Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 36 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
36
Dung lượng
627,32 KB
Nội dung
CHƯƠNGĐÁPỨNGTẦNSỐCỦAMẠCH KHUẾCH ĐẠI Tương ứng với chương 17 sách Microelectronic Circuit Design_Richard C Jaeger & Travis N Blalock Nội dung chương 6.1 Các điện dung bên diode BIT 6.2 Mạch tương đương BJT tầnsố cao, tín hiệu nhỏ 6.3 Hệ số khuếch đại dòng điện ngắn mạch đầu 6.4 Đápứngtầnsốmạch E chung ngắn mạch đầu 6.5 Định lý MILLER 6.6 Tính tốn đápứngtầnsốmạch sử dụng MOSFET 6.7 Tính tốn đápứngtầnsốmạch sử dụng BJT 8/6/2015 6.1 Các điện dung bên diode BIT ĐIỆN DUNG DO VÙNG NGHÈO TẠO RA: Cj Wdo: độ rộng vùng nghèo sA Wdo (1 A: diện tích thiết diện ngang vD j ) ĐIỆN DUNG DO KHUẾCH TÁN i D T CD gm T VT vD: điện áp diode j: điện áp bên (build-in) T = F :thời gian dịch chuyển theo hướng thuận (hằng số) 6.1 Các điện dung bên diode BJT Các thông số BJT tín hiệu nhỏ gm IC V ; r F ; ro A VT gm IC C b F gm (diffusion capacitance) sA C je Wdo (depletion capacitance) VBE 1 VbiBE C C b C je C C jc sA Wdo VBC VbiBC (depletion capacitance) 6.2 Mạch tương đương BJT tầnsố cao, tín hiệu nhỏ If R1→0 VCC R2 ii io io C r ii C ro R1 CCB = C = Cjc (điện dung vùng nghèo tác dụng phân cực nghịch) CBE = C = Cje (điện dung vùng nghèo) + Cb (điện dung khuếch tán tác dụng phân cực thuận) 6.3 Hệ số khuếch đại dòng điện ngắn mạch đầu Ngắn mạch đầu để khảo sát đápứngtầnsố thành phần bên BJT tạo v ii [r / / C ii r v io ro C gmv 1 // ] sC sC ii s ( C C ) r io gm v v sC so : gm sC io Ai ii s (C C ) r 6.4 Đápứngtầnsốmạch E chung ngắn mạch đầu Quan hệ hệ số khuếch đại dòng điện theo tầnsố gmr f2 f1 fT 1 s Ai ( s ) gm r Ngắn mạch đầu để khảo sát đápứngtầnsố thành phần bên BJT tạo C gm sr (C C ) where: gm r F DC short-circuit current gain f f2 Ai ( f ) gm r f 1 j f1 1 j f1 2r (C C ) f2 gm f1 2 C 6.4 Đápứngtầnsốmạch E chung ngắn mạch đầu 1 s Ai ( s ) gm r C gm sr (C C ) where: gm r F DC short-circuit current gain f 0; Ai gm r f ; Ai gm r gmv C C gm r (C C ) C C f2 f1 fT Tầnsố tương ứng với Ai=1: fT gm 2 (C C ) ĐÁPỨNGTẦNSỐ fT phụ thuộc vào dòng điện thường cho sổ tay tra cứu BJT fT 2 F C C b C je F gm C je fT gm 2 ( F gm C je C ) For very small bias levels: fT gm IC 2 (C je C ) 2 VT (C je C ) For "normal" bias levels: fT gm 2 F gm 2 F 6.5 Định lý MILLER Hệ số KĐ điện áp Av biểu diễn: iz z v2 Av v1 i2 V2 (1 ) V1 (1 Av ) Av iz z z Network N v1 i1 v2 Điều đồng với: z z1 Av i2 v1 Network N i1 z1 z2 v2 z2 z 1 Av 10 Phân tích chế độ chiều (DC) VCC RC R2 Rs vi C2 Q1 vo C1 R1 Rs 100; R1 10k ; R2 100k ; RC 10k ; RE 1k ; RL 10k ; C C C 10 F ;V 12V E CC RE CE 0.7V ;V 0.1V ; BE ,on CE , sat Q1(2 N 3904) 100; F 150 ps;VA 100V ; C pF ; C pF jc je V Bước1: Phân tích DC: xác định IC, IB, VCE I C 391 A; I B 3.91 A; V 7.70 V CE 22 Xác định thông sốmạch C Rs C vi R1//R2 ro r RC RL gmv Bước 2: Xác định thông số khác gm=?; r=?; ro=?; C=?; C=? fT gm 572 ? MHz 2 (C C ) 23 Xác định thông sốmạch Bước 2: Xác định thông số khác gm 15.6mS ; r 6.4k ; ro 256k C 2.34 pF ; C 3.34 pF ; C pF b gm fT 572 MHz 2 (C C ) 24 Xác định thông sốmạch Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ: Xác định hệ số khuếch đại điện áp Rs Ri gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi Avs=? 25 Xác định thơng sốmạch Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ: Xác định hệ số khuếch đại điện áp Rs Ri gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi Ri Avs [ gm ( ro / / RC / / RL )] Ri Rs 3.76k ( 76.5) 74.5 3.86k 26 Xác định thông sốmạch Các tầnsố trung bình thấp: liên quan đến tụ C1, C2, CE Rs C1 C2 gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi RE Sử dụng phương pháp ngắn mạch để tìm giá trị tụ: Khi xác định tụ ngắn mạch tụ lại CE Khi xét C1 cho C2 CE ngắn mạch REQ1=? f1=1/(2 REQ1C1) 27 Xác định thông sốmạch Các tầnsố trung bình thấp: liên quan đến tụ C1, C2, CE Rs C1 C2 gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi RE Sử dụng phương pháp ngắn mạch để tìm giá trị tụ: Khi xác định tụ ngắn mạch tụ lại CE Khi xét C1 cho C2 CE ngắn mạch REQ ,C Rs R1 / / R2 / / r 3.86k REQ ,C C 38.6ms f1 2 4.12 Hz 28 Xác định thông sốmạch Các tầnsố trung bình thấp: liên quan đến tụ C1, C2, CE Rs C1 C2 gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi RE CE REQ2=? f2=1/(2 REQ2C2) 29 Xác định thông sốmạch Các tầnsố trung bình thấp: liên quan đến tụ C1, C2, CE Rs C1 C2 gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi RE CE Khi xét C2 cho C1 CE ngắn mạch REQ ,C RL RC / / ro 19.6k REQ ,C C 196ms f2 2 0.81Hz 30 Xác định thông sốmạch Rs C1 C2 gmv R1//R2 r ro RC RL vo vi RE CE Avs , dB Khi xét CE cho C1 C2 ngắn mạch fE r R1 / / R2 / / Rs ] 1 1000 / /64.4 60.5 E REQ ,CE C E 605 s REQ ,CE RE / /[ 37.5 f1 f2 f, log fE 2 E 263 Hz f L ,3 dB f1 f f E 268 Hz 31 Xác định thông sốmạch Khi xét CE cho C1 C2 ngắn mạch Avs , dB fE r R1 / / R2 / / Rs ] 1 1000 / /64.4 60.5 E REQ ,CE C E 605 s REQ ,CE RE / /[ 37.5 f1 f2 f, log fE 2 E 263 Hz f L ,3 dB f1 f f E 268 Hz 32 Xác định thơng sốmạch Các tầnsố trung bình cao: liên quan đến tụ C C C Rs R1//R2 vi C ro r RC RL RC RL gmv Sử dụng định lý Miller thay C thành C1 C2 Rs C vi R1//R2 C1 r ro gmv C2 33 Xác định thông sốmạch C vi R1//R2 C1 r ro gmv C2 RC RL C in C C (1 Av ) C out C (1 3.34 1.0 (1 ( 76.5)) 3.34 77.5 80.8 pF 1.0 (1 ) Av ) 76.5 1.01 pF 34 Xác định thông sốmạch REQ ,in R1 / / R2 / / Rs / / r 97.4 in REQ ,in C in 7.87ns Avs , dB f in 37.5 fin fout 2 in 20.2 MHz REQ ,out RC / / RL / / ro 4.9k out REQ ,out Cout 4.95ns f, log f out 2 out f H ,3 db ( 32.2 MHz 1 1 ) 12.4 MHz f in f out 35 Kết thúc chương 8/6/2015 36 ... ngắn mạch đầu 6. 5 Định lý MILLER 6. 6 Tính tốn đáp ứng tần số mạch sử dụng MOSFET 6. 7 Tính tốn đáp ứng tần số mạch sử dụng BJT 8 /6/ 2015 6. 1 Các điện dung bên diode BIT ĐIỆN DUNG DO VÙNG NGHÈO...Nội dung chương 6. 1 Các điện dung bên diode BIT 6. 2 Mạch tương đương BJT tần số cao, tín hiệu nhỏ 6. 3 Hệ số khuếch đại dòng điện ngắn mạch đầu 6. 4 Đáp ứng tần số mạch E chung ngắn... ro RC RL vo vi Ri Avs [ gm ( ro / / RC / / RL )] Ri Rs 3.76k ( 76. 5) 74.5 3.86k 26 Xác định thông số mạch Các tần số trung bình thấp: liên quan đến tụ C1, C2, CE Rs C1 C2 gmv R1//R2