NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN
Hưng Yên, thắng 11 năm 2013 Giáo viên hướng dần
Nguyễn Đình Hùng
Trang 2MUC LUC
LOT NOI DAU osecsecssessessssessessesssssessecseencenecnecucsuesucenccucsuccuesueeuceuceuesuceuesueeueaneeeeeneeneeeee 5
CHUONG I: TONG QUAN CAC LINH KIEN CONG SUAT.NGHICH LỮU 6
1 Giới thiệu về các van bản dân cơng 7E 6
Ấm ẽ.n ố ốe 6
Z8, an 92 7n 8
LB TVIGC eseeseesseseessessessessessessscsnccseeueesnesnecuceussssesucsucsussaeesssussuecuesaneaeaneeueeatensenes 10
1.4 Transitor BIT CONG SUGE o.cccccccscsesescscsesssessssessesescsesessssesesescstssssssevasseaesenees 11 1.5 Transistor MOS cong sudt ( MOSFET ) c.cccccccccsccsssscsesescscsessssseesscsesescsees 14
I5 0) 171i ng gỗ 16
2 NGhịCh ÏƯIM cọ KT E0 000000000101 và 18 2.1 Khải niệm và phán loại sơ dé HGhỊCH UU ccccveesecssssnsssscancccceceeceeeeseeeeeseees 18 2.2 Các sơ đồ nghịch lưu độc lập một pha . - - - - +S++S+++ssssssssssssssss 19 CHƯƠNG II: THIẾT KÉ MẠCH NGHỊCH LUƯU 5-©c+5c++ccsrcsreeree2 23 „18.1 108n6666ốẦ.Ầ.Ầ 23 2 Sơ đồ chân và nguyên lý hoạt động của ic SƠ 35 2Ố cĂSS Sa 24
3 Nguyên lý hoạt động tồn hệ thong: 27
4 Mạch điều khiển và mạch Ïực -.- ca ca tt 4xx E414 ce 28 4.1 Nhiệm vụ và chúc năng của mạch điểu khiỂn - -.- c ch se ssrsei 28
4.2 Nhiệm vụ và chức năng của mạch lực . << sscxssssssss 29
Trang 34.1 So d6 mach diéu khién oo cccccccccccscsscsccsscsscsscsscssesscsecsscsecsecsecucsesecsseseeees 35
4.2 Sơ đồ mạch s15 211575 —= 35 4.3 Sơ đồ mạch in
KÉT LUẬN
Trang 5LOI NOI DAU
Ngày nay với sự phát triển nhanh chĩng của kỹ thuật bán dẫn cơng suất, các thiết bị biến đổi điện năng dùng các linh kiện bán dẫn cơng suất đã được sử dụng nhiều trong cơng nghiệp và đời sống nhằm đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao của xã hội Trong thực tế sử dụng điện năng ta cần thay đổi tần số của nguồn cung cấp, các bộ biến tần được sử dụng rộng rãi trong truyền động điện, trong các thiết bị đốt nĩng bằng cảm ứng, trong thiết bị chiếu sáng Bộ nghịch lưu là bộ biến tần gián tiếp biễn đổi một chiều thành xoay chiều cĩ ứng dụng rất lớn trong thực tế như trong các hệ truyền động máy bay, tầu thuỷ, xe lửa
Trong thời gian học tập và nghiên cứu, được học tập và nghiên cứu mơn Điện tử
cơng suất và ứng dụng của nĩ trong các lĩnh vực của hệ thống sản xuất hiện đại Vì vậy để cĩ thê năm vững phân lý thuyết và áp dụng kiến thức đĩ vào trong thực tế, chúng em được nhận đồ án mơn học với đề tài: “Thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu một pha” Với để tài được giao, chúng em đã vận dụng kiến thức của mình để tìm hiểu và nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt chúng em tìm hiểu sâu vào tính tốn thiết kế phục vụ cho việc hồn thiện sản phẩm
Dưới sự hướng dẫn chỉ bảo nhiệt tình của thầy Nguyễn Đình Hùng cùng với sự cơ gắng nỗ lực của các thành viên trong nhĩm chúng em đã hồn thành xong đồ án của mình.Tuy nhiên do thời gian và kiến thức cịn hạn chế nên khơng tránh khỏi thiếu sĩt khi thực hiện đồ án này Vì vậy chúng em rất mong sẽ nhận được nhiều ý kiến đánh giá, gĩp ý của thây cơ giáo, cùng bạn bè để đề tài được hồn thiện hơn
Chúng em xIn chân thành cảm ơn! Nhĩm sinh viên thực hiện:
Hồng Anh Tuấn Nguyễn Xuân Tùng
Trang 6CHUONG I: TONG QUAN CAC LINH KIEN CONG SUAT,NGHICH LUU 1 Giới thiệu về các van bán dân cơng suất
Các phân tử bán dẫn cơng suât đêu cĩ những đặc tính cơ bản chung, đĩ là:
Các van bán dẫn chỉ làm việc trong chế độ khố, khi mở cho dịng chạy qua thì cĩ điện trở tương đương rất nhỏ, khi khố khơng cho dịng chạy qua thì cĩ điện trở tương đương tất lớn
Các van bán dẫn chỉ dẫn dịng theo một chiều khi phần tử được đặt dưới điện áp phân cực ngược, dịng qua phân tử chỉ cĩ giá trị rất nhỏ, cỡ mA, gọi là địng rị
1.1 Điỗt cơng suất
1.1.1 Chất bán dẫn
‹ Chất bán dẫn tạp loại P: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tố ở
phân nhĩm 3 vào Silic hoặc Ge (phân nhĩm 4) nguyên tố này cĩ 3 e thuộc lớp ngồi cùng như vậy nĩ sẽ bị thiếu le để tham gia liên kết với Si hoặc Ge Kết quả trong
mạch tinh thê bị đưa ra các lỗ trỗng.Lỗ trỗng mang điện tích dương Positive và ta gọi là bán dẫn loại P và hạt thiêu số là e
‹ Chất bán dẫn tạp loại n: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tơ ở
Trang 71.1.2 Nguyén ly lam viéc
a) Khi phân cực thuận: Ta thực hiện mạch bên với điều kiện điện áp của nguồn ngồi
; sẽ tạo ra một điện trường E„>E¿„ (và ngược với E„) kết quả ta được điện trường tổng đặt nên tiếp giáp J Ey=E„u+E„ cĩ chiều hướng đi từA tới K chiều của điện trường này tạo điều kiện thuận lợi cho các hạt đa số di chuyển dễ dàng (vùng P hạt đa số là lỗ trống, vùng N hạt đa số là e) làm cho dịng điện khuyếch tán lớn đi từ A tới K và hầu như tồn bộ điện áp ngồi đặt vào J
b) Phân cực ngược: Ta đầu A vào âm của nguồn ta đâu K vào đương của nguồn Kết quả E; =E„+E„ cĩ chiều hướng làm cho các hạt thiêu số di chuyển dễ dàng và ngăn cản các hạt đa số Do mật độ hạt thiểu số rất nhỏ nên chỉ cĩ một dịng điện rất nhỏ qua J gọi là dịng rị đi từ K tới A c) Đặc tính Volt-Ampere (V-A) Ir Ung.max { Ậ 0| Udo cy
Hinh 2: Dac tinh Volt-Ampere (V-A)
Nếu đặt Eax>0 sẽ cĩ dịng điện chảy qua và tạo ra một điện áp rơi khoảng 0,7v (với
Si)
Khi dịng điện là I¿„ Nếu điện áp Uax< 0 các điện tử tự do và các lỗ trống bị đây ra
xa J két qua chỉ cĩ dịng điện rị vào khoảng vài mA cĩ thê chảy qua Khi tiếp tục tăng điện áp Uy theo chiều âm thì các hạt thiêu số sẽ được tăng tốc với động năng lớn và gây ra va chạm làm bẻ gẫy các liên kết vùng J theo hình thức dây truyền, kết quảlà hàng loạt các điện tích mới được sinh ra ởvùng J làm cho dịng điện tăng đột ngột, dịng này sẽphá hỏng diode Trị số điện áp ngược gây hỏng van diode gọi là
Trang 8Ungmax (tri số điện áp ngược cực đại ) Trong thực tế điện áp ngược cho phép đặt vào
van: Uazthực tế = (0,7+0,8) Ungmax Cua van thi van an tồn
-Khi dat mét hiéu dién thé U,x> 0 điện tử vùng N vượt qua vùng mặt ghép J sang miền P và đến cực dương của nguồn Nếu bỗng nhiên đặt Uax<0, các điện tử ở vùng P phải quay về vùng N Sự di chuyển này tạo nên dịng điện ngược chảy qua diode từ K tới A trong thời gian ngắn,nhưng cường độ dịng điện này lớn hơn hơn nhiều so với dịng điện ngược bình thường Ban đầu dịng điện ngược này khá lớn, sau đĩ suy giảm và khoảng một thời gian tog (turn of time) nĩ giảm
xuống gần bằng khong.Gia tri cua togcd ps
-Đang ở chế độ khố, dịng điện ngược qua van rất nhỏ, khơng đáng kể, nếu bỗng nhiên đặt Uax>0 và điode, dịng điện I khơng thê tức thời đạt giá trị
Ư/R mà phải mất một khoảng thời gian ký hiệu là tạ; (turn on time ) để các điện tích đa số dịng loạt di động,tạạ cỡ us (micro giây)
-Khi tần số nguồn F>100Khz thì diode sẽ mất tính dẫn điện theo một chiều( mất chế
độ khĩa )
1.2 Tiristor (SCR )
Trang 9oy Hình 5: Ký hiệu và hình thực tế Nguyên lý hoạt động :
Đặt Tiristor dưới điện áp một chiều, Anốt nối vào cực dương, Katơt nỗi vào cực âm
của nguồn điện áp J¡ J phân cực thuận, J; phân cực ngược Gần như tồn bộ điện áp nguồn đặt trên mặt ghép J; điện trường nội tại E¡ của jJ¿ cĩ chiều từ Nị hướngvề P,
điện trường ngồi tác động cùng chiều với Ei vùng chuyên tiếp cũng là vùng cách điện càng mở rộng ra khơng cĩ dịng điện chạy qua Tiristor mặc dù nĩ bị đặt dưới điện áp
+ Mở Tiristor: Cho một xung điện áp dương Ủg tác động vào cực G (dương xo với K) các điện tử từ Na sang P; Đến đây, một số ít các điện tử chảy vào cực G và hình thành dịng điều khiến Ig chay theo mach G-J3-K-G con phan lớn điện tử chịu sức hút của điện trường tổng hợp của mặt ghép J; lao vào vùng chuyến tiếp này, tăng tốc, động năng lớn bẻ gãy các liên kết nguyên tử Silic, tạo nên điện tử tự do mới Số điện tử mới được giải phĩng tham gia bắn phá các nguyên tử Silic trong vùng kế tiếp Kết quả của phản ứng dây truyền làm xuất hiện nhiều điện tử chạy vào N¡ qua P ¡ và đến cực dương của nguồn điện ngồi, gây nên hiện tượng dẫn điện ào ạt, ] ; trở thành mặt ghép dẫn điện, bắt đầu từ một điểm xung quanh cực G roi phat triển ra tồn bộ mặt ghép Điên trở thuận của Tìristor khoảng 100K © khi cịn ở trạng thái khố, trở thành
0,010 khi Tiristor mở cho dịng chạy qua.T1ristor khố +UAy > 1V hoặc Ig > Igs1 thi
Tiristor sẽ mở Trong đĩ I,:¡ là dịng điều khiển được tra ở số tay tra cứu Tiristor Tọu: thời gian mở là thời gian cần thiết để thiết lập dịng điện chạy trong Tiristor, tình từ thời điểm phĩng dịng I,vao cuc diéu khién Thoi gian m6 Tiristor kéo dai khoang 10 Su
Trang 10+ Khố Tiristor: cĩ hai cách làm giảm dịng làm việc I xuống dưới giá trị dịng duy trì đặt một điện áp ngược lên T1ristor Khi đặt điện ấp ngược lên TIristor: UAy<0, J ¡và J sbị phân cực ngược, J;¿ phân cực thuận, điện tử đảo chiều hành trình tạo nên dịng
điện ngược chảy từ Katốt về Anơt, về cực âm của nguon điện ngồi Thời gian khố
tò: thời gian khi bắt đầu xuất hiện dịng điện ngược (t0) lœ >lœi >Ïso Hình 6: Đặc tính V — A cua tiristor 1.3.Triắc
Triắc là thiết bị bán bẫn ba cực, bốn lớp cĩ đường đặc tính volt — ampe đối xứng, nhận gĩc mở cho cả hai chiều Thực chất Triắc được ché tao giống như 2 SCR phép song song với nhau, dùng để dẫn dịng AC cả hai chiều khi cực G được kích xung dương hoặc áp âm
AI A2
G
Hinh 7: Ky hiéu triac
A1 và A2 là hai đầu nối dé dan dong dién chinh, G 1a cu diéu khién Triac cĩ thể dẫn dịng theo một trong trường hợp sau
Trang 11ue ap) >0 >0 >0 <0 <Q) >0 <Q) <Q) Hinh 8: Dac tinh V- A cua Triac 1.4 Transitor BJT céng suat 1.4.1 Cau tao va ky hiéu:
TransIstor lưỡng cực cĩ câu tạo gơm các miền bán dân P,N mà ta cĩ ha1 câu trúc khác nhau pnp, npn
Câu tạo
Trang 12=z P n P —# = n p n K | B B he B B E E
Loai thuan Loại ngược
Hinh 9: Cau tao va ky hiéu cua transistor
Miền thứ nhất của transistor là miền Emiter với đặc điểm cĩ nơng độ tạp chât lớn nhất, điện cực nối với miễn này gọi là emitơ E Miễn thứ hai là miền Bazơ với nồng độ tạp chât và độ dày nhỏ nhật, điện cực nội với miên này gọi là cực bazơ B.Miên
cịn lai 1a mién collect với nơng độ tạp chât trung bình được nơi với cực colectơ Tiép
giap giữa p-n của E-B là tiệp giap Eminto Jz, tiép giáp p-n giữa B-C là tiêp giáp Colectơ về ký hiệu cân chú ý chiêu mũi tên hướng từP-N
1.4.2 Nguyên lý làm việc:
Dé transistor lam việc người ta phải đưa điện áp 1 chiêu tới các điện cực của nĩ, gọi là phân cực cho transistor Đối với tất cả 2 loại PNP hay NPN cần phân cực cho: C t U, | m= we) UIE Uđ U,<U;<Uy U>U,>U;
Hình 10: Diện ap phân cue cho trasistor
J.-phan cyuc thuan J, phan cyc ngugc
Cụ thê ta xét quà trình phân cực cho loại PNP
Transistor làm việc ở chế độ khố (đĩng hoặc mở) cho nên Ucz Do tiếp giáp J; được phân cực thuận nên các hạt đa số chuyên động dễ dàng qua tiếp giáp J; tới vùng bán
dẫn bazơ, kết quả là làm điện trở của tiếp giáp J; giảm và làm xuât hiện dịng điện
Trang 13Ig.Lớp Jc bị phan cuc ngugc nhung E,>>E ¡ nên điện truong E, tao ra khá lớn,và do lớp bán dẫn bajơ mỏng ,nên chỉ một phần điện tích đi tới cực B, cịn phân lớn các điện từ bị J; hút về và đi tới nguồn đương tạo ra dịng colectơ quá tải Rt ,[E= IC+IB, IB dịng điện khiến
Khi U gp giam Ip J Iẹ Khi U sg=0 hoặc U gp<0 (phan cực ngược cho ]; ) thì J; ngăn cản sự di chuyên các hạt đa số di chuyên qua nĩ à IC=0 Transistor bị khố
Các thơng số cơ bản của Transistor ở chế độ đĩng cắt : - lcwAx: Dịng điện colectơ cực đại
- Uczs: Điện ápUcg khi transIstor khố (Is=0)
- Usc : Thời gian đĩng của transistor, là khoảng thời gian để điện áp Ucpo giảm xuống Ucss(chưyền từkhố sang mở) - T; thời gian cần thiết để Ic giảm tới khơng (chuyên từ mở bão hồ sang khố )
- Ts thời gian cần thiết để tăng Ucg từ Ucgs go,
Trang 14Vùng 1: Vùng khuếch đại tính tĩnh Vùng 2: Vùng khuếch đại bão hồ Vùng 3: Vùng van bị đánh thục Vùng 4:Vùng van bị đánh thủng 1.5 Transistor MOS céng suat (MOSFET ) † Cấu tạo và lL t < ‹ ký hiệu loại Ya eo MOSFET cé ~~ N+ G kénh N° dat san SI-P > |Cực de † ] † 2 Cau tao va ]Ì LÍ ==—so ` Y*+ 4 HÀ) ký os loại mu <— MOSFET cĩ kênh N' SI-P G a cảm ứng | Cực để
Hình 12: Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh n Transistor MOS co ba cuc :
D - cuc mang ( drain ) : các điện tích đa số từ thanh bán dẫn chảy ra máng
S - cuc nguon ( source ) : các điện tích đa sơ từ cực nguơn chảy vào thanh bán
dẫn
G - cực cổng ( gate ) : cực điều khiến
Tương đương về thuật ngữ giữa Transistor MOS và Transistor lưỡng cực
Transistor MOS Transistor lưỡng cực
Trang 15D Colecto C
S Emito E
G Bazo B
Vpp: nguồn điện máng Veco
Voc : nguon dién cong Vpp
Ip : dịng điện mắng Ic
Dé phân cực cho MOSFET người ta đặt một điện áp U ps >0 (loại kênh n dat san,suat hiện dịng điện tử trên kênh dẫn nối giữa Svà D và trong mạch ngồi cĩ dịng điện cực mang Ip (di vào D ) ngay cả khi Ues=0
-Nếu đặt Ues>0, điện tử tự do trong vùng dé (là hạt thiểu số) được hút vào vùng kênh
dẫn đối diện với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh dẫn, tức làm giảm điện trở của
kênh dẫn, làm dịng điệncực máng Ip tăng,chế độ làm việc này gọi là chễ độ giau cua MOSFET
-Néu Ugs<0, qua trinh trén sé ngugc lai,lam kênh dẫn bị nghèo đi do các hạt dẫn (e) bị
đây ra xa khỏi kênh ,R kênh tăng,tuỳ theo mức độ tăng Uos theo chiều âm sẽ làm giảm Ip giảm Đây là chế độ nghèo của MOSFET.Bang thực nghiệm ta cĩ được họ đặc tuyến như sau: Với kênh cảm ứng, khi Ues <0 thì Ip=0do tồn tại hai tiếp giáp P-N mã
đối nhau tại vùng máng -Dé và nguồn -Dé,do đĩ khơng tơn tại kênh dẫn nỗi D và S
Khi Ues>0, tại vùng để đối diện cực G xuất hiện các E¿z (do cảm ứng tĩnh điện ) và hùnh thành kênh dẫn nĩi liền D-S Khi Uos tăng thì R kênh giảm à Ip tăng
Trang 161.6 Máy biến áp và acquy
1.6.1 Máy biến áp
- Máy biến áp là một thiết bị điện từ tĩnh, làm việc theo nguyên lý cảm ứng điện từ, dùng để biến đổi điện áp của hệ thống dịng điện xoay chiều nhưng vẫn giữ nguyên tần số Hệ thống điện đầu vào máy biến áp ( trước lúc biến đổi ) cĩ : điện áp U¡, dong dién I), tần số f Hệ thơng điện đầu ra của máy biến áp ( sau khi biến đơi ) cĩ : điện áp U,, dong dién I, va tan so f
- Đầu vào của máy biến áp nỗi với nguồn điện, được gọi là sơ cap.Dau ra nối với tải gọi là thứ cấp Các đại lượng, các thơng số sơ cấp trong ký hiệu cĩ ghi chỉ số 1 : số vịng dây sơ cấp w¡, điện áp sơ cấp U¡, dịng điện sơ cấp l¡, cơng suất sơ cấp P Các đại lượng và thơng số thứ cấp cĩ chỉ số 2 : số vịng dây thứ cấp w;, điện áp thứ cấp U›, dịng điện thứ cap Lh, cơng suất thứ cấp P;
- Nếu điện áp thứ cấp lớn hơn sơ cấp là máy biến áp tăng áp Nếu điện áp thứ cấp nhỏ hơn điện áp sơ cấp gọi là máy biến áp giảm áp
Máy biến áp cĩ hai bộ phận chính : lõi thép và dây quấn + Lõi thép máy biến áp :
- Lõi thép máy biến áp dùng để dẫn từ thơng chính của máy, được chế tạo từ những vật liệu dẫn từ tốt, thướng là thép kỹ thuật điện Lõi thép gồm hai bộ
phận :
- Trụ la noi dé dat day quan
- Gơng là phần khép kín mạch từ giữa các tru Trụ và khơng tạo thành mạch từ khép kín
Đề giảm dịng điện xốy trong lõi thép, người ta dùng lá thép kỹ thuật điện ( dày 0,35mm đến 0,5mm, hai mạch cĩ sơn cách điện ) phép lại với nhau thành lõi thép + Dây quân máy biến áp :
Trang 17- Dây quan may biến áp thường được chế tạo bằng dây đồng ( hoặc nhơm ), cĩ
tiét diện trịn hoặc chữ nhật, bên ngồi dây dẫn cĩ bọc cách điện
- Dây quan gồm nhiều vịng dây và lồng vào trụ lõi thép Giữa các vịng dây, giữa các dây quấn cĩ cách điện với nhau và các dây quấn cĩ cách điện với lõi thép Máy biến áp cĩ hai thường cĩ hai hoặc nhiều dây quấn Khi các dây quấn đặt trên cùng một trụ, thì dây quân thấp áp đặt sát trụ thép, dây quấn cao áp đặt ra lồng ngồi Làm như vậy sẽ giảm được vật liệu cách điện Tiên Tm ee
a : Lõi thép máy biến áp b : Day quan may bién 4p Hinh 14 :Léi thép va day quan may bién 4p
-Đề làm mát và tăng cường cách điện cho máy biến áp, người ta thường đặt lõi thép và dây quấn trong một thùng chứa dầu máy biến áp.Đối với biến áp cơng suất lớn, vỏ thùng dầu dầu cĩ chứa cánh tản nhiệt
1.6.2 Acquy
Trang 18- phĩng ra
- Điện trở trong của ác quy nhỏ Nĩ bao gồm điện trở của các bản cực, điện trở dung dịch điện phân cĩ xét đến sự ngăn cách của cdc tém ngăn các bản cực Thường trị số điện trở trong của ac quy khi đã nạp điện đây là 0.001 đến 0.0015 và khi ăcquy phĩng điện hồn tồn là 0.02 đến 0.025
Quá trình nạp điện cho ắcquy I(A) 10
Hình 15: Quá trình nạp điện cho ắc quy
- Cĩ hai loại ăcquy là: ăcquy axit ( hay ăcquy chì ) và ăcquy kém (Acquy sat kén hay ăcquy cadimi - kền ) Trong đĩ ăcquy axit được dùng rộng rãi và phơ biến hơn 2 Nghịch lưu
2.1 Khái niệm và phân loại sơ đồ nghịch lưu
Khái niệm: Nghịch lưu là quá trình biến đổi điện áp một chiều thành điện áp xoay chiều một pha hoặc ba pha
Phân loại:
Nghịch lưu chia làm 2 loại chính: Nghịch lưu phụ thuộc và nghịch lưu độc lập
Trang 19Trong đĩ nghịch lưu phụ thuộc là nghịch lưu cĩ điện áp, tần số, gĩc pha và thứ tự pha phụ thuộc vào lưới điện mà đầu ra của nĩ mắc song song vào
Nghịch lưu độc lập lại được chia ra nghịch lưu độc lập nguồn áp và nguồn dịng Trong đĩ nghịch lưu độc lập nguồn áp thì luơn định ra một điện áp cĩ biên độ, tần số, gĩc pha và thứ tự pha khơng phụ thuộc vào loại tải và chỉ phụ thuộc vào tín hiều điều khiển, điện áp thường cĩ dạng hình chữnhật cịn dịng điện phụthuộc vào tải cĩ thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
Cịn nghịch lưu độc lập nguon dịng thì luơn định ra một dịng điện cĩ biên độ, tan sd, gĩc pha và thứ tự pha khơng phụthuộc vào loại tai va chỉ phụ thuộc vào tín hiéu
điều khiến, dịng điện thường cĩ dạng hình chữnhật cịn điện áp phụ thuộc vào tải cĩ thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
2.2 Các sơ đồ nghịch lưu độc lập một pha
2.2.1 Thiết bị biến đổi dịng điện một pha a Sơ đồ một pha cĩ điểm trung tính Lk ld G IN > +E ¡1N T1 † _
Hình 16: Sơ đồmột pha cĩ điểm trung tính
Trang 20động Tụ điện C gọi là tụ điện chuyển mạch.Đặc điểm của onduleur dịng là cĩ dịng điện tải dạng “Sinus chữnhật” cịn dạng điện áp trên tải thì do thơng số mạch tải quyết định
2n1 là tổng số vịng dây sơ cấp n2 là sốvịng dây thứcấp
¡,v là dịng và áp phía thứcấp
Hoạt động của sơ đồ:Giả thiết cho xung mở Tì điểm A được T; nối với cực âm của
nguồn E bẩy giờV —VẠ= u¡= E, do hiệu ứng biến áp tự ngẫu nênVạg =Vo = u1= E.như vậy tụ điện C được nạp điện áp bằng 2E, bản cực đương ở bên phải Bây giờ nếu cho xung mở T›;, Tiristor này mở và đặt điện thế điểm B vào mạch catơt T ¡ khiến T ¡ bị khố lại, tụ điện C sẽ bị nạp ngược lại, sẵn sàng để khố Tạ; khi ta cho xung mở Tì Phía thứ cấp ta nhận được dịng “Sinus chữnhật” mà tần số của nĩ phụ thuộc vào nhịp phát xung mởÏ),T; b Sơ đồ cầu một pha Ld id oO fVVX% > a * A Ti E T3 —> sJEt I Us: 2 ——T——} —> T4 Ta ==
Hình 17: Sơ đồ cầu một pha
Trang 21mocap van T3,T4 Cap T3,T4 mo tao ra qua trinh phong dién cua tu C từcực (+) vềcực (-) Dịng phĩng ngược chiều với dịng qua T1 và T2 sẽ làm cho T1 và T2 bị khố lại.Quá trình chuyển mạch gần như tức thời Sau đĩ tụC sẽ được nạp điện theo chiều ngược lại với cực (+) ở bên phải và cực (-) ởbên trái Dịng nghịch lưu ¡ =id=-Id (đã đơi dâu) Đến thời điểm t = t2 người ta đưa xung vào mởT1,T2 thì T3,T4 sẽ bị khố lại và quá trình được lặp lại như trước Như vậy chức năng cơ bản của tụ C là làm nhiệm vụ chuyển mạch cho các Tiristor Tại thời điểm t1 khi mởT3 và T4 thì T1 và T2 sẽ bị khố lại bởi điện áp ngược của tụ C đặt vào Khoảng thời gian duy trì diện ap ngược ( t; -t?; ) là cần thiết để duy trì qua trình khố và phục hồi tính điều khiển của van và t ¡- tor= ty > tog là thời gian khố của Tliristor hay chính là thời gian phục hồi tính điều
khién kt o B = là gĩc khố của nghịch lưu 2.2.2 Nghịch lưu điện áp I pha
a.Sơ đơ khơng điều chế -_ © + Hình 18: Sơ Đồ mạch điện
Trong đĩ : -T:,T;,Ts,T¿: Là các thyristor cĩ nhiệm vụ để đĩng cắt hoặc điều chỉnh thay đối điện áp xoay chiều ra tải
-R, L: là phụ tải của động cơ điện xoay chiêu
-D¡,D;,Dz,D¿: Là các điơt dẫn dịng khi tải trả năng lượng về nguồn nuơi
-i: Là dịng nguồn xoay chiều dạng răng cưa
Khi i, > 0 thì nguồn cung cấp năng lượng cho tải (các thyristor dẫn dịng) Khi i, < 0 thi tải năng lượng về nguồn nuơi (các diơt dẫn dịng)
- C: Tuloc
Trang 22- MBA: may bién áp 1 pha cĩ điện áp sơ cấp đặt lên các van và điện áp thứ cấp đặt lên tải
*Nguyên lý làm việc :
Gia su T, va T, đang cho dịng chạy qua (Dịng tải đi từ B> ) Khi t=0 cho xung mở
Tì¡ và Tạ, T; và Tạ bị khĩa lại, dịng tải I=-Im khơng thể đảo chiều một cách đột ngột
Nĩ chảy tiếp theo chiều cũ nhưng theo mạchD > —> ;tải> ¡ và suy giảm dan, D, va D; dan dịng khiến T¡ và T; vừa kịp mở đã bị khĩa lại Khi t=t,, i=0, D, va D; bi
khĩa lại, T¡ và Tạ: sẽ mở lại nếu cịn xung điều khiến tác động ở các cực Œ¡, G; dong tải
i> 0 và tăng chảy theo chiều từ A—
Giai đoạn từ t=0 cho đến t¡ là giai đoạn hồn năng lượng
Khi t=1/2 cho xung mở T› và Ta, T; và Tạ bị khĩa lại, dịng chảy qua Dạ và Dạ
khiến cho T; và Tạ vừa kịp mở đã bị khĩa lại Khi t=ta, ¡=0, T; và Tạ sẽ mở lại, 1<0 chảy theo chiều B—›A Dịng tải ¡ biến thiên theo quy luật hàm mũ giữa hai giá trị Im và -Im Các xung điều khiển Thyristor thường là xung chùm
*Biêu thức của dịng tải i:
+ Khi bắt đầu cho xung mở T; và T; ta cĩ phương trình :
L—+Ri=E
— +ại ——
Dưới dạng tốn tử Laplace ta cĩ p.Ï(p) - 1(0) + a.l(p) = —
Trong đĩ : ¡(0) = -Im và a =— do đĩ: ¡=—-(1— ™)-Ime™
+ Khi đĩ xung mở T; và T¿ ta cĩ phương trình : -L— -RI = E
Và i—[1- e 207/20 Ime?
Trang 23CHUONG II: THIET KE MACH NGHICH LUU 1 Phuong an lua chen
a Phuong án 1: Dùng Transistor cơng suất : Dùng hai Transistor cơng suất T1 và T2 dao động đa hài phát ra tín hiệu đĩng Hai Transistor T1 và T2 mắc cùng với bốn điện trở, trong đĩ cĩ sử dụng trở cơng suất thành mạch tạo ra xung vuơng
Dùng các cơng logic : Cĩ thể dùng các cơng logic như các cơng NAND, NOR, cơng đảo cĩ thể dùng IC 4011 hoặc IC SN7400
Dùng các con trigo va vi mach : Cĩ thé dùng vi mạch 555 hoặc IC 4047B,
SG3525 là những IC phát xung chủ đạo và xung này được qua một IC khuyếch đại thuật tốn So dé: D2 R2 D1 bị e——>»+—+——NVVV Cs 1N4oor ST : 1K LED i R1 330 ohm > +“? 230VAC TẾ OtuF @OUT 600V 1 220 ohm Q2 Đề IRF540 H _ | | + rR + I ta e ° EE E a acy œ © h 2200UF/25V 12V ] 7Ah “al
Hình 19: Sơ đồ mạch nghịch lưu dung 4047
Phương án này tuy chuyển được nguồn một chiều 12V lên 220V xoay chiều nhưng cĩ nhược điêm độ ồn định khơng cao
b Phương án 2:
Ta sử dụng ic SG3525,với nhiều tính năng ưu việt hơn, lấy nguồn trực tiếp 12v mà khơng cân bộ biến đơi nguồn nuơi cho ic Dễ điều chỉnh độ rộng của xung ra, khoảng deal time vừa đủ để tạo ra chu kỳ xung âm mà khơng xảy ra hiện tượng trùng dẫn
Trang 24SG 3525 đưa ra xung trên 2 chân 11và 14 là dạng xung lây từ emitơ của 2 transistor, bên trong SG3525 Khi cĩ xung tạo ra do dao động của mạch RC tại chân 6 va7 tạo ra với f=50hz, qua mạch lật trạng thái đưa 2 xung trên emitơ lệch nhau 180 độ
Điện áp ra từ chân 11-14 đưa vào cực G và kích mở cho mosfet IRE3205, với hai xung đưa ra liên tục kích mở và đĩng với tần số f=50hz Do máy biến áp điểm giữa sẽ tạo ra 2 sđđ lệch pha nhau 180° trên cuộn sơ cấp máy biến áp
2 Sơ đồ chân và nguyên lý hoạt động của ¡c SG 3525
PIN CONNECTIONS -
Inv Input | 4 16 | Yer
Noninv Input 15 Voc Sync 14 | Output B OSC_ Output CT 12 | Ground RT 11 | Output A 2 3 4 13 | Vc 5 6 7 Discharge 10 | Shutdown Soft-Star| 8 g | Compensation (Top View) DW SUFFIX LE PLASTIC PACKAGE tì : : GASE 751B (SO—16L) 8 Hình 20: Sơ đồ chan SG3525 °8.0 V to 35 V Operation 55.1 V+1.0% Trimmed Reference °100 Hz to 400 kHz Oscillator Range *Separate Oscillator Sync Pin
eAdjustable Deadtime Control
Trang 25‘Input Undervoltage Lockout
*Latching PWM to Prevent Multiple Pulses *Pulse—by—Pulse Shutdown
eDual Source/Sink Outputs: +400 mA Peak
Representative Block Diagram _— 6 Vrar > * To intemal Vv : Reference nee Under— Le Š Reguiator Voltage 12 Lockout Ground —————* 3 = OSÂ Output â 2 Sync OS =o Ầ RT Oscillator Q 5 To-‡ TL Discharge — A TR 5 * 5 Compensation © + —PWM > Latch LOonp 1 NM _| Se | INV Input O—— —— P X Error, ”“ 50uA 2 |
Serene roe Amp ie
Noninw Input = | bea *— 72) Vrer | Cson-stat © 1 | ee _ 2.0K a 5 0K Z | he _—$4 ss v, Shuirlowm ¬ ù = OR = ti | L hà=i hy SG3527A = 1 = Output Stage | Hình 21: Sơ đơ khối và chức năng Chức năng các chân :
Pin 1-Inv.input : Đầu vào đảo
Pin 2-Noninv.Inpuf : Đầu vào khơng đảo
Pin 3-Sync : Chan đồng bộ hĩa,cho phép đồng bộ xung với các đơn vị khác hoặc với bộ đao động gắn ngồi
Pin 4-OSC Output : Đầu ra xung của bộ tạo dao động gắn trong
Trang 26- Pin 5-Cy;:Chan nay gan với một tụ điện quyết định tần số dao động của bộ dao
động dẫn đến quyết định xung ra,C+=0.001uF-0.2uF
- - Pin 6-Rr : Gắn với một điện trở để quyết định tần số của bộ tạo dao động quết định xung ra,Rr=2.0 kQ - 150 kQ
- Pin 7- Discharge : Chan xa ty ,chan nay dugc nối với tụ và 1 điện trở gan voi Cr sé
quyết định thời gian cách giữa các xung
- _ Pin 8¬Sofi-Sfart : Chân này nỗi với 1 tụ giúp khởi động êm hơn và chế độ soft-start được kích hoạt khi so sánh với điện áp tham chiếu Vụ„ự
- Pin 9-Compensation : Chân bù này được hồi tiếp về chân đầu đảo gĩp phân điều chỉnh xung ra sẽ bù nếu cĩ sai lệch về xung
- Pin 10- Qufpuf A : Đầu ra A, xung vuơng đương - - Pin 12- Grond : Nỗi đất
- Pin 13-V, :Dién 4p collector cua trasistor mac Dralington trong SG 3525.Dién ap cấp vào Pin này từ 4.5 đến 35v
- Pin 14- Output B : Dau ra B,xung vudng dương nhưng lệch so với xung ra ở chân A - Pin 15-Vcc: Dién ap vao.Dai điện áp hoạt động từ §V - 35V
- Pin 16-V,.¢: Dién 4p tham chiếu cĩ giá trị thấp nhất là 5.0v cao nhất là 5.2v thơng thường là 5.1 V dịng lớn nhất vào pin này là 50mA tối ưu là 20mA.Điện áp này sẽ dùng để so sánh với điện áp vào chân Sofi-Start để tham chiếu chế độ Sorft-Start và Sutdown
Hoạt động của IC SG 3524 nhự sau:
- Phần ổn áp: chân 15 đầu vào của điện áp nguồn, sau đĩ đưa ra điện áp 5v cấp
cho tồn bộ hoạt động của mạch nội (với chân 16 nhận điện áp 5v) Đưa ra S0mA với
các mạch điện bên ngồi
- Phan tao dao động: các mạch dao động nội bộ tần số hoạt động cho việc điều chỉnh chuyển đổi Các sĩng dao động với điện áp từ 1v đến 3,5v.Tần số được thiết lập bởi một điện trở chân 6 và một tụ điện chân 5 Thời gian nghỉ trong hai tín hiệu đầu ra, được điều chỉnh từ chu ky dao động của tụ điện trên chân 5
- Tín hiệu đấu ra: tín hiệu ra được lây từ hai chân 11 và 14 Khi cĩ xung đưa ra kích mở cho transistor, chân 11 và 14 lần lượt cĩ điện áp ra ,vởi dịng khoảng 100mA Hai van bán dẫn được điều khiên lệch nhau 180 độ, do mạch lật trạng thái đưa ra
- Điều chỉnh độ rộng xung: Qua 1 biến trở 100k ở chân 1
Trang 27- Giới hạn dịng điện: hạn chế việc kích hoạt khi điện áp giữa chân 4 và Š vượt quá 200mV Độ lợi của mạch giới hạn dịng điện là tương đối thấp,do đĩ việc kiểm sốt giới hạn thơng thường là 5%
Tín hiệu xung vuơng ở đầu ra IC:
Hình 22: Tín hiệu xung ra ở hai chân 14 và 11
- Tồn bộ hệ thống mạch sử dụng nguồn 12v từ ắc quy.Ắc quy trong mạch sử dụng với thơng số là điện áp đầu ra 12v
Trang 28- Khi được cấp nguồn SG3525 sẽ hoat động tạo xung 50Hz và lệch pha nhau 180 độ, xung của SG3525 phụ thuộc vào điện trở và tụ
- Đề cĩ thê điều chỉnh được tần số phát ra ta mắc 1 biến trở 50k chân 6 đê cĩ thê
dễ dàng giải tần số của nĩ
- Điều chỉnh điện áp đầu ra bằng biến trở từ chân 1 điều chỉnh độ rộng của xung cấp vào cực G của IRF gĩc điều khiển từ 0 + —
- Tín hiệu xung ra ở 2 chân 11 và 14 luơn lệch pha nhau 180 độ Qua trở 1000 tín
hiệu xung lúc này khoảng 5v được cấp trực tiếp vào cực G của IRF3205 khi IRF dẫn sẽ cấp điện áp 12v cho cuộn sơ cấp của biến áp Do xung ở chân 11 và 14 lệch nhau 180° nên biến áp điểm giữa tạo ra 2 điện áp ngược pha nhau trong 1chu kì Từ thơng mĩc vịng và cho điện áp ra thứ câp của biên áp
4 Mạch điêu khiên và mạch lực
4.1 Nhiệm vụ và chức năng của mạch điêu khiên -: Nhiệm vụ
- Điều chỉnh được độ rộng xung trong nửa chu kì đương của điện áp đặt lên colector va emitor cua van
- Khố van trong nữa chu kì cịn lại
- Xung điêu khiên phải cĩ đủ biên độ và năng lượng đê mở và khố van chắc chăn
- Tạo ra được tần số và điều chỉnh độ rộng xung
- Dễ dàng lắp ráp, thay thế khi cần thiết, vận hành tin cậy, ồn định Yêu cau chung về mạch điều khiển là :
- Mạch điều khiến là khâu quan trọng trong hệ thống, nĩ là bộ phận quyết định chủ yếu đến chất lượng và độ tin cậy của bộ biến đổi nên cần cĩ những yêu cầu sau :
+ Về độ lớn của dịng điện và điện áp điều khiến:
Các giá trị lớn nhất khơng vượt quá giá trị cho phép Giá trị nhỏ nhất cũng phải dam bao được rằng đủ cung cấp cho các van mở và khố an tồn Tổn thất cơng suất trung bình ở cực điều khiến nhỏ hơn giá trị cho phép
+ Yêu câu về tính chât của xung điêu khiên :
Trang 29Giữa các xung mở của các cặp van phải cĩ thời gian chêt, thời gian chêt này phải lớn hơn hoặc băng thời gian khơi phục tính chât điêu khiên của van
+ Yêu câu về độ tin cậy của mạch điêu khiên :
Phải làm việc tin cậy trong mọi mơi trường như trường hợp nhiệt độ thay đổi , cĩ từ trường
+ Yêu câu về lắp ráp và vận hành: Sử dụng dễ dàng, dễ thay thế, lắp ráp
4.2 Nhiệm vụ và chức năng của mạch lực Nhiệm vụ
- Cấp mass cho 2 đầu cuộn dây sơ cấp của máy biến áp điểm giữa - Đĩng cắt theo xung điều khiển vào cực G
Yêu cầu
- Mạch lực chịu tân số đĩng cắt lớn
- Mosfet xả hết điện khi ngưng dẫn
Trang 30CHUONG III : TÍNH TỐN VA CHE TAO MACH NGHICH LUU 1 Tinh todn may bién áp
Lua chọn máy biến áp điểm giữa vì so sánh về mặt kinh tế và mặt kĩ thuật phương án lựa chọn này là tơi ưu ii Si | a = 4 il r - vị = L 4 u:: Ss oy 2|l|25 3 5 | D2 lễ nm
Hinh:23 Máy biến áp điểm giữa
Máy biến áp cĩ các thơng số: U¡¡ = 12V, U; = 220V, f = 50HZ, P = 300W Do máy biến áp điểm giữa nên điện áp U¡ = 2.U¡¡ = 2.12 = 24( V )
Cơng suất của máy biến áp: P= U¿.]s Trong đĩ: P là cơng suất của máy biến áp
U; là điện áp của cuộn thứ cấp máy biến áp I› là dịng điện của cuộn thứ cấp máy biến áp
là hiệu suất máy biến áp
Chọn = 0,85( máy biến áp lõi thép ) ta tính được dịng điện thứ cấp của máy biến áp
L= = ——= 1604(A)
Ap dụng tỉ số máy biến áp
Trang 31co ~ =~ -j,= U, 4, Ũ, Do máy biến áp điểm giữa nên điện áp sơ cấp được tính bằng U; = 24( V ) Ï =——— 14.705( A ) Cơng suất máy biến áp cần chọn: P, =U, l= 24.14,705 = 352 (W) Vậy ta chọn may bién ap co céng suat P = 352W với I= 15A
Thiết kế máy biến áp
Thiết diện cĩ ích S của lõi thép tính bằng cm” :bằng thiết diện vật lý ( dài * rộng ) nhân
vệ hệ Kg từ 0.85 đến 0.95
Cơng suất máy biến áp : S=1,2V _ => P= S7/1,44
Vậy để cơng suất tầm 352W trở lên thì lõi sẽ là S=1,2xvV352=22,5 (cm); chiều dài , chiêu rộng của lõi sẽ là 4.5 cm và 5 cm
Dịng cuộn sơ cấp : I=P/Uạ(U sơ cấp )
Dịng chả qua cuộn sơ cấp là : 352/12=29.3 (A)
Thiết điện dây sơ cấp : A„= 2.5/I1 (2.5 là mật độ dịng điện )
Đường kính dây sơ cấp : A¿=nx dạc /4=>dsẹ= ———
Trang 32Đường kính dây thức cấp : Arc= œ drc /4=> drc= Số vịng cần quấn cho cuộn sơ cấp : Ngc= (K x Use )/S Số vịng bên thứ cấp : Nrc (K x Urc ⁄S Với K ( lây từ 38 đến 45 ở đây chọn 45) Bên sơ cấp sốvịng là : x11= 22 (vịng) Bên thứ cấp là : x22.5 = 440 (vịng)
Để quấn máy biến áp cơng suất 352W ta chon: Chiều dài lõi 4.5 cm rộng 5 cm
———' =>drc= 0.7 (mm)
Sơ cấp quấn 2 cuộn mỗi cuộn 22 vịng dây đường kính dây 2.5mm
Thứ cấp quấn 480 vịng đường kính dây 0.7mm 2 Mạch lực
Tinh chon IRF 2.1 Chon van:
Với dịng làm việc của may bién 4p I=15A, P = 352W, ta chọn mosfet cơng suất IRF3205, l¿=110A Dịng làm việc của [RE cao vì đĩ là dịng lam viéc cua IRF trong điều kiện cực G được kích mở liên tục Cịn với dịng gián đoạn IRF chịu được lại rất thấp thấp (Ias = 62A) so với dịng liên tục Trong IRF cũng cĩ tụ ký sinh để xả điện nhưng trên thực tê khi làm việc với tân sơ đĩng cắt cao phải mắc thêm mạch hỗ trợ van.Nên khi chọn IRF phải chú ý đặc điểm này
2.2 Hình dạng và kí hiệu
Trang 33D Voss = 55V » N ` H Rps(on) = 8.0mQ lb = 110A® S TO-220AB A kK 2.3.Thơng số
Parameter Max Units
Ip @ Te = 25°C Continuous Drain Current, Ve, @ 10V 110G
lo @® Ic=10WC| Continuous Drain Curent, Ves @ 10V 80 A
low Pulsed Drain Current © 380
Pp @Te = 25°C Power Dissipation 200 w
Linear Derating Factor 1.3 WPC
Ves Gate-to-Source Voltage + 20 V
lar Avalanche Current 62 A
Ear Repetitive Avalanche Energy® 20 mJ
dv/di Peak Diode Recovery dv/dt @ 5.0 Vins
Ty Operating Junction and -55 to+ 175
TsrG Storage Temperature Range °C
Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 Ibf-n (1.1N-m)
Cis input Capacitance — | 3247 | — Ves = OV
Cac Output Capacitance — | 781 | — Vos = 25V
Cres Reverse Transfer Capacitance — | 211 |— | pF | f = 1.0MHz, SeeFig 5
Eas Single Pulse Avalanche Energy@ — |10508) 264) mJ | Ig = 62A,L = 138nH 1000 1000 5.0V BOTTOM 4.5¥ 100 8 Im, Drain-to-Source Current (A) = lp Drain-to-Source Current (A) § PULSE WIDTH us PULSE WIDTH : Wy 25°C , T= 175°C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100
Vong Drain-to-Source Voltage (V) Vos Drain-to-Source Voltage (V)
Typical Output Characteristics Typical Output Characteristics
Trang 34IRF3205 Package Outline TO-220AB Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) es 10.54 (415) ye 3.78 (485) -8-| 187 [4113| 1I.Z8 J.405] 2” THÊ (13B) 4.85 (.185) 262 (103) =1 -A~- 4 20 (.1E5) ` 1.32 (0521 7 ial 4 : 1 4.22 (04a) # 647 4.255) Ho | NL 6.10 4.280) 15.24 (600) | oe! 14.34 (534) ~ — | 1.151045) LEAD ASSIGMMENTES , 1- GATE + h 1 2- DRAM | 3- SOURCE 4- OR AN ä đ$ 3.47 £06 (160) 2.55 (140) en B55 1.022) " aX 5 59 (027) ~l~ 3X rẽ ng) ax 1401055) : : Tết — 1.8104] [| 3304012 (ME) A CM) b3 thay — — — 2.64 (.184| [ 2.52 (.100] bo (.184| 2X NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING FER ANSI 714.5m, 1522 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220485 2? CONTROLUNG DIMENSION - INCH a SEATONE & LEAD MEASUREMENTS OO NOT INCLUDE BURRS
3 Tính tốn mạch điều khiển:
Trang 37KET LUAN
Sau quá trình thực hiện bản đồ án chúng em đã thu được một số kết quả như
sau:
- Giới thiệu một số ứng dụng và đặc điểm của mạch nghịch lưu một pha
- Phân tích nguyên lý làm việc và các thơng số trong mạch nghịch lưu một và ba pha - Giới thiệu một số ứng dụng và đặc điểm của mạch nghịch lưu một pha
Với sự cỗ găng nỗ lực của mỗi thành viên trong nhĩm chúng em đã hồn thành
đồ án của mình theo đúng thời gian Một lần nữa chúng em xin gửi lời cảm ơn tới các thầy cơ trong khoa Điện - Điện Tử, đặc biệt là thầy Nguyễn Đình Hùng đã trực tiếp hướng dẫn chúng em trong việc hồn thành đồ án Chúng em rất mong nhận được những ý kiến nhận xét, gĩp ý của các thây cơ và các bạn để bản đồ án của cúng em hồn thiện hơn
Chúng em xin chân thành cảm ơn!