Một số nghiên cứu về sự tự khuếch tán và khuếch tán của tap chất trong tinh thể germanium (ge)

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI KHOA VẬT LÍ  - ĐẶNG PHƯƠNG DUNG MỘT SỐ NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TỰ KHUẾCH TÁN VÀ KHUẾCH TÁN CỦA CÁC TẠP CHẤT TRONG TINH THỂ GERMANIUM (Ge) KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Chuyên ngành Vật lí lí thuyết Hà Nội- 2018 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI2 KHOA VẬT LÍ  - ĐẶNG PHƯƠNG DUNG MỘT SỐ NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TỰ KHUẾCH TÁN VÀ KHUẾCH TÁN CỦA CÁC TẠP CHẤT TRONG TINH THỂ GERMANIUM (Ge) KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC Chuyên ngành Vật lí lí thuyết Người hướng dẫn TS Phan Thị Thanh Hồng Hà Nội 2018 LỜI CẢM ƠN Em xin trân trọng cảm ơn Ban Giám hiệu, Ban chủ nhiệm Khoa Vật lí – Trường Đại học Sư phạm Hà Nội Em xin trân thành cảm ơn thầy cô giáo tổ mơn “Vật lí lí thuyết” ln quan tâm, động viên tạo điều kiện cho em thời gian học tập thực đề tài Em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới TS Phan Thị Thanh Hồng tận tình hướng dẫn, động viên, giúp đỡ em suốt thời gian thực đề tài Cuối cùng, em xin cảm ơn động viên, giúp đỡ nhiệt tình gia đình bạn bè Em xin trân cảm ơn! Hà Nội, tháng năm 2018 Sinh viên Đặng Phương Dung LỜI CAM ĐOAN Em xin cam đoan đề tài nghiên cứu em hướng dẫn TS Phan Thị Thanh Hồng Trong trình thực đề tài, em có tham khảo số tài liệu ghi mục Tài liệu tham khảo Hà Nội, tháng năm 2018 Sinh viên Đặng Phương Dung MỤC LỤC MỞ ĐẦU 1 Lý chọn đề tài Mục đich nghiên cứu Đối tượng phạm vi nghiên cứu Nhiệm vụ nghiên cứu Phương phap nghiên cứu Cấu truc khoá luận CHƯƠNG I: SƠ LƯỢC VỀ CHẤT BÁN DẪN VÀ CƠ CHẾ KHUẾCH TÁN CHỦ YẾU TRONG BÁN DẪN 1.1 Sơ lược bán dẫn 1.2 Các ứng dụng quan trọng vật liệu bán dẫn 1.3 Các chế khuếch tán chủ yếu bán dẫn 1.3.1 Khái niệm khuếch tán 1.3.2 Các chế khuếch tán chủ yếu bán dẫn KẾT LUẬN CHƯƠNG CHƯƠNG 2: MỘT SỐ NGHIÊN CỨU VỀ KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ GE 10 2.1 Cac đai lương nghiên cưu hiên tương khuếch tan 10 2.2 Các nghiên cứu lí thuyết thực nghiệm 12 TAI LIÊU THAM KHAO 33 MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Ge môt hai bán dẫn đơn chất điển hình (Ge va Si) ứng dụng nhiều ngành công nghiệp, đặc biệt ngành công nghiệp điện tử Sự phát triển linh kiện bán dẫn như: điốt, tranzito, mạch tích hợp,… cho đời hàng loạt thiết bị điện tử tinh vi đầu đọc đĩa CD, máy fax, máy quét siêu thị, điện thoại di động,… Để có linh kiện bán dẫn kể trên, người ta phải tạo hai loại bán dẫn bán dẫn loại n bán dẫn loại p cách pha nguyên tử tạp chất vào Ge (hay Si) Có nhiều phương pháp pha nguyên tử tạp chất vào vật liệu bán dẫn phương pháp nuôi đơn tinh thể, phương pháp cấy ion, phương pháp khuếch tán, So với phương pháp khác phương pháp khuếch tán có nhiều ưu điểm khơng làm thay đổi cấu trúc tinh thể, pha tạp với chiều sâu tùy ý, cho phép điều khiển tốt tính chất tranzito, Đó lí khiến cho kĩ thuật khuếch tán nguyên tử vào vật liệu bán dẫn thu hút quan tâm nhiều nhà khoa học Đa có nhiều cơng trình nghiên cứu lí thuyết thực nghiệm tự khuếch tán khuếch tán tạp chất bán dẫn, đặc biệt khuếch tán bán dẫn Si va Ge Tuy nhiên, việc đo đạc xác đại lượng khuếch tán điều khó, đòi hỏi phải có trang thiết bị đại có đội ngũ chuyên gia giàu kinh nghiệm Về mặt lí thuyết, có nhiều phương pháp sử dụng để nghiên cứu khuếch tán; phương pháp thu thành cơng định tính tốn bị hạn chế kết số thu có độ xác chưa cao so với giá trị thực nghiệm Vì vậy, nghiên cứu tự khuếch tán khuếch tán tạp chất bán dẫn vấn đề có ý nghĩa khoa học mang tính thời Xuất phát từ li trên, nên chung chọn đề tài nghiên cứu la: “Một số nghiên cưu vê sư tư khuếch tán va khuêch tan cua tap chât tinh thể Germanium (Ge)” Mục đich nghiên cứu - Tim hiêu cac nghiên cưu li thuyết va cac quan sat thưc nghiêm về sư tư khuếch tan va khuếch tan cua tap chất tinh thê Ge Đối tượng phạm vi nghiên cứu - Cac công trinh, bai bao, tai liêu viết về sư khuếch tan tinh thê Ge Nhiệm vụ nghiên cứu - Sưu tầm, câp nhât cac bai bao, tai liêu viết về khuếch tan Ge - Đoc, dich cac tai liêu sưu tầm đươc - Phân tich, đanh gia, tông hơp đê viết khoa luân Phương phap nghiên cứu - Đọc, tra cứu tài liệu liên quan đến đề tài nghiên cứu - Phân tích, đanh gia, tổng hợp kiến thức tìm hiểu Cấu truc khố luận Ngoài phần mở đầu, kết luận tài liệu tham khảo, khóa luận dự kiến có hai chương: Chương 1: Sơ lươc về ban dân va cac chế khuếch tan chu yếu ban dân 1.1 Sơ lươc về ban dân 1.2 Các ưng dung ban bán dẫn 1.3 Các chế khuếch tan chu yếu ban dân Kết luận chương Chương 2: Các nghiên cưu về khuếch tán tinh thể Germanium 2.1 Cac đai lương nghiên cưu hiên tương khuếch tan 2.2 Các nghiên cứu lí thuyết Kết luận chương Kết luận chung CHƯƠNG I SƠ LƯỢC VỀ CHẤT BÁN DẪN VÀ CƠ CHẾ KHUẾCH TÁN CHỦ YẾU TRONG BÁN DẪN 1.1 Sơ lược bán dẫn Theo tài liệu [1], chất bán dẫn thông dụng thường kết tinh theo mạng tinh thể lập phương tâm diện Trong đó, nút mạng gắn với gốc gồm hai nguyên tử Hai nguyên tử loại bán dẫn đơn chất Si, Ge hai nguyên tử khác loại bán dẫn hợp chất GaAs, InSb, ZnS, CdS, Hình 1.1 Mạng tinh thể Ge Ge vật liệu bán dẫn điển hình Đơn tinh thể Ge có cấu trúc kim cương (Hình 1.1) gồm hai phân mạng lập phương tâm diện lồng vào nhau, phân mạng nằm 1/4 đường chéo phân mạng Trong sở có nguyên tử Ge, nguyên tử Ge tâm hình tứ diện cấu tạo từ bốn nguyên tử lân cận gần xung quanh Độ dài cạnh o sở (còn gọi số mạng tinh thể) 298K a o = 5,43 A o Mạng tinh thể Ge hở Bán kính nguyên tử Ge 1,22 A Trong ô sở mạng tinh thể Ge có lỗ hổng mạng (còn gọi hốc hay kẽ hở mạng) hốc nằm bốn đường chéo đối diện với nguyên tử Ge thuộc đường chéo qua tâm hình lập phương hốc thứ nằm tâm hình lập phương (Hình 1.2- hốc 1, 2, 3, 4, 5) Mỗi hốc có bán kính bán kính ngun tử Ge chứa khít nguyên tử Ge Mỗi hốc tâm hình tứ diện cấu tạo từ bốn hốc xung quanh bốn nguyên tử Ge xung quanh (xem Hình 1.2) Hình 1.2 Các hốc (lỗ hổng) mạng tinh thể Ge Các bán dẫn hợp chất A III BV A II BVI GaAs hay ZnS chẳng hạn (Hình 1.3) thường kết tinh dạng zinc blend (ZnS), gồm hai phân mạng lập phương tâm diện lồng vào nhau, phân mạng nằm 1/4 đường chéo phân mạng Tuy nhiên, mạng thứ cấu tạo từ loại nguyên tử (Zn chẳng hạn) mạng thứ hai cấu tạo từ loại nguyên tử khác (S chẳng hạn) Trong tinh thể ZnS, nguyên tử Zn tâm hình tứ diện cấu tạo từ bốn nguyên tử S xung quanh Ngược lại, nguyên tử S lại tâm hình tứ diện đều, cấu tạo từ bốn nguyên tử Zn xung quanh Chú thích: Lưu huỳnh (S) Kẽm (Zn) Hình 1.3 Mạng tinh thể kẽm sunfua (ZnS) 1.2 Các ứng dụng quan trọng vật liệu bán dẫn Vật liệu bán dẫn nghiên cứu ứng dụng nhiều lĩnh vực khoa học, kỹ thuật công nghiệp Tuy nhiên, ứng dụng quan trọng phổ biến chúng dùng để chế tạo linh kiện điện tử bán dẫn Chúng ta sống thời đại thông tin Một lượng lớn thơng tin thu qua Internet thu cách nhanh chóng qua khoảng cách lớn hệ thống truyền thông vệ tinh Sự phát triển linh kiện bán dẫn điốt, tranzito mạch tích hợp (ICIntegrated Circuit) giúp nhiều việc phát cơng dụng chúng IC có mặt hầu hết mặt đời sống hàng ngày, chẳng hạn đầu đọc đĩa CD, máy fax, máy quét siêu thị điện thoại di động Điốt phát quang dùng hiển thị, đèn báo, hình quảng cáo nguồn sáng Phơtơđiốt loại dụng cụ thiếu Trong công trinh [7] nghiên cứu tự khuếch tán cấu trúc đồng vị dị hướng Ge 70 Ge / 74 Ge Trong nghiên cứu này, cac tác giả đưa kĩ thuật dùng để nghiên cứu tự khuếch tán Ge cách sử dụng động vị ( 70 Ge / 74 Ge ) Sau xen vào lớp 70 Ge 74 Ge nhiệt độ khoảng từ 543 o C 690 o C , đại lượng khuếch tán đo phổ trắc khối ion thư cấp (Secondary Ion Mass Spectroscopy SIMS) Việc phân tích số liệu thực nghiệm cho phép xác định xác enthalpy entropy tự khuếch tán Trong công trinh nay, cac tac gia đa sử dụng cấu trúc dị hướng đồng vị Ge (đồng vị ổn định), chế tạo chùm phân tử enthalpy (Molecular Beam Epitaxy - MBE).Trong cấu trúc đồng vị dị hướng chung bao gồm lớp tinh khiết (ví dụ 70 Ge 74 Ge ) đồng vị hỗn hợp nguyên tố hóa học Cho đến gần đây, số lượng đáng kể Ge túy làm giàu mặt hóa học có sẵn, làm cho tăng trưởng cấu trúc có Hình 2.2 cho thấy sơ đồ mẫu cụ thể sử dụng công nghệ Sau ủ, đồng vị tự khuếch tán với Các số liệu nồng độ đo SIMS, sau phần mẫu ủ riêng nhiệt độ khác Điều cho phép xác định xác enthalpy entropy tự khuếch tán Các cấu trúc dị hướng đồng vị cho nghiên cứu tự khuếch tán số khía cạnh sau Hình 2.2 Sơ đồ cấu trúc đồng vị sử dụng công việc (1) Sự liên kết đồng vị Ge diễn mẫu đồng vị bên tinh thể, không bị ảnh hưởng hiệu ứng xảy bề mặt (ví dụ q trình oxy hóa, vết bẩn tạp chất) gặp phải kỹ thuật thông thường (2) Một mẫu Ge bao gồm năm đồng vị ủ nhiệt độ ổn định, nồng độ ban đầu lớp khác tương ứng chúng khác Sau ủ, cấu hình trung tâm đồng vị năm đồng vị tách riêng để có thơng tin năm giá trị cho nhiệt độ ủ Hình 2.3 Cơ chế nút khuyết tự khuếch tán: a) Nguyên tử Ge đánh dấu (màu đen) di chuyển cách nhảy sang bên phải b) Sau nhảy, chuyển sang vị trí có khoảng cách gần Trong tài liệu khuếch tán, có hai loại chế khuếch tán chủ yếu chế nút khuyết chế xen kẽ Cơ chế nút khuyết, mô tả Hình 2.3 kiểu phổ biến khuếch tán Ge Nó kiểm sốt khơng tự khuếch tán Ge mà kiểm sốt tất kim loại, mang lại đóng góp cho tự khuếch tán bán dẫn Si nhiệt o độ 1000 C Mẫu sử dụng thí nghiệm tạo MBE, bề mặt chất tự nhiên, bề mặt lớp đệm 23 nm lắng đọng (cùng vật liệu lớp giàu đẳng hướng đầu tiên) với đoạn nhiệt độ o khoảng từ 180-450 C Để tạo bề mặt nhẵn mịn, lớp giàu o đẳng hướng sau phát triển 390 C mẫu với lớp dày 100 nm mẫu với lớp dày 200 nm, mẫu chia thành nhiều o o o o phần, ủ nhiệt độ khác (543 C , 586 C , 605 C , 636 C 690 o C ) Đối với mẫu ủ nhiệt đặt ống cách li để ngăn chặn q trình oxy hóa nhiễm Mặc dù mẫu giữ chân không ( 106 Torr) mẫu ủ bị oxy hóa bề mặt mức độ Ơxít bay nhiệt độ cao, có nghĩa phần định lớp bị trình ủ Tuy nhiên, trình tự khuếch tán phân tích cơng việc diễn bên tinh thể mặt đẳng hướng, trình oxy hóa bề mặt khơng mong đợi làm thay đổi đáng kể khuếch tán bên mẫu Để đảm bảo số nhiệt độ xác, ống cặp nhiệt điện giữ thùng chứa than chì bên lò sưởi Bộ điều khiển nhiệt o độ cho phép biến đổi nhiệt độ 1-2 C Việc ghi lại độ sâu nồng độ tất năm đồng vị Ge ổn định thực với SIMS Các cấu hình điển hình mẫu phần khuếch o tán ủ mẫu (636 C 19,5 giờ) thể Hình 2.4 Hình 2.4 Thử nghiệm độ sâu phần nguyên tử Ge 70 Ge 74 Sự khuếch tán tinh thể xảy nguyên tử nhảy vị trí khác mạng tinh thể Về nguyên tắc, có nhiều khả cho bước nhảy (các vị trí thay xen kẽ, vị trí nút khuyết, ) Trong tinh thể Ge, người ta thấy trình có ý nghĩa cho việc di chuyển nguyên tử Ge thông qua chế nút khuyết Trong trường hợp hệ số tự khuếch tán DSD viết dạng biểu thức Arrhenius DSD gfa o exp GSD H D expo SD kT kT (2.5) G SD nặng lượng tự Gibbs tự khuếch tán, G SD H SD TSSD (2.6) với HSD enthalpy tự khuếch tán, SSD entropy tự khuếch tán D hệ số trước hàm mũ D0 gfa o exp SSD k (2.7) f hệ số tương quan (f = / cho chế nút khuyết mạng kim cương), o tần số cố định, g hệ số cấu trúc (g = 1/8 cho chế nút khuyết Ge) a số mạng; k số Boltzmann Enthalpy H SD entropy S phụ thuộc vào hình thành ( kí hiệu F) SD di chuyển ( kí hiệu M) chế nút khuyết M HSD HSDF HSD ,S SD SSDF SSD M (2.8) Các số liệu cho thấy hệ số tự khuếch tán DSD hàm nhiệt độ ủ T Kết hợp thực nghiệm với lí thuyết thấy DSD thơng số phù hợp Phương trình (2.5) sau cho phép xác định enthalpy HSD entropy SSD tự khuếch tán suy phương trình (2.7) Giải phương trình khuếch tán Fick cách cụ thể (Hình 2.1), thu nồng độ ci nguyên tử đồng vị Ge c (x) i c 0,I c 0,III i 0,II i h/2x erf 0,I c c D t SD c i 0,II i h/2x erf i 0,III c i DSD t (2.9) h độ dày lớp mẫu vật (khoảng 100 200 nm ), 0,I 0,II cii ,ci ,c nồng độ ban đầu đồng vị i lớp Ge làm giàu lớp làm giàu bề mặt tương ứng 74 0,III Ge Hình 2.5 cho thấy đặc tính tất năm đồng vị điều kiện ủ o (586 C 55,55 h), phù hợp với phương trình (2.9) Để rõ ràng phù hợp với cấu hình 70 Ge Hình 2.5 Thí nghiệm độ sâu phần nguyên tử , 76 Ge 74 70 Ge , 72 73 Ge , Ge Ge phần mẫu vật đc ủ tự khuếch tán( ủ 586 o C 55,55 h) Các giá trị cho hệ số tự khuếch tán D ủ 543 o C , 586o C , SD o o o 605 C 636 C 690 C trình bày theo quy luật Arhenius Hình 2.6 Các đường Hình 2.6 biểu thị kết viết trước Hình 2.6 Quy luật Arrhenius hệ số tự khuếch tán hàm nhiệt độ Từ Hình 2.6 cho thấy kết thu từ thí nghiệm phù hợp với giá trị tìm trước Các kết tóm tắt sau: (1) Enthalpy HSD tự khuếch tán 3.0 eV Kết phù hợp với giá trị công bố trước 2,95 - 3,14 eV (2) Hệ số trước hàm mũ D o 1,2.103 m2s1 Kết phù hợp với giá trị công bố trước 0,78 4,4.103 m2s (3) Chuyển đổi entropy SSD thơng qua phương trình (2.7) tác giả thu SSD 9k (với 12 o 8.10 s a = 0,565 nm) Entropy tự khuếch tán cho Ge lớn cho kim loại (2k - 4k) Trong công trinh [8] nghiên cưu tự khuếch tán đồng vị Ge nhiệt độ thấp, cac tac gia đa dung phep đo phan xa neutron (Neutron Reflectometry - NR) đê nghiên cưu sư tư khuếch tan nhiều lơp tinh thê Ge nhiêt đô tư 429°C đến 596°C Bằng phương phap nay, tư cac dư liêu thưc nghiêm Ở nhiệt độ cao, độ khuếch tán phù hợp với số liêu thu kỹ thuật tán xạ phân tư Tóm lại, tác giả đo tự khuếch tán nhiều lớp đa tinh thể Ge kết tinh nhiệt độ tư 429°C đến 596°C cách sử dụng phương pháp phan xa neutron Bằng phương pháp này, từ số liệu thực nghiệm tự khuếch tán Ge biết hệ số khuếch tán D 1.1025 m2 s Hệ số khuếch tán thấp dẫn đến độ dài tán xạ nm cho thời gian khuếch tán thực tế khó tiến hành kỹ thuật tán xạ chùm ion Các liệu tự phân tán Ge đưa tài liệu nghiên cứu mơ tả xác với enthalpy kích hoạt đơn lẻ Q = 3,13 eV số trươc ham mu D0 2,54.103 m s cho nhiệt độ từ 429 đến 904°C Nghiên cưu cung chi rằng nút khuyết đong vai tro chu đao sư tư khuếch tan cua Ge Trong công trinh [9] nghiên cưu về anh hưởng áp suất lên khuếch tán Asen Ge Cac tac gia đa sư dung phep đo phô trắc khối ion thư cấp (Secondary Ion Mass Spectroscopy - SIMS), mâu đươc u o môi trương co ap suất va nhiêt đô tương ưng la 5GPa 750 C Kết qua thu đươc tư thưc nghiêm đươc mơ ta Hình 2.7 Hình 2.7 Sự khuếch tán As Ge với áp suất 30 phút ủ o 575 C Tư hinh ve cho thấy số khuếch tan giam ap suất tăng Kết qua cung chi rằng chế nut khuyết cung la chế chu đao sư khuếch tan cua As vao Ge Trong công trinh [10], nghiên cưu anh hương cua áp suất thủy tĩnh, nhiệt độ chất thêm vao lên tự khuếch tán Ge Cac tac gia đa sư dung ki thuât phun xa chum tia io (Ion Beam Sputtering - IBS) đê xac đinh hệ số khuếch tán cua đồng vi 71 Ge đơn tinh thể Ge dươi anh hương áp suất, nhiệt độ chất thêm vao Kết qua thu đươc thê tich kich hoat Ge tăng theo nhiêt đô tư 0,24 876K đến 0,41 1086K ( thể tích nguyên tử) Các phép đo độ phụ thuộc vào chất thêm vào đo 973K cho thấy độ khuếch tán tăng với xúc tác n giảm với xúc tác p Điều ủng hộ quan điểm cho tự khuếch tán Ge theo chế nút khuyết hoạt động chế nút khuyết thừa nhận Các phép đo phụ thuộc vào áp suất độ khuếch tán vật liệu pha tạp thực 973K, cho thấy thê tích kích hoạt lớn thêm chất thêm vào p so với chất thêm vào n Tư đo cac tac gia suy thê tich kich hoat cho cac khuyết tât dương la 0,56 0,28 cho cac khuyết tât âm KẾT LUẬN CHƯƠNG Cac đai lương đươc nghiên cưu hiên tương khuếch tan lương kich hoat Q, số khuếch tán D Trinh bay môt số kết nghiên cưu li thuyết về sư tư khuếch tan va khuếch tán cua cac tap chất tinh thê Ge dươi anh hương cua nhiêt độ, áp suất chất thêm vào Trinh bay môt số kết qua nghiên cưu thưc nghiêm về sư tư khuếch tan va khuếch tán cua cac tap chất tinh thê Ge dươi anh hương cua nhiêt độ, áp suất chất thêm vào 31 KÊT LUÂN CHUNG Sau tìm hiểu số nghiên cứu khuếch tán tự khuếch tán tạp chất tinh thể Ge khóa luận tổng hợp sơ lược chất bán dẫn chế khuếch tán chủ yếu tự khuếch tán khuếch tán tạp chất tinh thể Ge chế nút khuyết Cụ thể: Cấu trúc tinh thể bán dẫn nói chung tinh thể Ge nói riêng Bên cạnh ứng dụng quan trọng cua vật liệu bán dẫn chế khuếch tán chủ yếu tinh thê bán dẫn Cac đai lương đươc nghiên cưu hiên tương khuếch tan lương kich hoat Q, số khuếch tán D Trinh bay môt số kết nghiên cưu li thuyết thực nghiệm về sư tư khuếch tan va khuếch tán cua cac tap chất tinh thê Ge dươi anh hương cua nhiêt độ, áp suất chất thêm vào 32 TAI LIÊU THAM KHAO Phùng Hồ Phan Quốc Phơ (2001), Giáo trình Vật lý bán dẫn, Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật, Hà Nội Phan Thị Thanh Hồng (2013), Nghiên cứu tự khuếch tán khuếch tán tạp chất bán dẫn phương pháp thống kê mômen, Luận án Tiến sĩ Vật lý, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội, Hà Nội Phan Thi Thanh Hồng, Pham Thi Minh Hanh, Đao Thi Quynh (2017), Anh hương cua nhiêt đô lên sư tư khuếch tan tinh thê Ge, Tap chi Khoa hoc, Trương Đai hoc Sư pham Ha Nôi 2, Số 47, Trang – 12 Vu Thi Lan Phương (2017), Nghiên cưu anh hương cua ap suất lên sư tư khuếch tan Ge bằng phương phap thống kê mô men, Luân văn Thac sy Vât ly, Trương Đai hoc Sư pham Ha Nôi Bui Thi Thu Hương (2017), Nghiên cưu anh hương cua biến dang lên sư tư khuếch tan Ge bằng phương phap thống kê mô men, Luân văn Thac sy Vât ly, Trương Đai hoc Sư pham Ha Nôi Chroneos A., Bracht H., Grimes R W., and Uberuaga B P (2008), "Vacancy-mediated dopant diffusion activation enthalpies for germanium", Applied Physics Letters92(17), p172103 Fuchs H D., Walukiewicz W., Haller E E., Donl W., Schorer R., Abstreiter G., Rudnev A I., Tikhomirov A V., and Ozhogin V I (1995), “Germanium 70Ge/ 74Ge isotope heterostructures: An approach to self-diffusion studies”, Phys Rev B51(23),p.16817 Hüger E., Tietze U., Lott D., Bracht H., Bougeard D., Haller E E., and Schmidt H (2008), “Self-diffusion in germanium isotope multilayers at low temperatures”, Applied Physics Letters93, p.162104 33 Mitha S., Theiss S D., Aziz M J., Schiferl D and Poker D B (1994), “ Effect of pressure on arsenic diffusion in germanium”, Mat Res Soc Symp Proc., 325 10 M.Werner M., Mehrer H., and Hochheimer H D (1985), "Effect of hydrostatic pressure, temperature, and doping on Self-Diffusion in germanium", Phys Rev B32(6), pp.3930-3937 ... trúc tinh thể bán dẫn nói chung tinh thể Ge nói riêng - Các ứng dụng quan trọng cua vật liệu bán dẫn - Các chế khuếch tán chủ yếu tinh thê bán dẫn CHƯƠNG MỘT SỐ NGHIÊN CỨU VỀ KHUẾCH TÁN TRONG TINH. .. trên, nên chung chọn đề tài nghiên cứu la: Một số nghiên cưu vê sư tư khuếch tán va khuêch tan cua tap chât tinh thể Germanium (Ge) Mục đich nghiên cứu - Tim hiêu cac nghiên cưu li thuyết va... niệm khuếch tán 1.3.2 Các chế khuếch tán chủ yếu bán dẫn KẾT LUẬN CHƯƠNG CHƯƠNG 2: MỘT SỐ NGHIÊN CỨU VỀ KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂ GE 10 2.1 Cac đai lương nghiên