Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ HÀ NỘI, 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG Chuyên ngành : Vật lí lí thuyết vật lí toán Mã số: 62440103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS TS TRẦN CÔNG PHONG GS TS NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI, 2015 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan công trình nghiên cứu riêng Các kết nghiên cứu nêu luận án trung thực chưa công bố công trình khác Tác giả luận án Bùi Đình Hợi i LỜI CẢM ƠN Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc đến GS.TS Trần Công Phong GS.TS Nguyễn Quang Báu - người thầy tận tình hướng dẫn, đóng góp ý kiến quý báu cho tác giả suốt trình thực luận án Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu, Khoa Vật lý phòng Sau đại học Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội, tạo điều kiện tốt cho tác giả hoàn thành luận án Tác giả bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới thầy, cô bạn đồng nghiệp thuộc Bộ môn Vật lý lý thuyết, khoa Vật lý Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đóng góp ý kiến quý báu cho luận án Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu phòng, khoa chức Trường Đại học Xây dựng tạo điều kiện thuận lợi thời gian hỗ trợ kinh phí cho tác giả thời gian nghiên cứu hoàn thành luận án Cuối cùng, tác giả xin cám ơn giúp đỡ tận tình anh chị đồng nghiệp môn Vật lý, Trường Đại học Xây dựng, bạn bè người thân gia đình động viên cho tác giả hoàn thành luận án Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến người Tác giả luận án ii MỤC LỤC Mục lục Bảng đối chiếu thuật ngữ Anh - Việt chữ viết tắt Danh mục số ký hiệu thường dùng Bảng giá trị thông số bán dẫn GaAs GaN Danh mục hình vẽ, đồ thị MỞ ĐẦU 15 Chương TỔNG QUAN VỀ HỆ HAI CHIỀU VÀ LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG BÁN DẪN KHỐI 20 1.1 Tổng quan hố lượng tử siêu mạng 20 1.1.1 Phổ lượng hàm sóng electron hố lượng tử đặt từ trường điện trường vuông góc với 22 1.1.2 Phổ lượng hàm sóng electron siêu mạng bán dẫn đặt từ trường điện trường vuông góc với 25 1.2 Phương pháp phương trình động lượng tử lý thuyết lượng tử hiệu ứng Hall bán dẫn khối 28 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ PARABOL DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 36 2.1 Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự electron 36 2.1.1 Tương tác electron - phonon quang 38 2.1.2 Tương tác electron - phonon âm 41 2.1.3 Kết tính số thảo luận 42 2.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 52 2.2.1 Tương tác electron - phonon quang 54 2.2.2 Tương tác electron - phonon âm 55 2.2.3 Kết tính số thảo luận 57 2.3 Kết luận chương 61 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VUÔNG GÓC VỚI THẾ CAO VÔ HẠN DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 63 3.1 Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự electron 63 3.1.1 Tương tác electron - phonon quang 65 3.1.2 Tương tác electron - phonon âm 67 3.1.3 Kết tính số thảo luận 68 3.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 76 3.2.1 Tương tác electron - phonon quang 78 3.2.2 Tương tác electron - phonon âm 79 3.2.3 Kết tính số thảo luận 80 3.3 Kết luận chương 83 Chương HIỆU ỨNG HALL TRONG SIÊU MẠNG BÁN DẪN PHA TẠP DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH 85 4.1 Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự electron 85 4.1.1 Tương tác electron - phonon quang 87 4.1.2 Tương tác electron - phonon âm 89 4.1.3 Kết tính số thảo luận 90 4.2 Trường hợp từ trường nằm mặt phẳng tự electron 98 4.2.1 Tương tác electron - phonon quang 100 4.2.2 Tương tác electron - phonon âm 101 4.2.3 Kết tính số thảo luận 102 4.3 Kết luận chương 105 KẾT LUẬN 107 CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN 109 TÀI LIỆU THAM KHẢO 111 PHỤ LỤC 122 BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Tiếng Anh Tiếng Việt Viết tắt Zero dimension Không chiều 0D One dimension Một chiều 1D Two dimensions Hai chiều 2D Three dimensions Ba chiều 3D Semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn Compositional semiconductor Siêu mạng bán dẫn hợp phần superlattice CSSL Doped semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn pha tạp DSSL Parabolic quantum well Hố lượng tử parabol PQW Quantum well Hố lượng tử QW Square quantum well Hố lượng tử vuông góc SQW Optical phonon Phonon quang Acoustic phonon Phonon âm Vacuum permittivity Độ cảm chân không Acoustic deformation potential Thế biến dạng âm Electron form factor Thừa số dạng electron Magnetoconductivity Độ dẫn từ Magnetoresistance Từ trở Hall conductivity Độ dẫn Hall Hall resistance Điện trở Hall Hall coefficient Hệ số Hall DANH MỤC MỘT SỐ KÝ HIỆU THƯỜNG DÙNG Đại lượng Bán kính cyclotron Ký hiệu B Độ rộng SQW Lz Chu kỳ siêu mạng d Tần số giam giữ đặc trưng PQW ωz Tần số plasma đặc trưng cho DSSL ωp Tần số sóng điện từ ω Tần số phonon quang không tán sắc ω0 Tần số cyclotron ωc Chỉ số mức Landau N Chỉ số mini vùng n Từ trường B Điện trường không đổi E1 Biên độ sóng điện từ E0 Điện tích electron e Hằng số Boltzmann kB Hằng số Planck rút gọn = h/(2π) Độ thẩm điện môi cao tần/tĩnh χ∞ /χ0 Hằng số điện (độ cảm chân không) Khối lượng hiệu dụng/trạng thái tự electron κ me /m0 Vận tốc sóng âm vs Mật độ khối lượng vật liệu ρ Mật độ electron n0 Thế biến dạng âm Ed Năng lượng Fermi εF Năng lượng photon ω Năng lượng phonon ωq Độ dẫn từ σxx , σzz Độ dẫn Hall σyx , σzx Từ trở ρxx , ρzz RH Hệ số Hall Bảng giá trị thông số bán dẫn GaAs GaN Thông số Ký hiệu GaAs (GaN) Độ thẩm điện môi cao tần χ∞ 10.9 (5.47) Độ thẩm điện môi tĩnh χ0 13.1 (10.4) Hằng số biến dạng Ed 13.5 (9.2) eV Khối lượng electron tự m0 9.1 × 10−31 kg Khối lượng hiệu dụng electron me 0.067m0 (0.206m0 ) Mật độ tinh thể ρ 5320 (6150) kg.m−3 Năng lượng Fermi εF 0.05 (0.187) eV (không tán sắc) ω0 36.25 (90.57) meV Vận tốc sóng âm vs 5370 (6560) m.s−1 Năng lượng phonon quang Tài liệu tham khảo Tiếng Việt: [1] Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội [2] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Tiếng Anh: [3] Balkan N., Celik H., Vickers A J., and Cankurtaran M (1995), “Warm-electron power loss in GaAs/Ga1−x Alx As multiple quantum wells: Well-width dependence”, Phys Rev B 52, pp 17210–17222 [4] Barnes D J et al (1991), “Observation of optically detected magnetophonon resonance”, Phys Rev Lett 66, pp 794–797 [5] N Q Bau, D M Hung, N B Ngoc (2009), “The nonlinear absorption coeffcient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J Korean Phys Soc 54(2), pp 765–773 [6] N Q Bau, H D Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J Korean Phys Soc 56(1) pp 120–127 111 [7] N Q Bau , L T Hung, and N D Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, Journal of Electromagnetic Waves and Applications 24, pp 1751–1761 [8] N Q Bau, D M Hung, and L T Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In Electromagnetics Research Letters 15, pp 175–185 [9] N Q Bau and D M Hung (2010), “Calculation of the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In Electromagnetics Research B 25, pp 39–52 [10] N Q Bau, N V Hieu, and N V Nhan (2012), “The quantum acoustomagnetoelectric field in a quantum well with a parabolic potential”, Superlatt Microstruct 52(5), pp 921–930 [11] Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan (2012), “Calculations of acoustoelectric current in a quantum well by using a quantum kinetic equation”, J Korean Phys Soc 61(12), pp 2026–2031 [12] N Q Bau, N V Hieu (2013), “The quantum acoustoelectric current in a doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, Superlatt Microstruct 63, pp 121–130 [13] N Q Bau, N T T Nhan, and N V Nhan (2014) “Negative absorption coefficient of a weak electromagnetic wave caused by electrons confined in rectangular quantum wires in the presence of laser radiation”, J Korean Phys Soc 64(4), pp 574–578 [14] Cavill S A., Challis L J., Kent A J., Ouali F F., Akimov A V., and Henini M (2002), “Acoustic phonon-assisted tunneling in GaAs/AlAs superlattices”, Phys Rev B 66, pp 235320 (11 pages) 112 [15] Charbonneau M., Van Vliet K M., and Vasilopoulos P (1982), “Linear response theory revisited III: One-body response formulas and generalized Boltzmann equations”, J Math Phys 23, pp 318–336 [16] Chaubey M P and Van Vliet C M (1986), “Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering”, Phys Rev B 33, pp 5617–5622 [17] Chen X (1997), “Local-field study of optical intersubband saturation in a parabolic quantum well under crossed magnetic and electric fields”, J Phys.: Condens Matter 9, pp 8249–8256 [18] Cho Y J., and Choi S D (1993), “Theory of cyclotron-resonance line shapes based on the isolation-projection technique”, Phys Rev B 47, pp 9273–9278 [19] Cho Y J., and Choi S D (1994), “Calculation of quantum-limit cyclotron-resonance linewidths in Ge and Si by the isolation-projection technique”, Phys Rev B 49, pp 14301–14306 [20] Choi S D., Lee S C., Lee H J., Ahn H S., Kim S W and Ryu J Y (2002), “Optically detected magnetophonon resonances in semiconductor based n-Ge and n-GaAs”, Phys Rev B 66, pp 155208–155219 [21] Dhar S and Ghosh S (1999), “Low field electron mobility in GaN”, J Appl Phys 86(5), pp 2668–2676 [22] Dietel J., Glazman L I , Hekking F W J., and Von Oppen F (2005), “Microwave photoconductivity of two-dimensional electron systems with unidirectional periodic modulation”, Phys Rev B 71, pp 045329 (15 pages) [23] Dmitriev I A et al (2005), “Theory of microwave-induced oscillations in the magnetoconductivity of a two-dimensional electron gas”, Phys Rev B 71, pp 115316 (11 pages) 113 [24] Duque C A., Oliveira L E., and De Dios-Leyva M (2006), “Correlated Electron-Hole Transitions in Bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As QuantumWells: Effects of Applied Electric and In-Plane Magnetic Fields”, Brazilian Journal of Physics 36(3B), pp 1038–1041 [25] Durst A C., Sachdev S., Read N., and Girvin S M (2003), “Radiation-Induced Magnetoresistance Oscillations in a 2D Electron Gas”, Phys Rev Lett 91, pp 086803 (4 pages) [26] Epshtein E M (1976), “Odd magnetophotoresistance effect in semiconductors”, Sov Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 10, pp 1414–1415 [in Russian] [27] Epshtein E M (1976), “Odd magnetoresistance of nonlinear conductors in timedependent electric fields”, Sov J Theor Phys Lett 2, 5, pp 234–237 [in Russian] [28] Esaki L and Tsu R (1970), “Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors”, IBM J Res Develop 14, pp 61–65 [29] Hai G Q and Peeters F M (1999), “Optically detected magnetophonon resonances in GaAs”, Phys Rev B 60, pp 16513-16518 [30] Hashimzade F M., Hasanov Kh A., and Babayev M M (2006), “Negative magnetoresistance of an electron gas in a quantum well with parabolic potential”, Phys Rev B 73, pp 235349 (8 pages) [31] Henriksen E A et al (2005), “Acoustic phonon scattering in a low density, high mobility AlGaN/GaN field-effect transistor”Appl Phys Lett 86, pp 252108 (3 pages) [32] Hwang E H and Das Sarma S (2006), “Hall coefficient and magnetoresistance of two-dimensional spin-polarized electron systems”, Phys Rev B 73(12), pp 121309(R) (4 pages) [33] I˜ narrea J et al (2005), “Theoretical approach to microwave-radiation-induced zeroresistance states in 2D electron systems”, Phys Rev Lett 94, pp 016806 (4 pages) 114 [34] Jian-Bai X and Wei-Jun F (1989), “Electronic structure of superlattices under inplane magnetic field”, Phys Rev B 40, pp 8508–8515 [35] Kahn A H and Frederikse H P R (1959), “Oscillatory behavior of magnetic susceptibility and electronic conductivity”, Sol Stat Phys 9, pp 257–291 [36] Kaminskii V É (2002), “Kinetic theory of negative magnetoresistance as an alternative to weak localization in semiconductors”, Semiconductors 36, pp 1276–1282 [37] Kang N L, Cho Y J., and Choi S D (1996), “A many-body of quantum limit cyclotron transition line-shape in electron - phonon systems based on projection technique”, Prog Theor Phys 96, pp 307–316 [38] Klitzing K., Dorda G., Pepper (1980), “New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance”, Phys Rev Lett 45, pp 494–497 [39] Kreshchuk A M Novikov, S V., Polyanskaya T A., and SavelÒev I G (1997), “Spin relaxation and weak localization of two-dimensional electrons in asymmetric quantum wells”, Semiconductors 31, pp 391–398 [40] Laughlin R B (1981), “Quantized Hall conductivity in two dimensions”, Phys Rev B 23, pp 5632–5633 [41] Lee S C (2007), “Optically detected magnetophonon resonances in quantum wells”, J Korean Phys Soc 51(6), pp, 1979–1986 [42] Lee S C., Ahn H S., Kang D S., Lee S O., Kim S W (2003), “Optically detected magnetophonon resonances in n-Ge in tilted magnetic fields”, Phys Rev B 67, pp 115342 (5 pages) [43] Lee S C., Kang J W , Ahn H S., Yang M., Kang N L., Kim S W (2005), “Optically detected electrophonon resonance effects in quantum wells”, Physica E 28, pp 402–411 115 [44] Lei X and Lin S Y (2005), “Microwave modulation of electron heating and Shubnikov-de Haas oscillation in two-dimensional electron systems”, Appl Phys Lett 86, pp 262101–262103 [45] Linke H., Omling P., and Ramvall P (1993), “Application of microwave detection of the Shubnikov - de Haas effect in two-dimensional systems”, J Appl Phys 73(11), pp 7533–7542 [46] Look D C., Sizelove J R., Keller S., Wu Y F., Mishra U K., and Den Baars S P (1997), “Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN”, Sol Stat Comm 102, pp 297–300 [47] Lyapilin I I and Patrakov A E (2004), “Conductivity of a two-dimensional electron gas in magnetic field in the presence of microwave radiation”, Low Temp Phys 30, pp 834–847 [48] Malevich, V L., and Epshtein E M (1976), “Photostimulated odd magnetoresistance in semiconductors”, Sov Phys Solid State [Fiz Tverd Tela ] 18, pp 1286– 1289 [in Russian] [49] Mani R G (2004), “Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave excitation in GaAs/AlGaAs Heterostructures”, Physica E 22, pp 1–6 [50] Mani R G et al (2002), “Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave excitation in GaAs/AlGaAs heterostructures”, Nature 420, pp 646–650 [51] Mani R G et al (2004), “Demonstration of a 1/4-Cycle Phase Shift in the Radiation-Induced Oscillatory Magnetoresistance in GaAs/AlGaAs Devices”, Phys Rev Lett 92, pp 146801 (4 pages) [52] Minkov G M., Negashev S A., Rut O E., and Germanenko A V (2000),“Analysis of negative magnetoresistance: Statistics of closed paths II Experiment”, Phys Rev B 61, pp 13172–13176 116 [53] Mitra B and Ghatak K P (1991), “Effect of crossed electric and quantizing magnetic fields on the Einstein relation in semiconductor superlattices”, Phys Stat Sol (b) 164, pp K13–K18 [54] Morkoc H (1999), Nitride Semiconductors and Devices, Springer, Verlag - Berlin Heildelberg - New York [55] Pankratov A A., and Epshtein E M (1982), “Kinetic theory of longitudinal Hall effect in high-frequency electric field”, Sov Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 16(9), pp 1689–1691 [in Russian] [56] Pavlovich V V and Epshtein E M (1977), “Nonlinear optical properties of conduction electrons in semiconductors”, Sov Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 11, pp 809–811 [in Russian] [57] Perlin P et al (1996), “Determination of the effective mass of GaN from infrared reflectivity and Hall effect”, Appl Phys Lett 68(8), pp 1114–1116 [58] Ploog K and Dohler G H (1983), “Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors”, Adv Phys 32(3), pp 285–359 [59] Raichev O E (2008), “Magnetic oscillations of resistivity and absorption of radiation in quantum wells with two populated subbands”, Phys Rev B 78, pp 125304 (14 pages) [60] Ridley B K (1993), Quantum Processes in Semiconductors, Clarendon Press, Oxford [61] Ryu J Y., Yi S N., and Choi S D (1990), “Cyclotron transition linewidths due to electron - phonon interaction via piezoelectric scattering”, J Phys.: Condens Matter 2, pp 3515–3527 117 [62] Ryzhii V and Vyurkov V (2003), “Absolute negative conductivity in twodimensional electron systems associated with acoustic scattering stimulated by microwave radiation”, Phys Rev B 68, pp 165406 (7 pages) [63] Sarkar C K and Basu P K (1986), “Cyclotron resonance linewidth in a two dimensional electron gas due to scattering by alloy clusters”, Sol Stat Comm 60, pp 525–526 [64] Shan W., Schmidt S., Yang X H., Song J J., and Goldenberg B (1996), “Optical properties of wurtzite GaN grown by low-pressure metalorganic chemical-vapor deposition”, J Appl Phys 79, pp 3691–3696 [65] Shmelev G M., Tsurkan G I., and Nguyen Hong Shon (1981), “The magnetoresistance and the cyclotron resonance in semiconductors in the presence of strong electromagnetic wave”, Sov Phys Semicond [ Fiz Tekh Poluprovodn.] 15(1), pp 156–161 [in Russian] [66] Silin A P (1985), “Semiconductor superlattices”, Sov Phys Usp 28, pp 972–993 [67] Singh J (1993), Physics of Semiconductors and Their Heterostructures, McGrawHill, Singapore [68] Singh M (1987), “Cyclotron resonance linewidth due to electron - phonon interaction in multi-quantum well structures”, Phys Rev B 35, pp 1301–1304 [69] Smrcka L et al (2006), “Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields”, Physica E 34, pp 632–635 [70] Song S N., Wang X K., Chang R P H., and Ketterson J B (1994), “Electronic Properties of Graphite Nanotubules from Galvanomagnetic Effects”, Phys Rev Lett 72, pp 697–700 118 [71] Tanatar B and Singh M (1991), “Temperature dependence of the cyclotron resonance linewidth and effective mass in GaAs/Ga1−x Ax As square-well structures”, Phys Rev B 43, pp 6612–6619 [72] Telenkov M P., Mityagin Y A., and Kartsev P F (2012), “Intersubband terahertz transitions in Landau level system of cascade GaAs/AlGaAs quantum well structures in strong tilted magnetic field”, Nanoscale Research Letters 7, pp 491-495 [73] Tiras E et al (2012), “Temperature dependent energy relaxation time in AlGaN/AlN/GaN heterostructures”, Superlatt Microstruct 51, pp 733–744 [74] Torres M and Kunold A (2006), “Photoconductivity in AC-driven modulated twodimensional electron gas in a perpendicular magnetic field”, J Phys.: Condens Matter 18(16), pp 4029–4045 [75] Tsui D C., Stormer H L., Gossard A C (1982), “Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit”, Phys Rev Lett 48, pp 1559–1562 [76] Vasilopoulos P (1986), “Magnetophonon oscillations in quasi-two-dimentional quantum wells”, Phys Rev B 33, pp 8587–8594 [77] Vasilopoulos P., Charbonneau M., and Van Vliet C M (1987), “Linear and nonlinear electrical conduction in quasi-two-dimensional quantum wells”, Phys Rev B 35(3), pp 1334–1344 [78] Van Vliet C M (1978), “Linear response theory revisited I The many-body van Hove limit”, J Math Phys 25, pp 1345–1370 [79] Van Vliet C M (1979), “Linear response theory revisited II The master equation approach”, J Math Phys 25, pp 2573–2595 [80] Vasilopoulos P and Van Vliet C M (1984), “Linear response theory revisited IV Applications”, J Math Phys 25, pp 1391–1403 119 [81] Veinger A I., Zabrodskii A G., and Tisnek T V (2000), “The Magnetoresistance of Compensated Ge:As at Microwave Frequencies in the Vicinity of the MetalỌInsulator Phase Transition”, Semiconductors 34, pp 746–754 [82] Waldron E., Graff J., and Schubert E (2001), “Influence of Doping Profiles on p-type AlGaN/GaN Superlattices”, Phys Stat Sol (a) 188(2), pp 889–893 [83] Xu W and Zhang C (1996), “Magneto-photon-phonon resonances in twodimensional semiconductor systems driven by terahertz electromagnetic fields”, Phys Rev B 54, pp 4907–4912 [84] Yang C L., Zudov M A., Knutilla T A., Du R R., Pfeiffer L N., and West K W (2003), “Observation of Microwave-Induced Zero-Conductance State in Corbino Rings of a Two-Dimensional Electron System”, Phys Rev Lett 91, pp 096803 (4 pages) [85] Zudov M A., Du R R., Pfeiffer L N., and West K W (2003), “Evidence for a New Dissipationless Effect in 2D Electronic Transport”, Phys Rev Lett 90, pp 046807 (4 pages) [86] Zudov M A., Du R R., Simmons J A., and Reno J L (2001), “Shubnikov - de Haas-like oscillations in millimeterwave photoconductivity in a high-mobility twodimensional electron gas”, Phys Rev B 64, pp 201311(R) (4 pages) [87] T C Phong, L T T Phuong, and H V Phuc (2012), “Cyclotron resonance linewidth due to electron - LO-phonon interaction in cylindrical quantum wires”, Superlatt Mirostruct 52, pp 16–23 [88] Zhang X B., Taliercio T., Kolliakos S and Lefebvre P.(2001), “Influence of electronphonon interaction on the optical properties of III nitride semiconductors”, J Phys.: Condens Matter 13, pp 7053–7074 120 [89] Zhdanova N G., Kagan M S., and Landsberg E G (2000), “Electron Localization in a Nondegenerate Semiconductor with a Random Potential due to Charged Impurities”, J Exp Theor Phys 90, pp 662–670 121 [...]...Tài liệu tham khảo Tiếng Việt: [1] Nguyễn Quang Báu (chủ biên), Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội [2] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Tiếng Anh: [3] Balkan N., Celik H., Vickers A J., and Cankurtaran M (1995), “Warm-electron... coeffcient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J Korean Phys Soc 54(2), pp 765–773 [6] N Q Bau, H D Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J Korean Phys Soc 56(1) pp 120–127 111 [7] N Q Bau , L T Hung, and N D Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic... (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In Electromagnetics Research Letters 15, pp 175–185 [9] N Q Bau and D M Hung (2010), “Calculation of the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In... Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance”, Phys Rev Lett 45, pp 494–497 [39] Kreshchuk A M Novikov, S V., Polyanskaya T A., and SavelÒev I G (1997), “Spin relaxation and weak localization of two-dimensional electrons in asymmetric quantum wells”, Semiconductors 31, pp 391–398 [40] Laughlin R B (1981), “Quantized Hall conductivity in two dimensions”, Phys Rev B 23, pp... Henriksen E A et al (2005), “Acoustic phonon scattering in a low density, high mobility AlGaN/GaN field-effect transistor”Appl Phys Lett 86, pp 252108 (3 pages) [32] Hwang E H and Das Sarma S (2006), Hall coefficient and magnetoresistance of two-dimensional spin-polarized electron systems”, Phys Rev B 73(12), pp 121309(R) (4 pages) [33] I˜ narrea J et al (2005), “Theoretical approach to microwave-radiation-induced... absorption coefficient of a weak electromagnetic wave caused by electrons confined in rectangular quantum wires in the presence of laser radiation”, J Korean Phys Soc 64(4), pp 574–578 [14] Cavill S A., Challis L J., Kent A J., Ouali F F., Akimov A V., and Henini M (2002), “Acoustic phonon-assisted tunneling in GaAs/AlAs superlattices”, Phys Rev B 66, pp 235320 (11 pages) 112 [15] Charbonneau M., Van Vliet... 164, pp K13–K18 [54] Morkoc H (1999), Nitride Semiconductors and Devices, Springer, Verlag - Berlin Heildelberg - New York [55] Pankratov A A., and Epshtein E M (1982), “Kinetic theory of longitudinal Hall effect in high-frequency electric field”, Sov Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 16(9), pp 1689–1691 [in Russian] [56] Pavlovich V V and Epshtein E M (1977), “Nonlinear optical properties of conduction... electrons in semiconductors”, Sov Phys Semicond [Fiz Tekh Poluprovodn.] 11, pp 809–811 [in Russian] [57] Perlin P et al (1996), “Determination of the effective mass of GaN from infrared reflectivity and Hall effect”, Appl Phys Lett 68(8), pp 1114–1116 [58] Ploog K and Dohler G H (1983), “Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors”, Adv Phys 32(3), pp 285–359 [59] Raichev O E (2008),... chemical-vapor deposition”, J Appl Phys 79, pp 3691–3696 [65] Shmelev G M., Tsurkan G I., and Nguyen Hong Shon (1981), “The magnetoresistance and the cyclotron resonance in semiconductors in the presence of strong electromagnetic wave”, Sov Phys Semicond [ Fiz Tekh Poluprovodn.] 15(1), pp 156–161 [in Russian] [66] Silin A P (1985), “Semiconductor superlattices”, Sov Phys Usp 28, pp 972–993 [67] Singh J (1993),... structures”, Phys Rev B 43, pp 6612–6619 [72] Telenkov M P., Mityagin Y A., and Kartsev P F (2012), “Intersubband terahertz transitions in Landau level system of cascade GaAs/AlGaAs quantum well structures in strong tilted magnetic field”, Nanoscale Research Letters 7, pp 491-495 [73] Tiras E et al (2012), “Temperature dependent energy relaxation time in AlGaN/AlN/GaN heterostructures”, Superlatt Microstruct