Bài giảng Kỹ thuật xung-số

Để phân tích tác động của tín hiệu xung lên mạch điện tử chúng ta cũng sử dụng các công cụ toán học như trong giáo trình Lý thuyết mạch... Thiết bị xung là thiết bị phi tuyế[r]

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT HƯNG YÊN KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ

KỸ THUẬT XUNG – SỐ

CHƢƠNG 1: TÍN HIỆU XUNG

VÀ Q TRÌNH TÁC ĐỘNG XUNG LÊN KHÂU TUYẾN TÍNH 1.1 Mở đầu

Các thiết bị điện tử có nhiều chế độ làm việc khác Một số quan trọng phát triển thiết bị điện, điện tử nói chung hay công nghệ chuyển mạch tự động chế độ xung Hay người ta thường gọi chế độ khố mạch điện tử

* Đặc điểm chế độ xung:

- Điện áp (hay dịng điện) khơng tồn liên tục mà tồn cách gián đoạn theo thời gian

* Các ưu điểm thiết bị làm việc chế độ xung:

- Cho phép thực phép đo khoảng cách đơn giản hệ thống Rada xung

2 c t D

Trong đó:

- D : khoảng cách từ vật cần đo đến Rađa (đơn vị tính m)

- c : vận tốc ánh sáng c = 3.108 m/s

- t : khoảng thời gian từ phát tín hiệu từ Rada đến nhận tín hiệu phản xạ Được tính giây (s)

- Cho phép thực mã hoá tín hiệu đảm bảo độ bảo mật thơng tin cao

- Tính chống nhiễu hệ thống làm việc với tín hiệu xung cao độ sai lệch cho phép tín hiệu xung lớn nhiều lần so với tín hiệu tương tự

- Cho phép thực việc nén thông tin, mã hố thơng tin thực việc ghép nhiều kênh thông tin đường truyền tín hiệu

- Dễ dàng ghép nối với hệ thống máy tính để tự động xử lý kết lưu trữ thông tin để xử lý Thiết bị làm việc chế độ xung gọi thiết bị xung

Nhiệm vụ mơn học nghiên cứu tín hiệu xung, q trình xung mạch tạo tín hiệu xung

1.2 Tín hiệu xung tham số tín hiệu xung vng 1.2.1Tín hiệu xung

Thời gian tồn xung gọi độ rộng xung, ký hiệu tx có thứ nguyên

giây (s) Độ rộng xung có tính chất tương đối phụ thuộc vào thiết bị mà chúng tác động lên

Ví dụ:

- Trong hệ thống điều khiển tự động tx tính giây (s)

- Trong hệ thống thơng tin liên lạc tx tính mili giây (ms) đến micro

giây (s)

- Trong Vật lý hạt nhân tx tính nanơ giây đến picro giây (ns – ps)

1.2.2 Các dạng tín hiệu xung

Trong thực tế có nhiều loại tín hiệu xung có dạng khác nhau, thể quy luật biến thiên phức tạp nhiều loại tín hiệu khác

Chúng ta xét số dạng tín hiệu xung thường gặp sử dụng xung chữ nhật (vng), xung hình thang, xung hàm mũ (xung kim), xung tam giác (xung cưa) xung hình chng Các dạng tín hiệu xung biểu diễn hình vẽ sau:

a)

b)

c)

d)

e)

a) xung chữ nhật; b) xung hình thang; c) xung hàm mũ; d) xung tam giác; e) xung hình chuông

Trong kỹ thuật để truyền tín hiệu xung người ta phải tiến hành điều chế chúng tần số sóng mang dải tần cao để tránh làm suy giảm tín hiệu lớn Tín hiệu xung điều chế sóng mang cao tần gọi xung cao tần (hay gọi xung xạ tần)

U(t)

0 t

Hình 1.2: Dạng tín hiệu xung cao tần

Trong chương trình khơng xét đến xung cao tần tín hiệu điều chế mà xét xung đường bao tức xung thị tần hay âm tần Vì nói đến tín hiệu xung ta hiểu xung thị tần âm tần

1.2.3 Các tham số tín hiệu xung vng

Tín hiệu xung đặc trưng thông số chúng Mỗi loại tín hiệu xung có tham số đặc trưng riêng để đánh giá khảo sát chúng

Đối với xung vuông ta xét số tham số đặc trưng cho với trường hợp tổng quát

u(t)

0 tđ t

t x U(m)

I(m) i(t)

U(m) I(m)

t(+)s t(-)s

1-Biên độ xung(Um ; Im ): giá trị điện áp hay dòng điện cực đại mà tín hiệu xung

đạt

2-Độ rộng xung tx : thời gian tồn tín hiệu xung

3-Độ rộng đỉnh xung tđ : thời gian tồn đỉnh xung 4-Độ rộng sườn trước ts

(+)

: thời gian điện áp hay dòng điện thay đổi từ chân đến đỉnh xung

5 Độ rộng sườn sau ts (-)

: thời gian điện áp hay dòng điện thay đổi từ đỉnh xung đến chân để kết thúc xung

6-Độ sụt đỉnh xung ∆U (∆I): mức độ suy giảm điện áp hay dòng điện phần đỉnh xung

Độ sụt đỉnh xung đánh giá giá trị tuyệt đối ∆U ∆I đánh giá theo giá trị tương đối tính phần trăm

% 100 . m U U U  

 .100%

m I I I   

Thực tế việc truyền tín hiệu qua mơi trường thiết bị điện tử có dải tần làm việc hạn chế (dải thông chúng vơ hạn) làm cho méo tín hiệu xung Vì để xét đặc trưng thời gian tín hiệu xung vng tx ; ts

(+)

; ts (-)

; tđ đạt

độ xác tuyệt đối mà giá trị gần Việc xác định tham số thông qua giá trị đặc trưng α để khảo sát tuỳ theo yêu cầu xác khác Thông thường α = 0,2; 0,1; 0,05; 0,01

Như việc xác định tham số thời gian thực mức biên độ tương đối αUm (1 – α )Um hình vẽ sau:

u(t) 0 t tđ t x U(m) t s (+) t s (-) U(m) U(m) U(m)

Khi xét dãy tín hiệu xung có chu kỳ lặp lại (tín hiệu xung tuần hồn) ta cịn xét tham số sau:

7-Chu kỳ lặp lại (tần số lặp) dãy xung T (f = 1/T)

Dãy xung vng tuần hồn có chu kỳ lặp lại biểu diễn sau:

tx T

8-Độ thưa chuỗi xung Q = T/tx

Độ thưa chuỗi xung Q thay đổi khoảng rộng từ vài đơn vị đến hàng nghìn đơn vị

Đối với dãy xung có Q < gọi dãy xung rộng Đối với dãy xung có Q > gọi dãy xung hẹp 9-Hệ số lấp đầy chuỗi xung

T t Q

x 





1.3 Các trình đặc trƣng mạch xung lơgic

Khi tín hiệu tác động lên mạch điện tử xảy hai trình q trình dừng q trình độ

Quá trình dừng trạng thái cân điện mạch điện tử

Quá trình độ (QTQĐ) trình mạch điện chuyển từ trình dừng sang trình dừng khác

Như mục trước đề cập, độ rộng xung có thời gian nhỏ xấp xỉ thời gian Q trình q độ mạch điện tử mà tác động lên, thời gian Quá trình độ mạch làm méo dạng tín hiệu xung, làm thay đổi tham số thời gian tx

; ts (+)

; ts (-)

; tđ

Có tượng phần tử ký sinh mạch có tính cảm tính dung gây lên Chúng phụ thuộc vào độ rộng xung tác động lên mạch khoảng cách xung

Tóm lại: Quá trình độ trình chuyển đổi trạng thái mạch xung

Quá trình độ mạch chủ yếu làm ảnh hưởng đến tham số độ rộng sườn xung

*Điều kiện để mạch xung làm việc bình thường:

- tx >> tQT QĐ Tức động rộng xung tác động lên mạch điện phải lớn

- T – tx >> tQT QĐ Tức khoảng trống dãy xung (hay khoảng cách hai

xung kế tiếp) phải lớn thời gian trình q độ mạch điện mà tác động lên

Khi đảm bảo hai điều kiện việc xét mạch xung (phân tích mạch xung) tác động chuỗi xung tương tự việc xét tác động xung đơn lên mạch

Để phân tích tác động tín hiệu xung lên mạch điện tử sử dụng cơng cụ tốn học giáo trình Lý thuyết mạch

1.3.1 Đối với mạch tuyến tính

Đối với mạch tuyến tính ta sử dụng phương pháp sau:

- Phương pháp kinh điển sử sụng việc mơ tả mạch phương trình vi phân tích phân với tác động đầu vào phản ứng đầu Giải phương trình để tìm quan hệ tín hiệu tác động đầu vào với tín hiệu phản ứng đầu mạch

- Phương pháp toán tử phương pháp sử dụng thuật tốn Laplace để mơ tả mạch thơng qua hàm ảnh Sau tìm hàm ảnh phản ứng đầu ta tìm hàm gốc phụ thuộc vào thời gian

- Phương pháp phân tích phổ tín hiệu sử dụng chuỗi Fourier tích phân Fourier để phân tích mạch tìm phản ứng đầu mạch hàm thời gian phụ thuộc vào phổ tín hiệu vào

- Phương pháp xếp chồng sử dụng tích phân Du – – men, nguyên lý xếp chồng, tích phân tín hiệu vào phức tạp thành tín hiệu đơn giản để tìm phản ứng đầu tương ứng với chúng Tín hiệu mạch xếp chồng tín hiệu thành phần vừa tìm

1.3.2 Với mạch phi tuyến

Việc phân tích mạch phi tuyến phức tạp khó khăn ta thường tính tốn gần chúng cách sử dụng phương pháp tuyến tính hố phần tử phi tuyến theo đặc tuyến Vôn-Ampe chúng sau

I(t)

0

U(t)

I(t)

0

U(t)

A B

C

a) b)

Tuỳ theo đặc tuyến Vôn-Ampe phần tử phi tuyến yêu cầu độ xác phân tích mà ta sử dụng phương pháp tuyến tính cho phù hợp

Thiết bị xung thiết bị phi tuyến ta nên sử dụng phương pháp để phân tích

1.4 Tín hiệu xung tác động lên khâu tuyến tính

Khi nghiên cứu mạch xung chia làm loại: - Mạch xung tuyến tính

- Mạch xung phi tuyến Tính chất mạch xung:

- Khi tín hiệu truyền qua mạch xung có dạng đầu bị thay đổi khác với tín hiệu đầu vào mạch gọi mạch hình thành xung

- Nếu dải thơng mạch đủ rộng cho qua phần lớn thành phần phổ giữ lại số thành phần khơng khơng gây méo dạng xung so với dạng xung vào Thì mạch xung gọi mạch khuếch đại hay truyền tín hiệu xung 1.5 Tín hiệu xung tác động lên khâu RC, RL

1.5.1 Điện áp đột biến tác động lên khâu RC, RL

a) Sơ đồ khâu RC, RL:

Khâu tuyến tính RC, RL thể hình vẽ sau

uR(t)

u (t)c R

C u v(t)

a-Khâu RC

uR(t)

R

L u (t)v

uL(t)

b-Khâu RL

Hình 1.6: Các khâu RC, RL

b) Xét mạch RC:

Tín hiệu đột biến điện áp tín hiệu tác động lên khâu RC có dạng hình 1.7

E

t 0

uv(t)

u v(t) = E

0 t <0

t >0

(1.1)

Hằng số thời gian mạch là: = R.C

Điện áp tụ biến thiên theo thời gian có dạng: UC(t) = UC(0) + [UC(∞) – UC(0)](1 – e

-t/

) (1.2)

Xét thời điểm ban đầu (t = 0) ta có UC(0) =

Tại thời điểm xác lập (t = ∞) ta có UC(∞) = E

Thay vào cơng thức 2.2 ta tính được: UC(t) = E.(1 – e

-t/

) (1.3)

UR(t) = E – UC(t) = E.e -t/

(1.4)

Giải thích tượng:

Tại thời điểm t = tín hiệu đầu vào đột biến ứng với tần số cao làm cho trở

kháng tụ C

C j Zc



1

 vô nhỏ, tụ C ngắn mạch tồn lượng điện áp đột biến đặt lên điện trở R chúng mắc nối tiếp nên đảm bảo:

UC(t) + UR(t) = UV(t) = E

Tại thời điểm xác lập t = ∞ kết thúc đột biến ứng với tần số thấp tín hiệu vào, tụ C nạp đầy trở kháng tụ C ZC lớn nhiều so với điện trở R

điện áp chủ yếu đặt tụ C

Quy luật biến thiên điện áp tụ C điện trở R tuân theo quy luật hàm số mũ, với số thời gian  C = R.C phụ thuộc vào tham số mạch Được biểu diễn

hình 1.8

E

t 0

u(t)

c

uv(t)

uc(t)

uR(t)

c) Xét mạch RL:

Với điện áp đột biến tác động lên khâu RL phân tích tương tự khâu RC ta nhận kết quả:

UR(t) = E.(1 – e -t/

) (1.3)

UL(t) = E – UC(t) = E.e -t/

(1.4)

Nhưng số thời gian  tính số thời gian  = L/R phụ thuộc vào tham số mạch

Quy luật biến thiên điện áp điện trở R L biểu diễn hình 2.4 Giải thích tượng:

Tại t = tín hiệu đầu vào đột biến tần số tín hiệu tác động lớn trở kháng cuộn cảm ZL = jωL có giá trị lớn nhiều so với giá trị điện trở R cho

nên ta có:

Ura = UR(0) + UL(0) = i.R + i.|jωL| ≈ UL(0) = E

Như sụt áp chủ yếu đặt lên cuộn cảm L

Tại t = ∞ lúc tần số tín hiệu vào thấp làm cho ZL nhỏ chủ yếu điện

trở vòng dây điện áp rachủ yếu dặt lên điện trở R

E

t 0

u (t)

L

uv(t)

uR(t)

uL(t)

Hình 1.9: Quy luật biến thiên điện áp R L

Việc xác định  C  L thơng qua đồ thị theo phương pháp tiếp tuyến với

đồ thị điểm t = với đồ thị uR(t); uC(t); uL(t) Tại thời điểm tiếp tuyến giao

nhau với trục hoành 0t đường uV(t) = E ta xác định  C  L

khoảng thời gian từ đến giao điểm Phương pháp xác định hình 1.8 hình 1.9

1.5.2 Xung vuông tác động lên khâu RC, RL a) Đối với mạch RC

u v(t)

E

t x u 1(t)

E

u 2(t)

-E

t

t

t 0

0

0

Hình 1.10: Phân tích xung vng thành điện áp đột biến

Phương trình mơ tả sau:

u v(t) = u 1(t) + u 2(t)

(1.7)

u v(t) = E 0

0

0>t 0 < t < tx tx < t

(1.8)

u 1(t) = E

0 t < 0 t > 0

(1.9)

u 2(t) = -E

0 t < tx t > tx

Khâu RC khâu tuyến tính ta áp dụng ngun lý xếp chồng

Khi xung vuông tác động lên khâu RC theo nguyên lý xếp chồng điện áp điện trở tụ điện C xếp chồng hai điện áp U1(t) U2(t) gây lên chúng

Áp dụng kết mục ta được:

uC1(t) = E.(1 – e -t/

) (1.11)

uC2(t) = -E.(1 – e -t/

) (1.12)

uR1(t) = E.e -t/

(1.13)

uR2(t) = -E.e -t/

(1.13) Tổng hợp lại ta nhận được:

u c(t) = 0

(E - U)[1 - e ]

t < 0 0 < t < tx t > tx E(1 - e )t/

t - tx



(1.14)

uR(t) =

0

-(E - U).e

t < 0 0 < t < tx t > tx E.et/

t - tx



(1.15)

Với tx độ rộng xung tx < ∞ Trong ∆U = E.e-tx/

E

t 0

u (t)

uv (t)

u c1(t)

u R1(t)

uR2(t)

u c1(t)

-E

U

U

tx tx

tx

0

0 E

E u R(t)

u c (t)

t

t

-E

Hình 1.11: Biểu diễn biến thiên điện áp R C với tín hiệu tác động vào xung vuông đơn

0 E uc (t)

t

/tx = 0,1 0,3 1,0

a)

tx 0

E uR(t)

t 3

3 1

1 2

2 /tx = 10,0

1,0 0,3

b)

Hình 1.12: Quan hệ  tx ảnh hưởng đến dạng tín hiệu tụ điện điện trở

a) Trên tụ điện b) Trên điện trở

* Đối với tụ điện:

- Tỷ số  /tx lớn méo tín hiệu tụ lớn

- Tỷ số  /tx nhỏ méo tín hiệu tụ nhỏ  / tx < 0,03 phản ứng đầu tụ méo dạng mà gần giống dạng xung tác động đầu vào

- Khi  /tx > 0,3 uC(t) không kịp tăng đến mức biên độ E khoảng thời gian tồn

của xung tx, biên độ xung nhỏ, điện áp tụ có dạng giống tín hiệu điện áp cưa

* Đối với điện trở:

b) Đối với khâu RL

Chúng ta xét tương tự khâu RC ta nhận kết xét với khâu Rc với số thời gian  =L/R Giá trị điện áp L mạch RL giống giá trị điện áp điện trở R mạch RC Còn giá trị điện áp điện trở R mạch RL giống điện áp tụ C mạch RC

Bài tập chƣơng

1 Trình bày tín hiệu xung tham số tín hiệu xung Trình bày q trình đặc trưng mạch xung lơgic Trình bày q trình tác động xung lên khâu tuyến tính Trình bày q trình tín hiệu xung tác động lên khâu RC, RL 4.1 Cho mạch điện với tham số linh kiện hình vẽ:

Biết uv(t) xung vng có biên độ U = +10V

và tần số 1kHz

a Hãy xác định giá trị điện áp điện trở tụ điện chu kỳ tín hiệu vào? b Vẽ dạng tín hiệu điện trở tụ điện

R

C

uv(t)

uR(t)

uC(t)

1k

1F

4.2 Cho mạch điện với tham số linh kiện hình vẽ: Biết uv(t) xung vng có biên độ U = +5V

và tần số 5kHz

a Hãy xác định giá trị điện áp điện trở cuộn cảm chu kỳ tín hiệu vào?

b Vẽ dạng tín hiệu điện trở cuộn cảm

R

uv(t)

uR(t)

uL(t)

560

100mH

L

CHƢƠNG 2: MẠCH BIẾN ĐỔI XUNG

Mạch biến đổi xung mạch dùng để tạo dạng tín hiệu xung có dạng khác với tín hiệu xung tác động đầu vào theo yêu cầu kỹ thuật

2.1 Mạch khố điện tử

Để xây dựng mạch xung, phần tử tuyến tính cịn phải sử dụng phần tử phi tuyến

Phần tử phi tuyến điển hình thường sử dụng để xây dựng mạch xung khố điện tử

2.1.1 Định nghĩa

Khoá điện tử phần tử phi tuyến làm việc chế độ xung, có trạng thái cân trạng thái đóng trạng thái ngắt Để chuyển từ trạng thái sang trạng thái khác phải sử dụng tín hiệu điều khiển bên ngồi

Ưu điểm khố điện tử so với khố khí - Kích thước gọn nhẹ

- Tốc độ chuyển trạng thái cao

- Độ tin cậy làm việc cao (ít hỏng hóc làm việc)

- Độ nhạy làm việc cao (công suất tín hiệu điều khiển nhỏ)

- Khơng gây đánh lửa làm việc (không gây nhiễu cho thiết bị khác) - Có thể sản xuất hàng loạt, giá thành thiết bị rẻ

2.1.2 Mơ hình tổng qt khố điện tử u cầu

a) Mơ hình khố điện tử:

Được mô tả dạng mạng cực hình vẽ

Vµo Ra

Hình 2.1: Mơ hình khố điện tử

Đóng vai trị chủ yếu khoá điện tử phần tử phi tuyến, là: Điốt, đèn điện tử, Transistor

b) Các yêu cầu khoá điện tử:

- Điện trở khoá trạng thái đóng R(+) nhỏ, trạng thái ngắt R(-) phải lớn Lý tưởng R(+) = R(-) = ∞ Điện trở khoá định độ nhạy khoá độ lớn lượng sụt áp khoá

- Tốc độ chuyển đổi trạng thái khoá phải lớn (tần số làm việc)

- Độ nhạy khoá phải lớn (tức u cầu cơng suất nguồn kích thích để khoá chuyển trạng thái phải nhỏ)

- Độ tin cậy làm việc cao, kích thước gọn nhẹ, giá thành hạ

- Độ ổn định mức ngưỡng khoá phải lớn (là giá trị điện áp hay dịng điện khố mà xảy q trình chuyển đổi trạng thái nó)

- Độ ổn định mức ngưỡng khoá phụ thuộc vào độ ổn định nguồn cung cấp, độ ổn định mơi trường xung quanh, tính chất làm việc ổn định phần tử phi tuyến nằm mạch khoá

2.2 Khoá dùng Tranzitor

Khoá dùng Transistor loại mạch khố thơng dụng sử dụng rộng rãi

2.2.1 Các kiểu mắc Transistor mạch khoá

Việc mắc Transistor mạch khố hồn tồn giống mạch khuếch đại, chế độ làm việc Transistor mạch khoá khác hẳn chế độ làm việc mạch khuếch đại

Ở mạch khuếch đại điểm làm việc Transistor nằm vùng khuếch đại đoạn tuyến tính đặc tuyến Vơn – Ampe

Ở mạch khố điểm làm việc Transistor không nằm cố định vùng khuếch đại mà di chuyển từ vùng cắt khoá tắt sang vùng bão hồ khố thơng

Cách mắc Transistor mạch khố có kiểu giống mạch khuếch đại Đó là:

- Mắc cực Emitơ chung (EC) - Mắc cực Bazơ chung (BC) - Mắc cực Colectơ chung (CC) - Mắc theo kiểu hình

Kiểu mắc EC thường sử dụng trường hợp khuếch đại tín hiệu Kiểu mắc BC thường sử dụng mạch điều khiển nguồn Kiểu mắc CC thường sử dụng mạch phối hợp trở kháng Kiểu mắc hình thường sử dụng tạo tín hiệu ngược pha

- Hệ số khuếch đại điện áp lẫn dịng điện lớn

- Cơng suất tín hiệu kích thích để khố chuyển trạng thái nhỏ (tức độ nhạy làm việc cao)

- Độ ổn định làm việc tốt

R b R c

T C v

u v(t) u r(t)

+Ec

a) Mắc Emitơ chung

uv(t) u r(t)

+Ec

T

Rb Rc

RE

b) Mắc Bazơ chung

Rb

RE

T

Cv

uv(t)

ur(t) +Ec

c) Mắc Colectơ chung

Rb

RE

T

Cv

uv(t)

u

r1(t)

ur2(t) Rc

+Ec

d) Mắc hình Hình 2.2: Các kiểu mắc Transistor mạch khố

2.2.2 Q trình dừng khố EC Xét mạch khoá EC

RB

RC

T

uv(t)

ur(t) +Ec

E2

E1

UBE

UCE

IC C E C R CE

U EC

CE

U bh

0 A

B IB1

B2 I B3 I B4 I B5 I B6 I I II III

Hình 2.4: Đặc tuyến Vơn – Ampe iC = f(UCE) với iB = const

Đặc tuyến Vôn – Ampe chia làm vùng: I – Là vùng khuếch đại

II – Là vùng bão hoà III – Là vùng cắt

Từ phương trình EC – ICRC – UCE = (2.1)

Ta có:

C CE C C R U E

I  

Chúng ta xét chế độ làm việc khoá a) Chế độ tắt:

Ở chế độ tắt điện áp khoá làm cho mặt ghép E-B B-C transistor phân cực ngược mạch tồn dòng điện ngược nhỏ

IB (-)

≈ - IC0 ; IC (-)

≈ +IC0

0 ) ( C C n

C I I

I   

 

; IC (-)

≈

Trong β hệ số khuếch đại dòng Transistor sơ đồ EC mắc phân cực thuận

Trong βn hệ số khuếch đại dòng Transistor sơ đồ EC mắc phân cực

ngược

Các dòng ngược IB (-)

, IC (-)

0

-IC0

+IC0

i

-UCC

iC (-)

iC (-)

iB (-)

Hình 2.5: Biểu diễn dòng ngược IB (-)

, IC (-)

IC0

Trong IC0 dịng điện cực C tắt, IC0 phụ thuộc vào nhiệt độ mơi trường

xung quanh, có giá trị nhỏ

+ Trong sơ đồ đầu vào ta có: IB

(-)

.RB + UBE (-)

– E1 = (2.2)

Ta rút biểu thức sau: UBE

(-)

= E1 – IC0max.RB ≤ UBE tắt (2.3)

Khi RB tăng điện áp đặt vào phải tăng, tức biên độ điện áp vào phải lớn khoá

làm việc nhạy

UBE tắt điện áp mặt ghép B-E để Transistor tắt

+ Tại đầu ta có: UCE

(-)

= EC – IC0.RC (2.4)

Chọn RC nhỏ cho IC0.RC << |EC|

thì UCE t = EC (2.5)

Hai điều kiện (2.3) (2.5) cần thiết để khố tắt

b) Chế độ thơng

*Chế độ khuếch đại:

Lúc B-E phân cực thuận mức tín hiệu vào mạch khố chuyển lên E2 β