Một màng mỏng (7-8µm) của Si loại n được pha nhẹ, được cấy trên bề mặt cách điện
40
Quy trình SOI
• Sự ăn mòn không đẳng hướng được sử dụng để ăn mòn đi Si trừ vùng khuếch tán (n hoặc p) sẽ cần.
• Ăn mòn phải là không đẳng hướng vì độ dày của Si lớn hơn nhiều so với khoảng cách mong muốn giữa các “đảo” si
Quy trình SOI
• Các đảo p được tạo thành nhờ che đảo n bằng chất cản quang. Chất pha loại p, thí dụ như Bo sau đó
được cấy vào
• Nó được che bằng chất cản quang, nhưng hình thành các đảo p tại đảo không che. Các đảo p hình thành
linh kiện n
42
Quy trình SOI
• Các đảo p sau đó được che bằng chất cản quang và một chất pha tạp loại n là phốt pho được cấy để tạo
nên đảo n. Đảo n sẽ trở thành linh kiện loại p
Quy trình SOI
• Một cổng oxit mỏng được phát triển trên tất cả các cấu trúc Si, được làm bằng oxy hóa nhiệt
• Một màng mỏng polysilic được kết tủa trên oxit, thường thì polisilic được pha với photpho để giảm điện
44
Quy trình SOI
• Polysilic sau đó được tạo mẫu bằng cản quang và được ăn mòn, bước này xác định Polysilic trong cấu trúc
Quy trình SOI
• Tạo nên nguồn và máng pha n của linh kiện kênh n trong đảo p. Các đảo n được phủ bằng chất cản quang
và chất pha loại n, bình thường là photpho được cấy vào
• Các chất pha sẽ bị chặn tại các đảo n bằng chất cản quang, và nó s b ch n t vùng c ng c a đ o p b ng
46
Quy trình SOI
• Các linh kiện p được tạo thành tiếp theo bằng cách che đảo p và cấy một chất pha loại p như Bo vào. Polysilic trên cổng của đảo sẽ ngăn chất pha từ cổng,
Quy trình SOI
• Một lớp thủy tinh photpho hay đioxit silic sau đó được
kết tủa trên toàn bộ cấu trúc
• Thủy tinh bị ăn mòn tại các vị trí nối tiếp xúc.
• Lớp kim loại được tạo bằng cách bay hơi trên toàn bề mặt và ăn mòn nó, chỉ để lại những dây kim loại mong muốn. Al sẽ chảy
THE END