Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ phản ứng lên cấu trúc nano của graphite nhiệt phân (PG) tổng hợp bằng phương pháp CVD

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ Họ tên: Trần Sĩ Trọng Khanh NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ PHẢN ỨNG LÊN CẤU TRÚC NANO CỦA GRAPHITE NHIỆT PHÂN (PG) TỔNG HỢP BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD LUẬN VĂN THẠC SĨ CHUYÊN NGÀNH VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO HÀ NỘI - 2016 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ Trần Sĩ Trọng Khanh NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ PHẢN ỨNG LÊN CẤU TRÚC NANO CỦA GRAPHITE NHIỆT PHÂN (PG) TỔNG HỢP BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD Chuyên ngành: Vật liệu linh kiện nano Mã số: Chuyên ngành đào tạo thí điểm LUẬN VĂN THẠC SĨ CHUYÊN NGÀNH VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS.Nguyễn Năng Định HÀ NỘI - 2016 LỜI CẢM ƠN Luận văn thạc sĩ hoàn thành hướng dẫn trực tiếp GS.TS Nguyễn Năng Định Với lịng kính trọng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành cảm người thầy kính u hướng dẫn tận tình thời gian thực luận văn thạc sĩ Hơn nữa, năm học tập khoa Vật lý kĩ thuật - Công nghệ nano (trường Đại học Công nghệ, ĐHQGHN), thầy giảng giải, truyền đạt cho em kiến thức bổ ích, hướng dẫn chúng em phương pháp tư khoa học sống thực tế Em chân thành cảm ơn tập thể cán phịng thí nghiệm Viện Nghiên cứu ứng dụng chuyển giao công nghệ cao (IHT) – thuộc Liên Hiệp hội KH KT Việt Nam tận tình bảo hướng dẫn em thực công nghệ chế tạo vật liệu graphite nhiệt phân (PG) Em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Ban chủ nhiệm khoa, thư kí văn phịng khoa, ThS Nguyễn Thị Hạnh tồn thể thày giáo, cán khoa Vật lý kỹ thuật Công nghệ nano, PTN cơng nghệ nano nhiệt tình hướng dẫn, hỗ trợ em trình học tập thực luận văn Đặc biệt, em xin cảm ơn chị Trần Thị Thao, nhiệt tình bảo cho em biết cách tiến hành thực nghiệm phân tích kết Với lịng biết ơn kính u sâu sắc, xin gửi tới cha mẹ - chỗ dựa tinh thần vững cho chúng Cha mẹ không quản khó khăn, sắn sàng qn thân để lo cho chúng điều kiện học tập sinh sống tốt suốt năm tháng học tập trường ĐHCN Học Viên LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan khơng chép tài liệu, cơng trình nghiên cứu tác giả khác mà không thích rõ ràng phần tài liệu tham khảo Tơi xin chịu trách nhiệm trích dẫn kết tác giả khác mà khơng thích rõ ràng! Hà Nội, ngày 26 tháng năm 2016 Học viên cao học Trần Sĩ Trọng Khanh MỤC LỤC LỜI NÓI ĐẦU CHƯƠNG – PHẦN TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan vật liệu Graphite 1.1.1 Carbon 1.1.2 Graphite 1.1.3.Graphite nhiệt phân (PG) 10 1.2 Phương pháp Lắng đọng pha hóa học (CVD) 12 1.2.1 Định nghĩa CVD 12 1.2.2.Các trình phương pháp CVD 13 1.2.3 Ưu nhược điểm phương pháp CVD 16 1.2.4 Ứng dụng phương pháp CVD 16 1.2.5 Phân loại phương pháp CVD 16 CHƯƠNG PHẦN THỰC NGHIỆM 18 2.1 Tổng hợp vật liệu Graphite nhiệt phân (PG) phương pháp CVD 18 2.1.1 Những thiết bị dùng trình CVD để tổng hợp PG 18 2.1.2 Quá trình tổng hợp Graphite nhiệt phân phương pháp CVD 20 2.2 Khảo sát tính chất PG 23 2.2.1 Khảo sát cấu trúc tinh thể nhiễu xạ tia X 23 2.2.2 Khảo sát cấu trúc tinh thể hiển vi điện tử quét SEM 26 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 29 3.1 Nghiên cứu công nghệ chế tạo PG vùng nhiệt độ từ 900 đến 1100 C 29 3.2 Nghiên cứu cấu trúc tinh thể dị hướng nano PG phụ thuộc vào nhiệt độ CVD 34 3.3 Nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ CVD lên chế hình thành tinh thể vi mô PG tốc độ phát triển chúng thạch anh 38 3.4 Tính chất điện 49 KẾT LUẬN 51 TÀI LIỆU THAM KHẢO 52 PHỤ LỤC HÌNH ẢNH 53 PHỤ LỤC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC 56 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT Ar C CN CVD FE-SEM KH Mn SEM PG PP XDR VL Argon Cacbon Cơng Nghệ Phương pháp Lắng đọng pha hóa học Kính hiển vi phát xạ trường Khoa học Mangan Kính hiển vi điện tử quét Graphite nhiệt phân (Pyrolytic Graphtie) Phương Pháp Giản đồ nhiễu xạ tia X Vật liệu DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ STT Hình 1.1 Hình 1.2 Hình 3.3 Mạ Gra lý t Giã Giã Sự Các Sơ Sơ Ốn Thi tron Thi khô làm Bìn kiể Ốn Buồ nhi Nh Phả Cấu Cấu Tươ Má trườ Kíc mỏ Các kết Các Hình 3.4 nhi anh Các Hình 1.3 Hình 1.4 Hình 1.5 Hình 1.6 Hình 1.7 Hình 2.1 Hình 2.2 Hình 2.3 a Hình 2.3 b Hình 2.4 Hình 2.5 Hình 2.6 Hình 2.7 Hình 2.8 Hình 2.9 Hình 2.10 Hình 2.11 Hình 2.12 Hình 3.1 Hình 3.2 Hình 3.5 Hình 3.6 nhi đ Các nhi đ Các anh Hình 3.7 Hình 3.8 Hình 3.9 Hình 3.10 Các Các Các nhi Hình 3.11 ơng nhi Hình 3.12 ơng nhi Hình 3.13 ơng Đồ nhậ Hình 3.15 Cấu với Mộ Hình 3.16 Mộ Hình 3.17 Mộ Hình 3.14 Hình 3.18 Hình 3.19 Hình 3.20 Mộ ngh Mộ CV Chỉ JAN học LỜI NÓI ĐẦU Graphite nhiệt phân tên quốc tế Pyrolytic Graphite, viết tắt PG Vật liệu PG có cấu trúc đặc biệt nên có số đặc tính dị hướng khác thường vật liệu quan trọng cơng nghiệp nói chung cơng nghiệp quốc phịng nói riêng Trong cơng nghiệp nói chung, PG khơng thể thiếu nhà máy hóa chất, nhà máy sản xuất Clor xút Chúng làm điện cực để điện phân 0 muối thu Clor xút Trong lò nhiệt độ cao từ 1600 C đến 3000 C chúng làm phản nhiệt cách nhiệt Khơng có phản nhiệt không đạt nhiệt độ 2000 C lị chân khơng PG sử dụng chế tạo lọc đơn sắc cho neutron nghiên cứu tán xạ Xray Graphite nhiệt phân có trật tự cao (HOPG) sử dụng yếu tố hòa tan quang phổ kế HOPG sử dụng cho quang phổ Xray Trong y học, PG dùng lớp phủ lên van tim khớp thay tiểu phẫu chỉnh hình Trong cơng nghiệp quốc phịng Tất loa động tên lửa từ loại tên lửa chống tăng đến tên lửa tầm xa phải dùng đến PG Nói xác hơn, khơng có PG khơng có sở hữu cơng nghệ tên lửa, dù tầm gần loại vác vai IGLA hay tên lửa vượt đại châu Đây loại vật liệu đặc biệt quan trọng công nghiệp chế o tạo thiết bị cơng nghệ cao (các loại lị 2000 C) công nghiệp sản xuất tên lửa nên liên quan trực tiếp đến quốc phịng nước Do thiết bị công nghệ chế tạo công nghệ tổng hợp PG Mỹ nước sở hữu tên lửa cấm chuyển giao tồn giới Chính vậy, việc nghiên cứu đề xuất cơng nghệ chế tạo PG luận văn bước tiến với khoa học kĩ thuật, cơng nghiệp quốc phịng nước ta Vấn đề đưa thực trước nước ta cơng trình [1,11] đề tài khảo sát thăm dò mà Luận văn đặt mục tiêu khảo sát rõ ảnh hưởng thông số nhiệt độ lên cấu trúc nano tinh thể PG dựa nghiên cứu có việc tổng hợp Graphite nhiệt phân (PG) phương pháp Lắng đọng pha hóa học (CVD) Việt Nam CHƯƠNG – PHẦN TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan vật liệu Graphite 1.1.1 Carbon Carbon nguyên tố hóa học bảng tuần hồn có ký hiệu C số ngun tử 6, nguyên tử khối 12 Là nguyên tố phi kim có hóa trị phổ biến, carbon có nhiều dạng thù hình khác nhau, phổ biến dạng thù hình gồm carbon vơ định hình, graphite kim cương Carbon nguyên tố đáng ý nhiều lý Các dạng khác bao gồm chất mềm (graphite) hai chất cứng (graphene kim cương) chất bán dẫn tốt nhất, silic (graphene) Ngồi ra, có lực lớn để tạo liên kết với cácnguyên tử nhỏ khác, bao gồm nguyên tử carbon khác, kích thước nhỏ làm cho có khả tạo liên kết phức tạp Vì thuộc tính này, carbon biết đến nguyên tố tạo cỡ 10 triệu loại hợp chất khác nhau, chiếm phần lớn hợp chất hóa học Các hợp chất carbon tạo tảng cho loại hình sống Trái Đất chu trình carbon-nitơ dự trữ tái cung cấp số lượng sản sinh từ Mặt Trời ngơi Carbon có điểm thăng hoa cao tất nguyên tố Trong điều kiện áp suất khí khơng có điểm nóng chảy điểm ba trạng thái 10,8 ± 0,2 MPa 4.600 ± 300K(~4.330 °C hay 7.820 °F),[5,10] nhiệt độ thăng hoa trường hợp vào khoảng 3.900 K [3,12] Carbon tồn sống hữu tảng hóa hữu Phi kim cịn có thuộc tính hóa học đáng ý có khả tự liên kết với liên kết với loạt nguyên tố khác, tạo gần 10 triệu hợp chất biết Khi liên kết với ơxy tạo carbon điơxít thiết yếu sinh trưởng thực vật Khi liên kết với hiđrơ, tạo loạt hợp chất gọi hiđrôcarbon quan trọng cơng nghiệp dạng nhiên liệu hóa thạch Khi liên kết với ơxy hiđrơ tạo nhiều nhóm hợp chất bao gồm axít béo, cần thiết cho sống, este, tạo hương vị nhiều loại hoa Carbon nguyên tố phổ biến thứ vũ trụ khối lượng sau hydro, heli, ôxy Carbon có nhiều Mặt Trời, sao, chổi bầu khí phần lớn hành tinh Một số thiên thạch chứa kim cương vi tinh thể, loại hình thành hệ Mặt Trời đĩa tiền hành tinh Các kim cương vi tinh thể tạo áp lực mạnh nhiệt độ cao nơi mà thiên thạch va chạm.[8] Có khoảng 10 triệu hợp chất khác carbon mà khoa học biết hàng nghìn số tối quan trọng cho q trình sống cho phản ứng sở hữu quan trọng kinh tế Trong tổ hợp với nguyên tố khác, carbon tìm thấy bầu khí Trái Đất hịa tan thực thể có d) Hình 3.16 Một số hình ảnh SEM mẫu thí nghiệm PG2 tổng hợp nhiệt độ phản ứng 950 C a) 42 b) c) 43 d) Hình 3.17 Một số hình ảnh SEM mẫu thí nghiệm PG3 tổng hợp nhiệt độ phản ứng 900 C CVD để tạo PG nhiệt độ 900 C cho ta thấy tạo thành PG theo chế Frank-Van der Merwe hình thành lớp chế Volmer-Weber hình thành đảo (island) chế Stranski - Krastanov kết hợp chế Nhiệt độ CVD Chiều dày PG Do thời gian tiến hành q trình CVD điều kiện thí nghiệm cịn hạn chế, chúng tơi có để đưa nhận xét khác cấu trúc vi mơ hình thành màng PG mẫu thí nghiệm nhiệt độ khác Như thấy hình, mẫu PG1 tổng hợp nhiệt độ 1000 C có kết tinh vật liệu rõ rệt ưu tiên phát triển tinh mầm theo số hướng định Mẫu PG2 có nhiệt độ tổng hợp 950 C có lượng PG kết tinh dễ dàng quan sát Trong mẫu PG3 tổng hợp nhiệt độ 900 C có tinh mầm vật liệu hình thành xuất rải rác bề mặt đế Từ hình ảnh khảo sát vi mơ nhận xét 0 nhiệt độ từ 950 C - 1000 C xuất trình kết tinh vật liệu PG bề mặt đế thạch anh Không vậy, quy luật tăng tốc độ kết tinh theo chiều tăng nhiệt độ CVD giải thích sau Khi nhiệt độ CVD tăng, khả nguyên tử H vòng benzene tách dễ dàng khả nguyên tử C đưa đôi điện tử dùng chung dễ dàng hơn, hạt PG có kích thước ban đầu cỡ kích thước mạng graphit dễ kết hợp với để tạo thành PG lớn Các PG ban đầu chuyển động liên tục dịng khí Ar Nhiệt độ CVD lớn 44 độ linh động lớn Dẫn đến việc xác suất tiếp xúc PG với kết tinh lớn Xác suất gặp nhiều dẫn đến PG ban đầu gắn lên bề mặt những PG ban đầu trước lớn Chính tăng nhiệt độ CVD dẫn đến việc Tăng tốc độ kết tinh PG hồn tồn xác Ngồi ra, chúng tơi cịn khảo sát cấu trúc vi mơ thêm mẫu PG thực trình CVD với điều kiện thí nghiệm giống với mẫu PG1 thời gian 100h để thấy rõ cấu trúc nano hình thành tinh mầm vật liệu Hình 3.18 Một số hình ảnh SEM mặt cắt lớp mẫu PG trải qua thí nghiệm CVD 100h Nguyên lý hình thành tinh mầm PG trình CVD giải thích sau: Khi benzene vào vùng nhiệt CVD, mạch vịng thơm benzen có hai q trình xảy đồng thời Quá trình tách nguyên tử hidro khỏi mạch vịng benzene q trình nguyên tử C đưa điện tử dùng chung để tạo thành mạng lục giác graphite Theo tác giả, khơng có q trình benzene phân hủy thành nguyên tử C riêng, lượng dùng để tách nguyên tử C khỏi lớn nhiều so với việc cần đưa điện tử dùng chung Tuy Ar biết đến chất khí trơ nhiệt độ thường nhiệt độ cao Ar có khả hoạt động hố học mạnh Tại nhiệt độ cỡ 1000 C lớp electron Ar trở nên linh động khiến Ar đưa điện tử dùng chung với C để tách nguyên tử H khỏi vòng benzen Những graphite giữ ngun dạng vịng lục giác trơi lơ lửng dịng khí Ar rơi xuống bề mặt đế xếp lên Hình 3.14 Hình 3.18 theo chế Frank-Van der Merwe hình thành lớp 45 a) b) 46 c) Nhiệt độ CVD cao trình xảy dễ dàng Buổi đầu hạt graphite nhỏ, cỡ vài ô mạng mạng tinh thể graphite Ta gọi hạt có kích thước nano Các hạt bám lên bề mặt có khả liên kết lại với và tạo thành hạt graphite có kích thước cỡ hàng chục hàng trăm nano mà d) 47 e) Hình 3.19 Một số hình ảnh SEM mẫu PG trải qua thí nghiệm CVD 100h Để minh chứng cho giả thiết việc hình thành tinh mầm PG có kích thước bé, cỡ vài ô mạng graphite, ta quan sát bề mặt PG hình Ta thấy có núm trịn trịn phủ bề mặt PG Các núm hình thành PG nhỏ kết thành dòng khí Ar trước bám lên mặt PG hình thành trước Sự hình thành đảo giải thích dựa chế Volmer- Weber hình thành đảo (island): PG sinh có xu hướng kết tinh nhiều bề mặt vị trí có trục ưu tiên trước Điều khiến cho số vị trí định bề mặt đế có lượng PG kết tinh nhiều hẳn nơi khác, tạo nên hình dạng đảo nhấp nhô bề mặt đế Sự phát triển thấy rõ Hình 3.15b, c Hình 3.16c, d Và với thời gian CVD đủ nhiều hình thành đảo Hình 3.19 Quan sát mặt cắt ngang PG cho thấy chúng có cấu trúc lớp Các lớp tạo thành từ nhứng nhỏ có kích thước hàng trăm nm Các hạt lớn lên nằm bám bề mặt lớp PG có trước Như tốc độ lớn lên PG phụ thuộc vào số lượng PG có kích thước ban đầu cỡ mạng Xác suất hình thành số lượng hạt PG ban đầu phụ thuộc vào nhiệt độ CVD Như vậy, đưa số kết luận sau - Nhiệt độ CVD lớn tốc độ kết tinh lớn Bản chất trình tăng tốc độ kết tinh tăng khả phân hủy H tăng khả kết nối nguyên tử C mạch benzene để tạo thành tinh mầm PG ban đầu có kích thước mạng tinh thể graphit 48 Tăng nhiệt độ kết tinh làm tăng xác suất va chạm tinh mầm PG ban đầu với khí Ar để tạo thành PG lớn Tăng nhiệt độ kết tinh làm tăng xác suất va chạm tinh mầm PG dịng khí Ar với lớp PG kết tinh lên thạch anh làm kết tinh 3.4 Tính chất điện Trong phần thực nghiệm tiến hành khảo sát ảnh hưởng nhiệt độ phản ứng tới tính chất điện vật liệu PG thu được, máy đo điện trở vng JANDEL AM3-AR Phịng thí nghiệm nano trường Đại học Công nghệ ĐHQGHN Mẫu PG sử dụng phép đo có dạng màng đế thạch anh kích thước 1x1 cm , độ dày đế d = ~ mm Các phép đo điện trở vuông thực giá trị dòng đo khác 1mA 10mA giá trị khoảng 20-21 Ω/□ Mẫu PG1 (1000 C) PG2 (950 C) PG3 (900 C) Những phép đo mẫu thí nghiệm khác cho giá trị xấp xỉ chứng tỏ mảng mỏng PG tạo qua trình CVD nhiệt độ khác có điện trở vuông gần theo tiêu chuẩn chung vật liệu a) b) 49 c) Hình 3.20 Chỉ số điện trở vng mẫu PG1,2,3 đo máy JANDEL AM3-AR Phịng thí nghiệm nano trường Đại học Cơng nghệ ĐHQGHN với dòng đo khác Sự khác biệt điện trở bề mặt mẫu giải thích sau: mẫu PG3 có tốc độ kết tinh chậm nên khuyết tật mạng bề mặt cịn nhiều dẫn đến việc mẫu có điện trở bề mặt cao hai mẫu PG1 PG2 kết tinh màng hoàn thiện Từ phép đo điện trở vng tính điện trở suất độ dẫn điện vật liệu nhận thấy độ dẫn vật liệu PG nhỏ vàng lại lớn so với chất bán dẫn, từ đưa vào ứng dụng sản phẩm công nghiệp 50 KẾT LUẬN Qua kết nghiên cứu công nghệ tổng hợp PG cấu trúc tinh thể nano chúng tính chất điện PG phụ thuộc vào nhiệt độ CVD chế tạo chúng Đã rút kết luận sau: Đã nghiên cứu công nghệ chế tạo màng PG có cấu trúc nano tinh thể thạch anh Dựa vào thông số công nghệ chế tạo PG chế tạo PG phủ lên chi tiết máy Fe Hoặc Ni làm việc điều kiện ăn mịn hố chất nhiệt độ đến 700 – 800 C Tinh thể PG có cấu trúc lớp dị hướng Đã nghiên cứu chế kết tinh tinh thể PG thạch anh nhiệt độ khác Đã nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ CVD lên tốc độ kết tinh PG Đã nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ CVD lên tính chất dẫn điện PG Việc tìm nhiệt độ phản ứng thích hợp để tổng hợp thành cơng PG có cấu trúc lớp xếp chặt giúp tiến gần tới việc chế tạo PG mật độ cao – thành phần thiếu lĩnh vực chế tạo tên lửa, điều có khả ảnh hưởng lớn đến lĩnh vực quân nước ta điều kiện bị nước xâm lược biển đảo KIẾN NGHỊ Việc nghiên cứu công nghệ chế tạo PG số tính chất bước đầu có khả phát triển tương lai Sau bảo vệ xong luận văn này, đồng ý thầy hội đồng cho phép em làm nghiên cứu sinh, em thực tiếp nội dung nghiên cứu luận án tiến sỹ sau: - Thiết kế chế tạo thiết bị nhiệt độ cao cao 2300 -3000 C Đây điều kiện tiên để đưa PG vào mục đích quân - Nghiên cứu tỷ lệ phối trộn chất mang C với chất xúc tác để tăng tốc độ kết tinh PG nhiệt độ 1000 C Nhằm mục đích đạt độ dày tối thiểu (Khoảng 10mm) để làm loa tên lửa - Nghiên cứu nhiệt luyện PG nhiệt độ cao 2300 C đạt tiêu chuẩn độ hoàn thiện mạng tinh thể để làm loa tên lửa - Nghiên cứu chế tạo loa tên lửa tầm thấp loại IGLA 51 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Trần Sỹ Kháng, Nghiên cứu thăm dị cơng nghệ chế tạo Pyrolytic Graphite làm e tên lửa tầm thấp, tên lửa chống tăng, Báo cáo tổng kết đề tài Trung tâm Công nghệ Tổng cục Công nghiệp Quốc phịng, tháng - 2006 Tiếng nước ngồi [2] Delhaes, P Graphite and Precursors CRC Press,2001 [3] Greenville Whittaker, A (1978) “The controversial carbon solid−liquid−vapour triple point” Nature 276(5689): 695–696 [4] Goodfellow Metals, Alloys, Compounds, Ceramics, Polymers, Composites Catalogues 1993/9 [5] Haaland, D (1976) “Graphite-liquid-vapor triple point pressure and the density of liquid carbon” Carbon 14: 357 [6] H G J Moseley (1913), The high frequency spectra of the elements, Phil Mag., p 1024 [7] Lipson, H.; Stokes, A R "A New Structure of Carbon" Nature , 1942,pp 328 [8] Mark, Kathleen (1987) Meteorite Craters University of Arizona Press [9] Patent US 4968527 A.Method for the manufacture of pyrolytic graphite with high crystallinity and electrodes with the same for rechargeable batteries [10] Savvatimskiy, A (2005) “Measurements of the melting point of graphite and the properties of liquid carbon (a review for 1963–2003)” Carbon 43: 1115 [11] Tran Sy Khang, Tran The Phuong, “A method for preparation of pyrolytic graphite with high crystallinity”, Tạp chí Khoa học Cơng nghệ, Viện HLKH&CN Việt Nam, 46 (1) (2008) 87-92 [12] Zazula, J M (1997) “On Graphite Transformations at High Temperature and Pressure Induced by Absorption of the LHC Beam” 52 PHỤ LỤC HÌNH ẢNH 53 54 55 PHỤ LỤC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC Trần Sĩ Trọng Khanh, Trần Thị Thao, Nguyễn Năng Định, "Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacborun từ nano SiO2," Tạp chí Khoa học Cơng nghệ, Viện HLKH&CN Việt Nam,53 (1) (2015) 96-104 56 ... Trần Sĩ Trọng Khanh NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ PHẢN ỨNG LÊN CẤU TRÚC NANO CỦA GRAPHITE NHIỆT PHÂN (PG) TỔNG HỢP BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD Chuyên ngành: Vật liệu linh kiện nano Mã số: Chuyên... buồng phản ứng CVD đế kết tinh đểa nận vật liệu PG Nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ phản ứng CVD đến chế kết tinh PG đế kết tinh cấu trúc tinh thể nano vật liệu graphite nhiệt phân (PG) Nghiên cứu. .. sát rõ ảnh hưởng thông số nhiệt độ lên cấu trúc nano tinh thể PG dựa nghiên cứu có việc tổng hợp Graphite nhiệt phân (PG) phương pháp Lắng đọng pha hóa học (CVD) Việt Nam CHƯƠNG – PHẦN TỔNG QUAN