1. Trang chủ
  2. » Khoa Học Tự Nhiên

Đặc tuyến v i của transistor

7 5,2K 36

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 7
Dung lượng 154,84 KB

Nội dung

Đặc tuyến V-I transistor Đặc tuyến V-I transistor Bởi: Trương Văn Tám Người ta thường ý đến loại đặc tuyến transistor: • Đặc tuyến ngõ vào • Đặc tuyến ngõ • Đặc tuyến truyền Điểm cần ý: tuỳ theo loại transistor cách ráp mà nguồn V11, V22 phải mắc cực (sao cho nối thu phân cực nghịch nối phát phân cực thuận) Các Ampe kế I1, I2, volt kế V1 V2 phải mắc chiều Chúng ta khảo sát hai cách mắc bản:L Mắc theo kiểu cực chung: Mạch điện sau: 1/7 Đặc tuyến V-I transistor Đặc tuyến ngõ vào (input curves) Nhận xét: • Khi nối thu để hở, đặc tuyến có dạng đặc tuyến diode phân cực thuận • Điện ngưỡng (knee voltage) đặc tuyến giảm VCB tăng Đặc tuyến ngõ (output curves) Là đặc tuyến biểu diễn thay đổi dòng điện cực thu IC theo điện thu VCB với dòng điện cực phát IE làm thông số Đặc tuyến có dạng sau: Ta ý đến ba vùng hoạt động transistor Vùng tác động: Nối phát phân cực thuận, nối thu phân cực nghịch Trong vùng đặc tuyến đường thẳng song song cách Trong ứng dụng thông thường, transistor phân cực vùng tác động 2/7 Đặc tuyến V-I transistor Vùng ngưng: nối phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu phân cực nghịch Trong vùng transistor không hoạt động Vùng bảo hoà: nối phát phân cực thuận, nối thu phân cực thuận Trong ứng dụng đặc biệt, transistor phân cực vùng Mắc theo kiểu cực phát chung 3/7 Đặc tuyến V-I transistor Đặc tuyến ngõ vào: Đặc tuyến ngõ ra: Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện ngõ VCE với dòng điện ngõ vào IB chọn làm thông số Dạng đặc tuyến sau: 4/7 Đặc tuyến V-I transistor • Ta thấy có vùng hoạt động transistor: vùng bảo hoà, vùng tác động vùng ngưng • Khi nối tắt VBE (tức IB=0) dòng điện cực thu xấp xĩ dòng điện rĩ ICEO 5/7 Đặc tuyến V-I transistor Đặc tuyến truyền: (Transfer characteristic curve) Đối với transistor Si, vùng hoạt động có VBE nằm khoảng 0,5-0,8V Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ Ở vùng bão hoà, dòng IC tăng nhanh VBE thay đổi Ở vùng ngưng, VBE nhỏ, dòng rỉ qua transistor ICES nhỏ, thường xấp xĩ ICBO Ngay vùng hoạt động, VBE thay đổi lượng nhỏ (từ dòng IB thạy đổi) dòng IC thay đổi lượng lớn Vì thế, ứng dụng, người ta dùng điện cực VBE làm điện điều khiển cực B gọi cực khiển Ảnh hưởng nhiệt độ lên đặc tuyến BJT Như ta thấy, tính chất điện chất bán dẫn thay đổi theo nhiệt độ Do đó, đặc tuyến BJT thay đổi nhiệt độ thay đổi • Khi nhiệt độ tăng, dòng điện rỉ cực thu (ICBO,Iceo, ICES) tăng • Khi nhiệt độ tăng, độ lợi điện αDC, βDC tăng • Khi nhiệt độ tăng, điện phân cực thuận (điện ngưỡng) nối phát VBE giảm Thông thường, VBE giảm 2,2mV nhiệt độ tăng 10C 6/7 Đặc tuyến V-I transistor • Dòng điện rỉ ICBO tăng gấp nhiệt độ tăng 80C transistor Si 7/7 .. .Đặc tuyến V-I transistor Đặc tuyến ngõ vào (input curves) Nhận xét: • Khi nối thu để hở, đặc tuyến có dạng đặc tuyến diode phân cực thuận • Điện ngưỡng (knee voltage) đặc tuyến giảm... V-I transistor Đặc tuyến ngõ vào: Đặc tuyến ngõ ra: Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện ngõ VCE với dòng điện ngõ vào IB chọn làm thông số Dạng đặc tuyến sau: 4/7 Đặc tuyến V-I transistor •... thuận, nối thu phân cực nghịch Trong vùng đặc tuyến đường thẳng song song cách Trong ứng dụng thông thường, transistor phân cực vùng tác động 2/7 Đặc tuyến V-I transistor Vùng ngưng: nối phát phân

Ngày đăng: 31/12/2015, 16:59

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w