Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể bán dẫn loại II cdte cdse

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC ––––––––––––––––––––––––– LÊ THỊ HOA CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ BÁN DẪN LOẠI II CdTe/CdSe LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THÁI NGUYÊN – 2018 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC LÊ THỊ HOA CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ BÁN DẪN LOẠI II CdTe/CdSe Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS NGUYỄN THỊ HIỀN THÁI NGUYÊN - 2018 LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, cho phép em gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới TS Nguyễn Thị Hiền TS Nguyễn Xuân Ca người trực tiếp hướng dẫn khoa học, bảo tận tình tạo điều kiện tốt giúp em suốt trình nghiên cứu thực luận văn Em xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô giáo Khoa Vật Lý – Trường Đại học Khoa học Đại học Thái Nguyên , đặc biệt Thầy cô Bộ môn Vật lý Công nghệ dạy dỗ trang bị cho em tri thức khoa học tạo điều kiện học tập thuận lợi cho em suốt thời gian qua Cuối xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tình yêu thương tới gia đình bạn bè – nguồn động viên quan trọng mặt tinh thần vật chất giúp tơi có điều kiện học tập nghiên cứu khoa học ngày hôm Xin trân trọng cảm ơn! Thái Nguyên, ngày 04 tháng năm 2018 Học viên Lê Thị Hoa Mục lục MỞ ĐẦU CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ CÁC ĐẶC TRƯNG QUANG CỦA CÁC NC CẤU TRÚC LÕI/VỎ LOẠI II 10 1.1 Sự giam giữ lượng tử hạt tải nano tnh thể 10 1.2 Phân loại hệ nano có cấu trúc lõi vỏ 12 1.3 Giới thiệu nano tnh thể bán dẫn loại II 14 1.4 Các nguyên tắc chung việc chế tạo hệ nano có cấu trúc lõi vỏ 16 1.4.1 Chọn vật liệu để bọc vỏ 16 1.4.2 Các tiền chất để bọc vỏ 17 1.4.3 Điều khiển chiều dày lớp vỏ 17 1.5 Tính chất quang 20 1.5.1 Ảnh hưởng kích thước lõi chiều dày vỏ 20 1.5.2 Thời gian sống huỳnh quang 24 1.5.3 Ảnh hưởng cơng suất kích thích đến phổ quang huỳnh quang 25 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 28 2.1 Chế tạo NC CdTe CdTe/CdSe cấu trúc lõi/vỏ phương pháp hóa ướt 28 2.1.1.Hóa chất dùng thí nghiệm bao gồm: 28 2.1.2.Tiến hành thí nghiệm: 28 2.2 Các phép đo thực nghiệm 29 2.2.1 Nhiễu xạ ta X (X-ray difracton - XRD) 29 2.2.2 Kính hiển vi điện tử truyền qua ( TEM) 30 2.2.3 Phổ hấp thụ quang học 30 2.2.4 Phổ huỳnh quang 31 2.2.5 Phổ tán xạ micro - Raman 32 2.2.6 Phép đo thời gian sống huỳnh quang 34 CHƯƠNG 3: CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO TINH THỂ LÕI CdTe VÀ CÁC NANO TINH THỂ LÕI/VỎ LOẠI II CdTe/CdSe 37 3.1 Chế tạo nano tinh thể lõi CdTe 37 3.1.1 Ảnh hưởng nhiệt độ chế tạo đến phát triển nano tnh thể CdTe 37 3.1.2 Ảnh hưởng thời gian chế tạo đến phát triển nano tnh thể CdTe 39 3.2 Chế tạo NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe 42 3.3 Ảnh hưởng chiều dày lớp vỏ đến tính chất quang NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe 43 3.4 Ảnh hưởng cơng suất kích thích lên phổ quang huỳnh quang NC CdTe CdTe/CdSe 50 KẾT LUẬN 53 Tài liệu tham khảo 54 DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Abs Hấp thụ Eg Năng lượng vùng cấm NC Nano tnh thể nm Nano met OA Acid Oleic ODE Octadecene PL Huỳnh quang SA Acid Stearic T Nhiệt độ TEM Hiển vi điện tử truyền qua XRD Nhiễu xa ta X θ Góc therta DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: Một số số vật lý vật liệu bán dẫn khối Bảng 1.2: Cơng thức liên hệ kích thước chấm lượng tử CdSe, CdTe, CdS, InP với vị trí đỉnh hấp thụ excition thứ Bảng 3.1: Các số thu việc làm khớp phổ PL phân giải thời gian NC CdTe NCs lõi/vỏ CdTe/CdSe DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1: Sự tăng mức lượng lượng tử hóa mở rộng lượng vùng cấm NC so với tnh thể khối Hình 1.2: Phổ hấp thụ phổ PL NC CdTe có kích thước khác Hình1.3: Các mức lượng điện tử số hợp chất bán dẫn khối VB vùng hóa trị, CB vùng dẫn Hình 1.4: Sơ đồ xếp mức lượng hệ nano lõi vỏ khác Hình 1.5: Cấu trúc NC CdTe CdTe/CdSe, chế phát xạ Sơ đồ vùng lượng cấu trúc bán dẫn dị chất loại I, giả loại II loại II Hình 1.6: Tổng hợp nano tinh th ể k iểu lõi/ vỏ theo qu y trìn h hai bư ớc Hình 1.7: Phương pháp SILAR sử dụng để bọc vỏ, mô hình minh họa cho hệ lõi/vỏ CdSe/CdS Hình 1.8: Phổ AbS PL NC CdTe/CdSe thay đổi chiều dày lớp vỏ Hình 1.9: Phổ AbS (A) PL (B) lõi CdTe NC CdTe/CdSe thay đổi bán kính lõi chiều dày vỏ Hình 1.10: Phổ phân rã PL NC CdTe CdTe/CdSe với chiều dày vỏ khác Hình 1.11: Sự thay đổi phổ PL NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe 15 K thay đổi công suất kích thích quang Hình nhỏ bên ảnh hưởng hiệu ứng uốn cong vùng đến cấu trúc vùng lượng loại II Hình 1.12: Sự thay đổi lượng phát xạ theo cơng suất kích thích quang NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe Đồ thị bên trình bày phụ thuộc lượng phát xạ vào cơng suất kích thích quang theo quy luật mũ 1/3 Hình 2.1: Sơ đồ chế tạo NCs CdTe CdTe/CdSe cấu trúc lõi/vỏ Hình 2.2: Sơ đồ phép đo nhiễu xạ Hình 2.3: Sơ đồ ngun lý kính hiển vi điện tử truyền qua Hình 2.4: Sơ đồ nguyên lý máy đo phổ hấp thụ Hình 2.5: Sơ đồ nguyên lý máy đo phổ huỳnh quang Hình 2.6: Sơ đồ biến đổi Raman Hình 2.7: Sơ đồ nguyên lý hệ đo phổ micro - Raman Hình 3.1: (a)Phổ hấp thụ PL NC CdTe chế tạo nhiệt độ khác thời gian 10 phút, (b)Sự thay đổi vị trí đỉnh PL PL FWHM theo nhiệt độ phản ứng Hình 3.1: Phổ hấp thụ (A) PL (B) NC CdTe theo thời gian phản ứng Hình 3.3: Vị trí đỉnh PL PL FWHM NC CdTe theo thời gian phản ứng Hình 3.4: Phổ PL NC CdTe đo sau chế tạo ngày sau 30 ngày Hình 3.5: Phổ AbS, PL (b) Phổ Raman NC CdTe CdTe/CdSe Hình 3.6: Ảnh TEM NC: (A) CdTe, (B) CdTe/CdSe 1ML, (C) CdTe/CdSe 3ML, (D) CdTe/CdSe 5ML Hình 3.7: Phổ AbS PL NC CdTe CdTe/CdSe 1-5ML Hình 3.8: Vị trí đỉnh PL cường độ phát xạ tích phân NC CdTe CdTe/CdSe 1-5ML Hình 3.9: Đường cong suy giảm huỳnh quang của NC CdTe CdTe/CdSe 1-5ML Đường liền nét kết làm khớp số liệu thực nghiệm phương trình 3.2 Hình 3.10: Giản đồ nhiễu xạ ta X NC CdTe, CdSe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML Hình 3.11: Phổ PL NC CdTe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML thay đổi mật độ cơng suất kích thích từ 1-1000 mW/cm2 Hình 3.12: Sự phụ thuộc lượng phát xạ theo mật độ cơng suất kích thích MỞ ĐẦU Phương pháp hóa học phương pháp linh hoạt cho phép chế tạo NC bán dẫn có kích thước, hình dạng thành phần hóa học khác Các cấu trúc nano dị chất thường phân thành loại I loại II, tùy thuộc vào vị trí tương đối mức lượng điện tử lỗ trống thành phần NC Trong cấu trúc nano loại I, hai mức lượng điện tử lỗ trống chất bán dẫn nằm bên vùng cấm chất bán dẫn khác Trong trường hợp này, cặp điện tử - lỗ trống tạo gần miền chuyển tiếp dị chất có xu hướng định xứ chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm nhỏ Khác với cấu trúc nano loại I, xếp vùng lượng hai vật liệu bán dẫn cấu trúc nano loại II tách hạt tải kích thích quang vào miền không gian khác Đồng thời, độ rộng vùng cấm cấu trúc nano loại II nhỏ so với độ rộng vùng cấm bán dẫn thành phần Do đó, điều khiển bước sóng phát xạ, thời gian sống phát xạ nhận khuếch đại quang chế độ exciton Vì lý mà cấu trúc nano loại II quan tâm nghiên cứu ứng dụng Với ưu tềm mình, cấu trúc nano tổng hợp phương pháp hóa học quan tâm năm gần [1-4] Một số cấu trúc nano loại II thiết kế chế tạo dựa tổ hợp bán dẫn khác ZnSe/CdSe [5,6], CdTe/CdS [1], CdTe/CdSe [7-9], ZnTe/CdSe [10], CdS/ZnSe [11,12] … Các nghiên cứu mang lại nhiều hiểu biết hóa học vật lý cấu trúc nano loại II Tuy nhiên, nhiều vấn đề chưa giải Ví dụ, hiệu suất lượng tử cấu trúc nano loại II thấp (010% [8,10-12]) PL QY cao (30-40%) nhận cấu trúc CdTe/CdSe [13] ZnTe/CdSe [14] với lớp vỏ mỏng Tuy nhiên, cấu trúc nano loại II có lớp vỏ mỏng biểu đặc trưng cấu trúc nano loại I không quan sát thấy xuất đuôi hấp thụ phía bước sóng dài, mà liên quan đến trạng thái truyền điện tích biểu đặc trưng cấu trúc nano loại II [15,16] Khi tăng độ dày lớp vỏ, hấp thụ phía bước sóng dài xuất chuyển từ đặc trưng loại I sang đặc trưng loại II lại gây giảm mạnh PL QY xuống 10% Giá trị thấp PL QY xem hạn chế exciton gián tiếp Hình 3.9: Đường cong suy giảm huỳnh quang của NC CdTe CdTe/CdSe 1-5ML Đường liền nét kết làm khớp số liệu thực nghiệm phương trình 3.2 Đặc trưng loại II NC CdS/ZnSe quan sát phổ huỳnh quang phân giải thời gian (hình 3.9) Phổ PL phân giải thời gian công cụ hữu hiệu để nhận biết đặc tính loại II NC Theo nghiên cứu lý thuyết, với NC loại II, lớp vỏ phát triển lõi dày phủ hàm sóng điện tử lỗ trống giảm làm tăng thời gian sống exciton Thời gian sống phát xạ thời gian mà cường độ giảm tới 1/e lần so với giá trị ban đầu nó, thời gian sống xác định từ độ dốc đường logI(t) theo thời gian t Theo cách hiểu khác thời gian sống tính khoảng thời gian trung bình tâm phát xạ lại trạng thái kích thích sau kích thích Để xác định thời gian sống NC, đường cong suy giảm huỳnh quang làm khớp với ba hàm e mũ, biểu diễn phương trình [30]: 50 I (t)   A ie t /  (3.2) i i 1 thời gian sống PL tính từ biểu thức:    A i i i 1  A i (3.3) i i 1 51 Các tham số thu việc làm khớp đường thực nghiệm phương trình (3.2) cho bảng Bảng 3.1: Các số thu việc làm khớp phổ PL phân giải thời gian NC CdTe NCs lõi/vỏ CdTe/CdSe Mẫu  (ns)  (ns)  (ns)  (ns) CdTe 2.1 (48,3%) 3.82(24.6%) 8.13(27.1%) 5.68 1ML 2.27(51,6%) 4.86 (26.8%) 10.83(21.6%) 7.13 2ML 4.68(52,7%) 8.35(27,3%) 16.52(20,0%) 10.58 3ML 5.8 (48,3%) 20.41(25,2%) 28.78(26,5%) 21.88 4ML 8.92 (45,8%) 32.76 (33,4) 42.23 (20,8%) 32,16 Kết làm khớp phổ PL phân giải thời gian NC CdTe thu giá trị thời gian phân rã 2.1, 3.82 8.13 ns Các giá trị thời gian phân rã ngắn dài quy cho việc kích hoạt trạng thái exciton tương ứng với mức 1S(e)-1S3/2(h) 1S(e)-1P1/2(h) Trạng thái exciton 1S(e)-1P1/2(h) với lượng thấp coi quỹ đạo cấm phân rã phát xạ Tuy nhiên, số nghiên cứu lại cho thời gian phát xạ dài tồn trạng thái bề mặt trạng thái exciton liên kết NC CdTe [23,30] Các trạng thái bề mặt bẫy hạt tải điện (điện tử lỗ trống) khoảng thời gian cỡ 10-11s làm giảm che phủ điện tử lỗ trống lõi CdTe Hình 3.9 cho thấy phổ PL phân giải thời gian lõi CdTe làm khớp với nhiều hàm e mũ phù hợp với kênh phân rã phát xạ không phát xạ nói Theo chúng tơi, thành phần thời gian phân rã ngắn (2.1 ns) quy cho việc kích hoạt quang trạng thái exciton 1S(e)-1S3/2(h), thành phần dài (3.82 8.13ns) tương ứng gán cho việc hạt tải điện bị bẫy trạng thái bề mặt trạng thái exciton liên kết NC CdTe Phổ PL phân giải thời gian NC loại II CdS/ZnSe có chiều dày lớp vỏ tăng dần cho thấy thời gian sống trung bình tăng dần (bảng 1) Thời gian sống huỳnh quang trung bình exciton mẫu CdTe/CdSe 4ML 32.16ns lớn gấp 5.7 lần thời gian sống exciton lõi CdTe Kết phù hợp với nghiên cứu lý thuyết lớp vỏ CdSe dày lên che phủ hàm sóng điện tử lỗ trống giảm làm tăng thời gian sống Việc tăng thời gian sống NC loại II CdTe/CdSe có chiều dày lớp vỏ tăng dần hai nguyên nhân: i) Do sai lệch số mạng lõi vỏ tạo nên ứng suất lõi vỏ làm hình thành bẫy hạt tải; ii) Tăng cường đặc trưng kiểu hai tách không gian điện tử lỗ trống Tuy nhiên với NC CdTe/CdSe việc tăng thời gian sống huỳnh quang chủ yếu tăng cường đặc trưng kiểu II Hình 3.10: Giản đồ nhiễu xạ tia X NC CdTe, CdSe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML Phổ XRD NC CdTe, CdSe CdTe/CdSe với chiều dày lớp vỏ khác trình bày hình 3.10 Kết quan sát phổ XRD cho thấy NC CdTe, CdSe CdTe/CdSe có cấu trúc kiểu lập phương với ba đỉnh nhiễu xạ {111}, {220}, {311} Với bán dẫn khối CdTe, ba đỉnh nhiễu xạ cấu trúc lập phương tương ứng 23,5o; 39,1o 46,5o Khi so sánh vị trí đỉnh vạch nhiễu xạ ta nhận thấy đỉnh nhiễu xạ NC CdTe/CdSe có dịch chuyển phía góc nhiễu xạ lớn so với mẫu CdTe, dịch dần đỉnh nhiễu xạ NC CdSe Điều chứng tỏ phát triển vỏ CdSe lõi CdTe số mạng vỏ CdSe (a ~ 6.05 Å) nhỏ số mạng lõi CdTe (a ~ 6.48 Å) Ngoài đỉnh nhiễu xạ đặc trưng cho pha tinh thể kiểu lập phương ta không quan sát thấy vạch nhiễu xạ khác giản đồ Điều chứng tỏ NC chế tạo không tồn pha tnh thể khác 3.4 Ảnh hưởng cơng suất kích thích lên phổ quang huỳnh quang NC CdTe CdTe/CdSe Hình 3.11 phổ PL NC CdTe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML thay đổi mật độ cơng suất kích thích từ 1-1000 mW/cm2 Có thể nhận thấy với NC CdTe thay đổi mật độ cơng suất kích thích từ 1-1000 mW/cm2 vị trí đỉnh PL khơng thay đổi Điều giải thích với NC lõi CdTe thời gian sống exciton ngắn nên tăng cơng suất kích thích, số lượng điện tử lỗ trống sinh tăng theo chúng lại tái hợp phát xạ nên không gây hiệu ứng khác, khơng làm thay đổi vị trí đỉnh PL Tuy nhiên với NC loại II CdTe/CdSe kết quan sát thấy đỉnh PL dịch phía lượng cao (dịch xanh) tăng cơng suất kích thích Khi mật độ cơng suất kích thích tăng từ 11000 mW/cm2 đỉnh PL NC CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML dịch phía lượng cao tương ứng 10 22 meV Sự dịch xanh đỉnh PL NC loại II CdTe/CdSe tăng cơng suất kích thích ảnh hưởng ba hiệu ứng: i) hiệu ứng uốn cong vùng cấm (BB), ii) hiệu ứng tích điện (CC) iii) hiệu ứng làm đầy trạng thái (SF) Ba hiệu ứng nguyên nhân gây nên dịch xanh đỉnh PL Để xác định đâu nguyên nhân gây nên dịch xanh đỉnh PL NC CdTe/CdSe, biểu diễn thay đổi vị trí đỉnh PL vào mật độ cơng suất kích thích, biểu diễn hình 3.12 Hình 3.11: Phổ PL NC CdTe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML thay đổi mật độ cơng suất kích thích từ 1-1000 mW/cm2 Quan sát Hình 3.12 ta nhận thấy thay đổi tuyến tính lượng phát xạ theo mật độ cơng suất kích thích mũ 1/3 NC CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML phản ánh nguyên nhân gây nên dịch xanh đỉnh phát xạ tăng cơng suất kích thích NC hiệu ứng uốn cong vùng lượng Độ dốc đường thẳng mô tả phụ thuộc lượng phát xạ theo mật độ cơng suất kích thích mũ 1/3 tăng dần NC CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML Điều giải thích NC loại II CdTe/CdSe, lớp vỏ CdSe dày tích phân che phủ điện tử - lỗ trống(  ) giảm (nghĩa tách không gian điện tử - lỗ trống tăng) Khi tăng cơng suất kích thích, tập trung số lượng lớn điện tử lỗ trống biên tiếp giáp làm xuất điện trường hướng từ vỏ CdSe đến lõi CdTe Điện trường có cường độ mạnh  nhỏ Dưới tác dụng điện trường này, vùng dẫn lõi CdTe bị uốn cong lên vùng hóa trị CdSe bị uốn cong xuống làm cho độ rộng vùng cấm hiệu dụng NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe tăng Khi điện tử lỗ trống chiếm mức lượng cao hơn, chúng tái hợp với gây dịch xanh đỉnh phát xạ Hình 3.12: Sự phụ thuộc lượng phát xạ theo mật độ cơng suất kích thích mũ 1/3 NC CdTe, CdTe/CdSe 2ML CdTe/CdSe 4ML KẾT LUẬN Trong thời gian nghiên cứu luận văn thu kết khoa học sau: Chế tạo thành công NC CdTe NC lõi vỏ loại II CdTe/CdSe với bề dày lớp vỏ khác thể việc quan sát thấy xuất hấp thụ phía bước sóng dài phổ Abs đỉnh PL dịch mạnh phía bước sóng dài vỏ CdSe phát triển lõi CdTe Đã nghiên cứu ảnh hưởng điều kiện chế tạo nhiệt độ chế tạo, thời gian chế tạo đến hình thành đặc trưng quang NC CdTe, CdTe/CdSe Các NC CdTe/CdSe có lớp vỏ CdSe dày đỉnh PL dịch phía bước sóng dài thời gian sống PL tăng Kết nghiên cứu cho thấy tăng công suất kích thích, đỉnh PL NC loại II CdTe/CdSe dịch phía lượng cao gây hiệu ứng uốn cong vùng lượng Các NC CdTe/CdSe có lớp vỏ dày đỉnh PL dịch phía lượng cao tăng cơng suất kích thích tăng cường tách không gian điện tử lỗ trống Tài liệu t m k hảo [1] I M Dharmadasa; Unravelling complex nature of CdS/CdTe based thin film solar cells; J Mater Scien: Materials in Electronics , 28, 16598–16617, 2017 [2] L Li, P Reiss; One-pot Synthesis of Highly Luminescent InP/ZnS Nanocrystals without Precursor Injecton; J Am Chem Soc, 130, 11588–11589, 2008 [3] S H Wei, A Zunger; Calculated natural band ofsets of all II–VI and III–V semiconductors: Chemical trends and the role of caton d orbitals; Appl Phys Lett, 72, 2011–2013,1998 [4] A Mews, A Eychmuăller, M Giersig, D Schooss, H Weller; Quantum-dot quantum well CdS/HgS/CdS: Theory and experiment; J Phys, 49, 17072, 1994 [5] T.Rieger, T Riedl, E Neumann, D Grützmacher, J K N Lindner, and A Pawlis; Strain Compensaton in Single ZnSe/CdSe Quantum Wells: Analytcal Model and Experimental Evidence; ACS Appl Mater Interfaces, 9, 8371–8377, 2017 [6] G Sfyri, S Sfaelou, K S Andrikopoulos, N Balis, G A Voyiatzis, and P Lianos; Composite ZnSe-CdSe Quantum Dot Sensitzers of Solid-State Solar Cells and the Beneficial Efect of Added Na2S; J Phys Chem C, 118, 16547–16551, 2014 [7] Li Q, Xu Z, McBride JR, Lian T; Low Threshold Multexciton Optcal Gain in Colloidal CdSe/CdTe Core/Crown Type-II Nanoplatelet Heterostructures; ACS Nano, 11, 2545-2553, 2017 [8] S Kim, B Fisher, H Eisler, and M Bawendi; Type-II Quantum Dots:  CdTe/CdSe(Core/Shell) and CdSe/ZnTe(Core/Shell) Heterostructures; J Am Chem Soc, 125, 11466–11467, 2003 [9] N.McElroy, R.C.Page, D.Espinbarro-Valazquez, E.Lewis, S.Haigh, P.O'Brien, D.J.Binks; Comparison of solar cells sensitised by CdTe/CdSe and CdSe/CdTe core/shell colloidal quantum dots with and without a CdS outer layer; Thin Solid Films, 2, 65-70, 2014 [10] Shuang Jiao†, Qing Shen, Iván Mora-Seró, Jin Wang, Zhenxiao Pan, Ke Zhao, Yuki Kuga, Xinhua Zhong, and Juan Bisquert; Band Engineering in Core/Shell ZnTe/CdSe for Photovoltage and Eficiency Enhancement in Exciplex Quantum Dot Sensitzed Solar Cells; ACS Nano, 9, 908–915, 2015 [11] N X Ca, V.T.K Lien, N.X Nghia, T.T.K Chi and P.T Long; Tunable luminescent emission characterization of type-I and type-II systems in CdS–ZnSe core–shell nanopartcles: Raman and photoluminescence study, , Nanotechnology, 26, 445701-445708, 2015 [12] N X Ca, N.Q Bau, T.L Phan, V.T.K Lien, N.T.T Lieu, N.X Nghia; Temperature-dependent photoluminescent and Raman studies on type-II CdS/ZnSe core/shell and CdS/CdZnS-ZnCdSe/ZnSe core/intermediate/shell nanopartcles; Journal of Alloys and Compounds , 697, 401-408, 2017 [13] Kui Yu, Badruz Zaman, Svetlana Romanova, Da-shan Wang, and John A Ripmeester; Sequental Synthesis of Type II Colloidal CdTe/CdSe Core–Shell Nanocrystals; Small, 1, 332 –338, 2005 [14] Zhong-Jie Jiang and David F Kelley; Stranski–Krastanov Shell Growth in ZnTe/CdSe Core/Shell Nanocrystals, J Phys Chem C, 117 , 6826–6834,2013 [15] H Borchert, D V Talapin, C McGinley, S Adam, A Lobo, A R B de Castro, T Moller, H Weller, J Chem Phys, 119, 1800–1807,2003 [16] H Borchert, S Haubold, M Haase, H Weller; Investgation of ZnS Passivated InP Nanocrystals by XPS; Nano Let, 2, 151–154 [17] Andrei Piryatnski, Jagjit Nanda, Sergei Tretak, Kevin R Zavadil, William O Wallace, Don Werder, and Victor I Klimov; Type-II Core/Shell CdS/ZnSe Nanocrystals: Synthesis, Electronic Structures, and Spectroscopic Propertes Sergei A Ivanov; J Am Chem Soc, 129, 11708-11719,2007 [18] Peter Reiss, Myriam Protere, and Liang Li, Small, 5, 154–168, 2009 [19] Salman A AL Spectroscopy and Kinetc Studies of Electron-Hole Recombinaton in CdSe Nanopartcles: Efect of Size, Shape, and Lattice Structure, Ph D Thesis, Lausanne, EPFL, chapter 1, 2007 [20] Ung Thi Dieu Thuy, Pham Song Toan, Tran Thi Kim Chi, Dinh Duy Khang and Nguyen Quang Liem ; CdTe quantum dots for an applicaton in the life sciences; Adv Nat Sci Nanosci Nanotechnol, 1, 045009- 045014, 2010 [21] Celso de Mello Donega; Synthesis and heteronanocrystals; Chem Soc Rev, 40, 1512-1546, 2011 propertes of colloidal [22] Chi-Hung Chuang, Tennyson L Doane, Shun S Lo, Gregory D Scholes, and Clemens Burda; Measuring Electron and Hole Transfer in Core/Shell Nanoheterostructures; Acs Nano, 5, 6016-6024, 2011 [23] W William Yu, Lianhua Qu, Wenzhuo Guo, and Xiaogang Peng; Experimental Determination of the Extncton Coeficient of CdTe, CdSe, and CdS Nanocrystals; Chem Mater, 15, 2854-2860, 2003 [24] W K Bae, K Char, H Hur, S Lee; Single-Step Synthesis of Quantum Dots with Chemical Compositon Gradients; Chem Mater, 20, 531– 539, 2008 [25] Highly Luminescent CdTe/CdSe Colloidal Heteronanocrystals with Temperature-Dependent Emission Color, Patrick T K Chin, Celso de Mello Donega, Svetlana S van Bavel, Stefan C J Meskers, Nico A J M Sommerdijk, and Rene´ A J Janssen, J Am Chem Soc, 129, 14880-14886, 2007 [26] W Zhang, G Chen, J Wang, B Ye, and X Zhong; Design and Synthesis of Highly Luminescent Near-Infrared-Emiting Water-Soluble CdTe/CdSe/ZnS Core/Shell/Shell Quantum Dots; Inorg Chem, 48, 9723–9731, 2009 [27] C H Wang, T T Chen, K W Tan, Y F Chen, C T Cheng and P T Chou; Photoluminescence propertes of CdTe∕CdSe core/shell type-II quantum dots; J Appl.Phys, 99, 123521,2006 [28] P J Simmonds, R B Laghumavarapu, M Sun, A D Lin, C J Reyner, B L Liang, and D L Hufaker; Structural and optical propertes of InAs/AlAsSb quantum dots with GaAs(Sb) cladding layers; Appl Phys Lett, 100, 243108 ,2012 [29] Lê Bá Hải, Luận án tến sĩ, Chế tạo nghiên cứu tính chất quang chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdSe/CdS; Viện Khoa học Vật liệu, 2010 [30] Nguyễn Xuân Ca, Luận án tiến sĩ, Chế tạo nghiên cứu tính chất quang nano tnh thể lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe, Học viện khoa học Công nghệ Việt Nam, 2016 ... tài nghiên cứu Chế tạo nghiên cứu tính chất quang nano tinh thể bán dẫn loại II CdTe/ CdSe 10 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VÀ CÁC ĐẶC TRƯNG QUANG CỦA CÁC NC CẤU TRÚC LÕI/VỎ LOẠI II. .. CỦA CÁC NANO TINH THỂ LÕI CdTe VÀ CÁC NANO TINH THỂ LÕI/VỎ LOẠI II CdTe/ CdSe 37 3.1 Chế tạo nano tinh thể lõi CdTe 37 3.1.1 Ảnh hưởng nhiệt độ chế tạo đến phát triển nano tnh thể CdTe ... KHOA HỌC LÊ THỊ HOA CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO TINH THỂ BÁN DẪN LOẠI II CdTe/ CdSe Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS NGUYỄN