công nghệ cmos

TIỂU LUẬN: CÔNG NGHỆ CMOS Nhóm 2: Nguyễn Văn Minh Thiện (NT) Metal Huỳnh Thế Bảo Nguyễn Thanh Huy Lê Như Sơn oxide n+ n+ p+ p+ N-well Cao Viết Tâm Nguyễn Văn Chinh p-substrate Lê Thanh Nhị Công Nghệ CMOS Mục tiêu • Để thảo luận nguyên tắc việc chế tạo CMOS • Để kiểm tra bước trình • Tổng quan điểm cắt ngang mạch Quá trình chế tạo chip Giới thiệu CMOS NMOS PMOS MOSFET Gate Drain Source Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Source (Arsenic, Phosphorous, Boron) Drain (Arsenic, Phosphorous, Boron) Gate (Aluminum, Polysilicon) NMOS P-type substrate N-type dopant for Source & Drain Inversion layer is formed to conduct electricity NMOS P-type substrate N-type dopant for Source & Drain Inversion layer is formed to conduct electricity PMOS N-type substrate P-type dopant for Source & Drain Inversion layer is formed to conduct electricity PMOS N-type substrate P-type dopant for Source & Drain 10 Mask Layout 34 Mask Layout 35 Mask Layout 36 A’ A Metal oxide n+ n+ p+ p+ N-well p-substrate 37 Quy trình Silicon On InsulatorSOI Ưu với công nghệ Cmos truyền thống Trong quy trình SOI lớp màng mỏng silic đơn tinh thể mọc lên chất cách điện sapphire spinen nhôm magie 38 Quy trình SOI  Một màng mỏng (7-8µm) Si loại n pha nhẹ, cấy bề mặt cách điện (Shaphire hay SiO2) 39 Quy trình SOI • Sự ăn mòn không đẳng hướng sử dụng để ăn mòn Si trừ vùng khuếch tán (n p) cần • Ăn mòn phải không đẳng hướng độ dày Si lớn nhiều so với khoảng cách mong muốn “đảo” si 40 NMOS Quy trình SOI • Các đảo p tạo thành nhờ che đảo n chất cản quang Chất pha loại p, thí dụ Bo sau cấy vào • Nó che chất cản quang, hình thành đảo p đảo không che Các đảo p hình thành linh kiện n 41 Quy trình SOI PMOS • Các đảo p sau che chất cản quang chất pha tạp loại n phốt cấy để tạo nên đảo n Đảo n trở thành linh kiện loại p 42 Quy trình SOI • Một cổng oxit mỏng phát triển tất cấu trúc Si, làm oxy hóa nhiệt • Một màng mỏng polysilic kết tủa oxit, thường polisilic pha với photpho để giảm điện trở suất 43 Quy trình SOI • Polysilic sau tạo mẫu cản quang ăn mòn, bước xác định Polysilic cấu trúc 44 Quy trình SOI • Tạo nên nguồn máng pha n linh kiện kênh n đảo p Các đảo n phủ chất cản quang chất pha loại n, bình thường photpho cấy vào • Các chất pha bị chặn đảo n chất cản quang, bị chặn từ vùng cổng đảo p Polysilic, tạo linh kiện loại nmos 45 Quy trình SOI • Các linh kiện p tạo thành cách che đảo p cấy chất pha loại p Bo vào Polysilic cổng đảo ngăn chất pha từ cổng, tạo nên linh kiện loại pmos 46 Quy trình SOI • Một lớp thủy tinh photpho hay đioxit silic sau kết tủa toàn cấu trúc • Thủy tinh bị ăn mòn vị trí nối tiếp xúc • Lớp kim loại tạo cách bay toàn bề mặt ăn mòn nó, để lại dây kim loại mong muốn Al chảy vào điểm cắt • Một lớp oxi hóa chống gỉ cuối thủy tinh photpho kết tủa bị ăn mòn vị trí điểm liên kết 47 THE END 48 .. .Công Nghệ CMOS Mục tiêu • Để thảo luận nguyên tắc việc chế tạo CMOS • Để kiểm tra bước trình • Tổng quan điểm cắt ngang mạch Quá trình chế tạo chip Giới thiệu CMOS NMOS PMOS MOSFET... electricity PMOS N-type substrate P-type dopant for Source & Drain 10 CMOS NOT A combination of both NMOS & PMOS technology 11 Công nghệ CMOS bản: Quy trình giếng n Quy trình giếng p Quy trình giếng... INTERCONNECTION 13 Quy trình chế tạo CMOS well formation • Làm bề mặt (p-type wafer) 14 Quy trình chế tạo CMOS well formation • Phủ lên lớp SIO2 bề mặt 15 Quy trình chế tạo CMOS well formation Well will