nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ ĐẶNG THỊ HÀ THANH NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT CHO THIẾT BỊ ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NhÀ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 S K C0 4 Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ ĐẶNG THỊ HÀ THANH NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT CHO THIẾT BỊ ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NHÀ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ ĐẶNG THỊ HÀ THANH NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT CHO THIẾT BỊ ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NHÀ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 Hướng dẫn khoa học: PGS TS QUYỀN HUY ÁNH Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 Lý lịch khoa học GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh LÝ LỊCH KHOA HỌC (Dùng cho nghiên cứu sinh & học viên cao học) I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: Đặng Thị Hà Thanh Giới tính: Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 22/12/1988 Nơi sinh: Bình Dương Quê quán: Ba Vì, Hà Nội Dân tộc: Kinh Chức vụ, đơn vị công tác trước học tập, nghiên cứu: Giáo viên khoa Điện – Điện Tử , trường Trung Cấp Nghề Việt – Hàn Bình Dương Chỗ riêng địa liên lạc: 466/68 – Tổ 10 – Khu – Phường Phú Hòa – TP.Thủ Dầu Một – Bình Dương Điện thoại quan: 37313631 Điện thoại nhà riêng: 06503840513 Fax: 38978501 E-mail: hathanhspkt88@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 09/2006 đến 04/ 2011 Nơi học (trường, thành phố): Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Ngành học: Điện Công Nghiệp Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp: Giới thiệu phần mềm PSS/ADEPT 5.0 thiết kế hệ thống điện Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: 01/2011 – Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Người hướng dẫn: Th.s: Nguyễn Bá Thành Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 09/2012 đến 05/ 2014 Nơi học (trường, thành phố): Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Ngành học: Kỹ thuật điện Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp: Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện điện tử bên tòa nhà HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang i Lý lịch khoa học GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: 19/10/2014 – Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Người hướng dẫn: PGS.TS: Quyền Huy Ánh Trình độ ngoại ngữ (biết ngoại ngữ gì, mức độ): B Học vị, học hàm, chức vụ kỹ thuật đƣợc thức cấp; số bằng, ngày & nơi cấp: Kỹ sư – Điện Công Nghiệp, Số bằng: 00368295 Ngày cấp: 25/04/2011 Nơi cấp: Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM III QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Nơi công tác Thời gian 09/2011 – 01/2014 01/2014 đến Trường Trung cấp Nghề Thủ Dầu Một Trường Trung cấp Nghề Việt Hàn Bình Dương Công việc đảm nhiệm Giáo viên khoa Điện – Điện Tử Giáo viên khoa Điện – Điện Tử IV CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ: XÁC NHẬN CỦA CƠ QUAN CỬ ĐI HỌC Ngày tháng 11 năm 2014 HOẶC ĐỊA PHƢƠNG Ngƣời khai ký tên (Ký tên, đóng dấu) HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang ii GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh CÔNG TRÌNH ĐƯỢC HOÀN THÀNH TẠI TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT TP HCM Cán hướng dẫn khoa học : PGS.TS: Quyền Huy Ánh (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Luận văn thạc sĩ bảo vệ Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP HCM ngày 22 tháng 10 năm 2014 Thành phần Hội đồng đánh giá luận văn thạc sĩ gồm: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị Hội đồng chấm bảo vệ luận văn thạc sĩ) TS Lê Chí Kiên Chủ tịch hội đồng – Phản biện TS Võ Viết Cường Thư ký hội đồng TS Nguyễn Thị Lưỡng Ủy viên – Phản biện TS Hồ Văn Hiến Ủy viên TS Nguyễn Vũ Quỳnh Ủy viên Xác nhận Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận văn sau luận văn sửa chữa (nếu có): Chủ tịch hội đồng đánh giá LV HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang iii Nhiệm vụ luận văn GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh TRƯỜNG ĐH SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM PHÒNG QLKH – ĐTSĐH Độc lập - Tự - Hạnh phúc TP HCM, ngày 15 tháng 10 năm 2014 NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: Đặng Thị Hà Thanh Giới tính: Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 22/12/1988 Nơi sinh: Bình Dương Chuyên ngành: Kỹ thuật điện MSHV: 128520202051 I-TÊN ĐỀ TÀI: Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện điện tử bên tòa nhà II- NHIỆM VỤ VÀ NỘI DUNG:  Nghiên cứu hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ  Nghiên cứu hệ thống tiếp đất bao bọc  Nghiên cứu biện pháp che chắn từ cách thức dây  Nghiên cứu đánh giá điện từ trường LPZ  Nghiên cứu kiểu phối hợp SPD bảo vệ xung độ  Xây dựng mô hình MOV Matlab  Xây dựng mô hình SG Matlab  Xây dựng mô hình SPD  Xây dựng phương pháp phối hợp SPD bảo vệ chống sét hệ thống tòa nhà  Đánh giá hiệu bảo vệ kiểu phối hợp SPD III- NGÀY GIAO NHIỆM VỤ: 15/01/2013 IV- NGÀY HOÀN THÀNH NHIỆM VỤ: 15/08/2014 V- CÁN BỘ HƯỚNG DẪN: (Ghi rõ học hàm, học vị, họ, tên) PGS.TS: Quyền Huy Ánh CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH (Họ tên chữ ký) (Họ tên chữ ký) HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang iv Lời cam đoan GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan công trình nghiên cứu riêng Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố công trình khác Tôi xin cam đoan giúp đỡ cho việc thực luận văn cảm ơn thông tin trích dẫn luận văn rõ nguồn gốc Học viên thực luận văn Đặng Thị Hà Thanh HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang v Lời cám ơn GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh LỜI CÁM ƠN Để hoàn thành luận văn này, xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc PGS.TS Quyền Huy Ánh, người thầy hết lòng, tận tâm, nhiệt tình hướng dẫn cung cấp cho tài liệu vô quý giá trình thực luận văn Xin chân thành cảm ơn tập thể thầy cô giáo giảng dạy, truyền đạt tri thức giúp học tập nghiên cứu trình học cao học trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Xin chân thành cảm ơn Ban giám hiệu, Phòng Quản lý - Đào tạo sau đại học khoa Điện – Điện tử Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho trình học tập làm luận văn cao học trường Xin chân thành cảm ơn anh, chị học viên cao học ngành “kỹ thuật điện” khóa 2012B đóng góp ý kiến cho trình thực luận văn TP.Hồ Chí Minh, tháng 10 năm 2014 NGƯỜI THỰC HIỆN Đặng Thị Hà Thanh HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang vi Mục lục GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh MỤC LỤC Lý lịch khoa học i Nhiệm vụ luận văn thạc sĩ iv Lời cam đoan v Lời cám ơn .vi Mục lục vii Danh mục hình ảnh ix Danh mục bảng biểu xv CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Đặt vấn đề 1.2 Các nghiên cứu nước 1.3 Mục tiêu nghiên cứu 1.4 Nhiệm vụ nghiên cứu giới hạn đề tài 1.5 Phương pháp nghiên cứu 1.6 Điểm luận văn 1.7 Giá trị thực tiễn luận văn CHƢƠNG 2: THIẾT KẾ LẮP ĐẶT CÁC HỆ THỐNG BẢO VỆ CHỐNG XUNG SÉT ĐIỆN TỪ (LPMS) 2.1 Giới thiệu tiêu chuẩn IEC 62.305 2.2 Hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ 2.2.1 Các phương án bảo vệ chống xung sét điện từ (LPMS) 2.2.2 Vùng bảo vệ chống sét (LPZ) 2.2.3 Tính toán điện từ trường LPZ 13 2.3 Nối đất bao bọc 17 2.3.1 Hệ thống nối đất 18 2.3.2 Hệ thống bao bọc 18 2.3.3 Sự kết hợp hệ thống nối đất hệ thống bao bọc 20 2.3.4 Bao bọc ranh giới LPZ 22 HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang vii Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Thực mô cho việc phối hợp SPD có đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục sử dụng nguồn dòng 8/20µs có biên độ 3kA cho kết đáp ứng SPD Hình 4.17 Hình 4.17: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 3kA Hình 4.17-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 3kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 73 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Hình 4.17-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 3kA Hình 4.17-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 3kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 74 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Thực mô cho việc phối hợp SPD có đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục sử dụng nguồn dòng 8/20µs có biên độ 20kA cho kết đáp ứng SPD Hình 4.18 Hình 4.18: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 20kA Hình 4.18-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 20kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 75 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Hình 4.18-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 20kA Hình 4.18-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 20kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 76 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Thực mô cho việc phối hợp SPD có đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục sử dụng nguồn dòng 8/20µs có biên độ 70kA cho kết đáp ứng SPD Hình 4.19 Hình 4.19: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 70kA Hình 4.19-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 70kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 77 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Hình 4.19-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 70kA Hình 4.19-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp SPD với xung dòng có biên độ 70kA HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 78 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Bảng 4.6: Kết so sánh mô phối hợp SPD theo phƣơng pháp phối hợp biến đổi Các kiểu phối hợp Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs (V crest) kA 20kA 70 Ka Phối hợp SPD 167.5 508.7 519.2 Phối hợp SPD 196.9 545 690.3 Phối hợp SPD 557.3 3715 13000 Bảng 4.7: Kết so sánh mô phối hợp SPD biến đổi 1, biến đổi biến đổi Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs Phương pháp biến đổi Biến đổi Biến đổi Biến đổi 3 kA 721.5 791.7 167.5 20 kA 707.3 952.6 508.7 70 kA 658.2 1125 519.2 (V crest) Nhận xét - Việc sử dụng SG tầng đầu tiên, giúp giảm điện áp dư nhiều so với hai phương pháp nêu (mặc dù có số tầng bảo vệ) - Đối với biến đổi cần sử dụng phương pháp phối hợp SG + MOV cho khu vực đô thị vùng nông thôn (Cấp D Cấp C) Phối hợp 3SPD sử dụng nơi có mức độ lộ thiên cao (vùng cao nguyên, đồi núi) có khả sét đánh trực tiếp vào dây dẫn cao Kết luận: Ba phương pháp phối hợp biến đổi SPD cần thiết để bảo vệ thiết bị tòa nhà mô chứng minh Việc chọn phương pháp phối hợp lắp đặt hay nhiều SPD tùy vào địa điểm, vị trí, yêu cầu kỹ thuật mức độ quan trọng công trình HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 79 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh 4.4 Ảnh hƣởng điện cảm dây nối đến điện áp dƣ Khi SPD kết nối với thiết bị bảo vệ theo mối nối T sinh điện áp dư đường dây Điện áp dư ∆U dây dẫn kết nối cộng với điện áp dư Up SPD bảo vệ cho Up/f, định nghĩa điện áp dư đầu SPD I: Dòng sét; Up/f = Up + ∆U: Điện áp đầu SPD; Up: Mức điện áp dư SPD bảo vệ; ∆U = ∆UL1 + ∆UL2: Điện áp dư điện kháng liên kết dây dẫn; H, dH / dt: Từ trường đạo hàm theo thời gian Hình 4.20: Xung điện áp dây dẫn liên kết Điện áp đầu Up/f cao so với mức điện áp dư Up SPD bảo vệ Do đó, thiết kế kiểu phối hợp SPD bảo vệ cần xét thêm yếu tố điện kháng đường dây Với dây dẫn thông dụng, cảm kháng dây dẫn xác định theo biểu thức: Trong đó: L: Điện kháng dây dẫn (H); l: Chiều dài dây dẫn (m); d: Đường kính dây dẫn (m) HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 80 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Để đánh giá ảnh hưởng điện kháng dây dẫn lên điện áp dư ngõ SPD, tiến hành mô hai trường hợp: có kể đến ảnh hưởng cảm kháng dây dẫn lên điện áp dư ngõ SPD a Trƣờng hợp 1: (giả sử cảm kháng đường dây không đáng kể bỏ qua) Mô hình mô công trình tòa nhà sử dụng 1SPD bảo vệ với giả thiết cảm kháng dây dẫn kết nối với SPD thiết bị nối đất không đáng kể Hình 4.21: Mô hình mô phối hợp 1SPD bỏ qua cảm kháng đƣờng dây Từ mô hình thu kết mô Hình 4.22: Hình 4.22: Mô bỏ qua điện kháng đƣờng dây Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs (V crest) 877.1 V b Trƣờng hợp 2: (xét đến cảm kháng đường dây) Chọn dây dẫn kết nối vào SPD thiết bị nối đất có chiều dài 0,3m, đường kính 3mm đoạn dây dẫn có điện cảm 315 nH Từ đó, nhập thông số vào mô hình mô Hình 4.23: HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 81 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Hình 4.23: Mô hình mô phối hợp 1SPD xét đến điện kháng đƣờng dây Từ mô hình thu kết mô Hình 4.24: Hình 4.24: Mô xét điện kháng đƣờng dây Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs (V crest) 1280 V So sánh trường hợp bỏ qua điện kháng/ tính điện kháng dây nối, điện áp dư ngõ SPD trình bày Bảng 4.4 Bảng 4.8: Kết so sánh trƣờng hợp bỏ qua điện kháng tính điện kháng dây nối Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs (V crest) Bỏ qua điện kháng dây dẫn 877.1 Xét đến điện kháng dây dẫn 1280 HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 82 Chương 3: Xây dựng mô hình MOV SG Matlab GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh Nhận xét: Điện kháng dây dẫn kết nối với SPD thiết bị nối đất ảnh hưởng lớn đến khả bảo vệ hệ thống điện Khi xét đoạn dây ngắn khoảng 0,3m làm điện áp dư hệ thống tăng lên từ 877.1(V) đến 1280(V) Vì để giảm thiểu ảnh hưởng điện kháng dây dẫn kết nối với SPD, nhà thiết kế khuyết khích nên dùng mối nối V thay cho mối nối T Hình 2.25 – a: Mối nối T Hình 2.25 – b: Mối nối V Hình 2.25: Mối nối T V HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 83 Chương 5: Kết luận hướng nghiên cứu phát triển GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh CHƢƠNG 5: KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN 5.1 Kết Luận Từ nội dung nghiên cứu luận văn tập trung vào vấn đề sau: - Hướng dẫn thiết kế lắp đặt hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ theo tiêu chuẩn IEC62.305 - Xây dựng mô hình MOV Matlab Qua so sánh kết mô số liệu cung cấp nhà sản xuất, nhận thấy mô hình MOV hạ đề nghị đạt mức xác cao (sai số điện áp dư khoảng mô hình MOV so với liệu cho nhà sản xuất có giá trị thấp 0,17% cao 4.5%) Bên cạnh đó, thông số cần nhập vào mô hình lại đơn giản, hoàn toàn cung cấp nhà sản xuất -Xây dựng mô hình SG Matlab với sai số điện áp dư so với liệu cho nhà sản xuất có giá trị 4.5% - Xây dựng đánh giá hiệu bảo vệ kiểu phối hợp SPD bảo vệ chống sét cho thiết bị điện – điện tử bên tòa nhà Trong thực tế, việc chọn kiểu phối hợp lắp đặt hay nhiều SPD tùy vào địa điểm, vị trí, mức độ lộ thiên, yêu cầu kỹ thuật mức độ quan trọng công trình - Đánh giá ảnh hưởng điện kháng dây dẫn kết nối với SPD với hệ thống nối đất đến điện áp dư đặt lên thiết bị Vì vậy, để giảm thiểu ảnh hưởng điện kháng dây dẫn kết nối với SPD làm tăng điện áp dư, nhà thiết kế khuyến cáo nên dùng kiểu mối nối V thay cho mối nối T 5.2 Hƣớng nghiên cứu phát triển Trong thời gian tới, hướng nghiên cứu phát triển đề tài sau: Nghiên cứu đáp ứng mô hình SPD với xung sét lan truyền sét đánh trực tiếp vào đường dây thường dạng sóng 10/350µs Thực nghiên cứu phối hợp SPD có xét đến lọc LC để tăng hiệu bảo vệ HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 84 Tài liệu tham khảo GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] IEC 62305-4, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4: Electrical and electronic systems within structures [2] Phân tích công nghệ MOV SAD bảo vệ chống sét lan truyền, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 5/1998 [3] Bảo vệ chống sét lan truyền đường cấp nguồn tín hiệu, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Phát triển Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh, 4+5/1999 [4] Thiết bị chống sét lan truyền đường cấp nguồn theo công nghệ TDS, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 5/1999 [5] Khe hở phóng điện tự kích TSG, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 11/2001 [6] Mô hình thiết bị chống sét lan truyền đường nguồn hạ áp, Quyền Huy Ánh tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, trường ĐH Kỹ Thuật, 42+43/2003 [7] Nghiên cứu mô hình chống sét van dạng oxít kim loại, Quyền Huy Ánh tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 9/2005 [8] Mô bảo vệ áp sét lan truyền đường điện thoại, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Viễn thông, Tổng cục Bưu Điện, 1/2006 [9] Nghiên cứu hiệu bảo vệ máy biến áp thiết bị chống sét van có xét đến yếu tố ảnh hưởng, Quyền Huy Ánh tác giả khác, Tạp chí Phát Triển Khoa Học & Công Nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 8/2009 [10] Các mô hình máy phát xung sét cải tiến, Quyền Huy Ánh tác giả khác, Tạp chí Giáo dục Kỹ thuật, ISSN 1859-1272, ĐHSPKT Tp HCM, 14/2010 [11] Giải pháp chống sét tổng thể trạm viễn thông, Quyền Huy Ánh tác giả khác, Tạp chí Công nghệ thông tin & truyền thông 9/2013 HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 85 Tài liệu tham khảo GVHD:PGS TS Quyền Huy Ánh [12] Thiết bị chống sét lan truyền đường cấp nguồn – Tạp Chí Bưu Viễn Thông - Quyền Huy Ánh [13].TS Hoàng Việt , “ Kỹ thuật điện cao áp” phần 2, TP.HCM 2001 [14].Matlab & Simulink – Nguyễn Phùng Quang – NXBKHKT Hà Nội 2008 [15].Andrzej Sowa, jaroslaw Wiater, “Overvoltage in low-voltage power distribution systems caused by direct lightning strokes to medium voltage lines”, Bialystok Technical University [16].Application Guide - TRANQUELL Station Surge Arrester, GET-6460 [17].Bassi W., janiszewski J.M., “Eveluation of Currents and Charges in lowvoltage Surge Arresters Due to nightning Strikes” IEEE trans On Power Delivery, vol.18, No1, 2003 [18].Birgitte Bak-Jensen, “Modelling of ZnO-varistors with frequency th independent circuit element model”, 25 International Conference on Lightning Protection, ICLP 2000, pp 742-747 [19].David R Clarke, “Varistor Ceramics”, University of California, USA [20].Daniel W Durbak, “Surge Arrester Modeling”, Power Technologies, Schenectady, New York [21].Elpro International Ltd, “ELPRO Surge Arrester” [22] F Heidler, J.M.Cvetic, B.V.Stanic, ”Calculation of Lightning Current Parameters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.14,No.2, April 1999, pp 399 - 404 [23] F Fernandez, R Diaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulations”, National University of Tucuman, Argentina [24] Hubbell Power System, “How does a metal Oxide Distribution Arrester work?” [25].Hubbell Power System,“Zinc-OxideArrester Designand Characteristics” [26] Catalogue hướng dẫn sử dụng chống sét van hãng: GE, ABB, COOPER, SIEMENS, ELPRO, OHIO-BRASS HVTH: Đặng Thị Hà Thanh Trang 86 S K L 0