Nghiên cứu chế tạo màng mỏng oxit từ các chất có khả năng thăng hoa

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN HOÀNG LÊ NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG OXIT TỪ CÁC PHỨC CHẤT CÓ KHẢ NĂNG THĂNG HOA LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2013 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - Nguyễn Hoàng Lê NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG OXIT TỪ CÁC PHỨC CHẤT CĨ KHẢ NĂNG THĂNG HOA Chun ngành: Hóa vơ Mã số: 60440113 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS Triệu Thị Nguyệt Hà Nội - 2013 LỜI CẢM ƠN Luận văn thực hồn thành mơn Hóa vơ cơ, khoa Hóa học trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội Em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS TS Triệu Thị Nguyệt đề xuất ý tưởng nghiên cứu, tận tình hướng dẫn giúp đỡ em hồn thành nội dung luận văn Em xin chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu, Phòng Sau Đại Học, khoa Hóa học, tập thể thầy cô giáo cán Bộ môn Hóa vơ – khoa Hóa học, trường Đại học Khoa học Tự Nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội tạo điều kiện thuận lợi cho em suốt trình học tập, nghiên cứu thực luận văn Em xin chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu, Ban Chủ Nhiệm Khoa bạn, anh chị em nhóm Phức chất phòng Hóa sinh vơ ủng hộ tạo điều kiện thuận lợi cho em hoàn thành nội dung luận văn Đặc biệt em xin cảm ơn NCS Nguyễn Mạnh Hùng quan tâm, bảo giúp đỡ em suốt q trình thực thí nghiệm để em đạt kết luận văn Cuối cùng, em xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới Giáo sư, Nhà Khoa học đọc góp nhiều ý kiến quý báu trình em hồn thiện luận văn DANH MỤC CÁC BẢNG TRONG LUẬN VĂN Bảng 3.1: Hàm lượng kim loại phức chất Bảng3.2: Các dải hấp thụ đặc trưng phổ hấp thụ hồng ngoạicủa phức chất vàphối tử Bảng 3.3: Kết phân tích nhiệt phức chất Bảng 3.4: Kết khảo sát khả thăng hoa phức chất DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ TRONG LUẬN VĂN Hình 1.1: Sơ đồ làm việc kính hiển vi điện tử qt Hình 1.2: Sơ đồ khối hệ đo huỳnh quang thơng thường Hình 1.3: Sơ đồ cấu tạo chung máy UV – Vis Hình 1.4: Hướng chiều tác dụng hiệu ứng Hall Hình 1.5: Nguyên lý hoạt động máy đo hiệu ứng Hall Hình 1.6: Các bước phương pháp CVD Hình 2.1: Sơ đồ thiết bị thăng hoa chân khơng Hình 3.1: Phổ hấp thụ hồng ngoại axetylaxeton Hình 3.2: Phổ hấp thụ hồng ngoại HPiv Hình 3.3: Phổ hấp thụ hồng ngoại Cu(acac)2 Hình 3.4: Phổ hấp thụ hồng ngoại Cu(Piv)2 Hình 3.5: Phổ hấp thụ hồng ngoại Zn(acac)2.H2O Hình 3.6: Phổ hấp thụ hồng ngoại Zn(Piv)2 Hình 3.7: Giản đồ phân tích nhiệt đồng (II) axetylaxetonat Hình 3.8: Giản đồ phân tích nhiệt đồng (II) pivalat Hình 3.9: Giản đồ phân tích nhiệt kẽm axetylaxetonat Hình 3.10: Giản đồ phân tích nhiệt kẽm pivalat Hình 3.11: Sơ đồ thiết bị chế tạo màng mỏng phương pháp CVD Hình 3.12: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 350oC từ Zn(Piv)2 Hình 3.13: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 400oC từ Zn(Piv)2 Hình 3.14: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 450oC từ Zn(Piv)2 Hình 3.15: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 500oC từ Zn(Piv)2 Hình 3.16: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 550oC từ Zn(Piv)2 Hình 3.17: Ảnh SEM màng 450oC từ tiền chất Zn(Piv)2 Hình 3.18: Ảnh SEM màng 500oC từ tiền chất Zn(Piv)2 Hình 3.19: Ảnh SEM màng 550oC từ tiền chất Zn(Piv)2 Hình 3.20: Phổ truyền qua màng ZnO nhiệt độ 400 - 550oC từ tiền chất Zn(Piv)2 Hình 3.21: Phổ PL màng ZnO nhiệt độ 400 - 550oC từ tiền chất Zn(Piv)2 Hình 3.22: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 250oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.23: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 300oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.24: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 350oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.25: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 400oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.26: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 450oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.27: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng ZnO tạo thành 500oC từ Zn(acac)2.H2O Hình 3.28: Ảnh SEM màng 250oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.29: Ảnh SEM màng 300oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.30: Ảnh SEM màng 350oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.31: Ảnh SEM màng 400oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình3.32: Ảnh SEM màng 450oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.33: Ảnh SEM màng 500oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.34: Phổ truyền qua màng ZnO nhiệt độ 250 - 500oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.35: Phổ PL màng nhiệt độ 250 - 500oC Hình 3.36: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 240oC từ Cu(acac)2 Hình 3.37: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 280oC từ Cu(acac)2 Hình 3.38: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 320oC từ Cu(acac)2 Hình 3.39: Ảnh SEM màng 240oC từ Cu(acac)2 Hình 3.40: Ảnh SEM màng 280oC từ Cu(acac)2 Hình 3.41: Ảnh SEM màng 320oC từ Cu(acac)2 Hình 3.42: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng kép ZnO-Cu2O Hình 3.43: Ảnh SEM màng kép ZnO-Cu2O 280oC Hình 3.44: Phổ truyền qua màng kép ZnO-Cu2O DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT TRONG LUẬN VĂN Hacac: axetylaxeton Hpiv: axit pivalic SEM: Scanning Electron Microscopy (Kính hiển vi điện tử quét) XRD: X-ray diffraction (Nhiễu xạ tia X) Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG – TỔNG QUAN 1.1 Khả tạo phức ion kim loại 1.1.1 Khả tạo phức ion Cu2+ 1.1.2 Khả tạo phức ion Zn2+ 1.2 β-đixeton β-đixetonat kim loại 1.2.1 Đặc điểm cấu tạo khả tạo phức β-đixeton 1.2.2 Ứng dụng β-đixetonat kim loại 1.3 Axit Cacboxylic Cacboxylat kim loại 11 1.4 Các phương pháp hóa lý nghiên cứu phức chất màng mỏng 13 1.4.1 Phương pháp phổ hấp thụ hồng ngoại 13 1.4.2 Phương pháp phân tích nhiệt 15 1.4.3 Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD) 16 1.4.4 Kính hiển vi điện tử quét (Scanning Electron Microscope - SEM) 17 1.4.5 Phương pháp phổ phát quang 18 1.4.6 Phương pháp phổ tử ngoại khả kiến (UV - Vis) 20 1.4.7 Phương pháp đo hiệu ứng Hall 21 1.5 Phương pháp lắng đọng hóa học (CVD) 23 1.5.1 Giới thiệu chung phương pháp CVD 23 1.5.2 Chế tạo màng mỏng phương pháp lắng đọng hóa học từ tiền chất hợp chất kim (Phương pháp MOCVD) 25 CHƯƠNG – ĐỐI TƯỢNG, MỤC ĐÍCH VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 26 2.1 Đối tượng nghiên cứu 26 2.1.1 Axetylaxeton 26 2.1.2 Axit Pivalic 26 Nguyễn Hoàng Lê Lớp CH - K22 Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ 2.2 Mục đích, nội dung nghiên cứu 27 2.3 Các phương pháp nghiên cứu 27 2.3.1 Phương pháp xác định hàm lượng ion kim loại phức chất 27 2.3.2 Phương pháp thăng hoa phức chất chân không 28 2.3.3 Phương pháp phổ hấp thụ hồng ngoại 29 2.3.4 Phương pháp phân tích nhiệt 30 2.3.5 Giản đồ nhiễu xạ tia X 30 2.3.6 Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) 30 2.3.7 Phổ tử ngoại – khả kiến (UV – Vis) 30 2.3.8 Phổ huỳnh quang 30 2.3.9 Đo hiệu ứng Hall 30 CHƯƠNG – THỰC NGHIỆM, KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 32 3.1 Dụng cụ hóa chất 32 3.1.1 Dụng cụ 32 3.1.2 Hóa chất 32 3.1.3 Chuẩn bị hóa chất 33 3.2 Tổng hợp phức chất 34 3.2.1 Tổng hợp axetylaxetonat Cu2+ 34 3.2.2 Tổng hợp axetylaxetonat Zn2+ 35 3.2.3 Tổng hợp pivalat Cu2+ Zn2+ 35 3.3 Kết thảo luận 36 3.3.1 Xác định hàm lượng kim loại sản phẩm 36 3.3.2.Nghiên cứu phức chất phương pháp phổ hấp thụ hồng ngoại 36 3.3.3 Nghiên cứu phức chất phương pháp phân tích nhiệt 42 3.3.4 Khảo sát khả thăng hoa phức chất 46 3.3.5.Chế tạo màng mỏng đồng (I) oxit từ đồng (II) axetylaxetonat kẽm oxit từ kẽm axetylaxetonat kẽm pivalat phương pháp CVD 48 3.3.5.1 Quy trình chế tạo màng mỏng oxit phương pháp CVD 48 3.3.5.2 Nghiên cứu chế tạo màng ZnO từ tiền chất Zn(Piv)2 49 Nguyễn Hoàng Lê Lớp CH - K22 Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Hình 3.31: Ảnh SEM màng 400oCtừ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.32: Ảnh SEM màng 450oCtừ tiền chất Zn(acac)2.H2O Hình 3.33: Ảnh SEM màng 500oCtừ tiền chất Zn(acac)2.H2O Từ 400 - 500oC, ảnh SEM màng ZnO cho thấy bề mặt màng đồng đều, hạt có hình dạng xác định, biên hạt rõ ràng Các hạt xếp tương đối khít, khơng có nhiều khoảng trống, định hướng tốt khơng gian Nghiên cứu tính chất quang màng Để khảo sát tính chất quang màng ghi phổ truyền qua màng nhiệt độ 250 - 500oC Kết đưa hình 3.34 Nguyễn Hồng Lê K22 62 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Hình 3.34: Phổ truyền qua màng ZnO nhiệt độ 250 - 500oCtừ tiền chất Zn(acac)2.H2O Quan sát phổ truyền qua thấy màng có độ truyền qua cao vùng khả kiến (73 – 99%) Kết hứa hẹn ứng dụng màng vật liệu suốt sử dụng pin mặt trời, màng ITO sử dụng màng oxit dẫn điện suốt TCO Chúng tiến hành nghiên cứu chất lượng màng dựa vào phổ huỳnh quang màng Phổ huỳnh quang màng trình bày hình 3.35 Hình 3.35: Phổ PL màng ZnO nhiệt độ 250 - 500oC Nguyễn Hoàng Lê K22 63 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ môn Hóa vơ Màng ZnO chế tạo 400oC khơng quan sát thấy đỉnh phát xạ, màng chế tạo nhiệt độ khác xuất pic bước sóng ~378nm với cường độ khác nhau, màng ZnO 500oC có cường độ phát xạ tốt Phổ huỳnh quang có pic chứng tỏ màng có chất lượng tốt, cấu trúc đồng có khuyết tật mặt cấu trúc Phát quang bước sóng ~378nm nhiệt độ phòng hứa hẹn ứng dụng màng ZnO sử dụng làm diod phát quang (LED) Kết luận:Dựa vào kết XRD, SEM, phổ UV-vis phổ PL đưa kết luận rằng: màng ZnO chế tạo 500oC từ tiền chất Zn(acac)2.H2Ocó chất lượng tốt nhất: bề mặt đồng đều, truyền qua tốt 3.3.5.4.Nghiên cứu chế tạo màng Cu2O từ tiền chất Cu(acac)2 Trên sở kết nghiên cứu TS Nguyễn Thị Lụa [4], chọn điều kiện tạo màng sau: trì nhiệt độ thuyền đựng chất khoảng 140oC – 160oC, nhiệt độ đế từ 240oC – 320oC, bước nhảy 40oC.Do điều kiện thời gian có hạn nên chúng tơi tập trung vào mục đíchchế tạo màng Cu2O để phủ lên ZnO cho nghiên cứu ứng dụng sau Vì chúng tơi chỉsử dụng phương pháp XRD SEM để nghiên cứu thành phần pha hình thái màng sản phẩm Các giản đồ nhiễu xạ tia X ảnh SEM màng nhiệt độ khác trình bày hình 3.36 – 3.41 Nguyễn Hồng Lê K22 64 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ môn Hóa vơ Hình 3.36: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 240oC từ Cu(acac)2 Hình 3.37: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 280oC từ Cu(acac)2 Nguyễn Hoàng Lê K22 65 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Hình 3.38: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng Cu2O tạo thành 320oC từ Cu(acac)2 Trên giản đồ XRD xuất pic nhiễu xạ tương ứng với phổ chuẩn Cu2O, khơng có pic tạp chứng tỏ có pha đồng (I) oxit hình thành đế Hình 3.39: Ảnh SEM màng 240oCtừ Cu(acac)2 Nguyễn Hoàng Lê K22 66 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Hình 3.40: Ảnh SEM màng 280oCtừ Cu(acac)2 Hình 3.41: Ảnh SEM màng 320oCtừ Cu(acac)2 Ảnh SEM cho thấy 300oC, bề mặt màng đồng đều, tinh thể xếp tương đối khít, nhiệt độ 300oC, tinh thể có xu hướng kết đám, tượng tốc độ hình thành tinh thể đế chậm tốc độ thăng hoa phức chất thuyền 3.3.5.5 Chế tạo màng kép ZnO-Cu2Obằng phương pháp CVD Để tạo màng kép ZnO-Cu2O, trước hết lắng đọng ZnO đế thủy tinh 500oC từ chất đầu kẽm pivalat, sau phủ màng Cu2O chế tạo từ đồng (II) axetylaxetonat 280oC, điều kiện khác thực điều kiện chế tạo màng ZnO Cu2O tương ứng Nghiên cứu thành phần pha hình thái bề mặt màng Nguyễn Hoàng Lê K22 67 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Hình 3.42: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng kép ZnO-Cu2O Hình 3.42 giản đồ nhiễu xạ tia X màng kép ZnO – Cu2O.Giản đồ nhiễu xạ tia X cho thấy thành phần màng gồm có hai pha tinh thể ZnO Cu2O Trên giản đồ nhiễu xạ tia X, pic ứng với họ mặt (002) có cường độ mạnh đặc trưng cho cấu trúc vuazit ZnO, cho thấy tinh thể ZnO có định hướng ưu tiên theo trục c (trục trực giao với bề mặt đế) Còn pic có cường độ mạnh Cu2O ứng với họ mặt(111) Như mạng tinh thể Cu2O có định hướng ưu tiên (111) ZnO (002) Hình 3.43: Ảnh SEM màng kép ZnO-Cu2O 280oC Nguyễn Hoàng Lê K22 68 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ Mặc dù ảnh SEM không cho thấy độ dày phân tách hai màng, so sánh với màng Cu2O lắng đọng đế thủy tinh rõ ràng có khác biệt hình thái phát triển tinh thể đồng (I) oxit Theo tác giả [28], có mọc ghép mạng tinh thể Cu2O mạng lưới tinh thể vuazit ZnO, hai chất khác hình thành mạng lưới tinh thể trùng khớp tuần hoàn cách thuận lợi bề mặt hai lớp vật liệu Nghiên cứu tính chất quang màng Để khảo sát tính chất quang màng ghi phổ truyền qua màng Kết đưa hình 3.44 Hình 3.44: Phổ truyền qua màng kép ZnO-Cu2O Phổ truyền qua màng kép cho thấy:mặc dù so với màng đơn ZnO, khả truyền qua màng kép giảm rõ rệtdo độ dày màng tăng lên đáng kể phủ thêm lớp màng đồng (I) oxit Tuy nhiên màng kép sản phẩm có độ truyền qua tốt vùng khả kiến (trên 65%) Nhờkhảnăng truyền qua cao nên màng kép ZnO-Cu2O thường sử dụng nhiều để làm lớp chuyển tiếp dị thể dùng pin mặt trời hay vật liệu bán dẫn Nghiên cứu tính chất điện màng Để nghiên cứu tính chất điện màng, chúng tơi đo hiệu ứng Hall màng Kết cho thấy: màng Cu2O phủ đế ZnO có chiều dày gần 0.3nm, điện Nguyễn Hoàng Lê K22 69 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ trở xuất 3,074x103Ωcm, nồng độ hạt tải màng 2,254x1013 hạt/cm3 với độ linh động vào khoảng 90 cm2/Vs.Điều cho thấy màng oxit với cấu trúc mọc ghép dị thể chế tạo 280oC có độ dẫn tốt với điện trở xuất thấp độ linh động lớn Kết cho thấy khả ứng dụng màng kép ZnO – Cu2O việc chế tạo pin mặt trời Tóm lại, từ tiền chất Cu(acac)2, Zn(acac)2.H2O Zn(Piv)2 chế tạo màng mỏng oxit Cu2O, ZnO ZnO – Cu2O phương pháp CVD Bằng phương pháp nhiễu xạ tia X SEM nghiên cứu thành phần hình thái bề mặt màng Bằng phương pháp phổ UV-vis phổ phát quang nghiên cứu tính chất quang màng Các màng mỏng oxit bán dẫn màng kép có cấu trúc mọc ghép dị thể thường ứng dụng việc chế tạo đi-ốt chỉnh lưu, đi-ốt vi sóng, đi-ốt phát quang, chế tạo linh kiện điện tử Đặc biệt là, gần nhà khoa học quan tâm trở lại đến việc chế tạo pin mặt trời dựa màng mọc ghép dị thể oxit kẽm ZnO (là chất bán dẫn kiểu n) oxit đồng Cu2O (là chất bán dẫn kiểu p) vìcác vật liệu khơng đắt, sẵn có khơng độc hại [38,44] Đây vấn đề nhà khoa học giới quan tâm vấn đề Việt Nam Do thời gian có hạn nên chúng tơi chưa nghiên cứu ứng dụng màng, kết thu khả quan cho phép hi vọng nhiều hướng nghiên cứu Nguyễn Hoàng Lê K22 70 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ KẾT LUẬN Từ kết nghiên cứu, rút kết luận sau: Đã tổng hợp bốn phức chất bậc hai Cu2+ Zn2+ với hai phối tử axetylaxetonat pivalat với công thức phân tử tương ứng là: Cu(acac)2, Cu(Piv)2, Zn(acac)2.H2O Zn(Piv)2 Đã nghiên cứu phức chất thu phương pháp phổ hồng ngoại phân tích nhiệt:Từ kết phổ hồng ngoại xác nhận phối trí phối tử ion trung tâm qua liên kết M – O, có mặt nước phức chất kẽm axetylaxetonat.Các kết phân tích nhiệt cho thấy phức đồng (II) axetylaxetonat, đồng(II) pivalat vàkẽmpivalat tồn dạng khan, kẽm axetylaxetonat tồn dạng hidrat Đã giả thiết sơ đồ phân hủy nhiệt phức chất Đã nghiên cứu khả thăng hoa điều kiện áp suất thấp phức chất Kết thăng hoa phức chất cho thấy phức chất có khả thăng hoa tốt, phức đồng(II) axetylaxetonat thăng hoa gần hoàn toàn Đã chế tạo thành công màng mỏng Cu2O từ chất đầu Cu(acac)2 màng ZnO từ hai phức chất kẽm(II) axetylaxetonat kẽm(II) pivalat phương pháp CVD Đã nghiên cứu thành phần, hình thái bề mặt, tính chất quang màng sản phẩm phương pháp: XRD, SEM, phổ UV – vis phổ huỳnh quang.Kết cho thấy từ Zn(acac)2.H2O thu màng có chất lượng tốt 500oC, từ Zn(Piv)2 thu màng có chất lượng tốt 500 - 550oC Đã chế tạo thành công màng kép ZnO-Cu2O từ tiền chất Zn(Piv)2 Cu(acac)2 Đã nghiên cứu thành phần hình thái bề mặt, tính chất quang tính chất điện màng sản phẩm phương pháp XRD, SEM, phổ UV-vis hiệu ứng Hall.Kết cho thấy có mọc ghép dị thể hai mạng lưới tinh thể oxit kẽm oxit đồng.Màng kép có độ truyền qua tốt vùng khả kiến có khả dẫn điện tốt, qua mở hướng nghiên cứu ứng dụng Nguyễn Hoàng Lê K22 71 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT Vũ Đăng Độ (2006), Các phương pháp vật lý hoá học, NXB Đại học Quốcgia Hà Nội, Hà Nội Vũ Đăng Độ, Triệu Thị Nguyệt (2009), Hoá học vô nguyên tố d f, NXB Giáo dục, Hà Nội Nguyễn Mạnh Hùng (2010), Tổng hợp nghiên cứu tính chất số β- đixxetonat kim loại chuyển tiếp, Luận văn thạc sĩ khoa học, ĐHKHTN – ĐHQG Hà Nội Nguyễn Thị Lụa (2013), Tổng hợp, nghiên cứu tính chất khả ứng dụng Cu2O kích thước nanomet, Luận án tiến sĩ khoa học, ĐHKHTN – ĐHQG Hà Nội Triệu Thị Nguyệt (2006), Giáo án chuyên đề: Các phương pháp nghiên cứu hóa học vơ cơ, Bộ mơn hóa vơ – Khoa Hóa học – ĐHKHTN – ĐHQG Hà Nội, Hà Nội Hoàng Nhâm (2000), Hóa học vơ tập 3, NXB Giáo dục, Hà Nội Nguyễn Văn Ri, Tạ Thị Thảo (2003), Thực tập hóa học phân tích, Khoa Hóa học – ĐHKHTN – ĐHQG Hà Nội, Hà Nội Nguyễn Đình Triệu (2002), Các phương pháp vật lý ứng dụng hóa học, NXB Đại học quốc gia Hà Nội, Hà Nội Huỳnh Thị Miền Trung (2009), Tổng hợp nghiên cứu tính chất phức chất axetylaxetonat số kim loại, Luận văn thạc sĩ khoa học, ĐHKHTN – ĐHQG Hà Nội TIẾNG ANH 10.Albert G Nasibulin, Esko I Kauppinen, David P Brown, and Jorma K Jokiniemi, “Nanoparticle Formation via Copper(II) Acetylacetonate Vapor Decomposition in thePresence of Hydrogen and Water”, J Phys Chem B2001,105, pp 11067-11075 Nguyễn Hoàng Lê K22 72 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ 11 Albert G Nasibulin, Igor S Altman, Esko I Kauppinen (2002), “Semiempirical dynamic phase diagrams of nanocrystalline products during copper (II) acetylacetonate vapour decomposition”, Chemical Physics Letters, 367 (2003), pp 771–777 12 Ansari A., Arshad Hussain H., Iftikhar K (2007), “Optical Absorption Spectroscopic Studies on Holmium(III) Complexes with β-diketone and Heterocyclic Amines The Environment Effect on 4f–4f Hypersensitive Transitions”, Spectrochimica Acta Part A, Vol 68, pp 1305-1312 13 B.J Chen, X.W Sun, C.X Xu (2003), “Fabrication of zinc oxide nanostructures on gold-coated silicon substrate by thermal chemical reactions vapor transport deposition in air”, Ceramics International, 30 (2004), pp 1725–1729 14 Cotton F A (1998), Wilkinson G., Advanced Inorganic Chemistry, Jonh Wiley & Sons, Newyork 15 D Gozzi, M R Cimberle and M Tropeano, Synthesis and magnetic characterization of Ni nanoparticle in multiwalled carbon nanotubes, Journal of Alloys and Compounds,Vol 419 (2006), Issues 1−2, pp 32−39 16 D L Pavia, G M Lampman, G Kerz, Introduction to spetroscopy, Department of Chemistry, Western Washington University, 2000 17 Fadhit Jasim and Insaf Hamid, Thermoanalysis and catalytic study of transition metal acetylacetonates,Thermochimica Acta, 1985, Vol 93, pp.68 18 Fenn J B., Mann M., Meng C K (1990), Wong S F, “Electrospray Ionization – Principles and Practice”, Mass Spectrometry Reviews, Vol 9, pp 37−70 19 Fujino, Y Hoshino, S Iragashi…, Prepare structure and properties of oxalatebridged binuclear iron(III) complex, Inorganic Chimica Acta, 2004, Vol.357, p.11−18 20 G.G Condorelli, G Malandrino, I Fragalá, Chem Mater 6(1994) 1861 21 Gschneidner K A.,Binnemans K (2005), Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths, Vol 35, pp 107-272 22 H Beyer, W Walter, Handbook of Organic Chemistry, T.J Press, 1996 Nguyễn Hoàng Lê K22 73 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ môn Hóa vơ 23 H.Deng, J.J.Russell, R.N.Lamb, B.Jiang a, Y.Li, X.Y.Zhou (2003), “Microstructure control of ZnO thin films prepared by single source chemical vapor deposition”, Thin Solid Films, 458 (2004), pp 43–46 24 Hailing Zhu, Junying Zhang, Chunzhi Li a, Feng Pan, Tianmin Wang, Baibiao Huang (2008), “Cu2O thin films deposited by reactive direct current magnetron sputtering”, Thin Solid Films, 517 (2009), pp 5700–5704 25 Hiroki Kobayashi, Takato Nakamura, Naoyuki Takahashi (2006), “Preparation of Cu2O films on MgO (1 0) substrate by means of halide chemical vapor deposition under atmospheric pressure”, Materials Chemistry and Physics, 106 (2007), pp 292–295 26 Hoffman E D., Stroobant V (2001), Mass Spectroscopy - Principles and Application 27 Hsin-Hung Lee, Chiapyng Lee, Yu-Lin Kuo, Yee-Wen Yen (2005), “A novel two-step MOCVD for producing thin copper films with a mixture of ethyl alcohol and water as the additive”, Thin Solid Films, 498 (2006), pp 43 – 49 28 Jorge Medina-Valtierraa, Jorge Ramírez-Ortiz, Victor M Arroyo-Rojas, Pedro Bosch, J.A de los Reyes (2000), “Chemical vapor deposition of 6CuO·Cu2O films on fiberglass”Thin Solid Films, 405 (2002), pp 23–28 29 K Akimoto, S Ishizuka, M Yanagita, Y Nawa, Goutam K Paul, T Sakurai (2005), “Thin film deposition of Cu2O and application for solar cells”, Solar Energy, 80 (2006), pp 715–722 30 K.Haga, T.Suzuki, Y.Kashiwaba, H.W atanabea, B.P.Zhang, Y.Segawa (2003), “High - quality ZnO films prepared on Si wafers by low-pressure MOCVD”,Thin Solid Films, 433 (2003), pp 131–134 31 Keppler B K, Friesen C, Vongerichten H., Vogel E (1993), Metal Complexes in Cancer Chemotherapy, VCH, Weinheim, Germany (Mchung) 32 Koen BINNEMANS, “RARE-EARTH BETA-DIKETONATES”,Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths, vol 35 (2005), Chapter 225, Elsevier B.V Nguyễn Hoàng Lê K22 74 Lớp CH - Luận văn cao học Bộ mơn Hóa vơ 33.L M Apatiga and V M Castano, Magnetic behavior of cobalt oxide films prepared by pulsed liquid injection chemical vapor deposition from a metalorganic precursor, Thin Solid Films, 2006,Vol 469, Issues 2, p 576-579 34.Malandrino G., Incontro O., Castelli F., Fragalà I L., Benelli C (1996),“Synthesis, Characterization and Mass Transport Properties of Two Novel Gd(III) Hexafluoroacetylacetonate Polyether Adducts: Promising Precursors for MOCVD of GdF3 Films”, Chemistry of Materials,Vol 8, pp 1292 35 M Purica, E Budianua, E Rusub, M Danilaa, R Gavrila (2002), “Optical and structural investigation of ZnO thin films prepared by chemical vapor deposition (CVD)”,Thin Solid Films, 403 – 404 (2002), pp 485 – 488 36 Mehrotra R C., Bohra R., Gaur D P (1978), Metal β-Diketonates and Allied Derivatives, Academic Press, London 37 Rehan Ahmad Siddiqui (2009), Experimental investigations of thermodynamic properties of organometallic compounds, genehmigte Dissertation, Von der Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Abteilung Maschinenbau und Verfahrenstechnik der Universität Duisburg-Essen, zur Erlangung des akademischen Grades 38 SeongHo Jeong, Eray S Aydil (2009), “Heteroepitaxialgrowth of Cu2O thin film on ZnO by metalorganic chemical vapor deposition”, Journal of Crystal Growth, 311 (2009), pp 4188–4192 39 Svetozar Music´, Ankica Sˇaric´, Stanko Popovic´ (2009), “Formation of nanosize ZnO particles by thermal decomposition of zinc acetylacetonate monohydrate”, Ceramics International, 36 (2010), pp 1117–1123 40 T Li, H.M Fan, J.M Xue, J Ding (2010), “Synthesis of highly-textured ZnO films on different substrates by hydrothermal route”, Thin Solid Films, 518 (2010), pp.114 - 117 41 Waechtler T., Oswald S., Roth N., Jakob A., Lang H., Ecke R., Schulz S E., Gessner T (2009), “Copper Oxide Films Grown by Atomic Layer Nguyễn Hoàng Lê K22 75 Lớp CH - Luận văn cao học Depositionfrom Bộ mơn Hóa vơ Bis(tri-n-butylphosphane) Copper(II) Acetylacetonate”,Journal of the Electrochemical Society, Vol.156, pp 453459 42 Wenzel T J (1986), Lanthanide Shift Reagents in Stereochemical Analysis, VCH Publishers, Weinheim, pp 151-173 43 Y Kashiwaba, K Sugawara, K Haga, H Watanabe, B.P Zhang, Y Segawa (2002), “Characteristics of c-axis oriented large grain ZnO films prepared by lowpressure MO-CVD method”,Thin Solid Films, 411, pp 87–90 44 Y Kashiwaba, F Katahira, K Haga, T Sekiguchi, H Watanabe (2000), “Hetero-epitaxial growth of ZnO thin "lms by atmospheric pressure CVD method”, Journal of Crystal Growth, 221 (2000), pp 431– 434 Nguyễn Hoàng Lê K22 76 Lớp CH - ... TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - Nguyễn Hoàng Lê NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG OXIT TỪ CÁC PHỨC CHẤT CÓ KHẢ NĂNG THĂNG HOA Chun ngành: Hóa vơ Mã số: 60440113 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI... hành tổng hợp nghiên cứu tính chất số β-đixetonat cacboxylat kim loại có khả thăng hoa, sử dụng phức chất để chế tạo màng mỏng Cu2O, ZnO màng kép ZnO-Cu2O ,và nghiên cứu tính chất màng thu Chúng... năm trở lại nghiên cứu tính chất, khảo sát khả thăng hoa βđiketonat cacboxylat kim loại sử dụng phức chất làm tiền chất để chế tạo màng mỏng Để tiếp nối hướng nghiên cứu nhóm phức chất, tiến hành