1. Trang chủ
  2. » Thể loại khác

Homework Assignments - Trinh Sy Dong

38 73 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 38
Dung lượng 2,69 MB

Nội dung

ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ CHƯƠNG TRANSISTOR 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 1) CẤU TẠO 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 1) CẤU TẠO Vùng tiếp giáp Emitter-Base Miền Base (rất hẹp) Miền Emitter Collector Miền Collector Emitter Base Vùng tiếp giáp Collector-Base 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 2) KÝ HIỆU 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC PHẦN CỰC B-E PHÂN CỰC B-C CHẾ ĐỘ THUẬN NGƯỢC KHUẾCH ĐẠI NGƯỢC NGƯỢC KHĨA THUẬN THUẬN BÃO HỊA 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI IE=IEN+IEP IEN IEN dòng điện tạo dòng electron chảy từ E sang B tác dụng VEE IEP dòng điện tạo dòng lỗ trống chảy từ B sang E tác dụng VEE 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI IB =IBN+ IEP Một phần nhỏ dòng electron chảy từ E sang B tác dụng VEE (IEN) kết hợp với lỗ trống bên B Vì miền B hẹp nên hầu hết electron từ miền E chảy đến vùng tiếp giáp B-C 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI IC = ICN + ICBO ICBO dòng lỗ trống (điện) tạo VCC 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI IC = ICN + ICBO IE=IEN+IEP IEN IE = IB + IC IB=IBN+IEP 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Hoạt động 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Đường đặc tính G 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Đường đặc tính truyền đạt 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Mơ hình khuếch đại 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Điểm làm việc 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Điểm làm việc 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Điểm làm việc 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 1) JFET – Các tham số - Dòng cực đại qua D-S UGS = 0V UDS cực đại UGS = 0V Điện trở vào Hỗ dẫn truyền đạt 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 2) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 2) MOSFET – Cấu tạo 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 2) MOSFET – Ký hiệu 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 3) MOSFET – Hoạt động Drain D n Gate VDD G p S VGG n Source 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 3) MOSFET – Đường đặc tuyến 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 3) MOSFET – Đường đặc tuyến 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 2) MOSFET – Mơ hình khuếch đại Drain n Gate VDD p VGG n Source ... JFET – Các tham số - Dòng cực đại qua D-S UGS = 0V UDS cực đại UGS = 0V Điện trở vào Hỗ dẫn truyền đạt 3.2 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 2) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)... 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 4) ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA BJT Q-point VCC10V 25k ICQ 4k Q VCEQ DC load line Base-emitter loop: I B  Collector-emitter loop: VCC  VBE VCC   40( A) Rb Rb vCE  VCC... ĐẶC TÍNH V-I (VÀO) i B  f (v BE ) vCE  C 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 4) ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH V-I (RA) iC  f (VCE ) iB C iB = 40μA 3.1 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 4) ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH V-I (RA) iC

Ngày đăng: 15/12/2017, 16:23