Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối)

Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) Bởi: Trương Văn Tám Transistor thường (BJT) gọi Transistor lưỡng cực có hai nối PN lúc UJT có độc nối P-N Tuy không thông dụng BJT, UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính UJT: Hình sau mô tả cấu tạo đơn giản hoá ký hiệu UJT Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n- với hai lớp tiếp xúc kim loại hai đầu tạo thành hai cực B1 B2 Nối PN hình thành thường hợp chất dây nhôm nhỏ đóng vai trò chất bán dẫn loại P Vùng P nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài hai cực B1, B2 Dây nhôm đóng vai trò cực phát E Hình sau trình bày cách áp dụng điện chiều vào cực UJT để khảo sát đặc tính 1/6 Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) - Khi chưa áp VEE vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn điện trở với nguồn điện VBB, ký hiệu RBB gọi điện trở liên (thường có trị số từ K? đến 10 K?) Từ mô hình tương đương ta thấy Diod dùng để diễn tả nối P-N vùng P vùng n- Điện trở RB1 RB2 diễn tả điện trở thỏi bán dẫn n- Như vậy: - Bây giờ, ta cấp nguồn VEE vào cực phát B1 (cực dương nối cực phát) Khi VEE=0V (nối cực phát E xuống mass), VA có điện dương nên Diod phân cực nghịch ta có dòng điện rỉ nhỏ chạy từ cực phát tăng VEE lớn dần, dòng điện IE bắt đầu tăng theo chiều dương (dòng rỉ ngược IE giảm dần, triệt tiêu, sau dương dần) Khi VE có trị số VE=VD+VA VE=0,5V + ? VB2B1 (ở VB2B1 = VBB) Diod phân cực thậun bắt đầu dẫn điện mạnh 2/6 Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) Điện VE=0,5V + ? VB2B1=VP gọi điện đỉnh (peak-point voltage) UJT Khi VE=VP, nối P-N phân cực thuận, lỗ trống từ vùng phát khuếch tán vào vùng n- di chuyển đến vùng B1, lúc lỗ trống hút điện tử từ mass lên Vì độ dẫn điện chất bán dẫn hàm số mật độ điện tử di động nên điện trở RB1 giảm Kết lúc dòng IE tăng điện VE giảm Ta có vùng điện trở âm Điện trở động nhìn từ cực phát E vùng điện trở âm là: rd = − ΔVE ΔIE Khi IE tăng, RB1 giảm lúc RB2 ítbị ảnh hưởng nên điện trở liên RBB giảm Khi IE đủ lớn, điện trở liên RBB chủ yếu RB2 Kết thúc vùng điện trở âm vùng thung lũng, lúc dòng IE đủ lớn RB1 nhỏ không giảm (chú ý dòng cực B1) gồm có dòng điện liên IB cộng với dòng phát IE ) nên VE không giảm mà bắt đầu tăng IE tăng Vùng gọi vùng bảo hòa Như vây ta nhận thấy: - Dòng đỉnh IP dòng tối thiểu cực phát E để đặt UJT hoạt động vùng điện trở âm Dòng điện thung lũng IV dòng điện tối đa IE vùng điện trở âm - Tương tự, điện đỉnh VP điện thung lũng VV điện tối đa tối thiểu VEB1 đặt UJT vùng điện trở âm Trong ứng dụng UJT, người ta cho UJT hoạt động vùng điện trở âm, muốn vậy, ta phải xác định điện trở RE để IP ... phân cực thậun bắt đầu dẫn điện mạnh 2/6 Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) Điện VE=0,5V + ? VB2B1=VP gọi điện đỉnh (peak-point voltage) UJT Khi VE=VP, nối P-N phân cực thuận, lỗ.. .Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) - Khi chưa áp VEE vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn điện... tăng - Điện thung lũng VV dòng điện thung lũng IV Cả VV IV tăng VBB tăng 4/6 Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối) - Điện cực phát bảo hòa VEsat: hiệu điện cực phát E cực B1 đo IE=10mA