Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 42 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
42
Dung lượng
478,52 KB
Nội dung
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI KHOA VẬT LÝ NGUYỄN THỊ THANH NGHIÊN CỨU SỨC CĂNG MẶT NGOÀI CỦA NGƯNG TỤ BOSE-EINSTEIN MỘT THÀNH PHẦN TRONG THỐNG KÊ CHÍNH TẮC Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC HÀ NỘI, 2018 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI KHOA VẬT LÝ NGUYỄN THỊ THANH NGHIÊN CỨU SỨC CĂNG MẶT NGOÀI CỦA NGƯNG TỤ BOSE-EINSTEIN MỘT THÀNH PHẦN TRONG THỐNG KÊ CHÍNH TẮC Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Người hướng dẫn khoa học PGS.TS Nguyễn Văn Thụ HÀ NỘI, 2018 LỜI CẢM ƠN Trước khi trình bày nội dung chính của luận văn, tơi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới PGS.TS. Nguyễn Văn Thụ người đã định hướng chọn đề tài và tận tình giúp đỡ, hướng dẫn để tơi có thể hồn thành khóa luận này. Tơi cũng xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới các thầy cơ giáo giảng dạy chun ngành vật lý lý thuyết khoa vật lý, trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 đã nhiệt tình giúp đỡ tơi trong suốt q trình học tập và làm khóa luận. Hà Nội, tháng 5 năm 2018. Tác giả luận văn Nguyễn Thị Thanh LỜI CAM ĐOAN Dưới sự giúp đỡ và hướng dẫn của PGS.TS. Nguyễn Văn Thụ luận văn chuyên ngành Vật lý lý thuyết với đề tài “Nghiên cứu sức căng mặt ngoài của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc” và được hồn thành bởi chính sự nghiên cứu tìm hiểu của bản thân, khơng trùng lặp với bất cứ luận văn nào khác. Trong q trình nghiên cứu, tơi đã kế thừa những thành tựu của các nhà khoa học với sự trân trọng và biết ơn. Hà Nội, tháng 5 năm 2018. Tác giả luận văn Nguyễn Thị Thanh MỤC LỤC Trang MỞ ĐẦU 1 1. Lý do chọn đề tài. 1 2. Mục đích nghiên cứu. 1 3. Nhiệm vụ nghiên cứu. . 2 4. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu. 2 5. Những đóng góp mới của đề tài. . 2 6. Phương pháp nghiên cứu. 2 NỘI DUNG . 3 CHƯƠNG 1: LÝ THUYẾT CHUNG CỦA NGƯNG TỤ BOSE-EINSTEIN 3 1.1. Tổng quan về ngưng tụ Bose-Einstein. . 3 1.1.1. Tổng quan nghiên cứu lý thuyết về ngưng tụ Bose-Einstein 3 1.1.2. Tổng quan nghiên cứu thực nghiệm về ngưng tụ Bose-Einstein 4 1.1.2.1. Ngưng tụ Bose-Einstein đầu tiên của nguyên tố Erbium 4 1.1.2.2. Lần đầu tiên quan sát thấy hiệu ứng Hall ở một BEC 5 1.2. Lý thuyết trường trung bình 6 1.2.1. Thế tương tác 6 1.2.2. Phương trình Gross-Pitaevskii. 10 1.3. Phương pháp gần đúng parabol kép (Double parabola approximationDPA). . 12 KẾT LUẬN CHƯƠNG 1 14 CHƯƠNG 2: SỨC CĂNG MẶT NGỒI CỦA NGƯNG TỤ BOSEEINSTEIN MỘT THÀNH PHẦN TRONG THỐNG KÊ CHÍNH TẮC . 15 2.1. Các hệ thống kê. 15 2.1.1. Hệ hạt đồng nhất. 15 2.1.2. Hệ vi chính tắc 16 2.1.3. Hệ chính tắc 19 2.2. Trạng thái cơ bản trong gần đúng Parabol kép. 25 2.3. Khái niệm sức căng mặt ngoài. 27 2.4. Sức căng mặt ngồi trong hệ chính tắc. . 31 KẾT LUẬN CHƯƠNG 2 33 KẾT LUẬN 34 TÀI LIỆU THAM KHẢO . 35 KÍ HIỆU VIẾT TẮT BEC (Bose-Einstein condensate): Ngưng tụ Bose- Einstein GPE (Gross-Pitaevskii equation): Phương trình Gross-Pitaevskii DPA (Double-parabola approximation): Gần đúng parabol kép CE (Canoical ensemble): Chính tắc MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Ngưng tụ Bose-Einstein (BEC) là trạng thái vật chất được tạo thành khi làm lạnh khí boson, tới gần độ khơng kenvin (0K). Ở nhiệt độ này, một lượng lớn các boson nằm ở trạng thái lượng tử thấp nhất, khi đó ở mức vĩ mô các hiệu ứng lượng tử trở lên rõ nhất và được gọi là hiện tượng lượng tử mức vĩ mô. Năm 1924, Albert Einstein và Satyendra Nath Bose đã dự đốn là có trạng thái “Ngưng tụ Bose-Einstein”, hay còn gọi là trạng thái thứ năm của vật chất. Trong trạng thái BEC này, thì vật chất khơng còn hoạt động độc lập với nhau nữa mà chúng rơi vào một trạng thái mà được diễn tả với cùng một hàm sóng duy nhất. Ở thể khí, Ngưng tụ Bose-Einstein là một lý thuyết bị nghi ngờ trong suốt một thời gian dài. Năm 1995, một đội nghiên cứu đến từ trường đại học Colorado ở Bouder lần đầu tiên đã tạo ra thành công được trạng thái này bằng thực nghiệm. Việc phát hiện ra trạng thái ngưng tụ Bose-Einstein đã mang lại những phát minh quan trọng và mở đường cho sự phát triển của khoa học và công nghệ hiện đại. Trong các nghiên cứu về ngưng tụ Bose-Einstein thì nghiên cứu sức căng mặt ngồi của nó có ý nghĩa quan trọng, đặc biệt trong việc tìm hiểu chuyển pha ướt của hệ. Đây là vấn đề được đưa vào vận dụng nhiều trong cơng nghệ ngày nay. Vì lí do trên mà tơi lựa chọn đề tài “Nghiên cứu sức căng mặt ngưng tụ Bose-Einstein thành phần thống kê tắc” làm đề tài nghiên cứu của mình. Mục đích nghiên cứu 1 Nghiên cứu sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc. Nhiệm vụ nghiên cứu Xây dựng phương trình Gross-Pitaevskii và phương pháp gần đúng parabol kép Nghiên cứu sức căng mặt ngoài của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc Đối tượng phạm vi nghiên cứu Hệ ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc, tức là hệ cơ lập với số hạt khơng đổi. Những đóng góp đề tài Nghiên cứu sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc có những đóng góp quan trọng trong lý thuyết lượng tử và vật lý thống kê nói riêng, trong vật lý lý thuyết nói chung. Phương pháp nghiên cứu - Sử dụng gần đúng trường trung bình. - Sử dụng gần đúng parabol kép. - Sử dụng thống kê chính tắc. - Tính tốn và vẽ hình dựa vào phần mềm Mathematical. 2 NỘI DUNG CHƯƠNG LÝ THUYẾT CHUNG CỦA NGƯNG TỤ BOSE-EINSTEIN 1.1 Tổng quan ngưng tụ Bose-Einstein 1.1.1 Tổng quan nghiên cứu lý thuyết ngưng tụ Bose-Einstein Ngưng tụ Bose-Einstein (BEC) là trạng thái vật chất được tạo thành khi làm lạnh khí boson, tới gần độ khơng kenvin (0K). Ở nhiệt độ này, một lượng lớn các boson nằm ở trạng thái lượng tử thấp nhất, khi đó ở mức vĩ mơ các hiệu ứng lượng tử trở lên rõ nhất và được gọi là hiện tượng lượng tử mức vĩ mơ. Einstein đã đưa ra dự đốn này vào năm 1925 với các ngun tử có spin ngun. Tiếp đó Einstein đã cải tiến quan điểm của Bose cho một hệ các hạt. Sự cố gắng của hai nhà khoa học đã đưa ra lý thuyết về khí bose trong phạm vi của thống kê Bose-Einstein. Einstein giải thích được nếu các nguyên tử boson được làm lạnh đến độ khơng tuyệt đối thì hệ này sẽ bị tụ lại trong một trạng thái lượng tử thấp nhất có thể sau đó vật chất hình thành lên một trạng thái mới. Hiện nay, người ta đã ngưng tụ được tổng cộng 13 ngun tố. Trong đó mười ngun tố được tìm ra bởi mười nhóm nghiên cứu khác nhau trên thế giới [4]. Năm 1995, khí đầu tiên đã được ngưng tụ thành cơng bởi hai nhà khoa học Eric Cornell và Carl Wieman, đó là ngun tử Rubidi được làm lạnh tới nhiệt độ 170 nanokelvin (nK). Cùng thời điểm, nhà vật lý Wolfgang Ketterle đã ngưng tụ thành cơng ngun tử Natri để tạo ngưng tụ Bose-Einstein. Sau đó Cornell, Wieman, Ketterle đã được trao giải Nobel Vật lý năm 2001. Trong vật lý có hai lớp hạt cơ bản: lớp hạt boson và lớp hạt fermion. Boson bao gồm các hạt với “spin nguyên” (photon, -meson, K-meson, ); fermion bao gồm hạt với “spin bán nguyên” (electron, các nucleon, ). Các 3 nghĩa là ta chỉ chú ý tới các trạng thái của hệ có năng lượng rất nhỏ so với tổng năng lượng của hệ điều nhiệt. Muốn tính được X , ta chia hệ C1 làm hai hệ con và Hai hàm phân bố X 1 và X 1 tương ứng với hai hệ con có dạng H X X f H X X 1 f 1 1 Khi đó năng lượng tồn phần của cả hai hệ con cộng với năng lượng tương tác giữa chúng bằng năng lượng toàn phần của hệ C1 H X H1 X 1 H1 X 1 U12 Giả sử hệ con và đủ lớn khi đó dựa vào giả thuyết một ta có thể bỏ qua năng lượng tương tác U12 và năng lượng tồn phần của hai hệ con có dạng H X H1 X 1 H1 X 1 Coi hai hệ con độc lập với nhau và vận dụng định lí nhân xác suất ta tính được: f H1 H1 d X1 d X1 fH1d X1 fH1d X1 hay là f H1 H1 f H1 f H1 Lấy logarit rồi lấy vi phân hai vế, ta thu được d ln f H1 H1 d ln f H1 d ln f H1 Hay ln f H1 H1 dH1 dH1 ln f H1 dH1 ln f H1 dH1 Coi rằng dH 1 và dH1 tiệm cận đến 0 một cách độc lập khi đó ta có 21 ln f H1 H1 ln f H11 ln f H1 , với const Tích phân đẳng thức trên ta nhận được f H D exp H Khi đó ta đặt: y H , D exp , với (2.23) y H Do đó f H exp Và hàm phân bố có dạng y H X exp , (2.24) với y và là không đổi. Dựa vào phân bố vi chính tắc ta cũng có thể tìm được hàm X Từ điều kiện (2.20) theo (2.17) và (2.18) ta có X1 E H X H X dX , E X2 (2.25) Gọi P2 là tập hợp các xung lượng của các hạt trong hệ điều nhiệt, và Q2 là tập hợp các tọa độ của các hạt trong hệ đó, khi đó năng lượng của hệ điều nhiệt dưới dạng tổng của động năng và thế năng H X K P2 U Q2 Như vậy (2.25) có thể viết dưới dạng X1 k E H1 X U Q2 dQ2 , E Q2 trong đó k y y K P dP P2 22 2 (2.26) Bởi vì dX dP2 dQ2 Giống như (2.11) k y là đạo hàm của thể tích của khơng gian xung lượng có dạng k y d k y , dy (2.27) trong đó k y (2.28) dP2 K P2 y Hệ điều nhiệt có động năng là N2 N2 Pn2 K P2 Pa n n 1 mn n 1 1 mn Đặt Þk P n , k n gọi là biến số mới của xung lượng. 2mn Siêu diện động năng có phương trình K y bao quanh thể tích k y được viết như sau 3N2 k Þ y k 1 Trong khơng gian ba chiều nó là phương trình của “mặt cầu 3N chiều” với bán kính R y và có thể tích tỉ lệ với R 3N2 tức k y cy N2 , với c const Từ (2.27), k y có dạng k y by trong đó b N2 1 3N c 23 , (2.29) Dựa vào (2.29) khi đó (2.26) được viết lại như sau N2 1 b X1 E H1 X U Q2 dQ2 E Q2 (2.30) Đưa vào kí hiệu: M 3N bE M 1, B E , M E (2.31) Do đó (2.30) trở thành: M M H X U Q2 X 1 1 B E , M 1 dQ2 E E H X 1 Q2 (2.32) Dựa vào (2.20), theo (2.31) nếu N lớn, ta đặt. E M Khi đó (2.32) viết lại như sau M M H X U Q2 X 1 1 B E , M 1 dQ2 M M H X 1 Q2 (2.33) Theo (2.22), lấy tích phân theo Q2 ở vế phải của biểu thức (2.33) khi đó ta có: M H X X 1 1 D , M , M (2.34) với D , M là tích của tích phân với hệ số B , M Nếu M thì D , M tiến đến một giá trị giới hạn D nào đó, phụ thuộc vào và M y lim 1 e y n M Khi đó (2.34) viết lại như sau 24 H1 X M X1 D exp (2.35) Tóm lại cuối cùng dạng tổng quát của hàm phân bố X phụ thuộc vào một số thơng số Lưu ý ta chỉ cần khảo sát hệ C1 do đó ta có thể bỏ qua các chỉ số. Và ta viết lại (2.24) như sau, , a H X , a , X exp (2.36) Biểu thức (2.36) chính là phân bố chính tắc Gipxơ và tập hợp pha gọi là tập hợp chính tắc. Thơng số gọi là mơđun của phân bố chính tắc, còn đại lượng được xác định từ điều kiện chuẩn hóa , a H X , a dX 1, X dX exp X X (2.37) suy ra ln H X ,a exp X dX ln Z , a (2.38) Đại lượng ln Z , a H X ,a exp X dX (2.39) Biểu thức (2.39) là tích phân trạng thái, một trong những biểu thức quan trọng của vật lý thống kê vì nhờ nó mà việc tìm ra các đại lượng vật lý trong một hệ bất kì trở nên dễ dàng hơn. 2.2 Trạng thái gần Parabol kép Cho đến ngày nay người ta chưa tìm ra phương pháp giải chính xác cho phương trình (1.22), để tìm được nghiệm của phương trình này ta sẽ sử dụng phương pháp gần đúng parabol kép. 25 Ta có phương trình Euller-Lagrang d 2 ( 1) 0, (2.40) d với Giải phương trình (2.40) thu được nghiệm C1e C2e (2.41) Vì hàm sóng phải liên tục, đơn trị và hữu hạn mà e vơ hạn nên phương trình (2.41) viết lại như sau C2e (2.42) Xét điều kiện biên ( 0) C2 C2 1 (2.43) e , (2.44) (2.44) chính là nghiệm gần đúng của phương trình (1.22) và được gọi là hàm sóng ở trạng thái cơ bản. Phương trình (1.22) khơng giải được theo phương pháp tốn học nhưng khi gắn thêm điều kiện biên thì giải được với nghiệm chính xác 26 (2.45) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Hình 2.1: Tham số trật tự theo tọa độ. Hình 2.1 thể hiện mối liên hệ giữa tham số trật tự và tọa độ , trong đó đường nét liền chính là nghiệm gần đúng của phương trình (1.22), còn đường nét đứt chính là nghiệm chính xác của phương trình (1.22). Nhận thấy hai đường biểu diễn gần như trùng nhau, như vậy phương pháp gần đúng parabol kép có thể chấp nhận được. 2.3 Khái niệm sức căng mặt ngồi Để hiểu về khái niệm sức căng mặt ngồi của hệ BEC, trước hết ta hãy tìm hiểu vấn đề này trong chất lỏng cổ điển. Giả sử một phân tử A bị tách riêng ra trong khối chất lỏng và ta đi khảo sát lực tác dụng mà phân tử đó nhận được từ các phân tử khác xung quanh nó. Lấy tâm của phân tử A làm tâm của một hình cầu được gọi là hình cầu tác dụng phân tử. Gọi r là bán kính của hình cầu đó hay bán kính tác dụng phân tử. Chúng ta chỉ quan tâm đến các phân tử có tâm nằm trong hình cầu tác dụng phân tử đó. 27 Do phân tử A ở bên trong khối chất lỏng nên nó chịu tác dụng của các lực hút từ mọi hướng do các phân tử trong hình cầu tác dụng gây ra và chúng cân bằng nhau, Vì vậy lực tổng hợp mà phân tử A nhận từ các phân tử chất lỏng khác bằng khơng. B A Hình 2.2 Tuy nhiên, nếu xét một phân tử có một phần nhơ ra khỏi mặt thống thì kết quả khơng như vậy. Giả sử ta có phân tử B như hình 2.2, khoảng cách từ nó tới mặt thống nhỏ hơn r. Coi phần mặt thống của khối chất lỏng là thể khí. Do chỉ có một số lượng rất ít các phân tử ở thể khí tác dụng lên phân tử B vì vậy ta có thể bỏ qua lực tác dụng của chúng lên phân tử B. Và chỉ quan tâm tới các phân tử chất lỏng nằm trong hình cầu tác dụng của phân tử B. Nhận thấy có một lực f làm cho phân tử B có xu hướng di chuyển vào phía trong lòng chất lỏng vì độ lớn các của lực tác dụng lên phân tử B do các phân tử chất lỏng gây ra khác khơng. Nếu phân tử B càng sát mặt thống thì giá trị của lực f sẽ lớn hơn. Tuy phân tử B chịu tác dụng của lực f nhưng phân tử B lại không di chuyển vào phía trong lòng chất lỏng mà nó vẫn thực hiện dao động nhiệt quanh vị trí cân bằng. Điều đó được giải thích như sau: khi lực f làm cho 28 phân tử B hướng vào trong lòng chất lỏng thì ngay lập tức các phân tử chất lỏng ở gần nó sẽ sinh ra một lực chống lại lực f đó. Tương tự như phân tử B trên hình 2.2 ta thấy trong lớp chất lỏng có bề dày d r chứa các phân tử chất lỏng đều sẽ chịu tác dụng của lực f hướng vào trong lòng chất lỏng. Chúng cũng chuyển động hỗn loạn khơng ngừng xung quanh vị trí cân bằng và sau mỗi khoảng thời gian nhất định do chúng tương tác với các phân tử xung quanh nên chúng đơi khi lại đổi vị trí cân bằng. Do lực f hợp với mặt thống một góc 90° nên phân tử B khơng chuyển động theo phương vng góc và phương nằm ngang so với mặt thống. Xét các thành phần nằm ngang f1 , f chúng là hai lực ngược chiều và phải có độ lớn bằng nhau f1 f do đó chúng triệt tiêu nhau. Khơng giống với lực f , nếu B càng gần mặt thống thì độ lớn của lực f1 hoặc f sẽ càng giảm. Nếu do một ngun nhân bất kì phân tử B bị mất đi một phần chất lỏng ở một phía nào đó thì khi đó các lực f1 hoặc f tác dụng sẽ làm cho phân tử B chuyển động sang trái hoặc sang phải. Ta hãy tưởng tượng lớp mặt ngồi có bề dày d chứa các phân tử chất lỏng hình thành nên một đoạn cong nhỏ gọi là đoạn cong ngun tố và kí hiệu là l khi đó tập hợp tất cả các lực thành phần tác dụng lên các phân tử này theo phương tiếp tuyến với mặt thống và ở về một phía xác định của đoạn cong ngun tố l chính là lực căng mặt ngồi f Do l rất nhỏ gần như là một đoạn thẳng do đó có thể coi lực căng mặt ngồi f hợp với l một góc 90°. Khi chịu tác dụng của lực căng mặt ngồi f lớp mặt ngồi có xu hướng thu về đạt đến diện tích nhỏ nhất có thể. Đặc điểm này của lớp mặt ngồi đã tạo ra một màng căng ở mặt thống của chất lỏng, do đó hiện tượng mà đang khảo sát người ta gọi là hiện tượng căng mặt ngồi. 29 Trên đây ta đã tìm hiểu khái niệm lực căng mặt ngồi dựa vào lực tương tác giữa các phân tử. Ngồi ra khái niệm lực căng mặt ngồi còn được xây dựng dựa trên quan điểm về năng lượng như sau. Để di chuyển được các phân tử trong lòng chất lỏng tiến gần tới lớp mặt ngồi thì chúng ta cần sử dụng một cơng sao cho cơng đó lớn hơn lực cản do các phân tử chất lỏng lân cận nói trên gây ra. Trong trường hợp khối chất lỏng bị cơ lập khơng tương tác với vật bên ngồi thì cơng này được xác định bằng độ biến thiên động năng của các phân tử khi động năng giảm đi do đó dẫn tới độ tăng của thế năng phân tử. Ngược lại khi các phân tử di chuyển từ lớp mặt ngồi tiến vào phía trong lòng chất lỏng thì nó sẽ sinh cơng và được tính bằng độ giảm thế năng của các phân tử khi đó động năng phân tử sẽ tăng lên. Vậy mỗi phân tử ở trong lòng khối chất lỏng và phân tử ở lớp mặt ngồi có một thế năng phụ. Người ta gọi tổng thế năng phụ của các phân tử ở lớp mặt ngồi là năng lượng tự do. Năng lương tự do này chính là một phần nội năng của khối lỏng. Năng lượng tự do càng tăng khi phân tử di chuyển từ trong lòng chất lỏng ra lớp ngồi càng nhiều. Sự tăng năng lượng này hoặc là do chất lỏng nhận cơng hoặc là do động năng của các phân tử giảm đi hoặc do cả hai ngun nhân trên. Ngược lại nếu diện tích mặt ngồi của chất lỏng co lại, làm giảm năng lượng tự do thì chất lỏng hoặc sẽ sinh cơng cho ngoại vật hoặc sẽ nóng lên hoặc sẽ xảy ra cả hai hiện tượng trên. Từ đó ta có khái niệm: “Sức căng mặt ngồi có giá trị đo được bằng độ tăng năng lượng tự do mặt ngồi trên một đơn vị diện tích ” [1] W , (2.46) D 30 với W là năng lương tự do mặt ngồi, D là diện tích mặt thống. 2.4 Sức căng mặt ngồi hệ tắc Các cơng trình nghiên cứu về ngưng tụ Bose-Einstein đã có những đóng góp quan trọng cho việc nghiên cứu các tính chất lượng tử. Nhất là trong việc nghiên cứu chuyển pha ướt của hệ đã có những đóng góp quan trọng. Dựa trên việc xây dựng lý thuyết Gross-Pitaevskii các nhà nghiên cứu đã tính tốn được sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần. Chúng ta sẽ nghiên cứu sức căng mặt ngồi trong hệ chính tắc. Đầu tiên ta có một khái niệm về năng lượng dư thừa bề mặt được đưa ra bởi Ao và Chui [6], điều này có nghĩa là, năng lượng dư thừa bằng tổng năng lượng trừ đi phần năng lượng khối E ECE N ECE N ECE (2.47) N Kết hợp (1.22), (1.23) và (2.47) rồi chia cho diện tích mặt thống D, ta có sức căng bề mặt [5] 2 E DPA n0 dz , D 0 m Đưa về dạng khơng thứ ngun như (1.20) ta có DPA n0 d gn0 2 DPA P d 2 , (2.48) với P0 gn02 / là áp suất của hệ. Tính tích phân (2.48) với hàm sóng ở (2.44) ta được DPA P0 (2.49) Theo (2.49) sức căng mặt ngồi trong thống kê chính tắc tỉ lệ thuận với độ dài đặc trưng của hệ. 31 Bây giờ sử dụng nghiệm chính xác (2.45) thì kết quả thu được là P0 (2.50) So sánh (2.49) và (2.50) ta thấy DPA (2.51) Theo (2.51) nhận thấy kết quả thu được từ phương pháp DPA lớn hơn 3/2 lần so với kết quả tương ứng khi sử dụng nghiệm chính xác. 32 KẾT LUẬN CHƯƠNG Ở chương này chúng ta đã trình bày được khái niệm về sức căng mặt ngồi, tìm hiểu hệ chính tắc và trạng thái cơ bản của parabol kép, chỉ ra được phương pháp gần đúng parabol kép có thể chấp nhận được từ đó ta đã đưa ra được biểu thức giải tích của sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc. 33 KẾT LUẬN Đề tài “Sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc” sau khi hồn thiện đã thu được những kết quả như sau: - Tổng quan nghiên cứu lý thuyết và thực nghiêm của ngưng tụ Bose- Einstein. - Trình bày được thế tương tác, Phương trình Gross-Pitaevskii phụ thuộc vào thời gian và không phụ thuộc thời gian. - Phương pháp gần đúng parabol kép và trạng thái cơ bản của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong gần đúng parabol kép. - Tính giá trị của sức căng mặt ngồi của ngưng tụ Bose-Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc. 34 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Lê Văn (1978), Vật lý phân tử nhiệt học, NXB Giáo dục, Hà Nội [2] Trần Thái Hoa (2014), Cơ học lượng tử, NXB ĐHSP Hà Nội II [3] Vũ Thanh Khiết (1988), Vật lý thống kê, NXB Giáo dục, Hà Nội. [4] www.wikipedia.org Tiếng Anh [5] J. O. Indekeu, C. Y. Lin, N. V. Thu, B. V. Chaeybroeck, T. H. Phat (2015), Phys. Rev. A 91, 033615 [6] P. Ao and S. T. Chui, Phys. Rev. A 58, 4836(1998) 35 ... Bose- Einstein thành phần thống kê tắc làm đề tài nghiên cứu của mình. Mục đích nghiên cứu 1 Nghiên cứu sức căng mặt ngoài của ngưng tụ Bose- Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc. Nhiệm... Dưới sự giúp đỡ và hướng dẫn của PGS.TS. Nguyễn Văn Thụ luận văn chuyên ngành Vật lý lý thuyết với đề tài Nghiên cứu sức căng mặt ngoài của ngưng tụ Bose- Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc ... phần trong thống kê chính tắc Đối tượng phạm vi nghiên cứu Hệ ngưng tụ Bose- Einstein một thành phần trong thống kê chính tắc, tức là hệ cơ lập với số hạt khơng đổi. Những đóng góp đề tài Nghiên cứu sức căng