Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của các nano tinh thể hợp kim tetrapod cdse1 xtex

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC VŨ THÚY MAI CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO TINH THỂ HỢP KIM TETRAPOD CdSe1-xTex LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THÁI NGUYÊN, NĂM 2019 i LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, cho phép em gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới TS Phạm Minh Tân TS Nguyễn Xuân Ca người trực tiếp hướng dẫn khoa học, bảo tận tình tạo điều kiện tốt giúp em suốt trình nghiên cứu thực luận văn Xin cảm ơn tạo điều kiện thiết bị, phòng thí nghiệm Khoa Vật lý Cơng nghệ trường Đại học Khoa học Em xin gửi lời cảm ơn đến Thầy Cô giáo Khoa Vật lý Công nghệ trường Đại học Khoa học trang bị cho em tri thức khoa học tạo điều kiện học tập thuận lợi cho em suốt thời gian qua Tôi xin chân thành cảm ơn trường THPT Phủ Thông – Bắc Kạn nơi công tác tạo điều kiện thuận lợi cho thời gian công việc quan, để thực đề tài Cuối xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tình u thương tới gia đình bạn bè - nguồn động viên quan trọng mặt tinh thần vật chất giúp tơi có điều kiện học tập nghiên cứu khoa học ngày hôm Xin trân trọng cảm ơn! Bắc Kạn, ngày 20 tháng năm 2019 Học viên Vũ Thúy Mai ii MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i MỤC LỤC iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT .ivi DANH MỤC BẢNG BIỂU vi DANH MỤC HÌNH ẢNH vii MỞ ĐẦU CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO DỊ CHẤT A2B6 DẠNG TETRAPOD 1.1 Một số kết nghiên cứu công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.1.1 Công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.1.2 Công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn ba thành phần 1.1.3 Vai trò ligand 1.1.4 Nhiệt độ phản ứng 10 1.1.5 Thời gian phản ứng 12 1.1.6 Tỷ lệ chất tham gia phản ứng 14 1.2 Các tính chất quang nano tinh thể dạng tetrapod 14 1.2.1 Cấu trúc điện tử 16 1.2.2 Đặc trưng hấp thụ phát xạ 17 1.2.3 Ảnh hưởng cơng suất kích thích đến phổ quang huỳnh quang 18 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 20 2.1 Chế tạo nano tinh thể CdSe1-xTex dạng tetrapod 20 2.1.1 Hóa chất dùng thí nghiệm bao gồm: 20 2.1.2 Hệ chế tạo mẫu 20 2.1.3 Quy trình tổng hợp nano tinh thể CdSe1-xTex dạng tetrapod 20 2.1.4 Làm mẫu 21 2.2 Các phép đo thực nghiệm 21 2.2.1 Nhiễu xạ tia X (X-ray diffraction - XRD) 21 2.2.2 Kính hiển vi điện tử truyền qua 22 2.2.3 Phổ hấp thụ quang học 23 2.2.4 Phổ huỳnh quang 23 2.2.5 Phổ tán xạ micro – Raman 25 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27 3.1 Chế tạo nano tinh thểCdSe1-xTexvà Ảnh hưởng thời gian chế tạo đến phát triển nano tinh thể CdSe1-xTex dạng tetrapod 27 3.2 Ảnh hưởng tỉ lệ Se/Te đến tính chất quang NC CdSe1-xTex 30 3.2.1 Ảnh TEM phổ dao động NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi 30 3.2.2 Phổ hấp thụ quang huỳnh quang NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi 30 3.2.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi 35 KẾT LUẬN 38 CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC Đà XUẤT BẢN 39 TÀI LIỆU THAM KHẢO 40 DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT � G � ó T N hi C C d a E N g ă N N m a N K h P H L u Z K n ẽ A H b ấp C C d a C C d a N N C a O O D c T K E n X N R hi S I n C C d a C I n Z I n F Đ W ộ v DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 3.1: Vị trí đỉnh hấp thụ, đỉnh huỳnh quang, lượng vùng cấm FWHM NC CdSe1-xTex (0 � x � 1) 35 vi DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1 Sự thay đổi độ bão hòa hàm thời gian Hình 1.2 Sự phụ thuộc �G vào kích thước hạt Hình 1.3 Sự phụ thuộc tốc độ phát triển hạt theo tỉ số r/r * Hình 1.4 Quá trình thay đổi cấu từ cấu trúc lõi/vỏ CdSe/ZnSe sang cấu trúc hợp kim ZnCdSe theo nhiệt độ phản ứng Hình 1.5.Quá trình biến đổi cấu trúc NC theo nhiệt độ phản ứng(a),sự thay đổi đỉnh phát xạ theo thời gian ủ nhiệt ZnCdSe chế tạo nhiệt độ 270oC(b) Hình 1.6 Sơ đồ cấu trúc lượng vùng cấm CdSe, CdTe CdTe1-xSex … Hình 1.7 Giản đồ XRD NC CdSe chế tạo sử dụng cadmium oleate ODE-Se 10 Hình 1.8 Giản đồ XRD NC CdSe chế tạo sử dụng TOP-Se 11 Hình 1.9 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe có cấu trúc ZB nhiệt độ phản ứng khác 12 Hình 1.10: Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe, CdTe CdTeSe chế tạo nhiệt độ 180oC,220oC, 280oC 12 Hình 1.11 Sự phát triển theo thời gian phổ hấp thụ UV-vis (A) phổ phát xạ PL (B) NC CdTeSe 220 °C với tỷ lệ 5Cd-0.5Te-0.5Se Vị trí đỉnh phổ PL PLQY phụ thuộc vào thời gian ủ nhiệt (C) Ảnh hưởng thời gian tới thành phần Te Se có NC CdTeSe ( D)……… .13 Hình 1.12: Phổ PL (a) ảnh chụp dung dịch chứa NC CdTeSe tỉ lệ x thay đổi từ 0-1(b) 14 Hình 1.13 (a) phổ hấp thụ Abs, (b) phổ phát xạ PL NC CdSSe với x thay đổi từ 0÷1 15 Hình 1.14 Phổ XRD NC CdSSe tỉ S/Se thay đổi 15 vii Hình 1.15 (a) Sự chuyển pha cấu trúc từ ZB sang WZ yếu tố định hình dạng TP cấu trúc nano CdSe/CdS; (b) Ảnh TEM TP CdSe/CdS chế tạo sử dụng hỗn hợp ODPA-PPA theo tỉ lệ khối lượng 93,5/6,5; vii (c) Biểu đồ phụ thuộc hiệu suất tạo thành TP CdSe/CdS vào tỉ lệ khối lượng ODPA- PPA 16 Hình 1.16 Các mức lượng điện tử lô trống vật liệu khối CdSe có cấu trúc WZ ZB 17 Hình 1.17 Phổ hấp thụ phổ PL TP CdSe/CdS có đường kính lõi CdSe ~ nm chiều dài nhánh CdS 24 nm 17 Hình 1.18 (a,b) Sự phụ thuộc phổ PL hai TP CdSe/CdS có đường kính lõi CdSe ~ nm chiều dài nhánh khác (55 28 nm) vào cơng suất kích thích; (c) Giản đồ vùng lượng (d) phân bố hàm sóng điện tử lỗ trống 18 Hình 2.1 Hệ chế tạo NC CdSe1-xTex 21 Hình 2.2 Minh họa mặt hình học định luật nhiễu xạ Bragg 22 Hình 2.3 Sơ đồ nguyên lý kính hiển vi điện tử truyền qua 23 Hình 2.4 Sơ đồ nguyên lý máy đo phổ hấp thụ UV – vis…………24 Hình 2.5 Cấu hình chi tiết máy phổ kế huỳnh quang Cary Eclipse 25 Hình 2.6 Sơ đồ khối hệ đo micro Raman………………………… …26 Hình 3.1 Phổ hấp thụ (A) PL (B) NC CdSe1-xTex theo thời gian phản ứng 28 Hình 3.2 Vị trí đỉnh PL PL FWHM NC CdSe1-xTex theo thời gian phản ứng 29 Hình 3.3 Ảnh TEM NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi 30 Hình 3.4 Ảnh chụp NC CdSeTe chế tạo nồng độ x khác 31 Hình 3.5 Phổ tán xạ Raman NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi 32 Hình 3.6 Phổ hấp thụ NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi 33 Hình 3.7 Phổ quang huỳnh quang NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi 34 Hình 3.8 Phổ nhiễu xạ tia X NC CdSe1-xTex (0 � x � 1)…………….35 lệ Se/Te phổ phát xạ NC CdSe1-xTex thay đổi khoảng rộng mà khơng cần thay đổi kích thước hạt Trong phần này, chế tạo NC CdSe1-xTex với thành phần x thay đổi từ 0-1 nghiên cứu tính chất quang chúng 3.2.1 Ảnh TEM phổ dao động NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi Hình 3.3 ảnh TEM NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi Từ ảnh TEM cho thấy NC CdSe1-xTex có hình dạng tetrapod, phân bố kích thước đồng đơn phân tán Kích thước NC CdTe; CdTe 0,4Se0,6; CdTe0,6Se0,4 CdSe xác định từ ảnh TEM khoảng 8,0 � 0,5 (nm) Kết cho thấy, điều kiện chế tạo, thay đổi tỉ lệ ngun tố Se Te kích thước NC hợp kim CdSe1-xTex thay đổi không đáng kể Hình 3.3 Ảnh TEM NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi Hình 3.4 Ảnh chụp NC CdSeTe chế tạo nồng độ x khác Nghiên cứu đặc trưng phonon cho thêm thông tin NC mà phương pháp quang phổ khác không nhận Chẳng hạn ứng suất bề mặt NC, chất lớp tiếp xúc lõi/vỏ cấu trúc lõi/vỏ, hình thành NC hợp kim Tán xạ Raman kỹ thuật quan trọng dùng để nhận thông tin đặc trưng phonon quang Kỹ thuật Raman cho phép đo nhanh không tiếp xúc mẫu Do nhạy với tính chất tinh thể xếp nguyên tử, Raman phương pháp tốt để nghiên cứu NC Để nghiên cứu tính chất dao động xác định xác tạo thành NC hợp kim thành phần CdSe1-xTex, tiến hành đo phổ tán xạ Raman chúng, kết quan sát hình 3.5 L Cờng độ (đ.v.t.y) O C d Se 1LOC dSeTe 2LO 100 200 300 400 500 -1 §é dÞch Raman (cm ) Hình 3.5 Phổ tán xạ Raman NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi Từ hình 3.5 cho thấy phổ Raman NC CdTe (x=0) CdSe (x=1) xuất đỉnh Raman số sóng tương ứng khoảng 168 209 cm-1 Các đỉnh Raman đỉnh 1LO NC CdTe CdSe Vị trí đỉnh 1LO CdTe CdSe khối tương ứng với số sóng 173 213 cm -1 [5] Ở kích thước nano mét, phổ Raman NC thường bị dịch mở rộng phía tần số thấp so với bán dẫn khối, hệ hiệu ứng giam giữ phonon quang NC Khi x giảm từ 0,8-0,2 nhận thấy đỉnh 1LO NC CdSe1-xTex dịch dần từ số sóng 177 -200 cm-1 phù hợp với tăng dần tỉ lệ Se/Te, thể rõ qua việc đỉnh 1LO NC CdSe1-xTex dịch dần từ đỉnh 1LO NC CdTe đến đỉnh 1LO CdSe Như chứng thuyết phục cho tạo thành NC thành phần CdSe1-xTex thay cho việc tạo thành NC riêng rẽ CdTe, CdSe cấu trúc NC lõi/vỏ CdTe/CdSe, CdSe/CdTe 3.2.2 Phổ hấp thụ quang huỳnh quang NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi Hình 3.6 phổ hấp thụ NC CdSe1-xTex thay đổi x từ 0-1 Đỉnh hấp thụ exciton thứ NC CdSe1-xTex rõ nét thể kích thước chúng đồng đều, kết phù hợp với hình ảnh quan sát từ ảnh TEM Khi tăng tỉ lệ x đỉnh phổ hấp thụ quang huỳnh quang NC CdSe1-xTex dịch phía bước sóng dài độ rng vựng cm ca chỳng gim Cờng độ hấp thụ chuÈn hãa CdSe1-xTex 1,70 eV x=1 2,10 eV 500 600 x = 0.4 x = 0.2 x=0 700 x = 0.8 x = 0.6 800 B•íc sãng (nm) Hình 3.6 Phổ hấp thụ NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi Như biết, lượng phát xạ huỳnh quang phụ thuộc vào lượng vùng cấm, lượng phát xạ NC CdSe1-xTex nằm lượng phát xạ NC CdSe CdTe Với bán dẫn khối, độ rộng vùng cấm CdSe CdTe tương ứng 1,74 eV 1,5 eV [33] Năng lượng vùng cấm NC CdSe CdTe lớn lượng vùng cấm bán dẫn khối tương ứng, giá trị thu tương ứng 2,1 eV 1,7 eV hình 3.6 Như x tăng lượng vùng cấm NC CdSe 1-xTex giảm dần từ lượng vùng cấm CdSe đến lượng vùng cấm CdTe Khi tỉ lệ x tăng từ đến bước sóng phát xạ NC CdSe1-xTex tăng từ 616 nm đến 755 nm Với NC hai thành phần bước sóng phát xạ phụ thuộc mạnh vào kích thước, nhiên với NC hợp kim CdSe1-xTex kích thước thay đổi khơng đáng kể nên bước sóng phát xạ chúng thay đổi khoảng rộng chủ yếu thay đổi tỉ lệ Se/Te Kết chứng tỏ tính chất quang NC hợp kim CdSe1-xTex phụ thuộc mạnh vào thành phần chúng Hình 3.7 Phổ quang huỳnh quang NC CdSe1-xTex thành phần x thay đổi Độ rộng bán phổ huỳnh quang (FWHM) NC CdSe1-xTex thay đổi nhỏ từ 21,0 nm –24,5 nm chứng tỏ NC chế tạo có phân bố kích thước hẹp so với số cơng bố khác có cấu trúc thành phần tương tự, từ 47 nm -58nm [5],[3] hay 65 nm -70 nm [21] Kết chúng tơi chế tạo nhiệt độ cao (250oC so với 220oC) bơm nhanh hai ion Te2và Se2- vào bình phản ứng chứa ion Cd2+ Bảng 3.1: Vị trí đỉnh hấp thụ, đỉnh huỳnh quang, lượng vùng cấm FWHM NC CdSe1-xTex (0 � x � 1) TA Ø b l0 S5 , , , 0 , , E g( , , , , , , PF LW (6 H2 1 6 2 3.2.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdSe1-xTex với tỉ lệ x thay đổi Hình 3.8 phổ nhiễu xạ tia X NC hợp kim CdSe1-xTex (111) Cubic CdSe Te 1-x x (220) (311) Cờng độ (đ.v.t.y) CdSe CdSe0.8 Te0.2 CdSe0.6 Te0.4 CdSe0.4Te 0.6 CdSe0.2 Te0.8 (111) 20 CdTe (220) 30 40 (311) 50 60 theta (®é) Hình 3.8 Phổ nhiễu xạ tia X NC CdSe1-xTex (0 � x � 1) Có thể quan sát thấy rõ ràng ba đỉnh nhiễu xạ CdSe1-xTex (x=0) phù hợp với ba đỉnh nhiễu xạ cấu trúc lập phương giả kẽm NC CdTe Vị trí góc nhiễu xạ 24,55o; 40,6o 48o tương ứng với đỉnh nhiễu xạ {111}, {220} {311} cấu trúc lập phương giả kẽm NC CdTe (F- 43m, JCPDS #65-1047) Tương tự đỉnh nhiễu xạ góc 25,45o; 42,2o 49,95o NC CdSe1-xTex (x=1) tương ứng với ba đỉnh nhiễu xạ {111}, {220} {311} cấu trúc lập phương giả kẽm NC CdSe (F-43m, JCPDS #65-2891) Từ hình 3.8 nhận thấy x tăng từ đến ba đỉnh nhiễu xạ NC hợp kim CdSe1-xTex dịch dần phía góc nhiễu xạ nhỏ nằm góc nhiễu xạ tương ứng với vị trí đỉnh nhiễu xạ NC CdSe CdTe khơng có thay đổi pha tinh thể, kết tương tự kết quan sát thấy nghiên cứu Liao cộng NC hợp kim CdSexTe1-x [21] Khi x tăng dần từ đến 1, đỉnh nhiễu xạ bị dịch phía góc nhiễu xạ nhỏ số mạng tinh thể NC hợp kim CdSe1-xTex tăng dần từ 6,05Aođến 6,48Ao, tương ứng với số mạng tinh thể CdSe CdTe Kết phù hợp với định luật Vegard [8] thay ngun tử Te có bán kính lớn (1,43 Ao) cho ngun tử Se có bán kính nhỏ (1,16Ao) [5] Để chế tạo NC CdSexTe1-x có phân bố hóa học đồng đều, ngồi việc phải chế tạo nhiệt độ cao tốc độ bơm tiền chất Te Se vào dung dịch phản ứng ảnh hưởng nhiều tới việc phân bố thành phần hợp kim Nếu bơm nhanh q hoạt tính hóa học ion Te2- mạnh hoạt tính hóa học ion Se2- nên tạo NC CdSexTe1-x có phân bố hóa học giàu CdTe Nếu bơm chậm thời gian bơm hết lượng tiền chất lâu dẫn đến nồng độ monomer giảm, phân kỳ kích thước ảnh hưởng đến chất lượng NC Mặt khác, lượng tiền chất ban đầu để tạo thành mầm NC CdSexTe1-x quan trọng, lượng mầm NC CdSexTe1-x q nhanh xảy phân kỳ kích thước, lượng mầm ban đầu tạo nhiều q khó tạo NC có phân bố hóa học ng u Năng lợng vùng cấm (eV) 2,1 2,0 1,9 1,8 1,7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 TØ lƯ Te/(Se+Te) Hình 3.9 Sự phụ thuộc lượng vùng cấm NC CdSe1-xTex theo tỉ lệ x Khảo sát phụ thuộc lượng vùng cấm vào thành phần x cho thấy, lượng vùng cấm phụ thuộc khơng tuyến tính vào tỉ lệ Te/ (Se+Te), điều giải thíchlà khác biệt bán kính ion Te Se khác số mạng tinh thể CdTe CdSe KẾT LUẬN Luận văn thu kết sau: Đã chế tạo thành công NC hợp kim tetrapod CdSe1−xTex phương pháp hóa ướt dung mơi khơng liên kết ODE sử dụng tiền chất CdO, Se Te Khi thời gian chế tạo tăng đỉnh hấp thụ huỳnh quang NC CdSe1−xTex dịch phía bước sóng dài kích thước chúng tăng Khi thay đổi thành phần Se/Te, kích thước NC khơng thay đổi Tuy nhiên, tính chất quang NC thay đổi thể bước sóng phát xạ NC CdSe1−xTex thay đổi từ 616 nm đến 755 nm dịch phía bước sóng dài tăng thành phần Te (x) Sự phụ thuộc lượng vùng cấm vào thành phần x khơng tuyến tính, khác biệt bán kính ion Te Se khác số mạng tinh thể CdTe CdSe CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC Đà XUẤT BẢN Nguyễn Xuân Ca, Nguyễn Thị Hiền, Lê Đắc Duẩn, Trần Thị Hồng Gấm, Nguyễn Thị Thảo, Vũ Thúy Mai, Vũ Hồng Tuân, Phạm Minh Tân, Chế tạo nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn CdS pha tạp Cu, Tạp chí Khoa học Công nghệ Đại học Thái Nguyên; Tập 190, Số 14, 31-39 (2018) TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tiếng Việt [1] Lê Bá Hải, Luận văn tiến sĩ, Chế tạo nghiên cứu tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdSe/CdS, Viện khoa học Vật liệu (2010) [2] Phạm Minh Kiên, luận văn thạc sĩ, Nghiên cứu chế tạo tính chất quang nano tinh thể ba thành phần ZnxCd1-xS pha tạp kim loại chuyển tiếp, Viện Vật lý (2014) [3] Đỗ Thị Tú Quyên, Chế tạo nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn hợp kim CdTe1-xSex, Luận văn Thạc sĩ Vật lý, 2018 Tài liệu tiếng anh [4] J Zhang, Q Yang, H Cao, C I Ratcliffe, D Kingston, Q Y Chen, et al., "Bright Gradient-Alloyed CdSexS1-x Quantum Dots Exhibiting Cyan-Blue Emission," Chemistry of Materials, vol 28, pp 618-625, 2016 [5] Z Han, L Ren, L Chen, M Luo, H Pan, C Li, et al., "Synthesis and optical properties of water-soluble CdTe1-xSex quantum dots with ultralong fluorescence lifetime," Journal of Alloys and Compounds, vol 699, pp 216-221, 2017 [6] G.-X Liang, M.-M Gu, J.-R Zhang, and J.-J Zhu, "Preparation and bioapplication of high-quality, water-soluble, biocompatible, and nearinfrared-emitting CdSeTe alloyed quantum dots," Nanotechnology, vol 20, p 415103, 2009 [7] L X Hung, P D Bassène, P N Thang, N T Loan, W D de Marcillac, A R Dhawan, et al., "Near-infrared emitting CdTeSe alloyed quantum dots: Raman scattering, photoluminescence and single-emitter optical properties," RSC Advances, vol 7, pp 4796647974, 2017 [8] J Dai, P Zhou, J Lu, H Zheng, J Guo, F Wang, et al., "The excitonic photoluminescence mechanism and lasing action in band-gap-tunable CdS 1− x Se x nanostructures," Nanoscale, vol 8, pp 804-811, 2016 [9] V K LaMer and R H Dinegar, "Theory, production and mechanism of formation of monodispersed hydrosols," Journal of the American Chemical Society, vol 72, pp 4847-4854, 1950 [10] J Park, J Joo, S G Kwon, Y Jang, and T Hyeon, "Synthesis of monodisperse spherical nanocrystals," Angewandte Chemie International Edition, vol 46, pp 4630-4660, 2007 [11] C Burda, X Chen, R Narayanan, and M A El-Sayed, "Chemistry and properties of nanocrystals of different shapes," Chemical reviews, vol 105, pp 1025-1102, 2005 [12] D V Talapin, A L Rogach, M Haase, and H Weller, "Evolution of an ensemble of nanoparticles in a colloidal solution: theoretical study," The Journal of Physical Chemistry B, vol 105, pp 12278-12285, 2001 [13] X Peng, J Wickham, and A Alivisatos, "Kinetics of II-VI and III-V colloidal semiconductor nanocrystal growth:“focusing” of size distributions," Journal of the American Chemical Society, vol 120, pp 5343-5344, 1998 [14] P D Cozzoli, L Manna, M L Curri, S Kudera, C Giannini, M Striccoli, et al., "Shape and phase control of colloidal ZnSe nanocrystals," Chemistry of materials, vol 17, pp 1296-1306, 2005 [15] X Zhong, M Han, Z Dong, T J White, and W Knoll, "CompositionTunable ZnxCd1-xSe Nanocrystals with High Luminescence and Stability," Journal of the American Chemical Society, vol 125, pp 85898594, 2003 [16] S Acharya and N Pradhan, "Insertion/ejection of dopant ions in composition tunable semiconductor nanocrystals," The Journal of Physical Chemistry C, vol 115, pp 19513-19519, 2011 [17] J Lim, W K Bae, K U Park, L zur Borg, R Zentel, S Lee, et al., "Controlled synthesis of CdSe tetrapods with high morphological uniformity by the persistent kinetic growth and the halide-mediated phase transformation," Chemistry of Materials, vol 25, pp 1443-1449, 2012 [18] A Nag, A Hazarika, K Shanavas, S M Sharma, I Dasgupta, and D Sarma, "Crystal structure engineering by fine-tuning the surface energy: the case of CdE (E= S/Se) nanocrystals," The Journal of Physical Chemistry Letters, vol 2, pp 706-712, 2011 [19] K Shanavas, S M Sharma, I Dasgupta, A Nag, A Hazarika, and D Sarma, "First-principles study of the effect of organic ligands on the crystal structure of CdS nanoparticles," The Journal of Physical Chemistry C, vol 116, pp 6507-6511, 2012 [20] A Al Salman, "Spectroscopy and kinetic studies of electron-hole recombination in CdSe nanoparticles," EPFL2007 [21] L Liao, H Zhang, and X Zhong, "Facile synthesis of red-to nearinfrared-emitting CdTexSe1-x alloyed quantum dots via a noninjection one-pot route," Journal of Luminescence, vol 131, pp 322-327, 2011 [22] G Tan, S Li, J B Murowchick, C Wisner, N Leventis, and Z Peng, "Preparation of uncapped CdSe1-xSx semiconducting nanocrystals by mechanical alloying," Journal of Applied Physics, vol 110, p 124306, 2011 [23] L A Swafford, L A Weigand, M J Bowers, J R McBride, J L Rapaport, T L Watt, et al., "Homogeneously Alloyed CdSxSe1-x Nanocrystals: Synthesis, Characterization, and Composition/SizeDependent Band Gap," Journal of the American Chemical Society, vol 128, pp 12299-12306, 2006 [24] J Huang, M V Kovalenko, and D V Talapin, "Alkyl chains of surface ligands affect polytypism of CdSe nanocrystals and play an important role in the synthesis of anisotropic nanoheterostructures," Journal of the American Chemical Society, vol 132, pp 15866-15868, 2010 [25] D Tarì, M De Giorgi, F D Sala, L Carbone, R Krahne, L Manna, et al., "Optical properties of tetrapod-shaped CdTe nanocrystals," Applied Physics Letters, vol 87, p 224101, 2005 [26] J Li, "Shape effects on electronic states of nanocrystals," Nano letters, vol 3, pp 1357-1363, 2003 [27] C Galland, S Brovelli, W K Bae, L A Padilha, F Meinardi, and V I Klimov, "Dynamic hole blockade yields two-color quantum and classical light from dot-in-bulk nanocrystals," Nano letters, vol 13, pp 321-328, 2012 [28] M G Lupo, F Della Sala, L Carbone, M Zavelani-Rossi, A Fiore, L Lüer, et al., "Ultrafast electron− hole dynamics in core/shell CdSe/CdS dot/rod nanocrystals," Nano letters, vol 8, pp 4582-4587, 2008 [29] A M Smith, A M Mohs, and S Nie, "Tuning the optical and electronic properties of colloidal nanocrystals by lattice strain," Nature nanotechnology, vol 4, p 56, 2009 [30] Y Luo and L.-W Wang, "Electronic structures of the CdSe/CdS core− shell nanorods," ACS nano, vol 4, pp 91-98, 2009 [31] A A Lutich, C Mauser, E Da Como, J Huang, A Vaneski, D V Talapin, et al., "Multiexcitonic dual emission in CdSe/CdS tetrapods and nanorods," Nano letters, vol 10, pp 4646-4650, 2010 [32] C.-Y Yeh, Z Lu, S Froyen, and A Zunger, "Zinc-blende–wurtzite polytypism in semiconductors," Physical Review B, vol 46, p 10086, 1992 [33] C H Wang, T T Chen, K W Tan, and Y F Chen, Photoluminescence properties of CdTe∕CdSeCdTe∕CdSe core-shell type-II quantum dots, J App Phys,99, 123521, (2006) ... NGHỆ CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO DỊ CHẤT ��� �� DẠNG TETRAPOD 1.1 Một số kết nghiên cứu công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.1.1 Công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn Các phương... CdSe1- xTex Mục tiêu luận văn: - Chế tạo nano tinh thể bán dẫn ba thành phần CdSe 1 -xTex dạng tetrapod; - Nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn ba thành phần CdSe1- xTex chế tạo Nội... NANO DỊ CHẤT A2B6 DẠNG TETRAPOD 1.1 Một số kết nghiên cứu công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.1.1 Công nghệ chế tạo nano tinh thể bán dẫn 1.1.2 Công nghệ chế tạo nano