Homework Assignments - Trinh Sy Dong

ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN 2.1 CHẤT BÁN DẪN 1) CHẤT DẪN ĐIỆN  CẤU TẠO NGUYÊN TỬ ĐỒNG 2.1 CHẤT BÁN DẪN 1) CHẤT DẪN ĐIỆN  Điện tử hóa trị: điện tử lớp nguyên tử  Điện tử tự dễ dàng sinh vật dẫn điện  Lực điện cần thiết để kéo điện tử hóa trị thành điện tử tự chất cách điện 2eV  Chất bán dẫn chất mà lực điện cần thiết để kéo điện tử hóa trị thành điện tử tự bé 2eV 2.1 CHẤT BÁN DẪN 2) CHẤT BÁN DẪN  Các bán dẫn tốt có điện tử hóa trị Vd: Silic, Gecmani  CẤU TẠO NGUYÊN TỬ SILIC 2.1 CHẤT BÁN DẪN 2) CHẤT BÁN DẪN  Các nguyên tử Si kết hợp lại để tạo thành chất rắn, chúng tự xếp thành khuôn mẫu trật tự gọi tinh thể (crystal)  Mỗi nguyên tử Si góp chung điện tử hóa trị với nguyên tử Si kế cận để tạo thành điện tử hóa trị  Liên kết chung nguyên tử gọi liên kết đồng hóa trị  Bão hịa hóa trị 2.1 CHẤT BÁN DẪN 2) CHẤT BÁN DẪN  CẤU TẠO TINH THỂ SILIC 2.1 CHẤT BÁN DẪN 2) CHẤT BÁN DẪN  Bên tinh thể Silic số điện tử tự lỗ tạo nhiệt  Các điện tử tự lỗ khác tái hợp  Sự tái hợp thay đổi từ vài ns đến nhiều µs  Thời gian sống hiệu số thời gian tính từ lúc có sinh tái hợp điện tử tự 2.1 CHẤT BÁN DẪN 2) CHẤT BÁN DẪN  QUÁ TRÌNH TẠO ĐIỆN TỬ TỰ DO – TÁI HỢP 2.1 CHẤT BÁN DẪN 3) CHẤT BÁN DẪN THUẦN  Chất bán dẫn tạo nên loại nguyên tử  Chất bán dẫn hoạt động chất cách điện nhiệt độ phịng có điện tử tự lỗ tạo từ nhiệt  N - Nồng độ điện tử tự (số điện tử/đvtt)  P - Nồng độ lỗ (số lỗ/đvtt)  Với bán dẫn N = P = Ni (nồng độ hạt dẫn nội tại, phụ thuộc nhiệt độ) 2.1 CHẤT BÁN DẪN 3) CHẤT BÁN DẪN THUẦN  Q TRÌNH TẠO ĐỊNG ĐIỆN 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  CHỈNH LƯU 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  CHỈNH LƯU + LỌC 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  CHỈNH LƯU + LỌC 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  CHỈNH LƯU + LỌC Vr(pp) = (1/fRLC)Vprect VDC = (1 – 1/2fRLC)Vp(rect) 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  CHỈNH LƯU + LỌC 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  GHIM ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  GHIM ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  DỊCH ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  DỊCH ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  NHÂN ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  NHÂN ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  NHÂN ĐIỆN ÁP 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  ỔN ÁP SỬ DỤNG DIODE ZENER DIODE ZENER + rZ D1 VZ D2 Vz rz  I z - 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  ỔN ÁP SỬ DỤNG DIODE ZENER Giả sử Imin=4mA, Imax=40mA, rz=0, Hãy tính dải điện áp cho phép nguồn cung cấp 1.0k + 10V - 14(V) đến 50(V) 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  ỔN ÁP SỬ DỤNG DIODE ZENER VD  I D Rz  VBR  1mA  0.1k   6.1(V) 6.1 I RL   0.61(mA) 10k  I R  1.61(mA) 12  6.1 R  3.6646k  1.61(mA) Xác định R để ID = -1mA ... hoạt động chất cách điện nhiệt độ phịng có điện tử tự lỗ tạo từ nhiệt  N - Nồng độ điện tử tự (số điện tử/đvtt)  P - Nồng độ lỗ (số lỗ/đvtt)  Với bán dẫn N = P = Ni (nồng độ hạt dẫn nội tại,... ĐIỆN ÁP PHÂN CỰC 2.2 DIODE  KÍ HIỆU 2.2 DIODE  ĐẶC TÍNH V-A iD  I s ( e qv D vD nkT  1)  I s ( e nVT  1) 2.2 DIODE  ĐẶC TÍNH V-A 2.2 DIODE  ĐIỂM LÀM VIỆC i D (mA) 100Ώ I 20 15 E=1.5V Điểm... rZ D1 VZ D2 Vz rz  I z - 2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE  ỔN ÁP SỬ DỤNG DIODE ZENER Giả sử Imin=4mA, Imax=40mA, rz=0, Hãy tính dải điện áp cho phép nguồn cung cấp 1.0k + 10V - 14(V) đến 50(V) 2.3 ỨNG