Chế tạo và tính chất quang các hạt nano keo huỳnh quang cdse cds và cdse cds sio2 trong môi trường nước

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM NGUYỄN THỊ LAN ANH CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC HẠT NANO KEO HUỲNH QUANG CdSe/CdS VÀ CdSe/CdS@SiO2 TRONG MÔI TRƯỜNG NƯỚC Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 60.44.01.04 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS Vũ Thị Kim Liên Thái Nguyên - năm 2017 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi hướng dẫn PGS.TS Vũ Thị Kim Liên PGS.TS Chu Việt Hà, số liệu tài liệu trích dẫn có nguồn gốc rõ ràng Kết luận văn chưa công bố cơng trình nghiên cứu khoa học khác, có sai tơi xin hồn tồn chịu trách nhiệm Thái Nguyên, tháng 10 năm 2017 Tác giả luận văn Nguyễn Thị Lan Anh i LỜI CẢM ƠN Em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới giáo PGS.TS Vũ Thị Kim Liên cô giáo PGS.TS Chu Việt Hà tận tình hướng dẫn tạo điều kiện vơ thuận lợi cho em suốt q trình thực luận văn để em hồn thành luận văn Em xin gửi lời cảm ơn tới Ban Giám Hiệu nhà trường, Ban chủ nhiệm khoa Vật lý - Trường Đại học Sư phạm Thái Nguyên, khoa Sau Đại học - Đại học Sư phạm Thái Nguyên tạo điều kiện thuận lợi giúp em hoàn thành luận văn Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới chị Hồng Thị Hằng (học viên cao học khóa 24, trường ĐHSP Hà Nội); bạn Ngơ Văn Hồng, Phùng Văn Vững (học viên cao học trường Đại học Sư phạm - ĐHTN) bạn sinh viên nhóm nhiệt tình giúp đỡ tơi q trình làm thực nghiệm thực luận văn Thái Nguyên, tháng 10 năm 2017 Học viên Nguyễn Thị Lan Anh ii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN .i LỜI CẢM ƠN ii MỤC LỤC iii DANH MỤC BẢNG iv DANH MỤC HÌNH v MỞ ĐẦU 1 Lí chọn đề tài Mục tiêu nghiên cứu Phương pháp nghiên cứu Nội dung nghiên cứu 5 Bố cục luận văn Chương 1: TỔNG QUAN LÝ THUYẾT VÀ CÁC VẤN ĐỀ LIÊN QUAN 1.1 Tổng quan chấm lượng tử 1.1.1 Các mức lượng hạt tải chấm lượng tử bán dẫn 1.1.2 Các tính chất quang lý chấm lượng tử 1.1.3 Độ độc hại chấm lượng tử 13 1.1.4 Phương pháp chế tạo chấm lượng tử 14 1.2 Tổng quan hạt nano silica phát quang 15 1.2.1 Các hạt nano silica chứa tâm màu 15 1.2.2 Các phương pháp thực nghiệm chế tạo hạt nano silica 16 1.3 Nghiên cứu chế tạo hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS 20 Kết luận chương 22 Chương 2: THỰC NGHIỆM 23 2.1 Thực nghiệm chế tạo mẫu 23 2.1.1 Chế tạo hạt nano CdSe/CdS phân tán môi trường nước 23 2.1.2 Bọc hạt nano CdSe/CdS lớp vỏ silica phương pháp Stöber 25 iii 2.2 Các phương pháp thực nghiệm khảo sát tính chất mẫu 27 2.2.1 Kính hiển vi điện tử truyền qua 27 2.2.2 Phương pháp đo tán xạ ánh sáng động (Dynamic Light Scattering - DLS) Zeta 29 iv 2.2.3 Phép đo phổ hấp thụ 32 2.2.4 Phép đo phổ huỳnh quang 34 Kết luận chương 36 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 37 3.1 Kết chế tạo tính chất hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS 37 3.1.1 Kết chế tạo hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS 37 3.1.2 Đặc trưng quang học hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS 38 3.1.3 Hiệu suất lượng tử hạt nano CdSe/CdS 44 3.2 Kết chế tạo tính chất hạt nano CdSe/CdS@SiO2 45 3.2.1 Kết chế tạo hạt nano CdSe/CdS@SiO2 45 3.2.2 Kích thước hình thái 46 3.2.3 Đặc trưng quang học hạt nano CdSe/CdS@SiO2 47 3.2.4 Bán kính thủy động học zeta hạt nano CdSe/CdS@SiO2 49 3.3 Độ bền quang hạt nano CdSe/CdS CdSe/CdS/SiO2 56 Kết luận chương 58 KẾT LUẬN 59 CÁC CƠNG TRÌNH CƠNG BỐ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN 60 TÀI LIỆU THAM KHẢO 61 iv DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1 Lượng hóa chất tương ứng chế tạo hạt nano CdSe/CdS theo tỷ lệ w 23 Bảng 2.2 Thí nghiệm chế tạo hạt nano CdSe/CdS@SiO2 với lượng xúc tác thay đổi 27 Bảng 2.3 Thí nghiệm chế tạo hạt nano CdSe/CdS@SiO2 với lượng APTES thay đổi 27 Bảng 2.4 Độ ổn định hạt keo dung dịch phụ thuộc vào zeta [3] 32 Bảng 3.1 Bán kính lõi CdSe chấm lượng tử CdSe/CdS với tỉ lệ w khác 40 Bảng 3.2 Phát xạ huỳnh quang chấm lượng tử CdSe/CdS với tỉ lệ w khác 43 Bảng 3.3 Hiệu suất lượng tử bước sóng kích thích 480 nm 45 DANH MỤC HÌNH Hình 1.1 Phổ hấp thụ chấm lượng tử CdSe kích thước khác Hình 1.2 Minh họa phát xạ chấm lượng tử theo kích thước hạt 11 Hình 1.3 Chấm lượng tử có cấu trúc lõi-vỏ minh họa cấu trúc vùng lượng chấm lượng tử cấu trúc lõi- vỏ 12 Hình 1.4 Minh họa cấu tạo hạt nano silica chứa tâm màu hữu 15 Hình 1.5 Phổ hấp thụ huỳnh quang hạt nano silica chứa Rhodamine Rhodamine tự dung môi 16 Hình 1.6 Cường độ huỳnh quang theo thời gian chiếu kích thích hạt nano silica chứa Rhodamine B Rhodamine B tự kích thích laser 532, mật độ công suất 1.821011 W/cm2 16 Hình 1.7 Sự hình thành mạng silica sau trình thủy phân ngưng tụ 18 Hình 1.8 Các hệ micelle: micelle thuận (phía trái) micelle đảo (phía phải) 19 Hình 2.1 Sơ đồ chế tạo hạt nano CdSe nước 24 Hình 2.2 Sơ đồ chế tạo hạt nano CdSe/CdS nước 25 Hình 2.3 Sơ đồ quy trình chế tạo hạt nano CdSe/CdS@SiO2 26 Hình 2.4 Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 28 Hình 2.5 Kính hiển vi điện tử truyền qua JEM1010 (JEOL) thuộc Viện Vệ sinh dịch tễ Trung ương 28 Hình 2.6 Phân bố điện tích bề mặt hạt keo tích điện âm 31 Hình 2.7 Minh họa điện động zeta gần bề mặt hạt keo 31 Hình 2.8 Sơ đồ hệ đo hấp thụ quang UV-Vis 34 Hình 2.9 Cấu hình chi tiết máy phổ kế huỳnh quang Carry Eclipse 35 Hình 2.10 Ảnh chụp hệ đo huỳnh quang nhãn hiệu FS 920 phòng thí nghiệm Quang học Quang phổ - Khoa vật lí, Đại học Sư phạm - Đại học Thái Nguyên 36 Hình 3.1 Ảnh chụp mẫu dung dịch chấm lượng tử CdSe/CdS ánh sáng đèn tử ngoại phát xạ màu đỏ- cam, vàng xanh tương ứng với tỷ lệ w 1, 37 Hình 3.2 Ảnh TEM mẫu chấm lượng tử CdSe/CdS w = 37 Hình 3.3 Phổ hấp thụ chấm lượng tử CdSe CdSe/CdS với kích thước lõi CdSe chế tạo với tỷ lệ w = 38 Hình 3.4 Phổ hấp thụ chấm lượng tử CdSe/CdS với tỷ lệ w khác 39 Hình 3.5 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdSe CdSe/CdS với kích thước lõi CdSe chế tạo với tỷ lệ w = 41 Hình 3.6 Minh họa cấu trúc lõi/vỏ hạt nnao CdSe/CdS chế tạo 41 Hình 3.7 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdSe/CdS với tỷ lệ w 1, bước sóng kích thích 480 nm nhiệt độ phòng 43 Hình 3.8 Phổ huỳnh quang chuẩn hóa chấm lượng tử CdSe/CdS chế tạo với tỉ lệ w= 1, 2, 44 Hình 3.9 Phổ hấp thụ chấm lượng CdSe/CdS với tỉ lệ w = 1, độ hấp thụ 480 nm so sánh với Rhodamine 6G 45 Hình 3.10 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdSe/CdS với tỉ lệ w = 1, độ hấp thụ 480 nm so sánh với Rhodamine 6G 45 Hình 3.11 Ảnh hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS 46 Hình 3.12 Ảnh TEM hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS 47 Hình 3.13 Phổ hấp thụ hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS (với lượng tiền chất chế tạo ban đầu 700µl H2O, 300µl NH4OH, 1,5µl APTES, 150µl TEOS) so sánh với chấm lượng tử CdSe/CdS không bọc silica 47 Hình 3.14 Phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS@SiO2 (với lượng tiền chất chế tạo ban đầu 700µl H2O, 300µl NH4OH, 1.5µl APTES, 150µl TEOS), nồng độ chấm lượng tử đưa vào ban đầu so chấm lượng tử CdSe/CdS không bọc silica 48 Hình 3.15 Phổ huỳnh quang hạt nano silica không chứa chấm lượng tử hạt nano silica chứa chấm lượng tử (CdSe/CdS@SiO2) với điều kiện chế tạo 49 Hình 3.16 Phân bố kích thước hạt nano CdSe/Cds@SiO2 chế tạo với lượng chất H2O, NH4OH, APTES, TEOS 700µl, 300µl, 1.5µl, 150µl 50 vi Hình 3.17 Thế zeta chấm lượng tử CdSe/CdS hạt nano CdSe/CdS@SiO2 51 Hình 3.18 Ảnh TEM hạt nano CdSe/CdS/SiO2 với hai lượng xúc tác 150 ml (ảnh trái) 300 ml (ảnh phải) (các lượng hóa chất khác tương ứng TEOS, H2O, APTES 150 µl, 700 µl, 1,5µl) 52 Hình 3.19 Phổ hấp thụ hạt nano CdSe/CdS/SiO2 với lượng xúc tác khác 52 Hình 3.20 Phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 với lượng xúc tác khác 53 Hình 3.21 Đồ thị biểu diễn phụ thuộc cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 theo lượng xúc tác khác 53 Hình 3.22 Phổ hấp thụ hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với lượng APTES khác 55 Hình 3.23 Phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với lượng APTES khác 55 Hình 3.24 Đồ thị biểu diễn phụ thuộc cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 theo lượng APTES tham gia phản ứng 56 Hình 3.25 Sự phụ thuộc cường độ huỳnh quang vào thời gian chiếu ánh sáng kích thích chấm lượng tử CdSe/CdS chế tạo với w = 57 Hình 3.26 Phổ huỳnh quang mẫu CdSe/CdS@SiO2 theo thời gian bảo quản mẫu 57 vii Kết đo phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với lượng xúc tác khác trình bày hình 3.20 phụ thuộc cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 vào lượng xúc tác NH4OH trình bày hình 3.21 Có thể thấy với lượng xúc tác thấp (150 µl), cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 gần so với cường độ huỳnh quang chấm lượng tử chưa bọc silica Với lượng NH4OH chưa đủ lượng xúc tác để tạo môi trường pH cao phù hợp cho phản ứng thủy phân ngưng tụ, chấm lượng tử CdSe/CdS chưa bọc kín hết bề mặt nên cường độ huỳnh quang thấp Khi lượng NH4OH tăng lên 300 µl 400 µl cường độ huỳnh quang chấm lượng tử silica tăng cường chứng tỏ bề mặt chấm lượng tử CdSe thụ động hóa tốt lớp vỏ silica; nữa, lượng NH4OH thích hợp tạo mơi trường hình thành hạt silica chứa chấm lượng tử phân tán tốt dẫn đến cường độ huỳnh quang tăng 3.2.5.2 Ảnh hưởng lượng APTES APTES đóng vai trò chất trung hòa điện tích, làm hạt chấm lượng tử giữ lại mạng silica Khi lượng APTES thay đổi làm thay đổi tính chất quang hạt silica chứa chấm lượng tử Khi khơng có mặt APTES, chấm lượng tử khơng giữ lại silica cường độ huỳnh quang mẫu thu thấp Khi có mặt APTES phản ứng, mẫu hạt nano CdSe/CdS/SiO2 thu có cường độ phát xạ huỳnh quang tăng hẳn, chứng tỏ chấm lượng tử giữ lại silica, có lượng chấm lượng tử bị mát trình rửa mẫu Đề tài khảo sát với lượng APTES từ đến 12 µl tổng thể tích dung dịch phản ứng 15 ml Hình 3.22 3.23 trình bày phổ hấp thụ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với lượng APTES khác (các lượng chất khác theo bảng 2.3) Từ phổ hấp thụ cho thấy, đóng góp silica, độ hấp thụ hấp thụ hạt nano CdSe/CdS/SiO2 bị dâng cao so với phổ hấp thụ chấm lượng tử CdSe/CdS không bọc Đáng ý từ kết phổ huỳnh quang, với lượng APTES µl µl cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 cao Cường độ huỳnh quang chấm lượng tử tăng cường khoảng 30% Hình 3.24 đồ thị phụ thuộc cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 vào lượng APTES.Với lượng APTES lớn (12 l), cường độ huỳnh quang có xu hướng giảm - - CdSe/CdS QDs — CdSe/CdS /SiO - l APTES — CdSe/CdS /SiO - 1,5l APTES — CdSe/CdS /SiO - l APTES — CdSe/CdS /SiO - l APTES — CdSe/CdS /SiO - l APTES — CdSe/CdS /SiO - 12 l APTES 3,5 3,0 §é hÊp thơ (®.v.t.y) 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 300 400 500 600 700 B•íc sãng (nm) Hình 3.22 Phổ hấp thụ hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với lượng APTES khác Do lượng APTES tương đối nhỏ so với lượng hóa chất phản ứng thủy phân ngưng tụ nên thay đổi lượng lượng APTES, kích thước, hình dạng, phân tán hạt thay đổi không đáng kể Kết nghiên cứu cho thấy, lượng APTES đưa vào để tối ưu khoảng 3-9 µl phù hợp để hạt nnao silica chứa chấm lượng tử có cường độ hunh quang ln nht Cờng độ huỳnh quang (đ.v.t.y.) 70 CdSe/CdS QDs CdSe/CdS/SiO 2- l APTES 60 CdSe/CdS/SiO 2- 1,5 l APTES CdSe/CdS/SiO2 - l APTES 50 CdSe/CdS/SiO2 - l APTES CdSe/CdS/SiO - l APTES 40 CdSe/CdS/SiO2 12 l APTES 20 10 510 540 570 600 630 660 B•íc sãng (nm) Hình 3.23 Phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 chế tạo với cỏc lng APTES khỏc Cờng độ huỳnh quang (đ.v.t.y.) 70 60 50 40 30 20 APTES (l) 10 12 Hình 3.24 Đồ thị biểu diễn phụ thuộc cường độ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS/SiO2 theo lượng APTES tham gia phản ứng Để rút điều kiện quy trình chế tạo tối ưu cho chất lượng cường độ phát quang hình thái hạt nano silica chứa chấm lượng tử, cần phải khảo sát thêm điều kiện chế tạo phụ thuộc vào tiền chất TEOS lượng nước ban đầu, đồng thời điều kiện nhiệt độ pH dung dịch Đó bước nghiên cứu Trong khuôn khổ thực nghiệm đề tài luận văn, lượng chất tham gia phản ứng tối ưu để chế tạo hạt nano CdSe/CdS@SiO2 có kích thước đồng đều, đơn phân tán có phát xạ huỳnh quang tốt 300 l NH4OH, 150 l TEOS, 1,5 µl APTES, 700 µl H2O 3.3 Độ bền quang hạt nano CdSe/CdS CdSe/CdS/SiO2 Hình 3.25 trình bày phụ thuộc cường độ huỳnh quang vào thời gian chiếu ánh sáng kích thích laser tử ngoại hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS Sau gần chiếu sáng, cường độ huỳnh quang giảm khoảng % chứng tỏ dập tắt quang không đáng kể Như vậy, hạt nano CdSe/CdS có độ bền quang tốt Đây ưu điểm hạt ứng dụng thí nghiệm y sinh với khoảng thời gian chiếu ánh sáng kích thích kéo dài Các hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS@SiO2 sau chế tạo phân tán mơi trường nước cồn, sau khảo sát huỳnh quang theo thời gian bảo quản khác Hình 3.26 trình bày phổ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS@SiO2 theo thời gian bảo quản mẫu Mẫu hạt nano CdSe/CdS@SiO2 có độ ổn định quang tương đối tốt theo thời gian Sau khoảng thời gian lưu trữ tháng, cường độ huỳnh quang hạt nao CdSe/CdS@SiO2 gần 50% so với lúc chế tạo sau khoảng tháng cường độ huỳnh quang ổn định không giảm nhiều Sự ổn định quang hạt nano silica chứa chấm lượng tử cần nghiên cứu có hệ thống để rút quy trình ch to ti u nht 12 Cờng độ (đ.v.t.y) 10 20 40 60 80 100 120 Thêi gian (phót) Hình 3.25 Sự phụ thuộc cường độ huỳnh quang vào thời gian chiếu ánh sáng kích thích chấm lượng tử CdSe/CdS chế tạo với w = 2 QDs CdSe/CdS CdSe/CdS@SiO míi chÕ t¹o 800 CdSe/CdS@S2iO sau Cờng độ huỳnh quang (đ.v.t.y.) 700 tuần CdSe/Cd S@SiO 600 sau tuÇn CdSe/CdS@S2iO sau 500 tuần CdSe/Cd S@SiO sau tháng CdSe/CdS@SiO sau th¸ng 400 300 200 100 510 540 570 600 630 B•íc sãng (nm) Hình 3.26 Phổ huỳnh quang mẫu CdSe/CdS@SiO2 theo thời gian bảo quản mẫu KẾT LUẬN CHƯƠNG Các mẫu CdSe/CdS chế tạo phát xạ huỳnh quang mạnh ánh sáng đèn tử ngoại, màu phát xạ phụ thuộc vào tỷ lệ chất bẫy citrate, phụ thuộc vào kích thước hạt CdSe Cường độ phát xạ huỳnh quang chấm lượng tử CdSe/CdS tăng mạnh so với hạt CdSe khơng có vỏ bọc CdS Cho hấy vai trò lớp vỏ bọc CdS Kích thước chấm lượng tử điều chỉnh nhờ thay đổi tỉ lệ nồng độ chất bẫy citrate Cụ thể, nồng độ chất bẫy citrate tăng (tương ứng với tỷ lệ w tăng), kích thước tinh thể giảm, theo đỉnh phát xạ chấm lượng tử dịch chuyển phía sóng ngắn Trong mẫu có nồng độ citrate tương ứng với w = 1, 3, kết cho thấy, với w = hiệu suất lượng tử hạt nano CdSe/CdS lớn nhất, mẫu lựa chọn để bọc thêm lớp vỏ silica Các hạt nano CdSe/CdS@SiO2 chế tạo có dạng cầu với kích thước dao động khoảng 60 đến 120 nm, có cường độ phát quang tốt so với chấm lượng tử CdSe/CdS không bọc silica (cao khoảng 30 %) Các hạt nano silica chứa chấm lượng tử chế tạo có khả ứng dụng thực tiễn làm chất đánh dấu ứng dụng sinh học KẾT LUẬN Kết thu đề tài luận văn bao gồm: Đã chế tạo thành công hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS phân tán nước sử dụng chất bẫy citrate với màu phát xạ huỳnh quang xanh lá, vàng đỏ- cam Các mẫu chế tạo dung dịch suốt có chứa hạt nano chấm lượng tử CdSe/CdS, phát xạ huỳnh quang mạnh ánh sáng đèn tử ngoại, màu phát xạ phụ thuộc vào kích thước hạt CdSe Kích thước hạt CdSe điều chỉnh nhờ thay đổi tỉ lệ nồng độ chất bẫy citrate Cụ thể, nồng độ chất bẫy citrate tăng (tương ứng với tỷ lệ w tăng), kích thước tinh thể giảm, theo đỉnh phát xạ chấm lượng tử dịch chuyển phía sóng ngắn Cường độ phát xạ huỳnh quang hạt nano CdSe/CdS tăng mạnh so với hạt CdSe khơng có lớp vỏ CdS Đề tài khảo sát giá trị nồng độ citrate tương ứng với w = 1, Kết cho thấy, với w = hiệu suất lượng tử hạt nano CdSe/CdS lớn Đây tỉ lệ lựa chọn để chế tạo chấm lượng tử CdSe/CdS cho nghiên cứu việc bọc thêm lớp vỏ silica hay lớp hợp sinh khác Đã chế tạo thành công hạt nano silica chứa chấm lượng tử CdSe/CdS dung môi ethanol phương pháp Stöber sử dụng tiền chất TEOS APTES với chất xúc tác NH4OH Các hạt nano CdSe/CdS@SiO2 có dạng cầu với kích thước phụ thuộc vào điều kiện chế tạo, đơn phân tán dung dịch Các hạt nano CdSe/CdS@SiO2 có cường độ phát quang tốt so với chấm lượng tử CdSe/CdS không bọc silica (cao khoảng 30%) Các đặc điểm hình thái, kích thước, độ phân tán tính chất quang (hấp thụ huỳnh quang) hạt nano CdSe/CdS@SiO2 khảo sát theo điều kiện chế thay đổi nồng độ xúc tác nồng độ chất trung hòa điện tích Để tìm điều kiện chế tạo tối ưu, cần khảo sát thêm phụ thuộc tính chất hạt nano silica chấm lượng tử theo lượng tiền chất TEOS lượng nước ban đầu CÁC CƠNG TRÌNH CƠNG BỐ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN Phung Van Vung, Ngo Van Hoang, Trinh Ba Thong, Bui Quang The Nguyen Quynh Trang, Nguyen Thi Lan Anh, Le Tien Ha, Chu Viet Ha, and Vu Thi Kim Lien, Optical Characterization of Quantum Dots prepared directly in Citrate Aqueous Solution, Proceeding of the 3rd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, ICAMN 2016, ISBN: 978-604-95-0010-7, pp 283 -287 Chu Anh Tuấn, Ngơ Văn Hồng, Trịnh Đức Thành Giang, Nguyễn Thị Lan, Đinh Thị Hà, Nguyễn Thị Thanh Xoan, Vũ Thị Thanh Hương, Lê Tiến Hà, Nguyễn Thị Lan Anh, Chu Việt Hà, Trần Hồng Nhung Vũ Thị Kim Liên, Các hạt nano CdSe/CdS dung dịch nước: chế tạo đặc trưng quang học, Proceedings Hội nghị Vật lý Chất rắn Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 10, Huế 2017, trang 334-339 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu Tiếng Việt [1] Chu Việt Hà (2006), Nghiên cứu chế tạo tính chất quang chấm lượng tử giếng lượng tử CdSe, Luận văn Thạc sĩ, Viện Vật lý [2] Chu Việt Hà (2012), Nghiên cứu trình phát quang vật liệu nano nhằm định hướng đánh dấu sinh học, Luận án Tiến sĩ, Viện Vật lý [3] Nguyễn Trung Minh, Dỗn Đình Hùng, Thắng, Trần Minh Đức, (2014) “ Kết nghiên cứu điện zeta, radon, U-TH mẫu nước lưu vực sông Ba sông Đồng Nai khu vực Tây nguyên”, Hội thảo quốc tế hợp tác khoa học cơng nghệ phát triển bền vững nông nghiệp Lâm Đồng - Tây Nguyên, 316323 [4] Nguyễn Thị Bích Ngọc (2014), Luận văn Thạc sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội [5] Vũ Đức Chính (2011), Nghiên cứu chế tao, tính chất quang chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ định hướng ứng dụng, Luận án tiến sĩ, Viện Khoa học vật liệu [6] Vũ Thùy Dương (2003), Các phương pháp phổ nghiên cứu cấu trúc chất liệu laser mầu rắn chế tạo phương pháp sol-gel, Luận văn thạc sỹ Vật lý, ITIMS, Đại học Bách Khoa Hà Nội Tài liệu tiếng Anh [7] American Society for Testing and Materials (1985), “Zeta Potential of Colloids in Water and Waste Water”, ASTM Standard D 4187-82 [8] B.H Kim, M S Onses, J.B Lim, S Nam, N Oh, H.Kim, K Yu, J W Lee, J-H Kim, S-K Kang, C.H Lee, J Lee, J H Shin, N H Kim, C Leal, M Shim, and J A Rogers, Nano Lett., 15, 969−973 (2015) [9] C Medina, MJ Santos-Martinez, A Radomski, OI Corrigan and MW Radomski Nanoparticles: Pharmacological and Toxicoligical Significance, British Journal of Pharmacology, 2007 (150), 2552-2558 [10] Chan W (2001), “Semiconductor Quantum Dots for Ultrasensitive Biological Detection and Imaging”, PhD thesis, Department of Chemistry, Indiana University [11] Chu Viet Ha, Hoang Thi Hang, Nguyen Thi Bich Ngoc, Ngo Thi Huong, Vu Thi Kim Lien, Tran Hong Nhung, Synthesis of CdSe/CdS and CdSe/CdS/SiO2 nanoparticles via wet chemical method, Journal of Science of HNUE, Mathematical and Physical Sci., Vol 60, No 7, pp 75-80, 2015 [12] Chu Viet Ha, Nguyen Thi Bich Ngoc, Nghiem Thi Ha Lien, Vu Thi Kim Lien and Tran Hong Nhung, Synthesis and optical properties of CdSe/CdS@SiO2 core@shell nanoparticles by a green route, Advances in Optics Photonics Spectros- copy& Applications VIII, 2014, 272-278, ISSN 1859-4271 [13] D.Vasudevan, Rohit Ranganathan Gaddam, AdrianTrinchi, IvanCole, Core-shell quantum dots: Properties and applications, Journal of Alloys and Compounds, Volume 636, July 2015, Pages 395-404 [14] Dabbousi B O., Rodriguez - Viejo J., Mikulee F V., Heine J R., Mattoussi H., Ober R., Jensen K F., and Bawendi M G (1997), J Phys Chem B, 101, pp 9463 - 9475 [15] Doctor of Philosophy in Physics, (2003), “Defects In Amorphous SiO2 Reactions, Dynamics and Optical properties”, Vanderbilt University, Nashville, Tennessee [16] Fisher B R (2005), “Time Resolved Fluorescence of CdSe Nanocrystals using Single Molecule Spectroscopy”, Doctoral thesis, Submitted to the Department of Chemistry in Partial Fulfillment of the Requirement for the Degree of Doctor of Philosophy at the Massachusetts Institute of Technology: Massachusetts [17] Francesca Pietra, Relinde J.A van Dijk - Moes, Xiaoxing Ke, Sara Bals, Gustaaf Van Tendeloo, Celso de Mello Donega, and Daniel Vanmaekelbergh,Synthesis of Highly Luminescent Silica-Coated CdSe/CdS Nanorods, Chemistry of Materials, 2013, 25, 3427-3434 [18] Frantsuzov, Pavel, Masaru Kuno, Boldizsár Jankó, and Rudolph A Marcus, (2008), “Universal emission intermittency in quantum dots, nanorods and nanowires.” Nature Physics 4:519-522 [19] https://en.wikipedia.org/wiki/Micelle [20] Kuno M (July 1, 2004), “Introduction to Nanoscience andNanotechnology”: A Workbook [21] L E.Brus, J Chem Phys., 90 (1986) [22] Mahler B., Spinicelli P., Buil S., Quelin X., Hermier J P., Dubertret B (2008), "Towards non-blinking colloidal quantum dots", Nat Mater 7(8), pp 659-664 [23] Nghiem Thi Ha Lien, Le Tuyet Ngan, Do Thi Hue, Vu Thị Thuy Duong, Do Quang Hoa and Tran Hong Nhung, (2013), “Preparation and characterization of silica-gold core-shell nanoparticles”, Journal of Nanoparticle Research, 15:2091 [24] Nguyen Thi Bich Ngoc, Chu Viet Ha, Vu Thi Thuy Duong, Nguyen Thi Hang Nga, Nguyen Quang Liem and Tran Hong Nhung, Preparation and characteration of SiO2-coated CdTe quantum dots, Advances in Optics Photonics Spectros- copy& Applications VIII, 2014, 345-350, ISSN 1859-4271 [25] Nguyen Thi Bich Ngoc, Nguyen Thi Hang Nga, Chu Viet Ha, Nguyen Quang Liem and Tran Hong Nhung (2013) “Synthesis of fluorescence SiO2 nanoparticles with CdTe quantum dots by modified Stöber method”, Proceedings of The 3rd Academic Conference on Natural Science for Master and PhD Students from Asean Countries, Phnom Penh, Cambodia, ISBN 978604-913-088-5, pp 466-471 [26] Nianfang Wang, Sungjun Koh, Byeong Guk Jeong, Dongkyu Lee, Whi Dong Kim, Kyoungwon Park, Min Ki Nam, Kangha Lee, Yewon Kim, Baek-Hee Lee, Kangtaek Lee, Wan Ki Bae and Doh C Lee, Highly luminescent silica-coated CdS/CdSe/CdS nanoparticles with strong chemical robustness and excellent thermal stability, Nanotechnology 28 (2017), IOP Publishing, 185603 (8pp) [27] Ning Liu and Ping Yang, Highly luminescent hybrid SiO2-coated CdTe quantum dots: synthesis and propertiesLuminescence 2013; 28: 542-550 [28] Pan D, Wang Q, Jiang S, Ji X, An L Synthesis of extremely small CdSe and highly luminescent CdSe/CdS core-shell nanocrystals via a novel two-phase thermal approach Adv Mater 2005;17:176-9 [29] Roszek B., W.H de Jong, Geertsma R.E., Nanotechnology in medical application, 2005 [30] Stefani, Fernando D, Jacob P Hoogenboom, and Eli Barkai, (2009), “Beyond quantum jumps: Blinking nano - scale light emitters”, Physics Today 34-39 [31] Tran Hong Nhung, Nghiem Thi Ha Lien, Vu Thi Thuy Duong, Pham Minh Tan, Nguyen Thi Van, Tran Thu Trang, Chu Viet Ha, Tong Kim Thuan, Tran Thanh Thuy, Le Thi Thanh Xuan, Jean-Claude Brochon, Nguyen Thi Quy, Hoang My Nhung, Duong Cao Nguyen, Nguyen Thi Thuy, Hoang Anh Tuan and Nguyen Phuong Hoa, bioapplications”, (2013), Advances “Dye-doped in Natural silica-based nanoparticles for Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, IOP Publishing 043001 (13pp) [32] Y Kayanuma, “Quantum-size effects of interacting electrons and holes in semiconductor microcrystals with spherical shape,” Physical Review B, vol 38, no 14, pp 9797-9805, 1988 [33] Yoshio Kobayashi, Takuya Nozawa, Tomohiko Nakagawa, Kohsuke Gonda, Motohiro Takeda, Noriaki Ohuchi, Atsuo Kasuya, J Sol-Gel Sci Technol, 2010, 55, 79-85 [34] Yingying Du, Ping Yang, Katarzyna Matras-Postolek, Junpeng Wang, Quande Che, Yongqiang Cao, Qian Ma, Low toxic and highly luminescent CdSe/CdxZn1−xS quantum dots with thin organic SiO2 coating for application in cell imaging, Journal of Nanoparticle Research, Volume 18, Issue 2, February 2016, Article:37 [35] Yunhua Yang, Mingyan Gao, Adv.Mater 2005, 17, 2354-2357 [36] Werner Stober, Arthur Fink (1968), “Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres”, Journal of colloid and interface science, 26, 62—69 [37] Wenwan Zhong, Nanomaterials in fluorescence-based biosensing, Anal Bioanal Chem (2009) 394, Springer:47-59 [38] Woggon U., (1997), “Optical Properties of Semiconductor Quantum dots”, pringer Verlag Berlin [39] Xie R, Kolb U, Li J, Basché T, Mews A Synthesis and characterization of highly luminescent CdSe core CdS/Zn0.5Cd0.5S/ZnS multishell nanocrystals J Am Chem Soc 2005;127:7480-8 ... lượng tử CdSe/ CdS 37 3.1.2 Đặc trưng quang học hạt nano chấm lượng tử CdSe/ CdS 38 3.1.3 Hiệu suất lượng tử hạt nano CdSe/ CdS 44 3.2 Kết chế tạo tính chất hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2 ... hóa chất tương ứng chế tạo hạt nano CdSe/ CdS theo tỷ lệ w 23 Bảng 2.2 Thí nghiệm chế tạo hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2 với lượng xúc tác thay đổi 27 Bảng 2.3 Thí nghiệm chế tạo hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2. .. chế tạo hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2 45 3.2.2 Kích thước hình thái 46 3.2.3 Đặc trưng quang học hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2 47 3.2.4 Bán kính thủy động học zeta hạt nano CdSe/ CdS@ SiO2