Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện trong suốt và vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng trong pin mặt trời CZTSe

Đã chế tạo được lớp màng ITO bằng phương pháp phún xạ và lớp màng nanocomposite AgNWITO bằng phương pháp phún xạ kỹ thuật in gạt. Màng ITO có giá trị điện trở bề mặt là 17,6 Ω; điện trở suất là 4,4.104 Ω.cm và độ truyền qua là 84,3% ở bước sóng 550 nm. Màng AgNWITO dày 1000 nm có điện trở bề mặt 13,5 Ω và độ truyền qua ~ 70 %. Màng ITO và AgNWITO thích hợp để làm lớp điện cực cửa sổ trong pin mặt trời CZTSSe.2. Đã chế tạo được hạt nano CZTSe (Cu(Zn,Sn)Se2) có kích thước nhỏ hơn 30 nm và tỷ lệ Cu(Zn+Sn) = 0,7 0,85 thấp bằng phương pháp phun nóng.3. Đã chế tạo được lớp hấp thụ ánh sáng tạo từ hạt CZTSe bằng phương pháp in gạt. Lớp hấp thụ ánh sáng được xử lý 30 phút ở 500 °C, trong môi trường khí N2 và hơi Se thích hợp sử dụng trong chế tạo pin mặt trời CZTSe.4. Đã thử nghiệm chế tạo pin mặt trời hoàn chỉnh với cấu trúc AlITOZnOCdSCZTSeMoGlass. Kết quả tốt nhất cho hiệu suất chuyển đổi η = 2,38 % JSC =21,96 mAcm2, VOC = 0,3 V, FF = 36,17%.

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THU HIỀN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2020 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THU HIỀN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe Ngành: Khoa học vật liệu Mã số: 9440122 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS NGUYỄN DUY CƯỜNG TS NGUYỄN HỮU DŨNG Hà Nội – 2020 i LỜI CAM ĐOAN Tôi, NCS Nguyễn Thị Thu Hiền, xin cam đoan cơng trình nghiên cứu của dưới sự hướng dẫn của: PGS.TS Nguyễn Duy Cường TS Nguyễn Hữu Dũng Kết quả nghiên cứu trình bày luận án khách quan, trung thực chưa được tác giả khác công bố Hà nội, ngày 31 tháng 01 năm 2020 Thay mặt tập thể giáo viên hướng dẫn PGS.TS Nguyễn Duy Cường Tác giả NCS Nguyễn Thị Thu Hiền ii LỜI CẢM ƠN Sau năm nghiên cứu thức dưới sự hướng dẫn nhiệt tình của PGS.TS Nguyễn Duy Cường TS Nguyễn Hữu Dũng, tơi hồn thành bản Luận án với đề tài “Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện suốt vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng pin mặt trời CZTSe” Qua bản luận án này, xin được gửi lời cảm ơn sâu sắc tới PGS.TS Nguyễn Duy Cường TS Nguyễn Hữu Dũng, người Thầy giúp đỡ, hướng dẫn suốt thời gian nghiên cứu trình thực luận án Tơi xin gửi lời cảm ơn tập thể Thầy, Cô giảng viên Viện Tiên Tiến Khoa học Công nghệ, người trực tiếp giảng dạy trang bị cho kiến thức bản ngành khoa học Vật liệu Nano Tôi xin được gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Phòng Đào tạo, Viện Tiên tiến Khoa học Công Nghệ (AIST) tạo điều kiện cho được học tập nghiên cứu sở thời gian vừa qua Tôi xin gửi lời cảm ơn tới Ban Lãnh đạo Trường Đại học Điện lực, Khoa Kỹ thuật điện tạo điều kiện thuận lợi để được tập trung học tập nghiên cứu Tôi xin gửi lời cảm ơn tới thành viên gia đình, Anh - Chị - Em đồng nghiệp Nghiên cứu sinh giúp đỡ công việc như động viên khích lệ tơi nhiều mặt tinh thần để tơi có thể hồn thành nhiệm vụ nghiên cứu của Cuối cùng, tơi xin được gửi lời cảm ơn sự hỡ trợ kinh phí từ Quỹ phát triển Khoa học Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED) cho nghiên cứu đề tài mã số “103.02- 2017.45” sự hỡ trợ kinh phí từ nguồn học bổng 911 của Bộ Giáo dục Đào tạo Xin trân trọng cảm ơn! Hà Nội, ngày 31 tháng 01 năm 2020 Tác giả NCS Nguyễn Thị Thu Hiền iii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii MỤC LỤC iii DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT vii DANH MỤC BẢNG x DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ xi MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục tiêu của luận án Đối tượng phạm vi nghiên cứu 4 Nội dung nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu Ý nghĩa khoa học thực tiễn của luận án Những đóng góp mới của luận án Bố cục của luận án CHƯƠNG TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI CZTSe 1.1 Giới thiệu chung 1.2 Pin mặt trời CZTSe 13 1.2.1 Nguyên lý hoạt động của pin mặt trời CZTSe 13 1.2.2 Cấu trúc – chức bản lớp pin mặt trời CZTSe 14 1.2.2.1 Lớp điện cực 14 1.2.2.2 Lớp chống phản xạ 15 1.2.2.3 Lớp điện cực cửa sổ 15 1.2.2.4 Lớp đệm 16 1.2.2.5 Lớp hấp thụ ánh sáng 16 1.2.2.6 Lớp điện cực dưới 17 1.2.3 Giản đồ lượng của pin mặt trời CZTSe 17 1.3 Vật liệu hấp thụ ánh sáng CZTSe 18 iv 1.3.1 Cấu trúc tinh thể CZTSe 18 1.3.2 Tính chất quang – điện của vật liệu CZTSe 22 1.3.2.1 Độ hấp thụ ánh sáng……………………………………………………… 22 1.3.2.2 Độ rộng vùng cấm của vật liệu CZTSe…………………………………….23 1.3.2.3 Sự phụ thuộc của tính chất vật liệu vào thành phần của CZTSe……………24 1.3.3 Vật liệu CZTSe nghèo Đồng 26 1.4 Vật liệu dẫn điện suốt truyền qua 27 1.4.1 Tính chất quang – điện của vật liệu dẫn điện suốt 28 1.4.2 Điện cực dẫn điện suốt ứng dụng cho pin mặt trời 29 1.5 Giới thiệu phương pháp chế tạo màng mỏng 30 1.5.1 Pin mặt trời chế tạo dựa điều kiện chân không 30 1.5.1.1 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp phún xạ……………………… 31 1.5.1.2 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp bốc bay…………………………32 1.5.1.3 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp lắng đọng xung laser………….33 1.5.2 Pin mặt trời chế tạo dựa điều kiện không chân không 33 1.5.2.1 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp phun phủ nhiệt……………… 34 1.5.2.2 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp lắng đọng điện hóa……………34 1.5.2.3 Pin mặt trời chế tạo dựa phương pháp Sol – gel………………………35 1.5.2.4 Pin mặt trời chế tạo dựa dung dịch chứa hạt nano………………………36 CHƯƠNG NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT 37 2.1 Chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO phương pháp phún xạ 38 2.1.1 Hệ phún xạ sử dụng để chế tạo lớp điện cực cửa sổ ITO 38 2.1.2 Chế tạo màng ITO phương pháp phún xạ 39 2.1.2.1 Màng ITO được phún xạ với nồng độ O2 khác nhau: 39 2.1.2.2 Màng ITO được phún xạ với nhiệt độ đế khác 42 2.1.3 Kết luận chế tạo màng ITO 45 2.2 Chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO phương pháp in gạt 45 2.2.1 Phương pháp in gạt quy trình chế tạo lớp điện cực cửa sổ AgNW/ITO 45 2.2.2 Phân tích kết quả tạo màng AgNW/ITO 47 2.2.2.1 Ảnh FESEM bề mặt màng AgNW/ITO 47 v 2.2.2.3 Phổ truyền qua của màng AgNW/ITO 50 2.2.2.4 Thử nghiệm pin mặt trời CZTSSe (CZTS) 51 2.2.3 Kết luận màng AgNW/ITO 53 CHƯƠNG TỔNG HỢP HẠT NANO Cu(Zn,Sn)Se2 CHO ỨNG DỤNG LÀM LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe 55 3.1 Giới thiệu tổng hợp hạt nano CZTSe 55 3.2 Phương pháp phun nóng 56 3.3 Quy trình tổng hợp hạt nano CZTSe 58 3.4 Phân tích kết quả tổng hợp hạt nano CZTSe 60 3.4.1 Tổng hợp hạt nano CZTSe nhiệt độ khác 62 3.4.1.1 Ảnh FESEM Phổ EDX 63 3.4.1.2 Giản đồ XRD 64 3.4.2 Tổng hợp hạt nano CZTSe theo tỉ lệ tiền chất khác 65 3.4.2.1 Ảnh FESEM Phổ EDX 66 3.4.2.2 Giản đồ XRD 67 3.4.3 Tổng hợp hạt nano CZTSe với tốc độ phun dung dịch Se khác 68 3.4.3.1 Ảnh FESEM Phổ EDX 69 3.4.3.2 Giản đồ XRD 70 3.4.4 Kết quả thu được mẫu lặp lại 71 3.5 Kết luận tổng howph hạt nano 73 CHƯƠNG NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO LỚP HẤP THỤ ÁNH SÁNG CZTSe VÀ TẾ BÀO PIN MẶT TRỜI 74 4.1 Nghiên cứu trình chế tạo màng CZTSe làm lớp hấp thụ ánh sáng pin mặt trời …………………………………………………………………………….74 4.1.1 Giới thiệu phương pháp nghiên cứu 74 4.1.2 Phương pháp in gạt chế tạo lớp hấp thụ ánh sáng CZTSe 76 4.1.2.1 In gạt tạo màng tiền chất CZTSe 77 4.1.2.2 Xử lý màng CZTSe nhiệt độ cao tạo lớp hấp thụ ánh sáng 78 a) Quy trình xử lý nhiệt màng CZTSe mơi trường khí N2….…………………78 b) Xác định điều kiện xử lý nhiệt màng CZTSe mơi trường khí N 2………… 79 4.1.3 Kết quả chế tạo màng CZTSe 80 vi 4.1.3.1 Màng CZTSe theo nhiệt độ 80 a) Chế tạo màng nhiệt độ khác môi trường N2, Selen 80 b) Chế tạo màng nhiệt độ khác mơi trường N2, có Selen…….83 4.1.3.2 Màng CZTSe theo lượng Se khác 85 4.1.3.3 Màng CZTSe theo thời gian xử lý nhiệt khác 85 4.1.4 Kết luận chế tạo màng CZTSe 86 4.2 Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh 87 4.2.1 Cấu trúc phương pháp chế tạo lớp pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh……………………………………………………………………………… 87 4.2.2 Kết quả chế tạo pin mặt trời CZTSe hoàn chỉnh 89 4.3 Kết luận chế tạo màng hấp thụ ánh sáng pin mặt trời CZTSe 91 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 92 Kết luận chung kết quả đạt được của luận án 92 Kiến nghị đề xuất hướng nghiên cứu tiếp theo 92 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH ĐÃ CƠNG BỐ CỦA LUẬN ÁN 94 Tạp chí ISI 94 Tạp chí nước 94 Hội nghị 94 TÀI LIỆU THAM KHẢO 95 vii DANH MỤC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Stt Ký hiệu Tên tiếng Anh Tên tiếng Việt EV Valence energy Năng lượng vùng hoá trị EC Conduction energy Năng lượng vùng dẫn Ef Fermi energy Năng lượng Fermi Eg Energy band gap Độ rộng vùng cấm FF Fill factor Hệ số điền đầy e Electron Điện tử h Hole Lỗ trống ISC Short circuit current Cường độ dòng ngắn mạch JSC Short circuit current density Mật độ dòng ngắn mạch 10 SLG 11 VCB Valence Band Maximum Mức cao của vùng hóa trị 12 CBM Conduction Band Minimum Mức thấp của vùng dẫn 13 Rbềmặt Sheet resistance Điện trở bề mặt 14 T Transmitance Độ truyền qua 15 VOC Open circuit voltage Điện thế hở mạch 16 S Sulfide Lưu huỳnh 17 Se Selenium Selen 18  Resistivity Điện trở suất 19  Conversion efficiency of the Hiệu suất chuyển đổi của pin solar cell mặt trời 20 λ Wavelength Bước sóng 21  Ohm Đơn vị điện trở 22 /☐ 23 AM Air Mass 24 AgNW Ag nano wires Đế thủy tinh Ohm per square (Sheet Resistance Unit) Đơn vị điện trở bề mặt Hệ số lan truyền ánh sáng khí quyển Màng dây nano Bạc viii Màng dây nano Bạc phủ ITO 25 AgNW/ITO Ag nano wires/ Tinc Oxide 26 AZO Aluminum-doped ZincOxide Oxít kẽm pha tạp nhôm 27 CBD Chemical Bath Deposition 28 CdS Cadmium sulfide 29 CIGSSe Cu(In,Ga)(S,Se)2 30 CIGS Cu(In,Ga)S2 31 CIS CuInS2 32 CZTSSe Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 33 CZTSe Cu(Zn,Sn)Se2 34 CZTS Cu(Zn,Sn)S2 35 DC Direct Curent Dòng một chiều 36 EDX Energy Dispersive X-ray Tán sắc lượng tia X 37 FESEM Field Emission Scanning Hiển vi điện tử quét phát xạ Electron Microscope trường 38 FTO Fluorine-doped Tin Oxide Oxít thiếc pha tạp flo 39 ITO Indium Tin Oxide Oxít thiếc indium 40 JCPDS Joint Committee on Powder Ủy ban chung tiêu chuẩn Diffraction Standards nhiễu xạ của vật liệu 41 MFC Mass Flow Controller Bộ điều khiển lưu lượng khí 42 sccm 43 SUN SUN 44 RF Radio Frequecy 45 TCO 46 UV-VIS UV-VIS Spectrophotometer 47 XRD X-ray diffraction Nhiễu xạ tia X 48 Mo Molypdenium Mo-lip-đen Standard Cubic Centimeters per Minute Transparent Conducting Oxide Phương pháp nhúng Đơn vị chuẩn cm3/ phút Đơn vị cường độ sáng (100 mW/cm2) Tần số radio Oxít dẫn điện suốt Máy quang phổ hấp thụ UVVIS 96 M Cairney, N J Ekins-Daukes, Ziv Hameiri, John A Stride, Shiyou Chen, Martin A Green, and Xiaojing Hao (2018), " Cu2ZnSnS4 solar cells with over 10% power conversion efficiency enabled by heterojunction heat treatment", Nat Energy, vol 3, no [11] Kentaro Ito Tatsuo Nakazawa (1988), "Electrical and optical properties of stannite-type quaternary" Japanese Journal of Applied Physics, vol 27, no 11, pp 2094–2097 [12] Katagiri H., M Nishimura, T Onozawa, S Maruyama, M Fujita, T Sega, and T Watanabe (2002), "Rare-metal free thin film solar cell", EEE 1003 PCCNagaoka, pp 1003–1006, 2002 [13] Katagiri Hironori, Takaharu Yokota, Nobuyuki Sasaguchi, Jiro Ohashi, Shima Hando, and Suguro Hoshino (1997), "Preparation and evaluation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of E-B evaporated precursors", Solar Energy Materials and Solar Cells, vol 49, no 1–4 pp 407–414 [14] Katagiri Hironori, Kazuo Jimbo, Satoru Yamada, Tsuyoshi Kamimura, Win Shwe Maw, Tatsuo Fukano, Tadashi Ito, and Tomoyoshi Motohiro (2008), "Enhanced conversion efficiencies of Cu2ZnSnS4-based thin film solar cells by using preferential etching technique", Appl Phys Express, vol 1, no 4, pp 0412011–0412012 [15] Katagiri Hironori, Kazuo Jimbo, Win Shwe Maw, Koichiro Oishi, Makoto Yamazaki, Hideaki Araki, and Akiko Takeuchi (2009), "Development of CZTSbased thin film solar cells", Thin Solid Films, vol 517, no 7, pp 2455–2460 [16] Todorov Teodor K., Kathleen B Reuter, and David B Mitzi (2010), "Highefficiency solar cell with earth-abundant liquid-processed absorber", Adv Mater., vol 22, no 20, pp 156–159 [17] Haight Richard, Talia Gershon, Oki Gunawan, Priscilla Antunez, Douglas Bishop, Yun Seog Lee, Tayfun Gokmen, Kasra Sardashti, Evgueni Chagarov, and Andrew Kummel (2017), "Industrial perspectives on earth abundant, multinary thin film photovoltaics", Semiconductor Science and Technology, vol 32, no 2017, pp 033004 [18] Bag Santanu, Oki Gunawan, Tayfun Gokmen, Yu Zhu, Teodor K Todorov, and 97 David B Mitzi (2012), "Low band gap liquid-processed CZTSe solar cell with 10.1 % efficiency", Energy Environ Sci View, vol 5, no 5, pp 7060–7065 [19] Todorov Teodor K., Jiang Tang, Santanu Bag, Oki Gunawan, Tayfun Gokmen, Yu Zhu, and David B Mitzi (2013), "Beyond 11% efficiency: Characteristics of state-of-the-art Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells", Adv Energy Mater., vol 3, no 1, pp 34–38 [20] Lee Yun Seog, Talia Gershon, Oki Gunawan, Teodor K Todorov, Tayfun Gokmen, Yudistira Virgus, and Supratik Guha (2015), " Cu2ZnSnSe4 thin-film solar cells by thermal co-evaporation with 11.6% efficiency and improved minority carrier diffusion length", Adv Energy Mater., vol 5, no 7, pp 2–5 [21] Sun Kaiwen, Chang Yan, Fangyang Liu, Jialiang Huang, Fangzhou Zhou, John A Stride, Martin Green, and Xiaojing Hao (2016), "Over 9% Efficient Kesterite Cu2ZnSnS4 Solar Cell Fabricated by Using Zn1–xCdxS Buffer Layer", Adv Energy Mater., vol 6, no 12 [22] Andres C., S G Haass, Y E Romanyuk, and A N Tiwari (2017), "9.4% efficient Cu2ZnSnS4 solar cells from co-sputtered elemental metal precursor and rapid thermal annealing", Thin Solid Films, vol 633, pp 141–145 [23] Yang Kee Jeong, Dae Ho Son, Shi Joon Sung, Jun Hyoung Sim, Young Ill Kim, Si Nae Park, Dong Hwan Jeon, Jungsik Kim, Dae Kue Hwang, Chan Wook Jeon, Dahyun Nam, Hyeonsik Cheong, Jin Kyu Kang, and Dae Hwan Kim (2016), "A band-gap-graded CZTSSe solar cell with 12.3% efficiency", J Mater Chem A, vol 4, no 26 [24] Martin A Green1*, Keith Emery, Yoshihiro Hishikawa, Wilhelm Warta, Ewan D Dunlop5 Dean H Levi2 and Anita W Y Ho-Baillie1(2016), "Solar Cell Efficiency Tables (Version 49)" Progress in Photovoltaics: Research And Applications, pp 61–67 [25] Tuan Dao Anh, Nguyen Huu Ke, Phan Thi Kieu Loan, and Le Vu Tuan Hung (2018), "A method to improve crystal quality of CZTSSe absorber layer", Journal of Sol-Gel Science and Technology, vol 87, no pp 245–253 [26] Miles R W (2006), "Photovoltaic solar cells: Choice of materials and production methods", Vacuum, vol 80, no 10, pp 1090–1097 98 [27] Martínez M A., J Herrero, and M T Gutiérrez (1997), "Deposition of transparent and conductive Al-doped ZnO thin films for photovoltaic solar cells", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 45, no 1, pp 75–86 [28] Schulze Kerstin, Bert Maennig, Karl Leo, Yuto Tomita, Christian May, Jürgen Hüpkes, Eduard Brier, Egon Reinold, and Peter Bäuerle (2007), "Organic solar cells on indium tin oxide and aluminum doped zinc oxide anodes", Appl Phys Lett., vol 91, no [29] Alzoubi Khalid, Mohammad M Hamasha, Susan Lu, and Bahgat Sammakia (2011), "Bending fatigue study of sputtered ITO on flexible substrate", IEEE/OSA J Disp Technol., vol 7, no 11, pp 593–600 [30] Baek Woon Hyuk, Mijung Choi, Tae Sik Yoon, Hyun Ho Lee, and Yong Sang Kim (2010), "Use of fluorine-doped tin oxide instead of indium tin oxide in highly efficient air-fabricated inverted polymer solar cells", Applied Physics Letters, vol 96, no 13 [31] Sun Yugang, Byron Gates, Brian Mayers, and Younan Xia (2002), "Crystalline Silver Nanowires by Soft Solution Processing", Nano Lett., vol 2, no 2, pp 165–168 [32] Li Kai, Shiliu Yang, Mingjun Hu, Jiefeng Gao, Robert Kwok-Yiu Li, Yucheng Dong, and Guangcun Shan (2012), "Flexible Transparent PES/Silver Nanowires/PET Sandwich-Structured Film for High-Efficiency Electromagnetic Interference Shielding", Langmuir, vol 28, no 18, pp 7101– 7106 [33] Lu Haifei, Di Zhang, Xingang Ren, Jian Liu, and Wallace C.H Choy (2014), "Selective growth and integration of silver nanoparticles on silver nanowires at room conditions for transparent nano-network electrode", ACS Nano, vol 8, no 10, pp 10980–10987 [34] De, S., T M Higgins, P E Lyons, E M Doherty, P N Nirmalraj, W J Blau, J J Boland and J N Coleman (2009), "Silver Nanowire Networks as Flexible , Transparent , Conducting Films : Extremely High DC to Optical Conductivity Ratios Liquid phase production of graphene by exfoliation of graphite in", ACS Nano, vol 3, no 7, pp 1767-1774 99 [35] Tokuno Takehiro, Masaya Nogi, Makoto Karakawa, Jinting Jiu, Thi Thi Nge, Yoshio Aso, and Katsuaki Suganuma (2011), "Fabrication of silver nanowire transparent electrodes at room temperature", Nano Res., vol 4, no 12, pp 1215–1222 [36] Lee Jung Yong, Stephen T Connor, Yi Cui, and Peter Peumans (2008), "Solution-processed metal nanowire mesh transparent electrodes", Nano Lett., vol 8, no 2, pp 689–692 [37] Ingrid Repins, Contreras Miguel A., Egaas Brian, DeHart Clay, Scharf John, Perkins Craig L., To Bobby, and Noufi Rommel (2008), "19·9%‐efficient ZnO/CdS/CuInGaSe2 solar cell with 81·2% fill factor", Prog Photovoltaics Res Appl., vol 16, no 3, pp 235–239 [38] Washio Tsukasa, Tomokazu Shinji, Shin Tajima, Tatsuo Fukano, Tomoyoshi Motohiro, Kazuo Jimbo, and Hironori Katagiri "6% Efficiency Cu2ZnSnS4based thin film solar cells using oxide precursors by open atmosphere type CVD", Journal of Materials Chemistry, vol 22, no p 4021, 2012 [39] Kim Kihwan, Liudmila Larina, and Jae Ho Yun (2013), "Cd-free CIGS solar cells with buffer layer based on the In2S3 derivatives", Phys Chem Chem Phys., vol 15, no 23, p 9239 [40] Anderson T.J., S.S Li, O.D Crisalle, and V Craciun (2006), "Fundamental Materials Research Subcontract and Advanced Process Development for ThinFilm CIS-Based Photovoltaics", Subcontract Report, NREL/SR-520-40568, no September, p [41] Suryawanshi M P, G L Agawane, S M Bhosale, S W Shin, P S Patil, J H Kim, and A V Moholkar (2012), "CZTS based thin film solar cells: a status review", Materials Technology, vol 28, no 1–2 pp 98–109 [42] Chalapathi U., S Uthanna, and V Sundara Raja (2013), "Growth and characterization of co-evaporated Cu2ZnSnS4 thin films", J Renew Sustain Energy, vol 5, no [43] Miyamoto Yusuke, Kunihiko Tanaka, Masatoshi Oonuki, Noriko Moritake, and Hisao Uchiki (2008), "Optical properties of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by sol-gel and sulfurization method", Japanese Journal of Applied Physics, vol 100 47, no PART pp 596–597 [44] Qu Yongtao, Guillaume Zoppi, and Neil S Beattie (2016), "Solar Energy Materials & Solar Cells Selenization kinetics in Cu 2ZnSn(S,Se)4 solar cells prepared from nanoparticle inks", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 158, no 2, pp 130–137 [45] Paetel Stefan (2016), "Roadmap CIGS towards 25 % Efficiency", Zent für Sonnenenergie- und Wasserstoff-forsch Baden-württemb [46] Gordillo; G., F Mesa;, and C Calderón (2006), "Electrical and morphological properties of low resistivity Mo thin films prepared by magnetron sputtering", Brazilian J Phys., vol 36, no [47] Francisco San and New Energy Sources (1981), "Chemically vapor-deposited black molybdenum films of high IR reflectance and significant solar absorptance", Thin Solid Films, vol 83, p 387 [48] Salomé P M.P., H Rodriguez-Alvarez, and S Sadewasser (2015), "Incorporation of alkali metals in chalcogenide solar cells", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 143, pp 9–20 [49] Urbaniak A., M Igalson, F Pianezzi, S Bücheler, A Chirilǎ, P Reinhard, and A N Tiwari (2014), "Effects of Na incorporation on electrical properties of Cu(In,Ga)Se2 - based photovoltaic devices on polyimide substrates", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 128, pp 52–56 [50] Nishiwaki Shiro, Naoki Kohara, Takayuki Negami, and Takahiro Wada (1998), "MoSe2 layer formation at Cu(In,Ga)Se2/Mo interfaces in high efficiency Cu(In1-xGax)Se2 Solar Cells", Japanese J Appl Physics, Part Lett., vol 37, no PART A/B [51] Würz R., D Fuertes Marrón, A Meeder, A Rumberg, S M Babu, Th SchedelNiedrig, U Bloeck, P Schubert-Bischoff, and M Ch Lux-Steiner (2003), "Formation of an interfacial MoSe2 layer in CVD grown CuGaSe2 based thin film solar cells", Thin Solid Films, vol 431–432, pp 398–402 [52] Zhao Hui Li, Eou Sik Cho, Sang Jik Kwon (2011), " Molybdenum thin film deposited by in-line DC magnetron sputtering as a back contact for Cu(In,Ga)Se2 solar cells ", Applied Surface Science, Vol 257, Issue 22, pp 101 9682-9688 [53] Azimi Hamed, Yi Hou, and Christoph J Brabec (2014), "Towards low-cost, environmentally friendly printed chalcopyrite and kesterite solar cells", Energy Environ Sci., vol 7, no 6, p 1829 [54] Goodman C H.L (1958), "The prediction of semiconducting properties in inorganic compounds", Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol 6, no pp 305–314 [55] Pamplin B R (1964), " A systematic method of deriving new semiconducting compounds by structural analogy", Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol 25 pp 675–684 [56] Guen L., W S Glaunsinger, and A Wold (1979), "Physical properties of the quarternary chalcogenides Cu2 IBIICIVX4 (BII = Zn, Mn, Fe, Co; CIV = Si, Ge, Sn; X = S, Se)", Materials Research Bulletin, vol 14, no pp 463–467 [57] Bourdais Stéphane, Christophe Choné, Bruno Delatouche, Alain Jacob, Gerardo Larramona, Camille Moisan, Alain Lafond, Fabrice Donatini, Germain Rey, Susanne Siebentritt, Aron Walsh, and Gilles Dennler (2016), "Is the Cu/Zn Disorder the Main Culprit for the Voltage Deficit in Kesterite Solar Cells?", Advanced Energy Materials, vol 6, no 12 [58] Schorr Susan, Hans Joachim Hoebler, and Michael Tovar (2007), "A neutron diffraction study of the stannite-kesterite solid solution series", European Journal of Mineralogy, vol 19, no pp 65–73 [59] Adachi Sadao and K Ito "Physical properties: compiled experimental data", in Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Solar Cells, Wiley Online Library, 2015, pp 149–179 [60] Paier Joachim, Ryoji Asahi, Akihiro Nagoya, and Georg Kresse (2009), " Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: a hybrid Hartree-Fock density functional theory study", Phys Rev B, vol 79, no 11, p 115126 [61] Persson Clas (2008), "Anisotropic hole-mass tensor of CuIn1-x Gax (S,Se) 2: Presence of free carriers narrows the energy gap", Appl Phys Lett., vol 93, no 7, p 72106 [62] Zhao Hanyue and Clas Persson (2011), "Optical properties of Cu(In,Ga)Se2 102 and Cu2ZnSn(S,Se) 4", Thin Solid Films, vol 519, no 21 pp 7508–7512 [63] Persson Clas, Rongzhen Chen, Hanyue Zhao, Mukesh Kumar, and Dan Huang (2015), "Electronic structure and optical properties from first-principles modeling", Copp Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Sol Cells (K Ito, ed.), vol 1, p 75 [64] Chen Shiyou, Aron Walsh, Ye Luo, Ji Hui Yang, X G Gong, and Su Huai Wei (2010), "Wurtzite-derived polytypes of kesterite and stannite quaternary chalcogenide semiconductors", Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, vol 82, no 19 [65] Pandey Bramha P.(2018), "Electronic and optical properties of GaAs armchair nanoribbons: DFT approach", International Journal of Nanoelectronics and Materials, vol 11, no pp 143–152 [66] Vidal Julien, Silvana Botti, Pọr Olsson, Jean Franỗois Guillemoles, and Lucia Reining (2010), "Strong interplay between structure and electronic properties in CuIn(S,Se)2: A first-principles study", Physical Review Letters, vol 104, no [67] Paier Joachim, Ryoji Asahi, Akihiro Nagoya, and Georg Kresse (2009), " Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: A hybrid Hartree-Fock density functional theory study", Physical Review B, vol 79, no 11 p 115126 [68] Timo Wätjen Jörn, Jessica Engman, Marika Edoff, and Charlotte PlatzerBjörkman (2012), "Direct evidence of current blocking by ZnSe in Cu2ZnSnSe4 solar cells", Applied Physics Letters, vol 100, no 17 p 173510 [69] Colombara Diego, Erika Victoria Christiane Robert, Alexandre Crossay, Aidan Taylor, Mael Guennou, Monika Arasimowicz, Joao Corujo Branco Malaquias, Rabie Djemour, and Phillip J Dale (2014.), "Quantification of surface ZnSe in Cu2ZnSnS4-based solar cells by analysis of the spectral response", Solar Energy Materials and Solar Cells, vol 123 pp 220–227 [70] Scragg Jonathan (2010), "Studies of Cu2ZnSnS4 films prepared by sulfurisation of electrodeposited precursors", PHD - University of Bath [71] Olekseyuk I D., I V Dudchak, and L V Piskach (2004), "Phase equilibria in the Cu2S-ZnS-SnS2 system", Journal of Alloys and Compounds, vol 368, no 103 1–2 pp 135–143 [72] Parasyuk O V., I D Olekseyuk, I I Mazurets, and L V Piskach (2004), "Phase equilibria in the quasi-ternary ZnSe-Ga2Se 3-SnSe2 system", Journal of Alloys and Compounds, vol 379, no 1–2 pp 143–147 [73] Chen Shiyou, Ji Hui Yang, X G Gong, Aron Walsh, and Su Huai Wei (2010), "Intrinsic point defects and complexes in the quaternary kesterite semiconductor Cu2ZnSnS4", Phys Rev B - Condens Matter Mater Phys., vol 81, no 24, p 245204 [74] Herve´ J Tchognia Nkuissi Bouchaib Hartiti (2018), " Cu2ZnSnS4 Thin-Film Solar Cells", Micro and Nano Technologies, Handbook of Nanomaterials for Industrial Applications, Pages 799-828 [75] Chen Shiyou, Aron Walsh, Ji-Hui Yang, X G Gong, Lin Sun, Ping-Xiong Yang, Jun-Hao Chu, and Su-Huai Wei (2011), "Compositional dependence of structural and electronic properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys for thin film solar cells", Physical Review B, vol 83, no 12 p 125201 [76] Minlin Jiang Xingzhong Yan (2013), " Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells: Present Status and Future Prospects", Published by Intech (Croatia), Solar Cells: Research and Application Perspectives , Chapter 5, p 107 [77] Shiyou Chen, Lin-Wang Wang, Aron Walsh, X G Gong and Su-Huai Wei (2012) "Abundance of CuZn+SnZn and 2CuZn+SnZn defect clusters in kesterite solar cells", Applied Physics Letters, Vol 115, issue 16 [78] Nagoya Akihiro, Ryoji Asahi, Roman Wahl, and Georg Kresse (2010), "Defect formation and phase stability of Cu2ZnSnS4 photovoltaic material", Phys Rev B - Condens Matter Mater Phys., vol 81, no 11, p 113202 [79] Katagiri Hironori, Kazuo Jimbo, Masami Tahara, Hideaki Araki, and Koichiro Oishi (2009), "The Influence of the Composition Ratio on CZTS-based Thin Film Solar Cells", MRS Proc., vol 1165 [80] Chen Aqing, Kaigui Zhu, Huicai Zhong, Qingyi Shao, and Guanglu Ge (2014), "A new investigation of oxygen flow influence on ITO thin films by magnetron sputtering", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 120, no PART A, pp 157–162 [81] Chen Zhangxian, Wanchao Li, Ran Li, Yunfeng Zhang, Guoqin Xu, and 104 Hansong Cheng (2013), "Fabrication of highly transparent and conductive indium-tin oxide thin films with a high figure of merit via solution processing", Langmuir, vol 29, no 45 pp 13836–13842 [82] Lee Jonghun, Sunghwan Lee, Guanglai Li, Melissa A Petruska, David C Paine, and Shouheng Sun (2012), "A facile solution-phase approach to transparent and conducting ITO nanocrystal assemblies", J Am Chem Soc., vol 134, no 32, pp 13410 –13414 [83] He Weiwei and Changhui Ye (2015), "Flexible Transparent Conductive Films on the Basis of Ag Nanowires: Design and Applications: A Review", Journal of Materials Science and Technology, vol 31, no pp 581–588 [84] Kumar Akshay and Chongwu Zhou (2010), "The race to replace tin-doped indium oxide: Which material will win?", ACS Nano, vol 4, no 1, pp 11–14 [85] Delahoy Alan E and Sheyu Guo (2011), "Transparent conducting oxides for photovoltaics", Handb Photovolt Sci Eng., pp 716–796 [86] Minami Tadatsugu (2008), "Present status of transparent conducting oxide thin-film development for Indium-Tin-Oxide (ITO) substitutes", Thin Solid Films, vol 516, no 17, pp 5822–5828 [87] Tan Zhi-Kuang, Reza Saberi Moghaddam, May Ling Lai, Pablo Docampo, Ruben Higler, Felix Deschler, Michael Price, Aditya Sadhanala, Luis M Pazos, and Dan Credgington (2014), "Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite", Nat Nanotechnol., vol 9, no 9, p 687 [88] Mishra Satyendra K, Samta Rani, and Banshi D Gupta (2014), "Surface plasmon resonance based fiber optic hydrogen sulphide gas sensor utilizing nickel oxide doped ITO thin film", Sensors Actuators B Chem., vol 195, pp 215–222 [89] Dhakal Tara P., Chien Yi Peng, R Reid Tobias, Ramesh Dasharathy, and Charles R Westgate (2014), "Characterization of a CZTS thin film solar cell grown by sputtering method", Sol Energy, vol 100, p 23 [90] Ito Kentaro and Tatsuo Nakazawa "Electrical and Optical Properties of Stannite-Type Quarternary Semiconductor Thin Films", Japanese Journal of Applied Physics, vol 27 pp 2094–2097, 1988 105 [91] Wakahara Akihiro, Akira Yoshida, Daisuke Kawasaki, Hiroshi Ogawa, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Takeshi Nagatomo, and Tooru Tanaka (2005), "Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering", J Phys Chem Solids, vol 66, no 11, pp 1978–1981 [92] Momose Noritaka, Myo Than Htay, Takuto Yudasaka, Shigeo Igarashi, Takuro Seki, Shota Iwano, Yoshio Hashimoto, and Kentaro Ito (2011), " Cu2ZnSnS4 thin film solar cells utilizing sulfurization of metallic precursor prepared by simultaneous sputtering of metal targets", Jpn J Appl Phys., vol 50, no PART [93] Araki Hideaki, Aya Mikaduki, Yuki Kubo, Tatsuhiro Sato, Kazuo Jimbo, Win Shwe Maw, Hironori Katagiri, Makoto Yamazaki, Koichiro Oishi, and Akiko Takeuchi (2008), "Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurization of stacked metallic layers", Thin Solid Films, vol 517, no 4, pp 1457–1460 [94] Kobayashi Takeshi, Kazuo Jimbo, Kazuyuki Tsuchida, Shunsuke Shinoda, Taisuke Oyanaoi, and Hironori Katagiri (2005), "Investigation of Cu2ZnSnS4based thin film solar cells using abundant materials", Japanese J Appl Physics, Part Regul Pap Short Notes Rev Pap., vol 44, no B, pp 783– 787 [95] Shin B., S Guha, O Gunawan, D Mitzi, K Wang, N A Bojarczuk, T Todorov, and S J Chey (2010), "Thermally evaporated Cu2ZnSnS4 solar cells", Appl Phys Lett., vol 97, no 14, p 143508 [96] D.B Chrisey G.K Hubler (1994), "Pulsed laser deposition of thin films ", J Phys Condens Matter, vol 8, no 49, pp 10737–10752 [97] Krebs Hans-Ulrich, Martin Weisheit, Jörg Faupel, Erik Süske, Thorsten Scharf, Christian Fuhse, Michael Störmer, Kai Sturm, Michael Seibt, Harald Kijewski, Dorit Nelke, Elena Panchenko, and Michael Buback (2003), "Pulsed Laser Deposition (PLD) A Versatile Thin Film Technique", Advances in Solid State Physics book series, Springer Berlin Heidelberg, vol 43, pp 505-518 pp 505– 518 [98] Moriya Katsuhiko, Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki (2007), "Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin-film solar cell prepared by pulsed laser deposition", 106 Japanese J Appl Physics, Part Regul Pap Short Notes Rev Pap., vol 46, no A, pp 5780–5781 [99] Sun Lin, Jun He, Hui Kong, Fangyu Yue, Pingxiong Yang, and Junhao Chu (2011), "Structure, composition and optical properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by Pulsed Laser Deposition method", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 95, no 10, pp 2907–2913 [100] Moholkar A V., S S Shinde, A R Babar, Kyu Ung Sim, Ye bin Kwon, K Y Rajpure, P S Patil, C H Bhosale, and J H Kim (2011), "Development of CZTS thin films solar cells by pulsed laser deposition: Influence of pulse repetition rate", Sol Energy, vol 85, no 7, pp 1354–1363 [101] Norio Nakayama and Ito Kentaro (1996), "Sprayed films of stannite Cu2ZnSnS4", Appl Surf Sci., vol 92, pp 171–175 [102] Nakayama Norio and Kentaro Ito (1996), "Sprayed films of stannite Cu2ZnSnS4", Appl Surf Sci., vol 92, p 171 [103] Larramona Gerardo, St??phane Bourdais, Alain Jacob, Christophe Chon??, Takuma Muto, Yan Cuccaro, Bruno Delatouche, Camille Moisan, Daniel and Gilles Dennler (2014), "8.6% Efficient CZTSSe solar cells sprayed from waterethanol CZTS colloidal solutions", J Phys Chem Lett., vol 5, no 21, pp 3763–3767 [104] Hossain Md Anower, Zhang Tianliang, Lee Kian Keat, Li Xianglin, Rajiv R Prabhakar, Sudip K Batabyal, Subodh G Mhaisalkar, and Lydia H Wong (2015), "Synthesis of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films using an aqueous spraypyrolysis approach, and their solar cell efficiency of 10.5%", J Mater Chem A, vol 3, no 8, p 4147 [105] Thai Tran Thanh, Nguyen Duc Hieu, Luu Thi Lan Anh, Pham Phi Hung, Vo Thach Son, and Vu Thi Bich (2012), "Fabrication and characteristics of fullysprayed ZnO/CdS/CuInS2 solar cells", J Korean Phys Soc., vol 61, no 9, p 1494 [106] Bhattacharya Raghu N (2013), "Solar Energy Materials & Solar Cells CIGSbased solar cells prepared from electrodeposited stacked Cu/In/Ga layers", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 113, p 96 107 [107] Tanaka Kunihiko, Masatoshi Oonuki, Noriko Moritake, and Hisao Uchiki (2009), " Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by non-vacuum processing", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 93, pp 583–587 [108] Miskin Caleb K., Wei-Chang Yang, Charles J Hages, Nathaniel J Carter, Chinmay S Joglekar, Eric A Stach, and Rakesh Agrawal (2015), " 9.0% efficient Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells from selenized nanoparticle inks ", Prog Photovoltaics Res Appl., vol 23, no 5, pp 654–659 [109] McLeod Steven M., Charles J Hages, Nathaniel J Carter, and Rakesh Agrawal (2015), "Synthesis and characterization of 15% efficient CIGSSe solar cells from nanoparticle inks", Prog Photovoltaics Res Appl., vol 23, no 11, pp 1550–1556 [110] Wangperawong A., J S King, S M Herron, B P Tran, K Pangan-Okimoto, and S F Bent (2011), "Aqueous bath process for deposition of Cu2ZnSnS4 photovoltaic absorbers", Thin Solid Films, vol 519, no 8, pp 2488–2492 [111] Tuna Ocal, Yusuf Selamet, Gulnur Aygun, and Lutfi Ozyuzer (2010), "High quality ITO thin films grown by dc and RF sputtering without oxygen", J Phys D Appl Phys., vol 43, no [112] West John L and Da Wei Lee (2014), "Cracked ITO on Polyester Film Substrates for Electro-Optic Applications", Appl Mech Mater., vol 526, pp 15–20 [113] Hu Mingjun, Jiefeng Gao, Yucheng Dong, Kai Li, Guangcun Shan, Shiliu Yang, and Robert Kwok Yiu Li (2012), "Flexible transparent PES/silver nanowires/PET sandwich-structured film for high-efficiency electromagnetic interference shielding", Langmuir, vol 28, no 18, pp 7101–7106 [114] Terzini E., P Thilakan, and C Minarini (2000), "Properties of ITO thin films deposited by RF magnetron sputtering at elevated substrate temperature", Mater Sci Eng B Solid-State Mater Adv Technol., vol 77, no 1, pp 110– 114 [115] Garnett Erik C, Wenshan Cai, Judy J Cha, Fakhruddin Mahmood, Stephen T Connor, M Greyson Christoforo, Yi Cui, Michael D McGehee, Mark L Brongersma, M Greyson Christoforo, Yi Cui, Michael D McGehee, and Mark 108 L Brongersma (2012), "Self-limited plasmonic welding of silver nanowire junctions.", Nat Mater., vol 11, no 3, pp 241–9 [116] Hu Liangbing, Han Sun Kim, Jung-yong Lee, Peter Peumans, and Yi Cui (2010), "Scalable Coating and Properties of Transparent, Flexible, Silver Nanowire Electrodes", ACS Nano, vol 4, no 5, p 2955 [117] Nguyen Duy-Cuong, Seigo Ito, and Dang Viet Anh Dung (2015), "Effects of annealing conditions on crystallization of the CZTS absorber and photovoltaic properties of Cu(Zn,Sn)(S Se)2 solar cells", J Alloys Compd., vol 632, pp 676–680 [118] Uma Ghorpade, Mahesh Suryawanshi, Seung Wook Shin, Kishor Gurav, Pramod Patil, Sambhaji Pawar, Chang Woo Hong Jin Hyeok Kim and Sanjay Kolekar (2014), "Towards environmentally benign approaches for the synthesis of CZTSSe nanocrystals by a hot injection method: a status review", Chemical Communications, vol 50, issue 77 [119] Hages Charles J and Rakesh Agrawal (2015), "Synthesis of CZTSSe Thin Films from Nanocrystal Inks", Copp Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Sol Cells, pp 239–270 [120] Riha Shannon C., Bruce A Parkinson, and Amy L Prieto (2009), "SolutionBased Synthesis and Characterization of Cu2ZnSnS4 Nanocrystals", J Am Chem Soc., vol 131, no 34, pp 12054–12055 [121] Steinhagen Chet, Matthew G Panthani, Vahid Akhavan, Brian Goodfellow, Bonil Koo, and Brian A Korgel (2009), "Synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystals for use in low-cost photovoltaics", J Am Chem Soc., vol 131, no 35, pp 12554–12555 [122] Guo Qijie, Hugh W Hillhouse, and Rakesh Agrawal (2009), "Synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystal ink and its use for solar cells", J Am Chem Soc., vol 131, no 33, pp 11672–11673 [123] Guo Qijie, Grayson M Ford, Wei-Chang Yang, Bryce C Walker, Eric A Stach, Hugh W Hillhouse, and Rakesh Agrawal (2010), "Fabrication of 7.2% efficient CZTSSe solar cells using CZTS nanocrystals", J Am Chem Soc., vol 132, no 49, pp 17384–17386 109 [124] Lin Xianzhong, Jaison Kavalakkatt, Ahmed Ennaoui, and Martha Ch LuxSteiner (2015), "Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film absorbers based on ZnS, SnS and Cu3SnS4 nanoparticle inks: Enhanced solar cells performance by using a twostep annealing process", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 132, pp 221–229 [125] Liu Yi, Dong Yao, Liang Shen, Hao Zhang, Xindong Zhang, and Bai Yang (2012), "Alkylthiol-enabled Se powder dissolution in Oleylamine at room temperature for the phosphine-free synthesis of copper-based quaternary selenide nanocrystals", J Am Chem Soc., vol 134, no 17, pp 7207–7210 [126] Mitzi David B, Oki Gunawan, Teodor K Todorov, Kejia Wang, and Supratik Guha (2011), "The path towards a high-performance solution-processed kesterite solar cell", Sol Energy Mater Sol Cells, vol 95, no 6, pp 1421– 1436 [127] Wei Hao, Wei Guo, Yijing Sun, Zhi Yang, and Yafei Zhang (2010), "Hotinjection synthesis and characterization of quaternary Cu2ZnSnSe4 nanocrystals", Mater Lett., vol 64, no 13, pp 1424–1426 [128] Altamura Giovanni (2014), " Development of CZTSSe thin films based solar cells", Material chemistry Uni- versité Joseph-Fourier - Grenoble I, HAL Id: tel-01060095 [129] Chernomordik Boris D, E Be, Donna D Deng, Lorraine F Francis, and Eray S Aydil (2014), "Microstructure Evolution and Crystal Growth in Cu2ZnSnS4 Thin Films Formed By Annealing Colloidal Nanocrystal Coatings", Chemistry of Materials, vol 26, no 10, pp 3191 - 3201 [130] C.V.Thompson (1991), "Secondary grain growth in thin films of semiconductors: Theoretical aspects", J Appl Phys., vol 763, no 1985 [131] Redinger Alex, Dominik M Berg, Phillip J Dale, Rabie Djemour, Levent Gütay, Tobias Eisenbarth, Nathalie Valle, and Susanne Siebentritt (2011), "Route toward high-efficiency single-phase Cu2ZnSn(S,Se)4 thin-film solar cells: Model experiments and literature review", IEEE Journal of Photovoltaics, vol 1, no pp 200 – 206 [132] Hartman Katy, Bonna K Newman, J L Johnson, Hui Du, P A Fernandes, Vardaan Chawla, Trudy Bolin, M Bruce, António F Cunha, Glenn Teeter, 110 Michael A Scarpulla, and Tonio Buonassisi (2011), "Detection of ZnS phases in CZTS Thin-Films By EXAFS", 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp 4–7 ... tạo vật liệu dẫn điện suốt vật liệu hấp thụ ánh sáng nhằm sử dụng pin mặt trời CZTSe ’ này, tập trung vào việc nghiên cứu chế tạo vật liệu để ứng dụng pin mặt trời đặc biệt vật liệu hấp thụ. .. GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THU HIỀN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT VÀ VẬT LIỆU HẤP THỤ ÁNH SÁNG NHẰM SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI CZTSe. .. của pin mặt trời Trong nghiên cứu này, nghiên cứu pin mặt trời CZTSe thuộc nhóm pin mặt trời CZTSSe chế tạo một số lớp vật liệu ứng dụng cho pin mặt trời CZTSe 1.2 Pin mặt trời CZTSe