trữ nhớ trình bày hình 8.29 HVTH : Trần Thanh Trang Trang 114 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô CHƯƠNG MÔ PHỎNG TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ LOẠI ĐỐI XỨNG VÀ KHÔNG ĐỐI XỨNG DÙNG MATLAB HVTH : Trần Thanh Trang Trang 115 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô 9.1 TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ LOẠI ĐỐI XỨNG 9.1.1 MÔ HÌNH SETs ĐỐI XỨNG VÀ QUAN HỆ DÒNG ĐIỆN - ĐIỆN ÁP CỦA NÓ Ở chương ta khảo sát mô hình transistor điện tử loại đối xứng, nghóa điện trở đường hầm cực nguồn Rs cực máng Rd điện dung tiếp giáp đường hầm cực nguồn Cs cực máng Cd Với giả thiết ta có mô sau: Và biểu thức quan hệ dòng điện - điện áp SETs với n n+1 điện tử island là: ~ e x In = RΣ C Σ ~ ~ ~ (V gs ,n − V ds ) sinh(V ds / T ) ~ ~ ~ ~ ~ ~ V gs ,n sinh(V gs ,n / T )− V ds sinh(V ds / T ) Trong : ~ V gs ,n = 2CGVgs e − (CG + C S − C D )Vds − − 2n e ~ CV Vds = Σ ds điện áp máng-nguồn chuẩn hóa e ~ 2k B TC Σ T = nhiệt độ chuẩn hóa e2 CΣ = CG + CS + CD điện dung tổng cộng RΣ = Rs +Rd điện trở đường hầm tổng cực máng nguồn HVTH : Trần Thanh Trang Trang 116 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô Từ cửa sổ làm việc Matlab, đánh lệnh setdx ta có hình giao diện việc mô SETs đối xứng sau: 9.1.2 MỘT SỐ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG Từ hình giao diện, cách nhập vào tham số hệ thống: • Điện dung cổng CG = 3aF • Điện dung máng CD = 1aF • Điện dung nguồn CS = 1aF • Điện trở cực nguồn RS = 10MΩ • Điện trở cực máng RD = 10MΩ • Nhiệt độ hoạt động T = 10K • Điện áp máng-nguồn Vds = 20mV Muốn xem phương trình quan hệ Id Vgs nhấn nút “ Phương trình quan hệ Id – Vgs” Muốn xem mô hình SET đối xứng nhấn nút “ Mô hình SET đối xứng” Khi đó, ta có trường hợp xảy ra: HVTH : Trần Thanh Trang Trang 117 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô A Quan hệ dòng điện máng Id theo điện áp cổng Vgs số điện tử island n thay đổi: NHẬN XÉT: - Đồ thị vẽ tương ứng với số điện tử island SET n=-1, n=0 n=+1 Dòng điện máng Id phụ thuộc vào số điện tử n điện áp cổng Vgs thay đổi tạo nên dạng gù đối xứng - Dòng điện máng đạt giá trị tối đa điện áp cổng chuẩn hóa V~gs ,n =0 Tại điện áp cổng tương öùng laø : Vgs = e ne (C G + C S − C D )Vds + + 2C G C G 2C G - Xem xét chu kỳ dao động Coulomb e/CG, từ ta thu tầm điện áp cổng: ne (C G + C S − C D )Vds (n + 1)e (C G + C S − C D )Vds + < V gs < + CG 2C G CG 2C G ~ Điều tương đương với –1< V gs ,n RD RS RD HVTH : Trần Thanh Trang Trang 124 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô C Quan hệ dòng điện máng Id theo điện áp cổng Vgs điện áp mángnguồn Vds không đổi, nhiệt độ T thay đổi: NHẬN XÉT: • Đồ thị vẽ tương ứng với số điện tử island n =0 n =1, nhiệt độ T thay đổi : T = 37.2K, 18.6K 12.4K, điện áp máng – nguồn Vds không đổi Vds = 26.7mV • Rõ ràng điểm trũng dao động Coulomb không bị lệch nhiệt độ T thay đổi • nhiệt độ T = 37.2K tương ứng với nhiệt độ chuẩn hoá 0.12 cao khác nhiều nhiệt độ HVTH : Trần Thanh Trang Trang 125 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET GVHD: GS.TSKH Đặng Lương Mô KẾT LUẬN VÀ ĐỀ NGHỊ Sự đời công nghệ nano quy luật tất yếu tiến triển không ngừng khoa học-kỹ thuật thời điểm toàn giới Đương nhiên, khoa học công nghệ dừng lại nano-electronics mà tương lai không xa tiến đến giga-electronics đến tera-electronics,vv Mục đích tiến triển không ngừng không nằm dự định chế tạo linh kiện điện tử cho chúng truyền đạt, lưu trữ xử lý thông tin cực nhanh, tốc độ cực cao, kích thước cực nhỏ đồng thời tiêu thụ lượng cực Linh kiện điện tử linh kiện tiêu biểu nano-electronics devices Trong họ linh kiện điện tử transistor điện tử SETs linh kiện quan trọng có đặc tính linh kiện chuyển mạch điều khiển cổng số điện tử điều khiển số Như tác giả trình bày luận văn công nghệ chế tạo SETs dựa sở công nghệ chế tạo MOSFET dựa vật liệu quen thuộc Silicon Việc vận dụng kỹ thuật vật liệu truyền thống có ưu điểm chắn đến thành công thành công mô hình MOSFET micro-electronics trước Thiết nghó, hầu hết nhà nghiên cứu nano-electronics vận dụng kỹ thuật huấn luyện truyền thống riêng họ mô hình thay đổi xuất tiến tới điện tử phân tử Mặc dù mô hình transistor điện tử đời ứng dụng như: thiết kế mạch logic, kiểu cấu trúc lập trình được, ứng dụng nhớ điện tử…Những đặc tính độc đáo mà linh kiện khác khả đa cực cổng đặc trưng đa đỉnh tìm thấy Tuy nhiên, việc ứng dụng transistor điện tử thực tế thử thách hầu hết kết đưa thực phòng thí nghiệm, nhiệt độ thấp Nano-electronics đề tài hấp dẫn cho hầu hết nhà nghiên cứu nước có công nghiệp phát triển mạnh như: Mỹ, Nhật, Nga, Anh, Hà Lan… nano-electronics trở thành mối quan tâm hàng đầu thực tế vào tiềm thức nhà nghiên cứu đến năm qua Việt Nam, tính đến thời điểm chưa có tác giả nghiên cứu lónh vực này, có phải không thuận lợi mặt : nhân sự, tài hay lý chủ quan Chính khó khăn cho tác giả lúc nghiên cứu theo tác giả lý thuyết nghiên cứu thực tế một khoảng cách xa Tác giả hy vọng tương lai không xa không đâu xa mà đất nước Việt Nam có nhiều tác giả quan tâm nghiên cứu lónh vực Để đạt ước vọng có lẽ cần quan tâm sâu sắc hết lòng ủng hộ các cấp lãnh đạo Đảng nhà nước để khắc phục khó khăn nêu nhanh chóng hội nhập vào công nghệ giới HVTH : Trần Thanh Trang Trang 126 Nghiên cứu mô transistor điện tử SET TÀI LIỆU THAM KHAÛO http://www.mitre.org/tech/nanotech/single_electron_transistors http://www.unibas.ch/phys-meso/nanoelectronics http://www.npl.co.uk/nanotech/nanoelectronics http://www.elec.gla.ac.uk/groups/nano http://www.quantum dissipations and transports Single Charge Tunneling, NATO ASI Series, Vol B294, edited by H.Grabert and M.H Devoret ( Plenum Press, New York, 1992) Introduction to superconductivity, M Tinkham, 2nd edition ( McGraw Hill 1996) Single electronic, Likharev, Konstantin, Tord and Claeson, Scientific Amarican, June 1992, pp 80 – 85 Single electron transfer in metallic Nanostructures, Devoret, Esteve, Christian and Urbina, 10 December 1992, pp.547 – 553 10 Single electron Tunneling devices – Hadley – 1997 11 System and circuit Aspects of nanoelectronics – Goser, Pacha – 1998 12 Introduction to nanotechnology – Charles P Poole, Jr., Frank J Owens – 2002, USA 13 Nanoelectronics and information technology – Prof Dr Ing Rainer Waser, 2003 Wiley – VCH Verlag GmbH&Co.KgaA, Germany 14 IEEE transactions on electron devices, Vol.50, No.7, July 2003 15 IEEE transactions on electron devices, Vol.50, No.2, February 2003 16 IEEE transactions on nanotechnology, Vol.1, No.2, June 2002 17 Institute of Physics Publishing, Journal of Physics:Condensed Matter 18 Analytical single electron transistor model for design and analysis of Realistic SET circuits, Jpn J Appl Phys Vol.Vol.39, April 2000, pp.2321 – 2324 19 Jpn J Appl Phys Vol.38, 1999, pp.4027 – 4032 20 Y Takahashi et al Physica E 19 ( 2003) 95 – 101 21 Single electron devices and Their Applications, Proc.IEEE, vol.87, pp 606-632, April 1999 22 A compact analytical Model for Assymetric single electron tunneling transistor, IEEE Trans Electron Devices, H Inokawa and Y Takahashi HVTH : Trần Thanh Trang HỌ VÀ TÊN: TRẦN THANH TRANG NGÀY, THÁNG, NĂM SINH: 22 - 10 - 1979 NƠI SINH : TỈNH BÌNH ĐỊNH ĐỊA CHỈ LIÊN LẠC : 931-937 TRẦN HƯNG ĐẠO – PHƯỜNG – QUẬN – TP HỒ CHÍ MINH ( PHÒNG 515) QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Từ năm 1996 đến 2001: Học Đại học Trường Đại học Bách Khoa TP Hồ Chí Minh, ngành Điện tử – Viễn thông Từ năm 2002 đến 2004: Học Cao học Trường Đại học Bách Khoa TP Hồ Chí Minh, ngành kỹ thuật vô tuyến Điện tử QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC: Từ tháng 10 năm 2002 đến Giáo viên khoa Điện tử – Tin học Trường Kỹ Thuật Cao Thắng TP Hồ Chí Minh ... kiện nanoelectronics devices 1.4 TRANSISTOR TRANSISTORS - SETs) MỘT ĐIỆN TỬ (SINGLE- ELECTRON Single? ? ?Electron Transistors (SETs) loại linh kiện chuyển mạch mà sử dụng đường hầm điện tử điều khiển... điện tử N ổn định, N thay đổi dòng điện chảy qua island Khi ΣCgiVgi = (N+1/2)e điện áp tónh điện hai trạng thái (N điện tử N+1 điện tử) Điều có nghóa island chứa N N+1 điện tử Sau đó, điện tử. .. hầm điện tử 2.1 HỘP MỘT ĐIỆN TỬ 2.1.1 CẤU TRÚC CỦA HỘP MỘT ĐIỆN TỬ Linh kiện điện tử nhỏ tổng hợp từ chấm lượng tử hai điện cực Một điện cực nối với chấm lượng tử thông qua tiếp giáp đường hầm Một