TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)

Transistor lượng cực được cấu tạo từ 3 lớp bán dẫn hình thành 2 tiếp xúc pn ghép lại với nhau tạo thành transistor npn hoặc pnp. Cực B (base): cực gốc hay cực nền. Cực E (emitter): cực phát Cực C (collector): cực thuTransistor lượng cực được cấu tạo từ 3 lớp bán dẫn hình thành 2 tiếp xúc pn ghép lại với nhau tạo thành transistor npn hoặc pnp. Cực B (base): cực gốc hay cực nền. Cực E (emitter): cực phát Cực C (collector): cực thuTransistor lượng cực được cấu tạo từ 3 lớp bán dẫn hình thành 2 tiếp xúc pn ghép lại với nhau tạo thành transistor npn hoặc pnp. Cực B (base): cực gốc hay cực nền. Cực E (emitter): cực phát Cực C (collector): cực thu

β+1)IB Điện áp ngõ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 Dòng cực thu bảo hòa 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = 𝑅𝐶 20 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực cố định Dòng điện vào IB 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 0.7 𝐼𝐵 = = 𝑅𝐵 𝑅𝐵 Dòng điện cực thu: IC = βIB Dòng điện cực phát: IE = IC + IB = (β+1)IB Điện áp ngõ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 Dòng cực thu bảo hòa 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = 𝑅𝐶 21 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực cố định Ví dụ 3: Xác định điểm làm việc tĩnh cho mạch hình bên Cho β = 100 Giải: 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0.7 𝐼𝐵 = = = 34.2𝜇𝐴 𝑅𝐵 330𝑘Ω IC = βIB = 100* 34.2𝜇𝐴=3.42mA 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12 − (3.42mA)(560Ω) = 10.1𝑉 22 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực cố định - ổn định cực phát Dòng điện vào IB 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝛽 + 𝐼𝐵 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵 + 𝛽 + 𝑅𝐸 Dòng điện cực thu: IC = βIB Dòng điện cực phát: IE = IC + IB = (β+1)IB Điện áp ngõ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 Dòng cực thu bảo hòa 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 23 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực cố định - ổn định cực phát Ví dụ 4: Tìm điểm làm việc tĩnh Q mạch hình bên Cho VCC = 12V, RB = 330kΩ, RC = 560Ω, RE = 1kΩ, β = 100 Giải: 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0.7 𝐼𝐵 = = = 26.2𝜇𝐴 𝑅𝐵 + 𝛽 + 𝑅𝐸 330 + 101 ∗ 𝐼𝐶 = 100 ∗ 26.2𝜇𝐴 = 2.62𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 101 ∗ 26.2𝜇𝐴 = 2.65mA 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 12 − (2.62𝑚𝐴)(560Ω) - (2.65mA)(1kΩ) = 7.88V 24 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Định lí Thevenin: 𝑅𝑇𝐻 𝑅1 𝑅2 𝑅2 = 𝑅1 //𝑅2 = , 𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 25 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Dòng điện vào IB 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 𝐼𝐵 𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵 + 𝛽 + 𝑅𝐸 Dòng điện cực thu: IC = βIB Dòng điện cực phát: IE = IC + IB = (β+1)IB Điện áp ngõ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 26 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Ví dụ 5: Xác định IC, VCE mạch phân cực mạch phân áp hình bên Cho β = 150 27 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Giải: Mạch tương đương có: 𝑅1 𝑅2 10.5.6 𝑅𝑇𝐻 = = = 3.59𝑘𝛺 𝑅1 + 𝑅2 10 + 5.6 𝑅2 5.6 𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐶𝐶 = 10 = 3.59𝑉 𝑅1 + 𝑅2 10 + 5.6 𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 3.59 − 0.7 𝐼𝐵 = = = 32.8𝜇𝐴 𝑅𝑇𝐻 + 𝛽 + 𝑅𝐸 3.59 + 151 ∗ 0.56 IC = βIB = 150*32.8(𝜇A) = 4.92(mA) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 10 − 4.92 mA ∗ kΩ − 4.92𝑚𝐴 + 32.8𝜇𝐴 ∗ 560Ω 𝑉𝐶𝐸 = 2.3V 28 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực hồi tiếp điện áp Dòng điện vào IB 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼′𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 Với: 𝐼′𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐵 = 𝛽 + 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝛽 + 𝐼𝐵 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝛽 + 𝐼𝐵 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵 + 𝛽 + (𝑅𝐸 +𝑅𝐶 ) Dòng điện cực thu: IC = βIB Dòng điện cực phát: IE = IC + IB = (β+1)IB Điện áp ngõ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼 ′ 𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ) 29 ... 26 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Ví dụ 5: Xác định IC, VCE mạch phân cực mạch phân áp hình bên Cho β = 150 27 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực. .. 24 Transistor lưỡng cực (BJT) II Phân cực cho trasistor Phân cực mạch phân áp Định lí Thevenin: