XÂY DỰNG VÀ ĐÁNH GIÁ CÁC MÔ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP

Trong những năm qua, cứ mỗi khi mùa mưa đến, ngoài việc chuẩn bị các biện pháp phòng chống bão lụt chúng ta còn phải quan tâm đến một hiện tượng thiên nhiên khác có tác hại nghiêm trọng đến cơ sở vật chất và con người đó là dông sét. Có thể hiểu nôm na rằng sét là sự phóng điện giữa đám mây dông và một điểm nào đó trên mặt đất khi điện trường khí quyển đạt đến một giá trị tới hạn. Việt Nam thuộc vùng khí hậu nhiệt đới nên dòng điện sét thường rất lớn khoảng 30kA, do đó nếu một công trình nào đó bị sét đánh thì phần kiến trúc của công trình đó có thể bị phá vỡ do ảnh hưởng của áp suất và nhiệt độ phát tán cao, các thiết bị điện trong công trình có thể bị hỏng do trường điện từ của dòng sét cảm ứng và con người có thể bị tổn thương nếu ở gần điểm phóng điện sét. Trong thực tế đã xảy ra nhiều trường hợp một cơn phóng điện sét đã làm cho hàng chục người bị thương và chết (xảy ra ở xã Hiệp Thành Bạc Liêu) còn những vụ sét làm chết người hàng năm thì xảy ra liên tục khắp nơi nhất là các vùng trọng điểm như Đồi Rìu, Bàu Sầm, Bảo Vinh ....thuộc Huyện Long Khánh Đồng Nai, các xã vùng sâu thuộc Huyện Đức Linh, Hàm Tân Bình Thuận, hoặc một số xã thuộc các tỉnh đồng bằng sông Cửu Long, ngay tại TpHCM năm nào cũng xảy ra vài trường hợp tử vong do phóng điện sét.

B GIO DC V O TO TRNG I HC S PHM K THUT THNH PH H CH MINH LUN VN THC S Vế THANH U XY DNG V NH GI CC Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG P NGNH: K THUT IN 60520202 S K C0 Tp H Chớ Minh, thỏng 10/2015 Bễ GIAO DUC VA A O TAO TRNG AI HOC S PHAM KY THUT THNH PH H CH MINH LUN VN THC S Vế THANH U XY DNG V NH GI CC Mễ HèNH CHNG SẫT VAN TRUNG P NGNH K THUT IN HNG DN KHOA HC: PGS.TS Quyn Huy nh Thnh ph H Chớ Minh, Thỏng 10 nm 2015 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Lí LCH KHOA HC I S LC H v tờn : Vừ Thanh u Gii tớnh: Nam Ngy sinh : 15/09/1989 Ni sinh: Long An Dõn tc Tụn giỏo: Khụng : Kinh a ch liờn lc: S 8, ng Tõn Lp 2, Khu ph 3, P Hip Phỳ, Q 9, Tp.H Chớ Minh in thoi: 0979 378 252 Email:Thanhau1509@gmail.com C quan : Trung Tõm K Thut Tiờu Chun o Lng Cht Lng Thnh Ph H Chớ Minh a ch : 263, in Biờn Ph, P 7, Q 3, Tp H Chớ Minh II QU TRèNH O TO i hc: H o to: Chớnh quy Thi gian: T 2007 n 2012 Ni hc: Trng i hc S Phm K Thut Tp H Chớ Minh Ngnh hc: in Cụng Nghip Thc s: H o to: Chớnh quy Thi gian: T 2013 n 2015 Ni hc: Trng i hc S Phm K Thut Tp H Chớ Minh Ngnh hc: K Thut in III QU TRèNH CễNG TC CHUYấN MễN Thi gian Ni cụng tỏc Cụng vic T 06/2012n Trung Tõm K Thut Tiờu Chun o Lng Cht Lng Thnh Ph H Chớ Minh Th Nghim Viờn Tp.H Chớ Minh, ngy 24 thỏng 09 nm 2015 Ngi khai Vừ Thanh u HVTH: Vừ Thanh u Trang i Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh LI CAM OAN Tụi cam oan õy l cụng trỡnh nghiờn cu ca tụi Cỏc s liu, kt qu nờu lun l trung thc v cha tng c cụng b bt k cụng trỡnh no khỏc Tp H Chớ Minh, ngy 24 thỏng 09 nm 2015 Tỏc gi Lun Vn Vừ Thanh u HVTH: Vừ Thanh u Trang ii Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh CM T Qua thi gian hc v nghiờn cu ti Trng i hc S phm K thut TP.HCM, cựng vi s nhit tỡnh hng dn, giỳp ca quý thy cụ, tụi ó hon thnh c lun tt nghip ny Trc ht, tụi xin chõn thnh cỏm n cha m ca tụi ó luụn ng viờn giỳp tụi sut thi gian hc Tụi chõn thnh cm n Ban Giỏm Hiu nh trng, Ban ch nhim Khoa in in t v Phũng qun lý sau i hc Trng i hc S phm K thut TP.HCM ó to iu kin thun li cho tụi hc tp, nghiờn cu nõng cao trỡnh v thc hin tt lun tt nghip thi gian qua Tụi xin by t lũng bit n sõu sc ti Thy Quyn Huy nh ó nhit tỡnh hng dn, giỳp tụi sut thi gian hc cng nh quỏ trỡnh thc hin lun tt nghip ny Ngoi ra, tụi cng xin c núi li cm n n cỏc anh, ch hc viờn lp cao hc 2013 2015A ó úng gúp ý kin v giỳp tụi hon thnh tt lun tt nghip ny Vic thc hin ti lun ny chc chn khụng trỏnh nhng thiu sút v kin thc chuyờn mụn Kớnh mong nhn c s quan tõm, xem xột v úng gúp ý kin quý bỏu ca quý thy, cụ v cỏc bn ti lun ny hon thin hn Tụi xin chõn thnh cm n! Tp H Chớ Minh, ngy 24 thỏng 09 nm 2015 Hc viờn thc hin Vừ Thanh u HVTH: Vừ Thanh u Trang iii Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh TểM TT Lun Xõy dng v ỏnh giỏ cỏc mụ hỡnh chng sột van trung ỏp i sõu vo nghiờn cu cỏc mụ hỡnh chng sột van dng metal- oxide trờn li trung th Chng sột van dng Metal-oxide c dựng bo v quỏ in ỏp sột hoc xung úng ct trờn li trung th Lun trung xõy dng c cỏc mụ hỡnh chng sột van trung th dng MOV a vo phn mm Matlab Cỏc thụng s ca mụ hỡnh chng sột van c cung cp Catalogue ca nh sn xut Th nghim cỏc mụ hỡnh da trờn cỏc thụng s k thut trờn Catalogue ca cỏc nh sn xut khỏc v vi cỏc cp in ỏp khỏc Kt qu ca mụ phng ỏnh giỏ chớnh xỏc ca cỏc mụ hỡnh chng sột van mụ phng so vi giỏ tr c cung cp catalogue ca nh sn xut Lun cng hy vng s cung cp mt cụng c mụ phng hu ớch vi phn mm thụng dng Matlab cho cỏc nh nghiờn cu, cỏc k s, sinh viờntrong vic nghiờn cu cỏc hnh vi v ỏp ng ca thit b chng sột van di tỏc ng ca xung sột lan truyn iu kin khụng th o th thc t HVTH: Vừ Thanh u Trang iv Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh ABSTRACT The thesis Develop and assessmentsurge arrester models of medium voltage lightning carried out a research into metal- oxide surge arrester modelsfor medium-voltage class Metal-oxide surge arrester are used as protective devies against lightning and switch overvoltage in medium and high voltage power systems Thesis focus is on developing Metal- oxide surge arrester modelsformat included in the software Matlab The parameters of the model for metal-oxide surge arrester are provided in the valve manufacturer's catalogue Testing models based on the specifications in the catalogue of the different manufacturers and with different voltageslevels The results of the simulations to assessment the accuracy of these models simulate lightning when it compared to the value provided in the manufacturer's catalogue The thesis also provide a useful simulation tool with the common Matlab software for researchers, engineers, students in studying of behaviors and responses of the valve lightning equipment under the action of lightning impulse spreaded in conditions test can not be real HVTH: Vừ Thanh u Trang v Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh DANH MC CC Kí HIU Ký hiu n v Mụ t MOV kA Chng sột van (Metal Oxide Varistor) R in tr L H t cm C F in dung D nm B dy ca bin tr Vb V in th ro Hng s in mụi ca cht bỏn dn N Ht/cm3 P W Cụng sut tiờu tỏn trung bỡnh Nhit gia tng trung bỡnh T C Mt ht dn H s tiờu tỏn cụng sut TOL % sai s chun Vr kV in ỏp nh mc ca chng sột van Vr8/20 kV in ỏp d cho dũng sột 10 kA vi bc súng 8/20 às L, R kV ln in th ro o kV in th phõn cc ti gc VN H s phi tuyn kV HVTH: Vừ Thanh u in ỏp bin tr Trang vi Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh q in tớch in t K H s ph thuc bin tr Vref kV in ỏp tham chiu d m Chiu cao ca chng sột van n HVTH: Vừ Thanh u S ct MOV song song chng sột van Trang vii Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh MC LC Lí LCH KHOA HC i LI CAM OAN .ii CM T iii TểM TT iv DANH MC CC Kí HIU vi MC LC viii DANH SCH CC HèNH xii DANH SCH CC BNG xviii CHNG M U I TNH CN THIT CA TI II NHIM V CA TI III GII HN CA TI IV CC BC TIN HNH V TNH MI CA TI .3 VI TNH THC TIN .4 VII NI DUNG CA TI VIII PHNG PHP NGHIấN CU CHNG 1: CC C TNH K THUT CA CHNG SẫT VAN 1.1 T VN 1.2 CC LOI CCH IN 1.3 KHI NIM V SẫT 1.4 THIT B CHNG SẫT VAN 10 1.5 U NHC IM CA CC LOI CHNG SẫT .12 1.5.1 Khe h phúng in 13 1.5.2 Chng sột ng .14 1.5.3 Chng sột SiC .14 1.5.3.1 Cu trỳc ca a van SiC .15 1.5.3.2 Cu trỳc ca khe h .15 HVTH: Vừ Thanh u Trang viii Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Hỡnh 5.16: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-3kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-3kA ta thy, in ỏp d i vi mụ hỡnh Matlab l 47,1kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh mụ hỡnh IEEE l 45,8kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh Pinceti l 41,5kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh P-K l 42,9kV Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 44,7kV, nh vy ta thy sai s mụ hỡnh IEEE l thp nht (2,461%), sai s mụ hỡnh Pinceti l ln nht (7,159%) HVTH: Vừ Thanh u Trang 106 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Hỡnh 5.17: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-5kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-5kA ta thy, in ỏp d i vi mụ hỡnh Matlab l 48,6kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh mụ hỡnh IEEE l 50,4kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh Pinceti l 44,9kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh P-K l 47,2kV Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 46,9kV, nh vy ta thy sai s mụ hỡnh P-K l thp nht (0,640%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (7,467%) HVTH: Vừ Thanh u Trang 107 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Hỡnh 5.18: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-10kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-10kA ta thy, in ỏp d i vi mụ hỡnh Matlab l 49,7kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh mụ hỡnh IEEE l 57,4kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh Pinceti l 51,5kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh P-K l 53,3kV Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 50,7kV, nh vy ta thy sai s mụ hỡnh Pinceti l thp nht (1,578%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (13,215%) HVTH: Vừ Thanh u Trang 108 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Hỡnh 5.19: in ỏp d ca chng sột van in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-20kA Nhn xột: T kt qu mụ phng chng sột van hóng Cooper in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s-10kA ta thy, in ỏp d i vi mụ hỡnh Matlab l 51,2kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh mụ hỡnh IEEE l 67,4kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh Pinceti l 60,5kV, in ỏp d i vi mụ hỡnh P-K l 60,4kV Trong giỏ tr in ỏp d cho bi Datasheet ca nh sn xut l 56,3kV, nh vy ta thy sai s mụ hỡnh P-K l thp nht (7,282%), sai s mụ hỡnh IEEE l ln nht (19,716%) Biu ỏnh giỏ sai s HVTH: Vừ Thanh u Trang 109 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Hỡnh 5.20: Biu sai s in ỏp d ca chng sột van hóng Cooper, in ỏp 15kV, ng vi dũng xung 8/20s Hỡnh 5.21: Biu sai s in ỏp d ca chng sột van hóng Cooper, in ỏp 18kV, ng vi dũng xung 8/20s Nhn xột : T kt qu mụ phng, in ỏp d ca chng sột van AZG2 ca hóng Cooper in ỏp 15kV cho thy in ỏp d ca cỏc mụ hỡnh ngh cho kt qu so vi s liu ca chng sột van thc t c cung cp catalogue khỏ chớnh xỏc i vi mụ hỡnh Matlab, sai s ln nht khong 9,41%; i vi mụ hỡnh IEEE, sai s ln nht khong 20,51%; i vi mụ hỡnh Pinceti, sai s ln nht khong 8,33%; i vi mụ hỡnh P-K, sai s ln nht khong 8,55% T ú nhn thy mụ hỡnh P-K l mụ hỡnh chớnh xỏc nht HVTH: Vừ Thanh u Trang 110 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Kt qu mụ phng in ỏp d ca chng sột van AZG2 ca hóng Cooper in ỏp 18kV cho thy cho thy in ỏp d ca cỏc mụ hỡnh ngh cho kt qu so vi s liu ca chng sột van thc t c cung cp catalogue khỏ chớnh xỏc i vi mụ hỡnh Matlab, sai s ln nht khong 9,06%; i vi mụ hỡnh IEEE, sai s ln nht khong 19,71%; i vi mụ hỡnh Pinceti, sai s ln nht khong 7,46%; i vi mụ hỡnh P-K, sai s ln nht khong 7,28% T ú nhn thy mụ hỡnh P-K l mụ hỡnh chớnh xỏc nht 5.2.3 NHN XẫT CHUNG: Khi tin hnh mụ phng mt mụ hỡnh c xem l tt c ỏnh giỏ da trờn : mc chi tit ca mụ hỡnh, din t c cỏc quỏ trỡnh vt lý ca nguyờn mu; cỏc thụng s ngừ vo cng ớt, cng d tỡm thy a s catalogue ca cỏc nh sn xut; kt qu mụ phng v in ỏp d, dng súng ngừ ra, tc tng u súng v uụi súng phự hp vi kt qu th nghim i vi mụ hỡnh Matlab: u im chớnh l mụ hỡnh n gin, mụ t bi in tr phi tuyn vi quan h dũng v ỏp theo c tớnh V-I Nhc im l u ngi s dng phi nhp li cỏc giỏ tr k, tng ng vi c tớnh V-I ca nú; nhng cỏc giỏ tr k, khụng c tỡm thy a s catalogue ca cỏc nh sn xut gõy khú khn cho vic s dng mụ hỡnh lm tng sai s tớnh toỏn i vi mụ hỡnh IEEE: u im chớnh l chi tit hn mụ hỡnh Matlab vi hai in tr phi tuyn A0, A1 c tỏch bi b lc R-L cựng vi cỏc thnh phn R, L, C; thi gian u súng v cui súng c th hin rừ giỳp a kt lun y hn Khi s dng mụ hỡnh cn nhp giỏ tr in ỏp ngng, s ct, chiu cao ct Nhc im l cỏc thụng s giỏ tr chiu cao ct, cỏch tớnh chiu cao ct rt khú xỏc nh vỡ mt s hóng sn xut khụng cung cp; ngoi ra, cỏc giỏ tr in tr phi tuyn A0, A1 c s dng chung cho cỏc MOV khỏc Chớnh vỡ thiu thụng tin u vo chớnh xỏc nờn kt qu mụ phng cú th cú sai s ln i vi mụ hỡnh Pinceti v mụ hỡnh P-K: õy l hai mụ hỡnh ci tin ca mụ hỡnh IEEE v mt s v cỏch xỏc nh thụng s; cỏc thụng s u vo cn HVTH: Vừ Thanh u Trang 111 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh nhp nh giỏ tr in ỏp nh mc, in ỏp d ca dũng xung 8/20s, in ỏp d ca xung u dc u rt d tỡm thy hu ht cỏc hóng sn xut Kt qu mụ phng ca hai loi chng sột van EVP v AGZ2 u cho thy cỏc mụ hỡnh xõy dng cho sai s khỏ thp: - Khi s dng mụ hỡnh Matlab, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass (1,01ữ9,85)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (1,61ữ9,40)%, cỏc giỏ tr sai s nh vy l khụng xỏc nh chớnh xỏc cỏc giỏ tr k, ca tng loi MOV m ch s dng cỏc giỏ tr k, mc nh c a phn mm Matlab Mun cho mụ hỡnh chớnh xỏc hn thỡ cn xỏc nh c cỏc giỏ tr k, cho tng loi MOV - Khi s dng mụ hỡnh IEEE, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass l (0,59ữ19,31)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (2,46ữ20,51)%, cỏc giỏ tr sai s nh vy l vic ly thụng s ca in tr phi tuyn A0, A1 c dựng cho nhiu loi MOV khỏc v chiu cao ct ca chng sột van c chn gn ỳng vỡ a s cỏc hóng sn xut khụng cung cp thụng tin ny Mun cho kt qu mụ phng c chớnh xỏc cn cú y thụng tin cỏc giỏ tr in tr phi tuyn A0, A1, chiu cao ct ca tng loi MOV - Khi s dng mụ hỡnh Pinceti v P-K, sai s cho chng sột van EVP ca hóng Ohio Brass l (0,82ữ7,94)% v sai s cho chng sột van AGZ2 ca hóng Cooper (0,640ữ8,55)% Hai mụ hỡnh cú sai s thp nh vy cỏc thụng s ngừ u vo c cung cp y bi tt c cỏc hóng sn xut HVTH: Vừ Thanh u Trang 112 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh CHNG KT LUN KT LUN I tiXõy dng v ỏnh giỏ cỏc mụ hỡnh chng sột van trung ỏpó c hon thnh v ó t c nhng yờu cu ra: - Cu to, nguyờn lý hot ng v phng phỏp la chn chng sột van trờn li trung th ó c nghiờn cu, trỡnh by khỏ y Ngoi ra, cỏc mụ hỡnh toỏn mụ t c tớnh lm vic ca chng sột van ca cỏc nh nghiờn cu trờn th gii ó c gii thiu v ỏnh giỏ tng i chi tit Cỏc kin thc ny phc v rt tt cho nhu cu tỡm hiu, nghiờn cu ca cỏc k s, cỏc hc viờn cao hc ngnh k thut in; - Xõy dng th vin cỏc mụ hỡnh chng sột van trung th dng MOV: mụ hỡnh IEEE, mụ hỡnh Pinceti, mụ hỡnh P-K phn mm Matlab v tin hnh mụ phng in ỏp d ng vi cỏc xung sột tiờu chun; - Trờn c s phõn tớch kt qu mụ phng ỏnh giỏ c u v nhc im ca tng loi mụ hỡnh; - Cỏc mụ hỡnh c xõy dng cú th c s dng cỏc bi toỏn phõn tớch quỏ in ỏp h thng in Tuy nhiờn ti ch xỏc nh c biờn nh in ỏp d tng i chớnh xỏc; cũn v dng súng ngừ ca cỏc mụ hỡnh ch mụ phng gn ging nh kt qu ca mt s bi bỏo, tc tng u súng v uụi súng so vi thc t cha ỏnh giỏ c I HNG PHT TRIN TNG LAI - Tip tc nghiờn cu hon thin mụ hỡnh IEEE, mụ hỡnh Matlab c bit khõu xỏc nh cỏc thụng s ca mụ hỡnh - Th nghim mụ phng vi cỏc xung sột tiờu chun 30/60s - HVTH: Vừ Thanh u Trang 113 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh TI LIU THAM KHO [1] Quyn Huy nh, Giỏo trỡnh anh ton in NXB i hc Quc gia TP.HCM, 2011 [2] Quyn Huy nh, Thit b chng sột lan truyn trờn ng cp ngun Tp Chớ Bu chớnh Vin Thụng [3] Nguyn Phựng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa hc v K thut, 2008 [4] IEEE Working group 3.4.11, Modeling of metal oxide surge arresters, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.7, No.1, Jan 1992, pp 302- 309 [5] Kaveri Bhuyan, Saibal Chatterjee, Simulations of lightning impulse residual voltage test of surge arresters in matlab-simulink,ICPDEN 2015 [6] Jonathan J Woodworth, Arrester Reference Voltage, ArresterFacts 027, June 2011 [7] Reinhard Gửhler, Volker Hinrichsen, Metal-Oxide Surge Arresters in HighVoltage Power Systems, Berlin and Darmstadt, September 2011 [8] Georgios D Peppas, Ioannis A Naxakis, Christos T Vitsas, Eleytheria C Pyrgioti, Surge Arresters Models For Fast Transients, 2012 International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria [9] Andrộ Meister, Rafael Amaral Shayani, Marco Aurộlio Gonỗalves de Oliveira, Comparison of metal oxide surge arrester models in overvoltage studies ,International Journal of Engineering, Science and TechnologyVol 3, No 11, 2011, pp 35-45 [10] Dino Lovri, Slavko Vujevi, Toni Modri, Comparison of Different Metal Oxide Surge Arrester Models, Ruera Bokovia 32, HR-21000, Croatia, Int J Emerg Sci., 1(4), 545-554, December 2011, ISSN: 2222-4254 [11] Mehdi Nafar, Ghahraman Solookinejad and Masoud Jabbari, Comparison of IEEE and Pinceti Models of Surge Arresters, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, IRAN, Research Journal of Engineering SciencesVol 3(5), May (2014), pp 32-34 [12] Milo GLASA, The MOV computer models for thermal electric analysis, Journal of Electrical Engineering, Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology Ilkoviova 3, Bratislava 812 19, Slovakia [13] K P Mardira and T K Saha, A simplified lightning model for metal oxide surge arrester, School of Information Technology and Electrical HVTH: Vừ Thanh u Trang 114 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Engineering The University of Queensland, St Lucia Campus QLD 4072 Australia [14] Christos A Christodoulou, Fani A Assimakopoulou, Ioannis F Gonos, Ioannis A Stathopulos, Simulation of Metal Oxide Surge Arresters Behavior, National Technical University of Athens School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory Iroon Polytechniou 9, GR 15773, Zografou Campus, Athens, Greece [15] F Fernaựndez, R Dớaz, Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulation International conference on power system transients, IPST01, 20-24 June 2001, pp 144 [16] Daniel W Durbak, Surge Arrester Modeling, Power Technologies, Schenectady, New York [17] Pramuk Unahalekhaka; Simplified Modeling of Metal Oxide Surge Arresters,Dept of Electrical Engineering, Faculty of Engineering and Architecture Rajamangala University of Technology Suvarnabhumi, 7/1 Nonthaburi Rd, Nonthaburi, 11000, Thailand, 11th Eco-Energy and Materials Science and Engineering (11th EMSES), pp 92 101 [18] K P Mardira, T K Saha, A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester, The University of Queensland, Australia [19] V Vita1 A.D Mitropoulou, L Ekonomou, S Panetsos, I.A Stathopulos, Comparison of metal-oxide surge arresters circuit models and implementation on high-voltage transmission lines of the Hellenic network, School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory, National Technical University of Athens,9 Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 157 80, Greece, IET Gener Transm.Distrib., 2010, Vol 4, Iss 7, pp 846853 [20] S Ehsan Razavi, A Babaei, Modification of IEEE Model for Metal Oxide Arresters Against Transient Impulses Using Genetic Algorithms, Department of Electrical, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran, Australian Journal of Basic and Applied Sciences, 5(10):, 2011 , ISSN 1991-8178, pp 577-583 [21] P.F Evangelides, C.A Christodoulou, I.F Gonos, I.A Stathopulos, Parameters selection for metal oxide surge arresters models using genetic algorithm, High Voltage Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 15780, Greece, 30th International Conference on Lightning Protection - ICLP 2010(Cagliari, Italy - September 13th -17th, 2010) HVTH: Vừ Thanh u Trang 115 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh [22] C.A Christodoulou, L Ekonomou , A.D Mitropoulou , V Vita, I.A Stathopulos, Surge arresters circuit models review and their application to a Hellenic 150 kV transmission line, A.S.PE.T.E.School of Pedagogical and Technological Education, Department of Electrical Engineering Educators, N Yeraklion, 141 21 Athens, Greece, Simulation Modelling Practice and Theory 18 (2010), pp.836849 HVTH: Vừ Thanh u Trang 116 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh PH LC PL 5.1: Thụng s k thut Chng sột van EVP ca Ohio Brass: HVTH: Vừ Thanh u Trang 117 Lun Vn Thc s HVTH: Vừ Thanh u GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh Trang 118 Lun Vn Thc s GVHD: PGS.TS Quyn Huy nh PL 5.2.Thụng s k thut Chng sột van AZG2 ca Cooper HVTH: Vừ Thanh u Trang 119 S K L 0 [...]... Chƣơng 1: Các đặc tính kỹ thuật của chống sét van Chƣơng 2: Cấu tạo và ngun lý làm việc của chống sét van MOV Chƣơng 3: Các mơ hình chống sét van Chƣơng 4: Xây dựng các mơ hình mơ phỏng chống sét van MOV bằng Matlab Chƣơng 5: Mơ phỏng so sánh các mơ hình chống sét van trung áp của các nhà sản xuất Chƣơng 6: Kết Luận VIII PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Đề tài sử dụng các phƣơng pháp sau: - Phƣơng pháp nghiên... mọi nhà chế tạo và với các cấp điện áp khác nhau Xuất phát từ những thực tế trên, đề tài: Xây dựng và đánh giá các mơ hình chống sét van trung áp đi sâu vào nghiên cứu mơ hình thiết bị chống sét van cấp trung thế dạng MOV, lập mơ hình và mơ phỏng với phần mềm rất thơng dụng là Matlab với mong muốn có thể xây dựng đƣợc mơ hình thiết bị chống sét van của hầu hết các nhà chế tạo chỉ với các thơng số đƣợc... .55 4.5.2 Xây dựng các mơ hinh chống sét van trung áp 57 4.5.2.1 Xây dựng mơ hình MOV theo IEEE: 57 4.5.2.2 Xây dựng mơ hình MOV theo Pinceti: 69 4.5.2.3 Xây dựng mơ hình MOV theo P-K: 78 CHƢƠNG 5: MƠ PHỎNG SO SÁNH CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP BẰNG MATLAB 88 5.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 88 5.2 MƠ PHỎNG ÁP ỨNG CỦA CÁC CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP EVP VÀ AZG2 ... phỏng các đặc tính động của chống sét van, để xác định các thơng số chống sét van , một thuật tốn mới đã đƣợc đề xuất và so sánh giữa các mơ hình IEEE và mơ hình Pinceti, mơ hình P-K NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI II - Nghiên cứu phối hợp cách điện, so sánh ƣu nhƣợc điểm của một số loại chống sét van - Nghiên cứu cấu tạo và tính năng kỹ thuật của thiết bị chống sét van MOV - Nghiên cứu các mơ hình chống sét van. .. nghiên cứu và một số nhà sản xuất thiết bị chống sét lan truyền trên đƣờng dây trung thế đã đi sâu nghiên cứu và đề ra mơ hình thiết bị chống sét lan truyền với mức độ chi tiết và quan điểm xây dựng mơ hình khác nhau Tuy nhiên, tùy thuộc vào phạm vi ứng dụng của mỗi mơ hình, và các u cầu về mức độ tƣơng đồng giữa mơ hình và ngun mẫu mà các phƣơng pháp xây dựng mơ hình và mơ phỏng các phần tử chống sét lan... 3kA 91 Hình 5.3: Điện áp dƣ của chống sét van EVP với điện áp 15kV, ứng với dòng xung 8/20s- 5kA 92 Hình 5.4: Điện áp dƣ của chống sét van EVP với điện áp 15kV, ứng với dòng xung 8/20s- 10kA 92 Hình 5.5: Điện áp dƣ của chống sét van EVP với điện áp 15kV, ứng với dòng xung 8/20s- 20kA 93 Hình 5.6: Điện áp dƣ của chống sét van EVP với điện áp 18kV, ứng với... 99 Hình 5.14: Điện áp dƣ của chống sét van AZG2 với điện áp 15kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA 99 Hình 5.15: Điện áp dƣ của chống sét van AZG2 với điện áp 15kV, ứng với dòng xung 8/20s -20kA 100 Hình 5.16: Điện áp dƣ của chống sét van AZG2 với điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s -3kA 100 Hình 5.17: Điện áp dƣ của chống sét van AZG2 với điện áp 18kV, ứng... Initialization 82 Hình 4.59: Tạo biểu tƣợng cho mơ hình trong thanh Icon 83 Hình 4.60: Biểu tƣợng chống sét van MOV 83 Hình 4.61: Hộp thoại của Distribution Arrester-MOV 87 Hình 4.62: Sơ đồ mơ phỏng áp ứng của MOV theo mơ hình P-K 88 Hình 5.1: Sơ đồ mơ hình mạch thử nghiệm điện áp dƣ của chống sét van trung áp 89 Hình 5.2: Điện áp dƣ của chống sét van EVP với điện áp 15kV, ứng... vệ chống sóng truyền vào trạm biến áp, trong hệ thống điện chúng ta dùng rất nhiều chống sét van, do thiết bị chống sét là thiết bị phi tuyến, cho nên việc đánh giá các áp ứng ngõ ra ứng với các dạng xung sóng sét lan truyền từ đƣờng dây vào trạm theo phƣơng pháp truyền thống gặp nhiều khó khăn Phƣơng pháp hiệu quả để thực hiện việc đánh giá một cách trực quan là mơ hình hóa và tiến hành mơ phỏng áp. .. Huy Ánh Hình 4.4: Mạch mơ phỏng phóng điện chống sét van của Matlab, dạng sóng 8/20µs – dòng 10kA 43 Hình 4.5: Sét đánh trực kiếp vào kim thu sét trên đỉnh cơng trình 44 Hình 4.6: Sét đánh trực tiếp vào đƣờng dây trên khơng lân cận cơng trình 44 Hình 4.7: Dạng sóng 10/350 µs 44 Hình 4.8: Sét đánh vào đƣờng dây trên khơng ở vị trí cách xa cơng trình 45 Hình 4.9: Sét đánh gián tiếp