TỪ TRƯỜNG CỦA VI CẤU TRÚC TỪ VỚI BIẾN THIÊN TỪ TRƯỜNG LỚN LUẬN VĂN THẠC SĨ ĐẠI HỌC QUỐC GIA HN

  ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ BÙI VIẾT CHUNG TỪ TRƯỜNG CỦA VI CẤU TRÚC TỪ VỚI BIẾN THIÊN TỪ TRƯỜNG LỚN LUẬN VĂN THẠC THẠC SĨ VẬ  VẬT LIỆU VÀ LINH VÀ LINH KIỆN NANO HÀ NỘI - 2016   ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ BÙI VIẾT CHUNG TỪ TRƯỜNG CỦA VI CẤU TRÚC TỪ VỚI BIẾN THIÊN TỪ TRƯỜNG LỚN     Chuyên ngành: ngành:Vật liệu linh kiện nano Mã số: Chuyên nghành đào tạo thí điểm LUẬN VĂN THẠC THẠC SĨ VẬ  VẬT LIỆU VÀ LINH VÀ LINH KIỆN NANO   Cán hướng dẫn: PGS TS Phạm Đức Thắng HÀ NỘI - 2016   LỜI CẢM ƠN Trước hết, tơi xin bày tỏ lịng kính trọng biết ơn sâu sắc hướng dẫn tận tình PGS TS Phạm Đức Thắng Thầy tạo điều kiện cho hoạt động nghiên cứu tơi q trình thực luận văn Tôi xin chân thành cảm ơn ThS Lê Việt Cường giúp đỡ có trao đổi nhiệt tình, xin cảm ơn CN Nguyễn Dỗn Thành, TS Bùi Đình Tú đồng nghiệp công tác Khoa Vật lý kỹ thuật Công nghệ nano, trường Đại học Công nghệ (Đại học Quốc gia Hà Nội) động viên hỗ trợ thời gian qua Tôi xin gửi lời cảm ơn tới Ban lãnh đạo đồng nghiệp trường THCS Nhân Chính, phường Nhân Chính, quận Thanh Xuân, Hà Nội nơi công tác Luận văn hoàn hoàn thành nh với với sự  sự  hỗ trợ môṭṭ phần phần từ đề tài 103.022015.80 Quỹ phát triển Khoa học Công nghệ Quốc gia Sau cùng, tơi muốn gửi tình cảm u thương s ự biết ơn tới bố, mẹ, tất người thân gia đình bạn bè cổ vũ, động viên để vượt qua khó khăn, hồn thành tốt nội dung nghiên cứu luận văn  Hà Nội, ngày 11 tháng 11 năm 2016  Bùi Viết Chung   LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận văn kết nghiên cứu thực Các kết nghiên cứu luận văn trung thực, tài liệu tham khảo trích dẫn đầy đủ  Hà Nội, ngày 11 tháng 11 năm 2016      Học viên Bùi Viết Chung   DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1. Đường 1. Đường cong từ trễ M(H) vật liệu sắt từ với lực kháng từ HC, độ từ dư MR , từ độ bão hịa MS Hình 2. Đường  Đường cong từ trễ vật liệu từ mềm vật liệu từ cứng 10 kì Hình 1. Từ  Từ trường dịng điện trịn bán kính R sinh điểm P bất 13 Hình 2 2. Từ  Từ trường cuộn dây sinh điểm P 16 Hình 3. Nam  Nam châm hình trụ có độ từ dư với n mơ-men từ lưỡng cực cực (a) dòng điện tương đương (b) 17 Hình 4. Nam  Nam châm hình hình trụ với vơ số phần tử từ (a) sơ đồ tính toán từ một phần tử từ sinh điểm điểm P (0; 0; z) (b) 20 Hình 5. Giao  Giao diện mơ-đun thiết kế (a) giao diện mơ-đun tính tốn (b) phần mềm MacMMems 6. Giao  Giao diện phần mềm mô Ansys Maxwell Hình 22 23 Hình 1. Cấu  Cấu hình 1×1 nam châm trụ vị trí tính toán từ trường,  biến thiên từ trường 26 2. Từ  Từ trường thành phần Bz được mô dọc theo đường Hình quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 27 Hình 3 3. Sự  Sự biến thiên thành phần ph ần từ trường Bz theo y (dBz/dy) mô dọc theo đường quét x 1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 30 4. Sự  Sự biến thiên thành phần từ trường B z theo z (dBz/dz) Hình mô dọc theo đường quét x 1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 31 Hình 5. Cấu  Cấu hình 2×2 nam châm vị trí tính tốn từ trường, biến thiên từ trường 32 6. Từ  Từ trường thành phần Bz được mơ dọc theo đường Hình quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 34 Hình 7. Sự  Sự biến thiên thành phần ph ần từ trường Bz theo y (dBz/dy) mô dọc theo đường quét x 1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 35   Hình 8. Sự 8. Sự biến thiên thành phần từ trường B z theo z (dBz/dz) mô dọc theo đường quét x 1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 36 Hình 9. Cấu  Cấu hình 3×3 nam châm vị trí tính tốn từ trường, biến thiên từ trường 37 Hình 10 10. Từ  Từ trường thành phần Bz được mơ dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 38 11.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo y (dBz/dy) Hình 11 mơ dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 39 Hình 12 12.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo z (dBz/dz) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 40 Hình 13 13. Cấu  Cấu hình 4×4 (a) 5×5 (b) nam châm vị trí tính tốn từ trường, biến thiên từ trường 41 Hình 14 14. Từ  Từ trường thành phần Bz được mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 42 Hình 15 15.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo y (dBz/dy) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 43 Hình 16 16.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo z (dBz/dz) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 44 Hình 17 Từ trường thành phần Bz được mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 45 Hình 18 18.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo y (dBz/dy) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 46 19.   Sự biến thiên thành phần từ trường Bz  theo z (dBz/dz) Hình 19 mơ dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 47 Hình 20 Cấu hình 1×1 nam châm vị trí khảo sát từ trường  phần mềm Ansys Maxwell 48   Hình 21. Thành 21. Thành phần từ trường Bz được mô điểm nằm trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (a), điểm nằm đường thẳng qua mép nam châm song song với trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (b), điểm nằm đường thẳng song song với trục nam châm cách trục nam châm khoảng 2R (c) 49 Hình 22 22. Khơng  Khơng gian từ trường sát bề mặt nam châm (a), mặt cắt không gian từ trường dọc theo khoảng cách d từ bề mặt nam châm (b) 53   MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Từ trường đại lượng 1.2 Các phương trình từ trường tĩnh 1.3 Phân loại số vật liệu từ 1.3.1 Vật liệu nghịch từ 1.3.2 Vật liệu thuận từ 1.4 Đường cong từ trễ 1.5 Mục tiêu luận văn 11 CHƯƠ CH ƯƠNG NG MƠ HÌNH HÌNH LÝ THUY THUYẾT ẾT VÀ PHẦN PHẦN MỀM MỀM MÔ MÔ PHỎ PHỎNG NG 2.1 Mơ hình lý thuyết 13 13 2.1.1 Mơ hình dịng tương đương 13 2.1.2 Mơ hình từ tích 18 2.2 Phần mềm mô 21 2.2.1 Phần mềm MacMMems 22 2.2.2 Phần mềm Ansys Maxwell 23 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 25 3.1 Kết khảo sát từ trường phần mềm MacMMems 25 3.1.1 Cấu hình 11 nam châm 25 3.1.2 Cấu hình 22 nam châm 32 3.1.3 Cấu hình 33 nam châm 37 3.1.4 Cấu hình 44 5×5 nam châm 41 a) Cấu hình 4×4 nam châm 41  b) Cấu hình 5×5 nam châm 45   3.2 So sánh từ trường biến thiên từ trường bề mặt số cấu hình nam châm mô phần mềm mô tính tốn lý thuyết 48 3.2.1 Cấu hình 11 nam châm 48 3.2.2 Cấu hình 22 nam châm 52 KẾT LUẬN TÀI LIỆU THAM KHẢO 55 56   MỞ ĐẦU  Nam châm từ trường thành phần quan trọng nhiều thiết  bị kỹ thuật Ngày nay, nam châm sử dụng nhiều động ô tô, đầu đọc ghi thông tin lĩnh vực máy tính Với phát triển công nghệ nano, nhu cầu nam châm mạnh tạo từ trường không đồng (biến thiên) lớn không gian nhỏ ngày nhiều Cho đến việc phân tách đối tượng từ tính phi từ tính truyền động sử dụng lực từ thông thường sử dụng từ trường tạo cuộn solenoid, nam châm điện nam châm siêu dẫn Gần đây, số nhóm nghiên cứu thành cơng việc sử dụng nam châm vĩnh cửu để tạo từ trường lớn thay nam châm truyền thống Từ trường lớn tạo phù hợp với đặc điểm dị hướng từ mạnh vật liệu sử dụng để làm nam châm vĩnh cửu, thường hợp chất vật liệu đất kim loại chuyển tiếp Tuy nhiên, từ trường đồng thuận lợi phân tách sử dụng từ tính địi hỏi nguồn từ trường có cường độ lớn biến thiên mạnh Bởi lực từ tác dụng lên đối tượng tỉ lệ thuận với độ cảm từ đối tượng, cảm ứng từ độ biến thiên cảm ứng từ Cụ thể, phần tử (đối tượng) từ tính đặt mơi trường từ không đồng chịu tác dụng lực từ cho công thức sau: với V  là   thể tích phần tử từ, ∆χ  từ,  ∆χ  là   chênh lệch độ thẩm từ phần tử từ ( χ   χ  p) môi trường ( χ   χ m), B ), B là  là độ lớn từ trường giá trị  ∆χ  mà  Nếu ∆χ mà  ∆χ phần> tử từ chịu củatác lựcđộng hút hay lựcTùy đẩythuộc từvào trường táccủa ∆χ  động Nếu phầntáctửdụng chịu lực hút bị hút vị trí có lực hút mạnh (thường cạnh nam châm), phần tử bị đẩy xa khỏi nguồn từ trường tới vị trí có lực đẩy nhỏ nếu ∆χ  nếu ∆χ  <  <  Ngoài ra, dung dịch nhỏ lên cấu trúc từ, c ác phần tử chịu tác động lực khác như: trọng lực ( F   F g), lực đẩy Archimedes ( F   F A), lực kéo dịng chất lỏng… phần tử thường có xu hướng di chuyển (magnetophoresis) tới vị trí ổn định nơi mà tổng lực tác động lên phần tử có xu hướng cân Việc tính tốn lực tác dụng lên phần tử từ cho phép xác định tiên đoán cách mà phần tử từ di chuyển 10   (a) (b) (c)  Hình 16  Hình 16  Sự biến thiên thành phần từ trường B z theo z (dB z /d  /dz) z) được mô phỏn phỏngg dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 51   b) Cấu hình 5×5 nam châm (a) (b) (c)  Hình  Hì nh 17 17 Từ trường thành phần B z được mô dọc theo đường quét x1 (a),  x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 52   (a) (b) (c)  Hình  Hì nh 18 18  Sự biến thiên thành phần từ trường B z theo y (dB z /d  /dy) y) được mô phỏn phỏngg dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 53   (a) (b) (c)  Hình  Hì nh 19 19  Sự biến thiên thành phần từ trường B z theo z (dB z /d  /dz) z) được mô phỏn phỏngg dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác 54   Các kết mô thu cho thấy, việc tăng số lượng nam châm mà khơng thay đổi thơng số hình dạng, kích thước thuộc tính từ nam châm góp phần giúp cho khơng gian từ trường xung quanh nam châm có thêm nhiều vùng từ trường biến thiên qua làm tăng thêm vị trí làm vị trí ổn định cho đối tượng từ tính không gian xung quanh nam châm 3.2 So sánh từ trường biến thiên từ trường bề mặt số cấu hình nam châm mơ phần mềm mơ tính tốn lý thuyết 3.2.1 Cấu hình 1 nam châm    Hình 20  Hình 20 Cấu hình 1×1 nam châm vị trí khảo sát từ trường phần mềm  Ansy  An syss Maxw Maxwel ell.l Trước hết, thực mô lại từ trường xung quanh cấu hình 11 nam châm hình trụ phần 3.1.1 phần mềm mô Ansys Maxwell sử dụng mơ hình từ tích Trong phần chúng tơi khảo sát thành phần từ trường Bz tại số điểm đặc trưng nằm trục nam châm ( x ( x =  = µm), nằm đường thẳng song song với trục nam châm mép nam châm (  x = x = 25 µm) nằm đường thẳng song song với trục nam châm, cách nam châm khoảng 2R (  x  x  = 50 µm) theo khoảng cách d   khác (hình 3.20) Kết thu được biểu diễn đồ thị hình 3.21 Đồ thị hình 3.21a cho thấy giá trị từ trường B trường  Bz tại điểm nằm trục nam châm giảm khoảng cách với bề mặt nam châm tăng Giá trị từ trường B trường  Bz tại điểm đường tiếp tuyến với nam châm song song với trục nam châm có điểm cực đại ( B  Bz max ~ 75 mT) độ cao ~ 2.5 µm so với bề mặt nam châm (hình 3.21b) Giá trị từ trường B trường Bz tại điểm đường 55   (a) (b) (c)  Hình 21  Hình 21  Thành phần từ trường B z được mơ điểm nằm trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (a), điểm nằm đường thẳng qua mép nam châm song song với trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (b), điểm nằm đường thẳng song song với trục nam châm cách trục nam châm khoảng 2R (c) 56   x = 50 µm tăng dần dải khoảng cách d  đang  đang xét Có thể thấy rằng, kết mơ thu phần hoàn toàn tương đồng với kết mơ vị trí tương đương cấu hình 1 nam châm phần 3.1.1  Bảng  Bảng 2. So 2. So sánh giá trị từ trường B z tính tốn mơ hình dịng mơ hình từ tích với giá trị B z mơ phần mềm số điểm nằm trục nam châm hình trụ dầy µm, đường kính 50 µm độ từ dư 1.2 T dọc theo trục nam châm d (µm)  Bz tính tốn lý thuyết (mT)  Bz mô phần mềm (mT) Mô hình từ tích MacMMems Mơ hình dịng Ansys Maxwell 117.66 117.66 117.53 111.85 10 20 85.43 49.15 85.43 49.15 85.45 49.15 81.00 46.42 Để so sánh kết mô thu với kết tính tốn lý thuyết  bằng mơ hình từ tích chúng tơi sử dụng cơng thức 2.31 để tính giá trị từ trường thành phần B phần  Bz tại số điểm nằm trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d  Áp dụng cơng thức vào cấu hình nam châm chúng tơi, với µ với µ M   0M  là  là cảm ứng từ dư BR   theo theo trục z nam châm, L chiều cao nam châm ( z   z  + 5) khoảng cách d  tính   tính từ mặt nam châm (vì mơ hình 3.20 gốc tọa độ O nằm tâm mặt nam châm) Như vậy, từ trường thành  phần B  phần  Bz tính số điểm nằm trục nam châm là: + d  =  = µm, tức z = µm: + d  =  = 10 µm, tức z = 15 µm: + d  =  = 20 µm, tức z = 25 µm: 57    Bảng 3. So  Bảng 3. So sánh giá trị B z tại số điểm bề mặt nam châm thu  phần  ph ần mềm mềm mô phỏn g Tọa độ x (µm) Độ cao d (µm) 0 25 50 Từ trường Bz (mT) Sai số (%) Ansys Ma Maxwell MacMMems 111.85 117.53 4.8 10 81.00 85.45 5.2 20 46.42 49.15 5.5 40 14.60 15.61 6.5 100 1.13 1.59 29 10 -99.69 30.71 68.43 32.60 245 5.8 20 19.76 20.49 3.5 40 8.03 9.00 10.7 100 0.94 1.36 30.8 -10.24 -10.06 1.7 10 20 -6.75 -2.50 -6.31 -1.99 6.9 25.6 40 0.87 1.47 40.8 100 0.43 0.87 50.5  Như vậy, thấy kết tính tốn hồn tồn phù hợp với kết tính tốn mơ hình dịng tương đương kết mô  phần mềm MacMMems (bảng 3.2) Từ bảng 3.2 thấy kết mô phần mềm Ansys Maxwell sai số trung bình khoảng 5.9% trừ số vị trí đặc biệt so 58   với kết mô phần mềm MacMMems kết tính từ mơ hình lý thuyết Sự sai khác khơng việc quy định thuộc tính vật lý cho nam châm phần mềm chưa thực xác, khoảng chia lưới phần mềm chưa phù hợp tốt Bảng 3.3 cho thấy hầu hết giá trị  Bz  thu phần mềm mô sai khác trung bình 5.9% Điều cho thấy phần mềm có sai khác định phù hợp với thực tế phần mềm mô  phỏng xây dựng mơ hình lý thuyết khác Tuy nhiên sai khác hồn tồn thu hẹp lại cách điều chỉnh thông số tính tốn phù hợp cho q trình mơ Như nhờ có phần mềm mơ giá trị tính tốn lý thuyết hồn thể xác định từ trường, biến thiên từ trường nam châm sinh điểm xác định với độ xác cao 3.2.2 Cấu hình 2 nam châm   Tiếp theo sử dụng phần mềm mô Ansys Maxwell để mô  phỏng từ trường không gian xung quanh cấu hình 2×2 nam châm phần 3.1.2 Các kết thu được thể dạng hình ảnh 3D hình 3.22 Hình 3.22a mơ khơng gian từ trường sát bề mặt nam châm (khoảng cách d  =   = µm) Hình 3.22b mơ mắt cắt không gian từ trường theo mặt phẳng Oyz Từ hình ảnh thu được, thấy từ trường chủ yếu tập trung mép nam châm nhanh chóng suy giảm xa nam châm theo hướng Trong không gian xung quanh nam châm (d  ( d  =  = µm) tồn vùng từ trường ổn định ( B ( Bz ~ T) khu vực bốn nam châm, phù hợp với thực tế đường sức từ đường cong khép kín sát châm nên thu được, đườngchúng sức thểgiá trị xa mép nam châm Từ bề cácmặt kết nam mô không rút từ trường B trường  Bz tại số điểm cấu hình để so sánh với kết tương ứng phần 3.1.2 Kết so sánh trình bày bảng 3.3 cho thấy phù hợp kết mô hai phần mềm 59   (a) (b)  Hình 22  Hình 22. Khơng gian từ trường sát bề mặt nam châm (a), mặt cắt không gian từ trường dọc theo khoảng cách d từ bề mặt nam châm (b)  Bảng 4. So  Bảng 4. So sánh giá trị B z tại số điểm bề mặt nam châm cấu hình 2×2 nam châm thu phần mềm mô 60   Từ trường B trường Bz (mT) Tọa độ  x   (µm) 25 50 Độ cao d   (µm) Ansys Maxwell Sai số (%) MacMMems 108.27 115.18 10 78.97 83.27 5.2 20 45.04 47.30 4.8 40 13.75 14.63 6.1 100 1.38 1.97 30 -109.07 64.51 170 10 29.08 29.11 0.1 20 17.22 17.84 3.5 40 7.31 8.08 9.5 100 1.41 2.02 30.1 -21.34 -21.54 0.93 10 -13.92 -13.96 0.3 20 -5.27 -5.14 2.5 40 1.57 2.27 30.9 100 1.29 1.97 4.6 KẾT LUẬN 61   Trong luận văn thu số kết nghiên cứu cứu sau: - Nghiên cứu mơ hình lý thuyết dịng tương đương mơ hình từ tích để tính tốn từ trường bề mặt vật liệu từ nghiên cứu phần mềm mô  phỏng từ trường tương ứng - Mô phân bố từ trường bề mặt nam châm từ cứng dạng trụ NdFeB có cấu trúc micro-nano, khảo sát ảnh hưởng số lượng vi nam châm, so sánh kết mô sử dụng mơ kiểm tra việc tính toán lý thuyết - Khi tăng số lượng nam châm có thêm vùng từ trường biến thiên với giá trị cực tiểu giảm giá trị cực đại thay đổi, giúp cho  biến thiên từ trường, cụ thể số s ố hạng h ạng (trong cơng thức tính lực từ) tăng lên Kết nghiên cứu cho thấy đạt giá trị ~ 6×105  T2/m vị trí sát mép vi nam châm Thành phần  Bz của từ trường biến thiên z thành phần theo phương song song với bề mặt nam châm ( (dB dB /dy dy) mạnh độ cao cách bề mặt nam châm (d  ( d ) lớn, biến thiên của B  B) zgiảm  theo  phương vng góc với bề mặt nam châm (dBz/dz) dz) thay đổi độ cao d   khác Như việc tăng số lượng nam châm cho phép thành phần lực từ tạo theo phương vng góc với bề mặt nam châm trì độ cao cách bề mặt nam châm lớn, điều kiện cần để hút đẩy đối tượng từ tính đối tượng xa bề mặt nam châm 62   TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Nguyễn Ph Phú Th Thùy, Vật lý tượng từ , NXB Đại học Quốc gia Hà  Nội, 2003 [2] [2] Thân Thân Đức Đức Hiề Hiền, n, Lưu Lưu Tuấ Tuấnn Tài Tài,, Từ học vật liệu từ, NXB từ, NXB Đại học Bách khoa Hà Nội, 2006 Tiếng Anh [3] Hadjipanayi panayis, s, “High “Hig h coerci coe rcivit vityy of Alnico Aln ico O Akdogan , W Li and G Hadji thin films: effect of Si substrate and the emergence of a novel magnetic phase”,  Journal of Nanoparticle Research, Research, Vol 14, 2012, pp 891 [4] G Allae Allaedin dinil, il, S S M Tasir Tasirinl inl,, P Amina Aminayi, yi, “Mag “Magnet netic ic propert properties ies of coba cobalt lt ferrite synthesized by hydrothermal method”, Int method”, Int Nano Lett , Vol 5, 2015,  pp 183–186 [5] H Alla Allag, g, J Yonn Yonnet, et, M E H Latre Latreche che,, H Bouch Boucheka ekara, ra, “Cou “Coulom lombia biann model for 3D analytical calculation of the torque exerted on cuboidal  permanent magnets with arbitrarly oriented polarizations”, International polarizations”,  International Conference on Linear Drives for Industry Applications, Applications, Vol 8, 2011, pp 102-108 102-108 [6] L Castaldi, H A Davies, M R J Gibbs, “Growth and characterization of NdFeB thin films” , Journal of Magnetism and  Magnetic Materials, Materials, Vol 242-245, 2002, pp 1284-1286 [7] O Chadebec, J L Coulomb, F Janet, “A review of magnetostatic moment method”, IEEE Transactions on magnetics, Vol magnetics, Vol 42, 2006, pp 515-520 [8] S Chigirinsky, M Kustov, N Dempsey, C Ndao and R Grechishkin, “Calculations and measurements of the magnetic field of patterned permanent magnetic films for lab on chip applications”, Rev Adv Mater Sci., Sci., Vol 20, 2009, pp 85-91 [9] J A.  Christodoulides, Christodoulides,   Y Zhang, G C Hadjipanayis, I Panagiotopoulos and D Niarchos, “CoPt and FePt Thin Films For High Density Record 63   Media” ,   ,  NATO Advanced Research Workshop on Nanostructured Films and Coatings, Coatings, Series 3, Vol 78, 2004, pp 1326-1348 [10]  A Itabashi, M Ohtake, S Ouchi, F Kirino and M Futamoto, “FePd, FePt, and CoPt alloy epitaxial thin films with flat surface grown on MgO(111) substrate”, EPJ Web of Conferences, Vol 75, 2014, pp 6008 [11] [11 ] S Jeong, Jeong, Y Hsu, D D E Laughli Laughlin, n, and M M E McHenry McHenry,, “Magnetic “Magnetic Properties of Nanostructured CoPt and FePt Thin Films” , IEEE Transactions On Magnetic, Magnetic, Vol 36, 2000, pp 2336-2338 [12] A L Gassner, Gassner, M M Abonnenc, Abonnenc, H X X Chen, J J Morandini, Morandini, J J Josserand, Josserand, J S Rossier, J M Busnel and H H Girault, “Magnetic forces produced by rectangular permanent magnets in static microsystem”, Lab microsystem”,  Lab Chip, Chip, Vol 9, 2009, pp 2356-2363 [13] T Mikolanda Mikolanda,, M Kosek, Kosek, A Richter, Richter, “3D “3D magnetic magnetic field field measuremen measurement,t, th visulisation and modeling”, of the 7    International Conference,, Slovakia, Conference 2009, pp  Proceeding 306-309 [14] F Mohseni, Mohseni, M J Pereira, Pereira, N M Fortunato, Fortunato, J S S Amaral, Amaral, “Magnetic “Magnetic and and morphologic properties of Alnico-based rare-earth free permanent magnets”, Journal magnets”,  Journal of Physics D: Applied Physics, Vol 46, 2013, pp 23 [15] V Neu, Neu, S Melcher, Melcher, U Hannemann, Hannemann, S Fähler Fähler and L Schultz, Schultz, “Growth, “Growth, microstructure and magnetic properties of highly textured and highly coercive Nd-Fe-B films”, Phys films”, Phys Rev, Rev, Vol 70, 2009, pp 144418 [16] D Pătroi, Pătroi, M M M Codescu, Codescu, E A A Pătroi, Pătroi, V Marines Marinescu cu , “Structural and magnetic behaviour of DC sputtered Alnico type thin films”, Optoelectronics and Advanced Materials – Rapid Communications, Vol Communications, Vol 5, 2011, p 1130-1133 [17] H L Rakotoarison, J P Yonnet, “Using Coulombian Approach for Modeling Scalar Potential and Magnetic Field of a Permanent Magnet With Radial Polarization’’,  IEEE Transactions On Magnetics, Magnetics, Vol 43, 2007, pp 1261-1264 [18] R Ravaud and G Lemarquand, Lemarquand, “Synthesis “Synthesis about Analytical Analytical Approaches Approaches for Calculating the Magnetic Field Produced by Permanent Magnets of Various Topologies”,  PIERS Proceedings, Cambridge,  Cambridge,  Vol 11, 2010,  pp.281-297 64   [19] R Ravaud Ravaud and and G Lemarquand, Lemarquand, “Magnetic “Magnetic field field produced produced by a  parallelepipedic magnet of various and uniform polarization” ,   ,  Progress Progress In  Electromagnetics Research, Vol Vol.  98, 2009, pp 207-219 [20] I B Roth, Roth, “Charac “Characteriza terization tion and and use of of permanent permanent magnets magnets with with extremely strong field gradients” , Master thesis, thesis, Department of Physics University of Oslo, 2009, pp 125 [21] K E B Serrona, A Sugimura, R Fujisaki, T Okuda, N Adachi, H Ohsato, I Sakamoto, A Nakanishi, M Motokawa, “Magnetic and structural properties of NdFeB thin film prepared by step annealing”,  annealing”,   Materials Science and Engineering Vol 97, 2003, pp 59-63 [22] K E B Serrona, Serrona, A A Sugimura, Sugimura, N Adachi, Adachi, T Okuda, Okuda, H Ohsato, Ohsato, and I Sakamoto, “Structure and magnetic properties of high coercive NdFeB films with a perpendicular anisotropy”,  Appl Phys Lett Vol Vol.  82, 2003,  pp.1751 [23]  Nanoparticles”, A B Shinde, Shinde, (IJITEE) “Struct “Structural ural and an,dVol Electrical Elect Pr operties es of Cobalt Cobalt Ferrite Ferrite ISSN  3, rical 2013,Properti pp 2278-3075 [24] P D Thang, G Rijnders, D H A Blank, “Stress-induced magnetic anisotropy of CoFe2O4 thin films using pulsed laser deposition”, Journal deposition”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol 310, 2007, pp 2621-2623 Buc, P Boolchand, Boolchand, “Magnetic properties [25] [25] P Vais Vaishn hnav avaa, U Senaratne, E Buc,  of cobalt-ferrite nanoparticles embeddedin polystyrene resin”, Journal resin”, Journal Of  Applied Physics Vol 99, 2006, pp.702-708 [26] A Walther, Walther, C C Marcoux, Marcoux, B Desloges Desloges,, R Grechishk Grechishkin, in, D Givord, Givord, N N M Dempsey,  “Micro-patterning of NdFeB and SmCo magnet films for Dempsey,  integration into micro-electro-mechanical-systems”,  Journal of  Magnetism and Magnetic Materials Materials, Vol 321, 2009, pp 590-594 65 ...  ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ BÙI VI? ??T CHUNG TỪ TRƯỜNG CỦA VI CẤU TRÚC TỪ VỚI BIẾN THIÊN TỪ TRƯỜNG LỚN     Chuyên ngành: ngành:Vật liệu... liệu từ cấu trúc từ Bằng vi? ??c sử dụng vật liệu từ có kích thước, hình dạng, trật tự tính chất từ phù hợp, tạo khơng gian có cường độ từ trường lớn biến thiên từ trường mạnh qua tác dụng lực lớn. .. trường biến thiên từ trường tăng gấp đôi so với vị trí tương ứng cấu hình 1×1 nam châm Khơng gian từ trường xung quanh cấu hình 2×2 nam châm xuất nhiều vùng biến thiên từ trường so với cấu hình