Xây dựng mô hình chống sét VAN trung thế

B GIO DC V O TO TRNG I HC CễNG NGH TP.HCM NGUYN TH KIM OANH XY DNG Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH LUN VN THC S Chuyờn ngnh: K THUT IN Mó ngnh: 60520202 TP HCM, thỏng 02 nm 2016 B GIO DC V O TO TRNG I HC CễNG NGH TP.HCM NGUYN TH KIM OANH XY DNG Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH LUN VN THC S Chuyờn ngnh: K THUT IN Mó ngnh: 60520202 CN B HNG DN KHOA HC: PGS.TS QUYN HUY NH TP HCM, thỏng 02 nm 2016 CễNG TRèNH C HON THNH TI TRNG I HC CễNG NGH TP HCM Cỏn b hng dn khoa hc: PGS.TS QUYN HUY NH Lun thc s c bo v ti trng i hc Cụng ngh TP HCM, ngy 12 thỏng 02 nm 2016 Thnh phn Hi ng ỏnh giỏ Lun Thc s gm: TT H v tờn Chc danh hi ng PGS.TS Phan Th Thanh Bỡnh Ch tch TS Nguyn Xuõn Hong Vit Phn bin TS Hunh Quang Minh Phn bin TS Vừ Vit Cng PGS.TS Vừ Ngc iu y viờn y viờn, th ký Xỏc nhn ca Ch tch hi ng ỏnh giỏ Lun sau Lun ó c sa cha nu cú Ch tch hi ng ỏnh giỏ LV PGS.TS Phan Th Thanh Bỡnh TRNG H CễNG NGH TP HCM CNG HềA X HI CH NGHA VIT NAM PHềNG QLKH TSH c lp T Hnh phỳc TP HCM, ngy 20 thỏng nm 2015 NHIM V LUN VN THC S H tờn hc viờn: NGUYN TH KIM OANH Gii tớnh : N Ngy, thỏng, nm sinh: 24/7/1983 Ni sinh : TP HCM Chuyờn ngnh: K thut in MSHV : 1441830018 I- Tờn ti: XY DNG Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH II- Nhim v v ni dung: Chng : M u Chng 1: Tng quan v chng sột van trung th Chng 2: Cỏc mụ hỡnh chng sột van trung th Chng 3: Xõy dng cỏc mụ hỡnh chng sột van trung th mụi trng Matlab Chng 4: Mụ phng, ỏnh giỏ chớnh xỏc ca cỏc mụ hỡnh chng sột van trung th Chng 5: Kt lun v hng nghiờn cu phỏt trin III- Ngy giao nhim v : 8/2015 IV- Ngy hon thnh nhim v : 02/2016 V- Cỏn b hng dn : PGS.TS QUYN HUY NH CN B HNG DN PGS.TS QUYN HUY NH KHOA QUN Lí CHUYấN NGNH PGS.TS NGUYN THANH PHNG i LI CAM OAN Tụi xin cam oan õy l cụng trỡnh nghiờn cu ca riờng tụi Cỏc s liu, kt qu nờu lun l trung thc v cha tng c cụng b bt kỡ cụng trỡnh no khỏc Tụi xin cam oan rng mi s giỳp cho vic thc hin Lun ny ó c cm n v cỏc thụng tin trớch dn Lun ó c ghi rừ ngun gc Hc viờn thc hin Lun NGUYN TH KIM OANH ii LI CM N Qua thi gian hc v nghiờn cu ti Trng i hc Cụng ngh TP.HCM, cựng vi s nhit tỡnh hng dn, giỳp ca quý thy cụ, tụi ó hon thnh c lun tt nghip ny Trc ht, tụi xin chõn thnh cỏm n gia ỡnh ó luụn ng viờn, giỳp tụi sut thi gian hc Tụi chõn thnh cm n Ban Giỏm Hiu nh trng, quý thy cụ Khoa in in t v Phũng qun lý sau i hc Trng i hc Cụng ngh TP.HCM ó to iu kin thun li cho tụi hc tp, nghiờn cu, nõng cao trỡnh v thc hin tt lun tt nghip thi gian qua Tụi xin by t lũng bit n sõu sc ti Thy PGS TS Quyn Huy nh ó nhit tỡnh hng dn, giỳp tụi sut thi gian hc cng nh quỏ trỡnh thc hin lun tt nghip Ngoi ra, tụi cng xin c núi li cm n n cỏc anh, ch hc viờn lp cao hc 14SMD11 ó úng gúp ý kin v giỳp tụi hon thnh tt lun Vic thc hin ti lun ny chc chn khụng trỏnh nhng thiu sút v kin thc chuyờn mụn, kớnh mong nhn c s quan tõm, xem xột v úng gúp ý kin quý bỏu ca quý thy, cụ v cỏc bn ti lun ny hon thin hn Tụi xin chõn thnh cm n! Tp H Chớ Minh, ngy 15 thỏng 01 nm 2016 Hc viờn thc hin Nguyn Th Kim Oanh iii TểM TT Lun XY DNG Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH i sõu vo nghiờn cu v xõy dng mụ hỡnh chng sột van trung th dng MOV mụi trng Matlab Cu to, nguyờn lý lm vic v c tớnh ca chng sột van trung th v hp cụng c Simulink ca phn mm Matlab ó c nghiờn cu Cỏc mụ hỡnh chng sột van c xem xột v ỏnh giỏ bao gm: mụ hỡnh Matlab, mụ hỡnh IEEE, mụ hỡnh Picenti, v mụ hỡnh PK Cỏc thụng s ca mụ hỡnh chng sột van c cung cp catalogue ca nh sn xut Phõn tớch kt qu mụ phng in ỏp d ca cỏc loi chng sột van trung th ca cỏc hóng sn xut khỏc ng vi dng xung tiờu chun 8/20às, biờn 3kA, 5kA, 10kA, 20kA v so sỏnh giỏ tr in ỏp d cung cp bi nh sn xut ỏnh giỏ chớnh xỏc ca cỏc mụ hỡnh chng sột van c xõy dng Sai s in ỏp d i vi mụ hỡnh PK l thp nht C th, i vi mụ hỡnh ca thit b chng sột van trung ỏp ca Hóng Ohio Brass, sai s in ỏp d khong t 2.6% n 10.2% v i vi mụ hỡnh thit b chng sột van trung ỏp ca Hóng Copper sai s in ỏp d khong t 0,04% n 7.99% Nhn thy, cỏc sai s ny u nh hn giỏ tr sai s cho phộp (10%) Lun cung cp cụng c mụ phng hu ớch vi phn mm thụng dng Matlab cho cỏc nh nghiờn cu, cỏc k s, sinh viờntrong vic nghiờn cu cỏc hnh vi v ỏp ng ca thit b chng sột van di tỏc ng ca xung sột lan truyn iu kin khụng th o th thc t iv ABSTRACT Thesis "BUILDING MEDIUM VOLTAGE SURGE ARRESTER MODELS" going into the study and modeling of medium voltage surge arresters in Matlab environment Composition, working principle and characteristic of the mediumvoltage surge arresters and Simulink toolbox of Matlab software was studied The surge arrester models are reviewed and evaluated include: Matlab model, IEEE model, model Picenti, and PK model The model parameters of surge arrester models are provided in the manufacturer's catalogue Analysis of residual voltage simulation results of medium voltage surge arresters of various manufacturers with standard wave form 8/20s, amplitude 3kA, 5kA, 10kA, 20kA and compare with residual voltages, provided by the manufacturers to assess the accuracy of the surge arrester models The residual voltage error of PK model is the lowest Specifically, for the medium voltage surge arrester model of Ohio Brass Company, the residual voltage errors are in the range from 2.6% n 10.2% and for the medium voltage surge arrester model of Copper Company the residual voltage errors are in the range from 0,04% n 7.99% Recognizing that, these errors are less than the enable error (10%) Thesis provides useful simulation tools with universal Matlab software for researchers, engineers, students in the study of the behavior and response of lightning protection equipment under the influence of lightning surges when the test conditions can not in reality v MC LC LI CAM OAN i LI CM N ii TểM TT iii ABSTRACT iv DANH MC CC T VIT TT ix DANH MC CC BNG x DANH SCH CC HèNH xi CHNG M U I GII THIU 1 t Tớnh cp thit ca ti II MC TIấU, NI DUNG V PHNG PHP NGHIấN CU .3 Mc tiờu ca ti: Ni dung nghiờn cu .4 Phng phỏp nghiờn cu .4 III TNG QUAN V LNH VC NGHIấN CU Gii thiu tng quan: .4 Tng quan nghiờn cu: IV NI DUNG LUN VN CHNG TNG QUAN V CHNG SẫT VAN TRUNG TH 1.1 T VN .6 1.2 CC LOI CCH IN 1.3 KHI NIM V SẫT 1.4 THIT B CHNG SẫT VAN 10 1.5 CU TO V NGUYấN Lí LM VIC CA CHNG SẫT VAN MOV .12 1.4.1 CU TO C BN MOV .12 1.4.2 TNH NNG HOT NG CA BIN TR ZNO 14 vi 1.4.3 C TNH V-I 18 1.4.4 THI GIAN P NG 19 CHNG CC Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH 21 2.1 T VN .21 2.2 CC Mễ HèNH C NGH 22 2.2.1 Mụ hỡnh truyn thng ATP .22 2.2.2 Mụ hỡnh c ngh bi IEEE .22 2.2.2.1 Mụ hỡnh ngh 23 2.2.2.2 Xỏc nh cỏc thụng s 23 2.2.3 Mụ hỡnh c ngh bi Pinceti .26 2.2.3.1 Mụ hỡnh c ngh 26 2.2.3.2 Xỏc nh thụng s 26 2.2.4 Mụ hỡnh P-K 27 2.2.4.1 Mụ hỡnh c ngh 27 2.2.4.2 Xỏc nh thụng s 28 CHNG XY DNG CC Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH TRONG MễI TRNG MATLAB 29 3.1 MC CH Mễ PHNG 29 3.2 GII THIU PHN MM MATLAB .30 3.2.1 Phn mm MATLAB 30 3.2.2 C s v SIMULINK 30 3.2.3 ỏnh giỏ mụ hỡnh MATLAB 31 3.2.3.1 Gii thiu mụ hỡnh 31 3.2.3.2 Nguyờn lý lm vic ca mụ hỡnh 33 3.2.3.3 ỏnh giỏ mụ hỡnh 33 3.2.3.4 Mch mụ phng Matlab .34 3.3 Mễ HèNH NGUN PHT XUNG SẫT 34 3.3.1 Dng xung sột 34 3.3.1.1 Dng súng 10/350às 34 3.3.1.2 Dng súng 8/20às 35 3.3.2 Xõy dng mụ hỡnh ngun phỏt xung 37 85 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 56.3 kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh Matlab l thp nht (0.1%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (12,7%) Hỡnh 4.15: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 21kV, ng vi dũng xung 8/20s-20kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 21kV, ng vi dũng xung 8/20s-20kA nhn thy i lng in ỏp d (kV) COOPER - 21kV Mụ hỡnh Matlab IEEE Pinceti P-K in ỏp d (kV) 58.2 60.1 62.7 59.6 Sai s (%) 6.8 3.8 0.1 4.6 86 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 62.5 kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh Pinceti l thp nht (0.1%), sai s mụ hỡnh Matlab l ln nht (6.8 %) Hỡnh 4.16: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-3kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-3kA nhn thy i lng in ỏp d (kV) COOPER - 18kV Mụ hỡnh Matlab IEEE Pinceti P-K in ỏp d (kV) 48.5 50.1 45.2 47.5 Sai s (%) 8.5 12.1 1.11 6.2 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 44,7kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh Pincetti l thp nht (1.11%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (8.5%) 87 Hỡnh 4.17: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-5kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-5kA nhn thy: i lng in ỏp d (kV) COOPER - 18kV Mụ hỡnh Matlab IEEE Pinceti P-K in ỏp d (kV) 48.5 50.2 45.2 47.6 Sai s (%) 3.4 7.03 - 3.6 1.4 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 46,9kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh P-K l thp nht (1.4%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (7,03%) 88 Hỡnh 4.18: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-10kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-10kA nhn thy: i lng in ỏp d (kV) COOPER - 18kV Mụ hỡnh Matlab IEEE Pinceti P-K in ỏp d (kV) 50.2 58.5 51.5 53.4 Sai s (%) 0.1 15.38 1.5 5.3 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 50,7kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh Matlab l thp nht (0.1%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (15.38%) 89 Hỡnh 4.19: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-20kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-20kA nhn thy: i lng in ỏp d (kV) COOPER - 18kV Mụ hỡnh Matlab IEEE Pinceti P-K in ỏp d (kV) 51.5 68.4 60.1 60.8 Sai s (%) 8.5 21.5 6.7 7.9 Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 56,3kV, nh vy nhn thy sai s mụ hỡnh Pinceti l thp nht (6.7%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (21.5%) 90 4.2.2.5 Biu ỏnh giỏ sai s Hỡnh 4.20: Biu sai s in ỏp d ca chng sột van hóng Cooper, in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s Hỡnh 4.21: Biu sai s in ỏp d ca chng sột van hóng Cooper, in ỏp 21kV, ng vi dũng xung 8/20s 91 4.2.2.6 Nhn xột T kt qu mụ phng, in ỏp d ca chng sột van AZG2 ca hóng Cooper in ỏp 21kV cho thy in ỏp d ca cỏc mụ hỡnh ngh cho kt qu so vi s liu ca chng sột van thc t c cung cp catalogue khỏ chớnh xỏc i vi mụ hỡnh Matlab, sai s ln nht khong 6.88% i vi mụ hỡnh IEEE, sai s ln nht khong 15.9% i vi mụ hỡnh Pinceti, sai s ln nht khong 16,33% i vi mụ hỡnh P-K, sai s ln nht khong 6.68% T ú, nhn thy mụ hỡnh P-K l mụ hỡnh chớnh xỏc nht Kt qu mụ phng in ỏp d ca chng sột van AZG2 ca hóng Cooper in ỏp 18kV cho thy cho thy in ỏp d ca cỏc mụ hỡnh ngh cho kt qu so vi s liu ca chng sột van thc t c cung cp catalogue khỏ chớnh xỏc i vi mụ hỡnh Matlab, sai s ln nht khong 8.5% i vi mụ hỡnh IEEE, sai s ln nht khong 15,38% i vi mụ hỡnh Pinceti, sai s ln nht khong 14.71% i vi mụ hỡnh P-K, sai s ln nht khong 7,99% T ú, nhn thy mụ hỡnh P-K l mụ hỡnh chớnh xỏc nht 4.2.3 NHN XẫT CHUNG Khi tin hnh mụ phng mt mụ hỡnh c xem l tt c ỏnh giỏ da trờn: mc chi tit ca mụ hỡnh, din t c cỏc quỏ trỡnh vt lý ca nguyờn mu; cỏc thụng s ngừ vo cng ớt, cng d tỡm thy a s catalogue ca cỏc nh sn xut; kt qu mụ phng v in ỏp d, dng súng ngừ ra, tc tng u súng v uụi súng phự hp vi kt qu th nghim i vi mụ hỡnh Matlab: u im chớnh l mụ hỡnh n gin, mụ t bi in tr phi tuyn vi quan h dũng v ỏp theo c tớnh V-I Nhc im l u ngi s dng phi nhp li cỏc giỏ tr k, tng ng vi c tớnh V-I ca nú; nhng cỏc giỏ tr k, khụng c tỡm thy a s 92 catalogue ca cỏc nh sn xut gõy khú khn cho vic s dng mụ hỡnh lm tng sai s tớnh toỏn i vi mụ hỡnh IEEE: u im chớnh l chi tit hn mụ hỡnh Matlab vi hai in tr phi tuyn A0, A1 c tỏch bi b lc R-L cựng vi cỏc thnh phn R, L, C; thi gian u súng v cui súng c th hin rừ giỳp a kt lun y hn Khi s dng mụ hỡnh cn nhp giỏ tr in ỏp ngng, s ct, chiu cao ct Nhc im l cỏc thụng s giỏ tr chiu cao ct, cỏch tớnh chiu cao ct rt khú xỏc nh vỡ mt s hóng sn xut khụng cung cp; ngoi ra, cỏc giỏ tr in tr phi tuyn A0, A1 c s dng chung cho cỏc MOV khỏc Chớnh vỡ thiu thụng tin u vo chớnh xỏc nờn kt qu mụ phng cú th cú sai s ln i vi mụ hỡnh Pinceti v mụ hỡnh P-K: õy l hai mụ hỡnh ci tin ca mụ hỡnh IEEE v mt s v cỏch xỏc nh thụng s; cỏc thụng s u vo cn nhp nh giỏ tr in ỏp nh mc, in ỏp d ca dũng xung 8/20s, in ỏp d ca xung u dc u rt d tỡm thy hu ht cỏc hóng sn xut Kt qu mụ phng ca hai loi chng sột van EVP v AGZ2 u cho thy cỏc mụ hỡnh xõy dng cho sai s khỏ thp: Khi s dng mụ hỡnh Matlab, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass (1,01ữ9,85)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (1,61ữ9,40)%, cỏc giỏ tr sai s nh vy l khụng xỏc nh chớnh xỏc cỏc giỏ tr k, ca tng loi MOV m ch s dng cỏc giỏ tr k, mc nh c a phn mm Matlab Mun cho mụ hỡnh chớnh xỏc hn thỡ cn xỏc nh c cỏc giỏ tr k, cho tng loi MOV Khi s dng mụ hỡnh IEEE, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass l (0,59ữ19,31)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (2,46ữ20,51)%, cỏc giỏ tr sai s nh vy l vic ly thụng s ca in tr phi tuyn A0, A1 c dựng cho nhiu loi MOV khỏc v chiu cao ct ca chng sột van c chn gn ỳng vỡ a s cỏc hóng sn xut khụng cung cp thụng tin 93 ny Mun cho kt qu mụ phng c chớnh xỏc cn cú y thụng tin cỏc giỏ tr in tr phi tuyn A0, A1, chiu cao ct ca tng loi MOV Khi s dng mụ hỡnh Pinceti v P-K, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass l (0,82ữ7,94)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (0,640ữ8,55)% Hai mụ hỡnh cú sai s thp nh vy cỏc thụng s ngừ u vo c cung cp y bi tt c cỏc hóng sn xut 94 CHNG KT LUN KT LUN I tiXY DNG Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG TH ó c hon thnh v ó t c nhng mc tiờu nghiờn cu ra, c th: - Nghiờn cu cu to, nguyờn lý hot ng v phng phỏp la chn chng sột van trờn li trung th Ngoi ra, cỏc mụ hỡnh toỏn mụ t c tớnh lm vic ca chng sột van ca cụng trỡnh nghiờn cu trc õy cng c xem xột; - Xõy dng phn mm Matlab cỏc mụ hỡnh chng sột van trung ca mt s hóng sn xut theo xut ca Matlab, IEEE, Pinceti, P-K v tin hnh mụ phng in ỏp d ng vi xung sột tiờu chun dng 8/20às, biờn kA - Trờn c s phõn tớch kt qu mụ phng, nhn thy mụ hỡnh P-K cú chớnh xỏc cao nht, ng thi d s dng nht vỡ ch yờu cu nhp cỏc thụng s u vo cú th tra catalogue ca nh sn xut - Cỏc mụ hỡnh c xõy dng cú th c s dng cỏc bi toỏn phõn tớch quỏ in ỏp h thng in II HNG PHT TRIN TNG LAI - Th nghim mụ phng hot ng ca thit b chng sột van trung ỏp vi cỏc dng xung sột tiờu chun khỏc nh: 10/350s, 30/60s 95 TI LIU THAM KHO [1] Quyn Huy nh, Giỏo trỡnh anh ton in NXB i hc Quc gia TP.HCM, 2011 [2] Quyn Huy nh, Thit b chng sột lan truyn trờn ng cp ngun Tp Chớ Bu chớnh Vin Thụng [3] Nguyn Phựng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa hc v K thut, 2008 [4] IEEE Working group 3.4.11, Modeling of metal oxide surge arresters, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.7, No.1, Jan 1992, pp 302- 309 [5] Kaveri Bhuyan, Saibal Chatterjee, Simulations of lightning impulse residual voltage test of surge arresters in matlab-simulink,ICPDEN 2015 [6] Jonathan J Woodworth, Arrester Reference Voltage, ArresterFacts 027, June 2011 [7] Reinhard Gửhler, Volker Hinrichsen, Metal-Oxide Surge Arresters in High-Voltage Power Systems, Berlin and Darmstadt, September 2011 [8] Georgios D Peppas, Ioannis A Naxakis, Christos T Vitsas, Eleytheria C Pyrgioti, Surge Arresters Models For Fast Transients, 2012 International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria [9] Andrộ Meister, Rafael Amaral Shayani, Marco Aurộlio Gonỗalves de Oliveira, Comparison of metal oxide surge arrester models in overvoltage studies ,International Journal of Engineering, Science and TechnologyVol 3, No 11, 2011, pp 35-45 [10] Dino Lovri, Slavko Vujevi, Toni Modri, Comparison of Different Metal Oxide Surge Arrester Models, Ruera Bokovia 32, HR- 21000, Croatia, Int J Emerg Sci., 1(4), 545-554, December 2011, ISSN: 2222-4254 96 [11] Mehdi Nafar, Ghahraman Solookinejad and Masoud Jabbari, Comparison of IEEE and Pinceti Models of Surge Arresters, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, IRAN, Research Journal of Engineering SciencesVol 3(5), May (2014), pp 3234 [12] Milo GLASA, The MOV computer models for thermal electric analysis, Journal of Electrical Engineering, Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology Ilkoviova 3, Bratislava 812 19, Slovakia [13] K P Mardira and T K Saha, A simplified lightning model for metal oxide surge arrester, School of Information Technology and Electrical Engineering The University of Queensland, St Lucia Campus QLD 4072 Australia [14] Christos A Christodoulou, Fani A Assimakopoulou, Ioannis F Gonos, Ioannis A Stathopulos, Simulation of Metal Oxide Surge Arresters Behavior, National Technical University of Athens School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory Iroon Polytechniou 9, GR 15773, Zografou Campus, Athens, Greece [15] F Fernaựndez, R Dớaz, Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulation International conference on power system transients, IPST01, 20-24 June 2001, pp 144 [16] Daniel W Durbak, Surge Arrester Modeling, Power Technologies, Schenectady, New York [17] Pramuk Unahalekhaka; Simplified Modeling of Metal Oxide Surge Arresters,Dept of Electrical Engineering, Faculty of Engineering and Architecture Rajamangala University of Technology Suvarnabhumi, 7/1 Nonthaburi Rd, Nonthaburi, 11000, Thailand, 11th Eco-Energy and Materials Science and Engineering (11th EMSES), pp 92 101 97 [18] K P Mardira, T K Saha, A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester, The University of Queensland, Australia [19] V Vita1 A.D Mitropoulou, L Ekonomou, S Panetsos, I.A Stathopulos, Comparison of metal-oxide surge arresters circuit models and implementation on high-voltage transmission lines of the Hellenic network, School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory, National Technical University of Athens,9 Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 157 80, Greece, IET Gener Transm.Distrib., 2010, Vol 4, Iss 7, pp 846853 [20] S Ehsan Razavi, A Babaei, Modification of IEEE Model for Metal Oxide Arresters Against Transient Impulses Using Genetic Algorithms, Department of Electrical, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran, Australian Journal of Basic and Applied Sciences, 5(10):, 2011 , ISSN 1991-8178, pp 577-583 [21] P.F Evangelides, C.A Christodoulou, I.F Gonos, I.A Stathopulos, Parameters selection for metal oxide surge arresters models using genetic algorithm, High Voltage Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 15780, Greece, 30th International Conference on Lightning Protection - ICLP 2010(Cagliari, Italy - September 13th -17th, 2010) [22] C.A Christodoulou, L Ekonomou , A.D Mitropoulou , V Vita, I.A Stathopulos, Surge arresters circuit models review and their application to a Hellenic 150 kV transmission line, A.S.PE.T.E. School of Pedagogical and Technological Education, Department of Electrical Engineering Educators, N Yeraklion, 141 21 Athens, Greece, Simulation Modelling Practice and Theory 18 (2010), pp.836849 98 PH LC PL 5.1: Thụng s k thut Chng sột van EVP ca Ohio Brass: 99 PL 5.2.Thụng s k thut Chng sột van AZG2 ca Cooper [...]... nhược điểm của một số loại chống sét van - Nghiên cứu cấu tạo và tính năng kỹ thuật của thiết bị chống sét van MOV - Nghiên cứu các mô hình chống sét van MOV phụ thuộc tần số - Cải tiến mô hình chống sét van trong Matlab - Đề xuất thuật toán mới xác định các thông số của mô hình chống sét van - So sánh sự khác biệt giữa các mô hình Matlab, mô hình IEEE, mô hình Pincenti, mô hình P-K 4 2 Nội dung nghiên... với mức độ chi tiết và quan điểm xây dựng mô hình khác nhau Tuy nhiên, do đặc điểm của phương pháp mô hình hóa mô phỏng và yêu cầu về mức độ chính xác, mức tương đồng cao giữa mô hình và nguyên mẫu, các phương pháp xây dựng mô hình và mô phỏng van chống sét trung thế vẫn còn nhiều tranh cãi và tiếp tục nghiên cứu phát triển Các mô hình chống sét van trung thế được xây dựng là công cụ rất hữu ích để thực... dựng mô hình chống sét van trung thế có mức độ tương thích cao so với nguyên mẫu 5 Các mô hình chống sét van trung thế được xây dựng có giao diện đơn giản, dễ sử dụng trong môi trường Matlab 2 Tổng quan nghiên cứu: Hiện nay, các nhà nghiên cứu và một số nhà sản xuất thiết bị chống sét van trung thế dùng một số phần mềm mô phỏng hỗ trợ đã đề ra mô hình thiết bị chống sét van trung thế với mức độ chi... xây dựng mô hình các thiết bị chống sét. Tuy nhiên, mô hình này thường chỉ phù hợp đối với thiết bị của một nhà sản xuất nào đó, không thể là đại diện cho tất cả thiết bị chống sét của mọi nhà chế tạo và với các cấp điện áp khác nhau Xuất phát từ những thực tế trên, đề tài: Xây dựng mô hình chống sét van trung thế đi sâu vào nghiên cứu mô hình thiết bị chống sét van cấp trung thế dạng MOV, lập mô hình. .. quá điện áp do sét trong mạng phân phối trung thế Luận văn là tài liệu tham khảo cho sinh viên Ngành Công nghệ Kỹ thuật điệnĐiện tử và học viên cao học ngành Kỹ thuật điện IV NỘI DUNG LUẬN VĂN Chương : Mở Đầu Chương 1: Tổng quan về chống sét van trung thế Chương 2: Các mô hình chống sét van trung thế Chương 3: Xây dựng các mô hình chống sét van trung thế trong môi trường Matlab Chương 4: Mô phỏng, đánh... áp của mô hình chống sét van 32 Hình 3.2:Hộp thoại của mô hình chống sét van 32 Hình 3.3: Sơ đồ nguyên lý của mô hình 33 Hình 3.4: Mạch mô phỏng phóng điện chống sét van của Matlab, dạng xung dòng 8/20µs –10kA 34 Hình 3.5: Sét đánh trực kiếp vào kim thu sét trên đỉnh công trình 34 Hình 3.6: Sét đánh trực tiếp vào đường dây trên không lân cận công trình .35 Hình 3.7:... tải,…và chống sét van cũng đòi hỏi mô hình chống sét van có mức độ tương thích với nguyên mẫu Nhưng cho đến nay việc mô hình hóa và mô phỏng các chống sét van trong mạng phân phối trung áp ở Việt Nam hầu như còn bỏ ngỏ, ngay cả ở các trường đại học lớn, các phần mềm mô phỏng và tài liệu tham khảo rất ít ỏi và hạn chế Một trong những khó khăn khi tiến hành mô phỏng các chống sét van trung áp là các mô hình. .. theo P-K 66 Hình 3.57: Sơ đồ mô phỏng đáp ứng của MOV theo mô hình P_K 67 Hình 4.1: Sơ đồ mô hình mạch thử nghiệm điện áp dư của chống sét van trung áp 68 Hình 4.2: Điện áp dư của chống sét van điện áp 21kV, ứng với dòng xung 8/20 s3kA 71 Hình 4.3: Điện áp dư của chống sét van điện áp 21kV, dòng xung 8/20s-5kA 72 Hình 4.4: Điện áp dư của chống sét van điện áp 21kV,... ĐỘ CHÍNH XÁC CÁC MÔ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG THẾ 68 4.1 ĐẶT VẤN ĐỀ .68 4.2 MÔ PHỎNG ĐÁP ỨNG CỦA CÁC CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP EVP VÀ AZG2 69 4.2.1 Chống sét van trung áp EVP .69 4.2.1.1 Thông số kỹ thuật 69 viii 4.2.1.2 Thông số mô hình 69 4.2.1.3 Kết quả mô phỏng 70 4.2.1.4 Nhận xét 80 4.2.2 Chống sét van loại AZG2 ... Thực hiện mô phỏng 39 3.3.4 Kết luận .42 3.4 XÂY DỰNG MÔ HÌNH CHỐNG SÉT VAN DẠNG MOV PHỤ THUỘC TẦN SỐ TRONG MATLAB 42 3.4.1 Xây dựng mô hình MOV theo IEEE: 42 3.4.1.1 Xây dựng mô hình phần tử điện trở phi tuyến A0, A1 43 3.4.1.2 Xây dựng mô hình MOV hoàn chỉnh 46 3.4.1.3 Tạo hộp thoại và các thông số cần khai báo 47 3.4.1.4 Tạo biểu tượng cho mô hình