Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại E chung: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Mạch tương đương AC được xây dựng bằng cách giả sử rằng tất cả các tụ điện có trở kháng bằng 0 tại tần
Trang 1CHƯƠNG 2
CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI
TÍN HIỆU NHỎ
Trang 2Nội dung chương 2
2.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại E chung: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
2.2.1 Mạch khuếch đại E chung: Hệ số khuếch đại điện áp
2.2.2 Mạch khuếch đại E chung: Trở kháng vào
2.2.3 Mạch khuếch đại E chung: Trở kháng ra
2.2 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
2.2.1 Mạch khuếch đại S chung: Hệ số khuếch đại điện áp
2.2.2 Mạch khuếch đại S chung: Trở kháng vào
2.2.3 Mạch khuếch đại S chung: Trở kháng ra
2.3 Mạch khuếch đại E chung có Re và S chung có Rs
2.3.1 Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 3Nội dung chương 2
2.4 Mạch khuếch đại C chung và D chung
2.4.1 Hệ số khuếch đại điện áp tại cực ra
2.4.2.Trở kháng vào và hệ số KĐ điện áp toàn mạch
2.4.3.Trở kháng ra
2.4.4 Hệ số khuếch đại dòng điện
2.5 Mạch khuếch đại B chung và G chung
2.5.1 Mô hình tín hiệu nhỏ cho mạch khuếch đại B chung
2.5.2 Hệ số khuếch đại điện áp tại các cực và trở kháng vào
2.5.3 Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
Trang 4Các loại mạch khuếch đại
Tùy theo việc chọn các cực của BJT và FET làm các ngõ vào, ngõ ra, ta có ba loại mạch khuếch đại như sau:
– E chung (CE) với BJT/S chung (CS) với FET
– B chung (CB) với BJT/G chung (CG) với FET
– C chung (CC) với BJT/D chung (CD) với FET
Sử dụng mạch phân cực bốn điện trở để thiết lập điểm làm việc tĩnh Q-point cho các mạch khuếch đại khác nhau
Tụ liên lạc và tụ lọc nhiễu được dùng để thay đổi mạch tương đương ac
Trang 52.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại E
chung: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Mạch tương đương AC được xây dựng bằng cách giả sử rằng tất cả các tụ điện có trở kháng bằng 0 tại tần số của tín hiệu vào và nguồn một chiều được nối đất
Giả sử Q-point đã được cho trước
2
R B
Trang 6R C
R o
g be
v o
v b
v c
v vt
R I
R
r B
R L
R m g v
A
i
v be
v vt
A i
v be
v be
v o
v i
v o
v v
A
2.1.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại E
chung: Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 7 Ví dụ 1: Tính hệ số khuếch đại điện áp
Với các thông số sau: bF =100, VA =75 V, Q-point (1.45
mA, 3.41V), R1 = 10 k W , R2 = 30 k W, R3 = 100 k W , RC = 4.3
k W, RI =1k W
Giả sử: Transistor hoạt động trong vùng tích cực, bO = bF Tín hiệu vào đủ thấp để có thể xem là tín hiệu nhỏ
Mạch khuếch đại E chung
Hệ số khuếch đại điện áp: Ví dụ 1
Trang 8R I
R
r B
R L
R m g v
A
mS0.58)
mA45.1(40
C
I m
g
kΩ72
1mA
45.1
)V025.0(
54mA
45.1
V14.3V
V A
V o r
kΩ5.72
R R B
R
kΩ83.3
3
C
R o
r B
R I
R i
v
Mạch khuếch đại E chung
Hệ số khuếch đại điện áp: Ví dụ 1
Trang 9 Nếu ta giả sử
Nhìn chung R 3 >> R C và điện trở tải << r o Nếu ta giả sử I C R C = ζV CC
với 0<ζ<1
Trong trường hợp này, ζ=1/3 vì 1/3 nguồn cung cấp thường được đặt
trên R C khi thiết kế Giả thích rõ ràng hơn cho các xấp xỉ dẫn đến kết quả này, ta dùng:
Nếu điện trở tải phải gần bằng r o , R C và R 3 là rất lớn, hệ số khuếch đại
r B
R I
R o
r m
g L
R m
g vt
V C
R C
I C
R m
g vt
A v
CC
V v
2.1.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại E
chung: Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 102.1.2 Mạch khuếch đại E chung: Trở kháng vào
Trở kháng vào, tổng điện trở nhìn
vào mạch điện ở tụ liên lạc C1 đại diện cho tổng điện trở đưa đến nguồn
r R R r
B R R
r B R
2
1x
ix
vin
)(
xixv
Trang 11 Trở kháng rai là tổng điện trở tương đương nhìn vào ngõ ra của mạch khuếch
đại tại tụ liên lạc C3 Nguồn vào được đưa
về 0 và một nguồn thử được đặt tại ngõ
ra
C
R o
r C R R
m
g o
r C
vout
bevx
vx
vx
As r o >> R C 2.1.3 Mạch khuếch đại E chung: Trở kháng ra
Trang 12Phân tích mạch khuếch đại E chung
the Q-point, mạch tương
đương dc được vẽ lại
Trang 13μA 245 66
μA 241 65
μA 71 3
I
B
I C
I B I
5 ) 4 10 6
1 ( ) 1 (
5
B
I F
BE
V B
V67.3
0)5()
4106.1(4
105
E
I CE
V C I
Phân tích mạch khuếch đại E chung
Ví dụ 2
Trang 14Ta vẽ lại mạch tương đương
ac và rút gọn:
0.84in
in)
3out
R
R R
R m g i
v
o
v v A
S31064.9
C
I m
g
kΩ64.6
C I T
V o
kΩ223
C I CE
V A
V
o
r
kΩ23.6
B R R
kΩ57.9
C R R
Phân tích mạch khuếch đại E chung
Ví dụ 2
Trang 152.2 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung:
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Mạch tương ac được vẽ lại bằng cách giả sử tất cả tụ điện có trở kháng bằng 0 tại tần số của tín hiệu vào và nguồn điện áp dc đại diện cho nối đất ac
Giả sử Q-point được cho trước
2
R G
Trang 16R D
R o
g gs
v o
v g
v d
v vt
R
G
R L
R m g v
A
i
v gs
v vt
A i
v gs
v gs
v o
v i
v o
v v
A
2.2.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung:
Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 17Hệ số khuếch đại điên áp của mạch khuếch đại S chung:
Ví dụ 3
Ví dụ 3: Tính hệ số khuếch đại điện
áp
Biết: Kn = 0.5 mA/V2, VTN = 1V, l = 0.0133 V-1, Q-point (1.45 mA, 3.86
Trang 18Hệ số khuếch đại điên áp của mạch khuếch đại S chung:
Ví dụ 3
dB 4 13 69
R
G
R L
R m
g v
A
mS 23 1 ) 1
I n
K m
kΩ 5 54
DS
V o
r l
kΩ
243 2
R R G
R
kΩ 83
r L
R
V 48 0
2 2 0 2
I TN
V GS
V i
v
Trang 19 Nếu ta giả sử
Nhìn chung R D << R 3 và R D << r o Vì vậy, tổng trở của tải trên cực
drain là R D Trong trường hợp này, 1/2 nguồn cung cấp được đặt trên
R o
r m
g L
R m
g vt
V GS
R D
I D
R m g v
2
2.2.1 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung:
Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 20 Trở kháng vào của mạch khuếch đại S chung lớn hơn nhiều so với mạch khuếch đại E chung
G R R
2.2.2 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung:
Trở kháng vào
Trang 21 Với các điểm phân cực có thể so sánh được, trở kháng ra của mạch khuếch đại
E chung và S chung là giống nhau
D
R o
r D R
xix
vout
Trong trường hợp này, vgs=0
As r o >> R D 2.2.3 Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung:
Trở kháng ra
Trang 22Phân tích mạch khuếch đại S chung
Phân tích mạch: mạch tương
đương DC được vẽ lại
Trang 236 10 5
1
DS
V I
) 1 (
4 10 2
D
I DS
V 5
2 ) 4
0 ( 2
TN
V DS V n
K D
I
V 2
GS
D I
Phân tích mạch khuếch đại S chung
Ví dụ 4
Trang 24Ta vẽ lại và rút gọn mạch
tương đương ac
93.7in
in)
3out
R
R R
R m g i
v
o
v v A
MΩ1
21
G
R G R R
kΩ2.183
G
R D
R o r R
S41020.5)1
I n
K
m
kΩ260
V o
r l
Phân tích mạch khuếch đại S chung
Ví dụ 4
Trang 25Bảng tổng kết đặc tính
của mạch KĐ E chung và S chung
Trang 262.3 Mạch khuếch đại E chung có Re và S chung có Rs
Sơ đồ mạch khuếch đại E chung
có RE
Sơ đồ mạch khuếch đại S chung
có RS
Trang 27
Sơ đồ tương đương AC cho mạch
khuếch đại E chung có RE
Sơ đồ tương đương AC cho mạch khuếch đại S chung có RS
2.3 Mạch khuếch đại E chung có Re và S chung có Rs
Trang 28Sử dụng một nguồn v b để điều chỉnh cực nền của
transistor, bỏ qua r o,
E
R m g
L
R m
g
A CE vt
E
R o
m
g o
L
R o b
Trang 29Đối với mạch khuếch đại S chung, giới hạn của hệ số
khuếch đại của mạch khi
L
R m
Trang 302.3.1 Điều kiện biên độ tín hiệu vào
Đối với mô hình tín hiệu nhỏ, độ lớn của v be đặt trên r ở mô hình tín hiệu
nhỏ phải nhỏ hơn 5 mV
Nếu , v b sẽ tăng lên trên giới hạn 5 mV
Đối với FET, độ lớn của v gs phải nhỏ hơn 0.2(V GS - V TN)
Điện trở R S làm tăng giá trị được phép của v g
r E
R E
R m g
be
v
V)1
(005.01
005.0
E
R m
g o
E
R E
R m
g b
2
0
S
R m g
g
v gs
g TN
V GS
V g
Trang 312.3.1 Điều kiện để g m R >>1
Điều kiện này giúp rút gọn biểu thức tính độ lợi và được
dùng để ổn định độ lợi điện thế, đạt được trở kháng vào và
trở kháng ra lớn và tăng biên độ tín hiệu vào
Với BJT:
Với MOSFET:
V025.0
T V E
R E I
T V E
R C
I E
R m g
12
TN
V GS
V R
I
TN
V GS V
S
R D
I S
R m g
Trang 322.3.2 Trở kháng vào và hệ số KĐ điện áp toàn mạch
Trở kháng vào nhìn về cực nền được cho
bởi công thức:
Đối với mạch khuếch đại S chung,
)
)1(
E
R m g r
RiB
E
R o
r i b
v RiB
R I
R
RiB B
R
A CE vt
i v b
v
A CE vt i
v b v
b v o v i
v o
R Avt
A CS v
Đối với mạch khuếch đại S chung,
Trang 33Hình 14.7
Hệ số khuếch đại điện áp (ví dụ 5)
Trang 34Hệ số khuếch đại điện áp (ví dụ 5)
Ví dụ 5: Tính hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
Biết: Giá trị của Q-point và giá trị của R I , R 1 , R 2 , R 3 , R 7 ,đối với cả
BJT và FET cũng như giá trị của R E và R S
Giả sử: Hoạt động ở mô hình tín hiệu nhỏ
Phân giải mạch: Đối với mạch khuếch đại C-E,
K
g m
o r
S C
I gm
V CE
V
mA C
I
mS 10.2
100
m8.940x0.245mA
40
39.3
;245
.0
8
Trang 35 Ví dụ 5: Tính hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
Biết: Giá trị của Q-point và giá trị của R I , R 1 , R 2 , R 3 , R 7 ,đối với cả
BJT và FET cũng như giá trị của R E và R S
Giả sử: Hoạt động ở mô hình tín hiệu nhỏ
Phân giải mạch: Đối với mạch khuếch đại E chung,
kΩ18kΩ
100kΩ
223
kΩ313kΩ
3(101)kΩ
10)
1(
kΩ104kΩ
300kΩ
1602
R L
R
E
R o
r RiB
R R B
R
b
75.5)
kΩ18(
Trang 36Đáp án
Trang 37Đáp án
Trang 38Mạch khuếch đại S chung có R S
Sơ Đồ Tương Đương của Mạch Khuếch Đại S Chung có RS
Trang 39 Phân giải mạch: Đối với mạch khuếch đại S chung,
kΩ18kΩ
100kΩ
227
kΩ892MΩ
2.2.5MΩ
121
R L
R
R
R G
R
46
4)
kΩ2(mS)491.0(1
)kΩ18(mS)491.0(
R m
g
A CS vt
45.4
Trang 402.3.3 Trở kháng ra tại cực thu của BJT
Trang 41RiC
Trở kháng đầu ra của toàn mạch khuếch đại E chung 2.3.3 Trở kháng ra tại cực thu của BJT
Trang 42bo g m r
Giả sử và , với
…… với
Hệ số khuếch đại dòng điện hữu hạn của BJT đặt ra một giới hạn trên cho
kích thước của trở kháng đầu ra R được mắc song song với R E nếu R th
được bỏ qua Nếu ta cho R E là rất lớn, trở kháng đầu ra cực đại được cho bởi công thức:
Trở kháng đầu ra của mạch khuếch đại S chung được cho bởi công thức,
th
R E
R
)(
iCout
)(
)(
1iC
out
E R r f R
R
E R r f o
r E
R r m
g o
r R
R
m
E R r m
o r o
g o
r R
R E
R o o
r R
iCout
2.3.3 Trở kháng ra của mạch EC và SC
Trang 43Hệ số khuếch đại dòng điện
Độ lợi dòng tại cực là tỉ số giữa dòng điện được đưa tới điện trở
tiêu thụ đối với dòng điện được cung cấp đến cực nền
o
A CE it b A CS
it
Trang 44Tóm tắt
Mạch khuếch đại E chung và S chung có cùng độ lợi điện thế
Mạch khuếch đại S chung cung cấp một trở kháng vào rất lớn nhưng trở kháng vào của mạch khuếch đại E chung cũng rất đáng kể bởi mf R E
Trở kháng ra của mạch khuếch đại E chung cao hơn rất nhiều so với mạch
khuếch đại S chung vì mf của BJT lớn hơn so với của FET
Biên độ tín hiệu vào của mạch khuếch đại E chung cũng cao hơn của mạch khuếch đại S chung
Các hệ số khuếch đại dòng điện của hai mạch giống với hệ số khuếch đại của từng transistor
Các phương trình biến đổi sau đây được sử dụng để phân giải mạch bằng cách
kết hợp R E (or R S ) vào transistor (Đối với FET, hệ số khuếch đại dòng điện và trở kháng vào rất lớn)
E
R m g m
g m
r o
o r
m g
b ' ' ' mf 'g m'r o'mf
Trang 46Ví dụ 7
• Ví dụ 7: Tính hệ số khuếch đại điện áp, trở kháng vào, trở kháng
ra của mạch khuếch đại E chung, nếu transistor có βF = 100, VA = 75V, λ = 0,0133 V-1, Q-point (0.245 mA, 3.39 V) Tìm giá trị cực
đại của vi thõa mãn các điều kiện tín hiệu nhỏ
• Biết: RI = 1 kΩ, R1 = 160 kΩ, R2 = 300 kΩ, RC = 22 kΩ, RE = 3
kΩ, R4 = 10 kΩ và R3 = 100 kΩ
• Giả sử: Hoạt động trong vùng tích cực và β0 = βF Điều kiện tín
hiệu nhỏ Bỏ qua r0
Trang 47Ví dụ 7
Trang 48Ví dụ 7
Trang 49MẠCH KHUẾCH ĐẠI C CHUNG (CC) MẠCH KHUẾCH ĐẠI D CHUNG (CD)
Trang 502.4 Mạch khuếch đại C chung
và mạch khuếch đại D chung
Trang 51
Sơ đồ tương đương AC cho
mạch khuếch đại C Chung
Sơ đồ tương đương AC cho mạch khuếch đại D Chung 2.4 Mạch khuếch đại C chung
và mạch khuếch đại D chung
Trang 522.4.1 Hệ số khuếch đại điện áp tại cực ra
Bỏ qua r o,
L
R m g L
R m
g
A CC vt
L
R o
r
L
R o
b v
o
v vt A
)1(
b
b
Trang 53Đối với mạch khuếch đại D chung, giới hạn
của độ lợi điện thế của mạch khuếch đại C
Điện thế ngõ ra theo điện thế ngõ vào, vì vậy
mạch này được gọi là mạch follower Độ lợi
R m
2.4.1 Hệ số khuếch đại điện áp tại cực ra
Trang 542.4.1 Điều kiện biên độ tín hiệu vào để có KĐ tuyến
tính
Khi hoạt động với tín hiệu nhỏ, độ lớn của vbe đặt trên hai đầu
điện trở r ở mô hình tín hiệu nhỏ phải nhỏ hơn 5 mV
Nếu , vb có thể vượt quá giới hạn 5 mV Vì chỉ một
phần nhỏ của tín hiệu vào xuất hiện trên base-emitter hoặc các cực gate-source, mạch follower có thể được dùng với các tín
hiệu vào tương đối lớn mà không làm ảnh hưởng đến giới hạn của mô hình tín hiệu nhỏ
Đối với FET, độ lớn của vgs phải nhỏ hơn 0.2(VGS - VTN)
r L
R L
R m g
be
v
V)1
(005.01
005.0
L
R m
g o
L
R L
R m
g b
)(
2
0
L
R m g
g
v gs
g TN
V GS
V g
Trang 552.4.2.Trở kháng vào và hệ số KĐ điện áp toàn mạch
được cho bởi công thức:
Đối với mạch khuếch đại D chung,
L R o
r i
b
v RiB (b 1)
Độ lợi điện thế toàn mạch,
Đối với mạch khuếch đại D chung,
R I
R
RiB B
R
A CC vt
i v b
v
A CC vt i
v b v b v
o v i
v
o v
A CC v
Trang 56Tính hệ số khuếch đại điện áp (ví dụ 8)
Ví dụ 8: Tìm hệ số khuếch
đại điện áp toàn mạch
Biết: Giá trị của Q-point và
giá trị của RI, R1, R2, R4, R7:
Q-p(245 m A; 3.64V)
r=10.2K W ;
Giả sử: hoạt động trong
điều kiện tín hiệu nhỏ
Phân giải mạch: Đối với
mạch khuếch đại C chung,
ACC v ACC vt ;
Trang 572.10)
1(
kΩ5.117
4
kΩ1042
0kΩ
117
)kΩ5.11(101)
1(
A CC vt
b
97.0
R I
R
RiB B
Trang 58ACD v ACD vt ;
Ví dụ 9: Tìm hệ số khuếch
đại điện áp toàn mạch
Biết: Giá trị của Q-point và
giá trị của RI, R1, R2, R4, R7:
Q-p(241 m A; 3.81V)
gm=0.491mS;
Giả sử: hoạt động trong
điều kiện tín hiệu nhỏ
Phân giải mạch: Đối với
mạch khuếch đại D chung,
Tính hệ số khuếch đại điện áp (ví dụ 9)
Trang 59 Phân tích mạch:
Đối với mạch khuếch đại D
chung,
kΩ7.107
4
892kΩ2
R
R R G
R
840
0)kΩ7.10(mS)491.0(1
)kΩ7.10(mS)491.0(
R m
g
A CD vt
838.0
Trang 602.4.3.Trở kháng ra
11
1
)1
(x
v)
i(1x
r o
r th
R RiE Rout
o r
th R o
g RiE
Trang 61Đối với FET,
Điện trở tương đương nhìn vào cực
emitter hoặc cực source của transistor gần
bằng 1/ gm
m g
RiS Rout 1
2.4.3.Trở kháng ra
Trang 622.4.4 Hệ số khuếch đại dòng điện
iB B
B i
b b
e e
o i
o
CC
i
R R
R R
R
R i
i i
i i
i i
Trang 63TÓM TẮT
Trang 65Tính toán mạch CC và CD (Ví dụ 10)
Trang 66B b
e o o
CC
i
R R
R R
R
R i
i i
i i
i i
Trang 67Tính toán mạch CC và CD (Ví dụ 10)
Trang 69 Trở kháng ra của mạch khuếch đại C chung thấp hơn của mạch khuếch đại D chung vì độ dẫn truyền của BJT cao hơn của FET đối với một dòng cho trước
Cả mạch khuếch đại C chung và D chung có thể xử lí các tín hiệu đầu vào khá lớn
Hệ số khuếch đại dòng điện của FET là rất lớn, trong khi của BJT bị hạn chế bởi giá trị của b
Trang 70MẠCH KHUẾCH ĐẠI B CHUNG (CB)
MẠCH KHUẾCH ĐẠI G CHUNG (CG)
Tương ứng với chương 13 và 14 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C Jaeger & Travis N Blalock
Trang 712.5 Mạch khuếch đại B chung và G chung
Sơ đồ tương đương AC cho mạch Sơ đồ tương đương AC cho mạch
R6
R6
Trang 72a) Mô Hình Tín Hiệu Nhỏ Cho Mạch Khuếch
Đại C chung
b) Mô hình rút gọn bỏ qua điện trở ro và đảo
chiều của nguồn dòng 2.5.1 Mô hình tín hiệu nhỏ cho mạch khuếch đại B chung
Trang 732.5.2 Hệ số khuếch đại điện áp tại các cực và trở kháng vào
Các cực của vbe nguồn dòng
phụ thuộc gmvbe đều bị
nghịch đảo, nguồn tín hiệu
được chuyển sang mạch
Norton tương đương ro
A CG vt
m
g o
r i
e
v RiE
Trang 742.5.2 Điều kiện biên độ tín hiêu vào để mạch KĐ tuyến tính
Đối với tín hiệu nhỏ,
Đối với FET,
Kích thước tương đối của g m và R I quyết định giới hạn của việc xử lí tín
hiệu
)1
(005
)(
(2.0
I
R m
g TN
V GS
V i
)1
(sg
vi
v
I
R m g
74
I R R
for
I R m g eb
v i v I R m
g R
R I R iE
R R
iE R R I R eb v i
v
R R
( 1
6
6 (
6
) 6
(
) (
Trang 752.5.3 Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch
6(
1
66
R I R
R R
I
R m
g
L
R m
g
RiE R
I R
RiE
R ACB vt
i v
e v e v
o v i
v
o
v
ACB v
Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch:
Với mạch khuếch đại S chung,
6(
R R
I
R m g
L
R m
g ACG v
L
R m
L
R m g
A CG vt
L
R m g
I R L